本發(fā)明旨在提供一種大幅降低制造成本、并使產(chǎn)品方便量產(chǎn)化制造的耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的方法及其裝置，尤適于應(yīng)用在發(fā)光二極管電極或類(lèi)似結(jié)構(gòu)的制造。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管由于耗電量少、體積小，目前廣泛地應(yīng)用于家電用品的指示燈、移動(dòng)電話的背光光源、交通信號(hào)、廣告廣告牌以及汽車(chē)第三煞車(chē)燈等等。一般發(fā)光二極管的制法，首先制作出iii-v化合物芯片后，再于iii-v化合物芯片上制作金屬電極，而后進(jìn)行切割以形成發(fā)光二極管晶粒，最后進(jìn)行封裝作業(yè)，即可完成發(fā)光二極管的制作。

現(xiàn)有的發(fā)光二極管金屬電極的制作方法，大致可分為二種，第一種方法是先于iii-v化合物芯片表面鍍上一層金屬膜，接續(xù)利用微影蝕刻技術(shù)形成一圖案化光阻層，并以該圖案化光阻層為掩膜，蝕刻該金屬膜，以完成金屬電極的制作；另一種方法則是于iii-v化合物芯片上涂布一層光阻并進(jìn)行微影成像后，鍍上一層金屬膜，再進(jìn)行光阻浮離工藝，使金屬成像完成金屬電極的制作。

但是，上述方法均需利用微影蝕刻工藝才能完成電極的制作，但微影蝕刻工藝相當(dāng)煩瑣、復(fù)雜，在制作上具有較高的困難。

再者，為改善上述工藝的缺點(diǎn)，其使用的磁性吸附組件在當(dāng)工作溫度為80℃以上時(shí)，將產(chǎn)生磁力衰退、退化的現(xiàn)象，造成無(wú)法緊密吸附非磁性金屬掩膜的問(wèn)題。

因此，如何提出一種可減化工藝、方便制造、大幅降低制造成本以及適用于高溫工作環(huán)境，并使所制出的發(fā)光二極管具有所需電極為本發(fā)明的用意。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成 的方法，包括下列步驟：設(shè)置耐高溫磁性吸附組件于載具的第一容置空間內(nèi)、設(shè)置芯片于載具的第二容置空間內(nèi)以及以非磁性金屬掩膜覆蓋載具的第二容置空間，其中高溫的溫度為80℃以上。本發(fā)明更提供一種耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的裝置，包括一載具、一耐高溫磁性吸附組件、一芯片以及一非磁性金屬掩膜。載具具有第一容置空間及第二容置空間。耐高溫磁性吸附組件設(shè)置于第一容置空間內(nèi)。芯片設(shè)置于載具的第二容置空間內(nèi)。非磁性金屬掩膜覆蓋載具的第二容置空間，其中高溫的溫度為80℃以上。

如上所述，本發(fā)明公開(kāi)一改進(jìn)現(xiàn)有微影蝕刻工藝繁瑣、復(fù)雜的缺點(diǎn)，而提供一種工藝精簡(jiǎn)、降低成本、抵抗高溫(耐高溫)、并可令芯片電極方便量產(chǎn)化的耐高溫發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的方法及裝置。

附圖說(shuō)明

圖1a及圖1b為本發(fā)明耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的裝置分解立體圖及側(cè)視圖；

圖2為本發(fā)明蒸鍍的使用狀態(tài)圖；

圖3a及圖3b為耐高溫磁性吸附組件相比于一般磁鐵烘烤累積時(shí)間的衰退率比較圖；

圖4為耐高溫磁性吸附組件于各種工作溫度范圍的釹鐵硼磁鐵材料特性圖。

【符號(hào)說(shuō)明】

10載具

12容置空間

13定位孔

20耐高溫磁性吸附組件

30非磁性金屬掩膜

40芯片

50擋片

51定位柱

52結(jié)合柱

60蒸鍍轉(zhuǎn)盤(pán)

61點(diǎn)蒸發(fā)源

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1a及圖1b，其為本發(fā)明耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的裝置分解立體圖及側(cè)視圖。本發(fā)明提供一種耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的裝置，包括一載具10、一耐高溫磁性吸附組件20、一非磁性金屬掩膜30以及一芯片40。載具10具有第一容置空間11及第二容置空間12。耐高溫磁性吸附組件20設(shè)置于第一容置空間11內(nèi)。芯片40設(shè)置于載具10的第二容置空間12內(nèi)。非磁性金屬掩膜30覆蓋載具10的第二容置空間，其中高溫的溫度為80℃以上。

載具10可為圓形、方形或三角形等任意形狀，而載具10的周緣上、下各延伸一適當(dāng)長(zhǎng)度的邊框，使載具10的上、下方各形成一容置空間11、12，且載具10一側(cè)邊框上設(shè)置有數(shù)個(gè)定位孔13。

耐高溫磁性吸附組件20是配合載具10的外形而設(shè)計(jì)，以便于設(shè)置于載具10下方的容置空間11中。非磁性金屬掩膜30包括不具磁性的金屬薄片，其中非磁性金屬掩膜30的厚度為10μm～100μm，其是配合載具10外形而設(shè)置。此外，不具磁性的金屬薄片上設(shè)有所需的多孔狀幾何圖形。芯片40設(shè)置于載具10上方的容置空間12內(nèi)。擋片50對(duì)應(yīng)載具10設(shè)置有定位孔13處的一側(cè)，突出設(shè)置至少一定位柱51，另一側(cè)中央設(shè)置結(jié)合柱52。

如上所述，實(shí)際制造時(shí)，將耐高溫磁性吸附組件20置于擋片50上設(shè)有定位柱51之處，再將載具10設(shè)有定位孔13的一側(cè)朝下并與定位柱51扣合，使耐高溫磁性吸附組件20置于載具10下方的容置空間11內(nèi)，另外，把芯片40置于載具10上方的容置空間12中，最后再將設(shè)有所需圖形的非磁性金屬掩膜30置于芯片40的表面，使非磁性金屬掩膜30完整覆蓋芯片40，此時(shí)，非磁性金屬掩膜30即被下方的耐高溫磁性吸附組件20的磁力所吸附，芯片40則被非磁性金屬掩膜30與耐高溫磁性吸附組件20夾住并固定，以便于擋片50進(jìn)行蒸鍍，并于芯片40上直接形成所需的電極。

請(qǐng)參閱圖2，其為本發(fā)明蒸鍍的使用狀態(tài)圖。蒸鍍轉(zhuǎn)盤(pán)60包括一球面部，并與點(diǎn)蒸發(fā)源61之間以一預(yù)定距離相對(duì)設(shè)置。再者，利用擋片50底 部所設(shè)的結(jié)合柱52，以將多個(gè)擋片50結(jié)合于蒸鍍轉(zhuǎn)盤(pán)60的球面部上，使每一擋片50上的芯片40與點(diǎn)蒸發(fā)源61近乎成垂直角度，以使圖案移轉(zhuǎn)完整及減少圖案周邊膜厚下降，而方便芯片40鍍膜成像。

請(qǐng)參閱圖3a及圖3b，其為耐高溫磁性吸附組件相比于一般磁鐵烘烤累積時(shí)間的衰退率比較圖。于本發(fā)明中，耐高溫磁性吸附組件20包括耐高溫磁鐵，其指能夠承受環(huán)境溫度80℃以上的磁鐵。需注意的是，圖3a中所測(cè)試的烘烤溫度是以100℃作為測(cè)試溫度，但于本發(fā)明中并不以此為限。相比之下，一般磁鐵在經(jīng)過(guò)相同的烘烤時(shí)間以及相同的環(huán)境溫度之后，其磁力衰退的幅度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于耐高溫磁性吸附組件20衰退的程度，因而可能影響到吸附非磁性金屬掩膜30的緊密程度。

于本發(fā)明中，耐高溫磁性吸附組件20包括釹鐵硼磁鐵、釤鈷磁鐵以及鋁鎳鈷磁鐵，于本發(fā)明中并不以此為限。根據(jù)不同的工作溫度范圍，用戶可選擇不同材料的耐高溫磁性吸附組件。請(qǐng)參閱圖4，其為耐高溫磁性吸附組件于各種工作溫度范圍的釹鐵硼磁鐵材料特性圖。例如，于80℃至240℃的工作溫度之間，可根據(jù)圖4選擇不同類(lèi)型的釹鐵硼磁鐵，包括m型、h型、sh型、uh型、eh型以及ah型。此外，根據(jù)其它實(shí)驗(yàn)結(jié)果，于240℃至350℃的工作溫度之間，可選擇不同混合比例的釤鈷磁鐵，例如在240℃至250℃的工作溫度之間，可選用1∶5比例的釤鈷磁鐵，在250℃至350℃的工作溫度之間，可選用2∶17比例的釤鈷磁鐵。大于350℃的工作溫度時(shí)，可選擇鋁鎳鈷磁鐵。需注意的是，上述界定的工作溫度數(shù)值范圍并非為一定標(biāo)準(zhǔn)，而是作為使用者選擇的對(duì)照參考。

此外，本發(fā)明還提供一種耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的方法，包括下列步驟：設(shè)置耐高溫磁性吸附組件20于載具10的第一容置空間11內(nèi)、設(shè)置芯片40于載具10的第二容置空間12內(nèi)以及以非磁性金屬掩膜30覆蓋載具10的第二容置空間12，其中高溫的溫度為80℃以上。

如上所述，上述方法還包括以一擋片50覆蓋載具10的第一容置空間11的步驟。

再者，耐高溫的發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的方法還包括根據(jù)不同工作溫度范圍選擇不同材料的該耐高溫磁性吸附組件的步驟。進(jìn)一步而言，該步驟包括于80℃至240℃的工作溫度之間，選擇不同類(lèi)型的釹鐵硼磁鐵 耐的高溫磁性吸附組件；于240℃至350℃的工作溫度之間，選擇不同混合比例的釤鈷磁鐵的耐高溫磁性吸附組件；于大于350℃的工作溫度選擇鋁鎳鈷磁鐵的耐高溫磁性吸附組件。其余相同的原理及結(jié)構(gòu)如上所述，于此不再贅述。

由上可知，以本發(fā)明的方法及制出的裝置具有如下優(yōu)點(diǎn)：1、改變現(xiàn)有芯片電極需以微影蝕刻較繁瑣、困難的技術(shù)制作的缺點(diǎn)，而以精簡(jiǎn)的工藝完成芯片電極的制作，故可大幅降低制作成本。2、通過(guò)本發(fā)明的載具、磁性吸附組件以及非磁性金屬掩膜的使用，令芯片電極的制作可方便量產(chǎn)化。3、選擇極薄的非磁性金屬掩膜并透過(guò)磁性吸附組件的吸附，令非磁性金屬掩膜緊密貼附于芯片，同時(shí)每一芯片均以近乎垂直的角度與蒸發(fā)源金屬相對(duì)，故非磁性金屬掩膜上的圖案移轉(zhuǎn)完整同時(shí)減少圖案周邊膜厚下降。4、根據(jù)不同的工作溫度選擇不同材料性質(zhì)的耐高溫磁性吸附組件可進(jìn)一步適應(yīng)于高溫的工作環(huán)境。

綜上所述，本發(fā)明公開(kāi)一改進(jìn)現(xiàn)有微影蝕刻工藝繁瑣、復(fù)雜的缺點(diǎn)，而提供一種工藝精簡(jiǎn)、降低成本、抵抗高溫(耐高溫)、并可令芯片電極方便量產(chǎn)化的耐高溫發(fā)光二極管蒸鍍膜圖案形成的方法及裝置，具有新穎性，以及產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值，依法提出發(fā)明專利申請(qǐng)。