技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、電路組件及集成電路。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括：硅襯底；位于所述硅襯底中的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二摻雜區(qū)；隔離結(jié)構(gòu)，其用于隔離所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)；在所述硅襯底中位于所述第一、第二和第三摻雜區(qū)下方的第二導(dǎo)電類(lèi)型的阱；以及毗鄰所述第二摻雜區(qū)位于其下方的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第三摻雜區(qū)。其中所述第三摻雜區(qū)在所述硅襯底表面上的第一垂直投影落入所述第二摻雜區(qū)在所述硅襯底表面上的第二垂直投影中，所述第一垂直投影的面積小于所述第二垂直投影的面積；并且所述阱與所述第二摻雜區(qū)的底部的一部分以及所述第三摻雜區(qū)的底部的至少一部分接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：張亞蒙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：張亞蒙
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.18
技術(shù)公布日：2017.09.26