技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述方法包括：提供襯底，包括第一區(qū)域、環(huán)繞第一區(qū)域且與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，以及環(huán)繞第二區(qū)域且與第二區(qū)域相鄰的第三區(qū)域；刻蝕襯底，形成鰭部，第一區(qū)域的鰭部密度大于第二區(qū)域和第三區(qū)域的鰭部密度；在第一區(qū)域的鰭部內(nèi)形成垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為U形的第一開口；在第一開口中形成第一連接層。由于第一區(qū)域的鰭部密度較大，鰭部與鰭部之間的距離較小，本發(fā)明通過形成垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為U形的第一連接層，避免所述第一連接層因側(cè)壁具有凸出形貌而發(fā)生互相連接，從而避免所述第一連接層的形貌對雙極結(jié)型晶體管的性能穩(wěn)定性造成不良影響，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.09
技術(shù)公布日：2017.09.19