本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件，優(yōu)選功率晶體管，尤其一種氮化鎵功率晶體管。

背景技術(shù)：

用于評(píng)判半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的性能的重要參數(shù)是接通狀態(tài)中的總電阻。對(duì)于晶體管或mosfet(metall-oxid-halbleiter-feldeffekttransistoren，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，所述電阻習(xí)慣上被稱為rdson。所述電阻的一部分通過(guò)源極和漏極的金屬化構(gòu)造。在此值得期望的是，達(dá)到盡可能低的電阻。

從現(xiàn)有技術(shù)中已知的是，多層地構(gòu)造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件尤其功率晶體管。在此常見(jiàn)的是，在襯底中構(gòu)造有源半導(dǎo)體區(qū)并且在其上面垂直地布置水平延伸的用于源極和漏極的焊盤(pán)(pad)。在一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件中經(jīng)常存在多個(gè)源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)具有薄條的形式。用于源極和漏極的焊盤(pán)則有規(guī)律地覆蓋多個(gè)源區(qū)和漏區(qū)。為了使得電流能夠例如從漏區(qū)流向漏焊盤(pán)，將豎直延伸的金屬化部作為連接部加入到有源半導(dǎo)體區(qū)與焊盤(pán)之間。通過(guò)這種垂直連接部，電流可以因此從漏區(qū)流出或流入到源區(qū)中并且流入到漏焊盤(pán)中或從源焊盤(pán)流出。在此，焊盤(pán)尤其是平面的、基本上電阻式的接觸部(歐姆接觸部)，通過(guò)該接觸部，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件可以接線到外部。

因?yàn)樵春副P(pán)和漏焊盤(pán)由結(jié)構(gòu)引起地分別不能覆蓋整個(gè)有源半導(dǎo)體區(qū)，必要的是，電流的一部分橫向穿過(guò)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件傳輸，以便到達(dá)相應(yīng)的焊盤(pán)。橫向電流傳輸一直持續(xù)到到達(dá)由相應(yīng)的源焊盤(pán)或漏焊盤(pán)覆蓋的位置。在那里，電流流過(guò)有源半導(dǎo)體區(qū)與相應(yīng)的焊盤(pán)之間的垂直連接部。在此，橫向電流傳輸可以在有源半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)或在源區(qū)和漏區(qū)的習(xí)慣上與相應(yīng)的源區(qū)或漏區(qū)均重合的歐姆接觸部中進(jìn)行。

這種構(gòu)造的問(wèn)題是，對(duì)于橫向電流傳輸產(chǎn)生相對(duì)高的電阻，所述高的電阻對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的總電阻不利。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件，尤其一種功率晶體管，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件具有襯底、有源半導(dǎo)體區(qū)、源焊盤(pán)和漏焊盤(pán)，有源半導(dǎo)體區(qū)具有至少一個(gè)源區(qū)和至少一個(gè)漏區(qū)，源焊盤(pán)覆蓋襯底的第一部分并且漏焊盤(pán)覆蓋襯底的第二部分，其中，在源焊盤(pán)或漏焊盤(pán)與至少一個(gè)源區(qū)或至少一個(gè)漏區(qū)之間布置有基本上水平延伸的、結(jié)構(gòu)化的金屬化平面，其中，源焊盤(pán)借助基本上豎直延伸的至少一個(gè)第一金屬化部與金屬化平面的至少一個(gè)第一部分連接并且漏焊盤(pán)借助基本上豎直延伸的至少一個(gè)第二金屬化部與金屬化平面的至少一個(gè)第二部分連接，其中，金屬化平面的至少一個(gè)第一部分借助基本上豎直延伸的第三金屬化部與至少一個(gè)源區(qū)連接，其中，金屬化平面的至少一個(gè)第二部分借助基本上豎直延伸的第四金屬化部與至少一個(gè)漏區(qū)連接。在此，“基本上垂直”的連接部尤其理解為如下連接部：所述連接部相對(duì)于水平面形成大于45°，優(yōu)選大于75°的角。特別優(yōu)選地，連接部的走向精確垂直。概念“基本上水平”應(yīng)類似地理解。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)

根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件具有以下優(yōu)點(diǎn)：獲得小的且均勻的總電阻。同時(shí)，可以制造具有大于50a的高導(dǎo)電性能的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件。在此，金屬化平面尤其被不是理解為幾何平面，而是空間形體，所述空間形體由導(dǎo)電材料例如由金屬構(gòu)成。在此，尤其涉及與整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件相比薄的金屬層，所述層二維地結(jié)構(gòu)化并且可以通過(guò)說(shuō)明如下位置或區(qū)域來(lái)表征：在所述位置或區(qū)域處，從垂直于平面的方向觀察存在材料。金屬化平面尤其具有近似均勻的厚度，即基本上是二維形體。

金屬化平面通過(guò)兩個(gè)介電的中間層絕緣，使得僅在垂直的金屬化部處存在各個(gè)平面之間的電連接。本發(fā)明的特別的優(yōu)點(diǎn)是，不存在源區(qū)和漏區(qū)的如下區(qū)域：在所述區(qū)域中，電流沒(méi)有繞道到處于所述區(qū)域上方的金屬層上的可能性，而必須流過(guò)一段長(zhǎng)的距離。由此，有效地避免由于這種效應(yīng)而使電阻增大。

在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，金屬平面具有如下結(jié)構(gòu)：使得有源半導(dǎo)體的區(qū)面積的至少50％，優(yōu)選有源半導(dǎo)體區(qū)的面積的70％并且特別優(yōu)選有源半導(dǎo)體區(qū)的面積的90％由金屬化平面覆蓋。由金屬化平面覆蓋的面積的部分越大，用于橫向電流傳輸?shù)钠骄鶛M截面就越大。這改善了所提到的電阻減小。

優(yōu)選地，至少一個(gè)源區(qū)和至少一個(gè)漏區(qū)可以實(shí)施為彼此平行的條。由此得出簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)化的布局，所述布局可以在不用大改變的情況下被加入到已經(jīng)存在的工藝中。

在此，金屬化平面可以具有這樣的條：所述條具有源區(qū)和漏區(qū)的條的至少一倍、至少三倍或至少五倍的寬度。通過(guò)所述措施也確保，對(duì)于橫向電流傳輸提供足夠大的橫截面。金屬化平面的條的取向可以相對(duì)于源焊盤(pán)和漏焊盤(pán)的取向形成30°至150°、尤其80°至100°并且在特殊情況下90°的角度。電流則可以在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件中特別高效地分布。

在本發(fā)明的一種擴(kuò)展方案中，金屬化平面具有梯形構(gòu)造的條。在此，梯形的窄端可以位于如下部位：在所述部位處，梯形——其是金屬化平面的一部分——與接觸焊盤(pán)之間的連接可以借助第一或第二垂直連接部實(shí)現(xiàn)。所述實(shí)施方式有利的是，由于金屬化平面的掩埋區(qū)域的更大的金屬體積而得到減小的總電阻。

在一種替代實(shí)施方式中有利地設(shè)置，金屬化平面具有柵格狀或網(wǎng)狀的結(jié)構(gòu)。周期可以最小是源區(qū)與漏區(qū)的大約兩倍間距并且例如處于10μm與1mm之間的范圍內(nèi)。焊盤(pán)中的一個(gè)可以環(huán)形包圍另一焊盤(pán)。換句話說(shuō)，源焊盤(pán)完全包圍漏焊盤(pán)，或者反之。所述實(shí)施方式有利的是，同心地布置源焊盤(pán)與漏焊盤(pán)。在所描述的幾何形狀中，可以在不損失功能性的情況下互換源電勢(shì)和漏電勢(shì)。

在本發(fā)明的一種擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件包括中間層中的金屬化部，所述金屬化部與金屬化平面構(gòu)造成相同類型并且同樣地滿足電流分布功能，然而布置在金屬化平面的下方或上方。因此也可以實(shí)現(xiàn)，對(duì)于源區(qū)/源焊盤(pán)和對(duì)于漏區(qū)/漏焊盤(pán)彼此無(wú)關(guān)地優(yōu)化電流分布，因?yàn)樵诟┮晥D中看來(lái)，源電流和漏電流的路徑也可以交叉。

同樣地可以實(shí)現(xiàn)，金屬化平面具有處在不同電勢(shì)上的至少兩個(gè)區(qū)域，所述區(qū)域如此結(jié)構(gòu)化，使得所述區(qū)域齒狀地或峰尖狀地彼此嚙合。由此，可以通過(guò)附加的金屬化平面的緊湊結(jié)構(gòu)減小總電阻。

本發(fā)明的有利的擴(kuò)展方案在從屬權(quán)利要求中說(shuō)明并且在說(shuō)明書(shū)中描述。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的實(shí)施例根據(jù)附圖和以下描述進(jìn)一步闡述。附圖示出：

圖1根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的示意性俯視圖和橫截面；

圖2本發(fā)明的第一實(shí)施例的示意性俯視圖；

圖3本發(fā)明的第二實(shí)施例的示意性俯視圖；

圖4本發(fā)明的第三實(shí)施例的示意性俯視圖；

圖5本發(fā)明的第四實(shí)施例的示意性俯視圖；

圖6本發(fā)明的第五實(shí)施例的示意性俯視圖；

圖7圖6中示出的實(shí)施例的放大的局部。

具體實(shí)施方式

圖1示出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件，其如從現(xiàn)有技術(shù)中已知的一樣。在該附圖的上部區(qū)域中示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件100的示意性俯視圖?？梢钥吹皆春副P(pán)102和漏焊盤(pán)104，所述源焊盤(pán)和漏焊盤(pán)分別水平地由右向左延伸并且構(gòu)成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件100的最上層。在此，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件100可以接觸外部并且因此連接到電路中。另外，可以看到分別與焊盤(pán)102、104的延伸方向垂直地走向的源區(qū)106和漏區(qū)108。源區(qū)106和漏區(qū)108是有源半導(dǎo)體區(qū)的一部分并且在源區(qū)106和漏區(qū)108的表面上分別設(shè)有歐姆接觸部(ohmscherkontakt)。也標(biāo)記出在此未進(jìn)一步作為主題討論的柵區(qū)110。

通過(guò)第一垂直連接部112將源區(qū)106與源焊盤(pán)102連接。漏區(qū)108與源區(qū)106類似地通過(guò)第二垂直連接部114與漏焊盤(pán)104連接。

在所示出的示例中涉及用于制造氮化鎵功率晶體管(gan晶體管)的布局。圖1在上部區(qū)域中示出掩膜平面的俯視圖。這代表不同金屬和電介質(zhì)的橫向尺寸。源區(qū)106限定電流進(jìn)入半導(dǎo)體的區(qū)域。電流在這種情況下被理解為電子流。所述區(qū)域包括歐姆接觸部，所述歐姆接觸部通過(guò)第一垂直連接部112與源焊盤(pán)102連接。漏區(qū)108限定電流——即又是電子流——離開(kāi)半導(dǎo)體的區(qū)域。所述區(qū)域也包括歐姆接觸部，所述歐姆接觸部通過(guò)第二垂直連接部114與漏焊盤(pán)104連接。

柵區(qū)110呈現(xiàn)為金屬的或半導(dǎo)體的柵電極，所述柵電極被用于控制晶體管。在本發(fā)明的范疇內(nèi)不再考慮所述柵電極。在此，第一垂直連接部112和第二垂直連接部114涉及由金屬構(gòu)成的敷鍍通孔，所述敷鍍通孔嵌入到由絕緣材料構(gòu)成的層中。

借助源焊盤(pán)102和漏焊盤(pán)104以及未示出的柵焊盤(pán)，晶體管可以與外部設(shè)備連接。

源區(qū)和漏區(qū)106、108交替地以相同的間距例如5μm至30μm布置成例如0.1mm至10mm長(zhǎng)的且經(jīng)常占據(jù)整個(gè)芯片長(zhǎng)度的、薄的、例如0.2μm至10μm寬的條中，使得穿過(guò)半導(dǎo)體的電流在晶片的每個(gè)位置上流過(guò)相同的距離。

在所示出的現(xiàn)有技術(shù)的示例中，選擇了相對(duì)于源區(qū)106和漏區(qū)108呈90°地來(lái)定向接觸焊盤(pán)即源焊盤(pán)102和漏焊盤(pán)104。為了給連接外部設(shè)備提供足夠的面積，接觸焊盤(pán)具有大約(0.1mm-10mm)×(0.1mm-10mm)的尺寸。

問(wèn)題是，待進(jìn)入的或待引出的電流有時(shí)必須流過(guò)有源半導(dǎo)體區(qū)與相應(yīng)的焊盤(pán)102、104之間的遠(yuǎn)路徑。例如在圖1的中央?yún)^(qū)域中流過(guò)源區(qū)106與漏區(qū)108之間的通道的電子，在附圖中必須先在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的在下部區(qū)域中示出的部分中流過(guò)，才能通過(guò)漏焊盤(pán)104離開(kāi)結(jié)構(gòu)元件。針對(duì)這些電流的電阻可以使部件100的總電阻明顯增大。附加地，這種效應(yīng)也導(dǎo)致部件100的電阻的不均勻化。

在圖1的下部區(qū)域中可以看到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件100的橫截面。又可以看到源區(qū)106、漏區(qū)108、柵區(qū)110以及第一垂直連接部112。所述連接部將漏區(qū)108與漏焊盤(pán)104連接。

圖2示出本發(fā)明的第一實(shí)施例的示意性俯視圖。當(dāng)未做出不同的說(shuō)明時(shí)，適用于在圖1中描述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的說(shuō)明同樣地可以適用于在圖2中描述的實(shí)施方式的元件。尤其可以使用焊盤(pán)的、源區(qū)和漏區(qū)等的所提及的尺寸以及垂直連接部的結(jié)構(gòu)。

與在圖1中相似地可以看到源區(qū)8和漏區(qū)10，所述源區(qū)和漏區(qū)實(shí)施為平行條并且布置在共同的平面中。同樣地可以看到與源區(qū)8相鄰的柵區(qū)12。在附圖的左邊部分中標(biāo)記出源焊盤(pán)2，在附圖的右邊區(qū)域中可看到漏焊盤(pán)4。兩個(gè)焊盤(pán)2、4與圖1中相應(yīng)的焊盤(pán)相比旋轉(zhuǎn)90°地布置，并且在附圖中由上向下走向，而不是由右向左。因此，焊盤(pán)2、4與源區(qū)8且與漏區(qū)10平行地走向。此外，焊盤(pán)2、4在面積方面擴(kuò)大并且覆蓋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的面積的一大部分。基本上，焊盤(pán)2、4的尺寸相應(yīng)于從現(xiàn)有技術(shù)中已知的焊盤(pán)尺寸。

與源區(qū)8和柵區(qū)10呈直角走向地來(lái)給出金屬化平面30。金屬化平面由多個(gè)在所示出的情況下平行的條32、34構(gòu)成，所述條覆蓋襯底表面的最大的部分。各個(gè)條32、34在金屬化平面30內(nèi)分別與其他條32、34不導(dǎo)電地連接。每個(gè)條32、34要么配屬給源區(qū)8要么配屬給漏區(qū)10，并且與其導(dǎo)電地連接。因此，條32借助第三垂直連接部53與源區(qū)8連接，條34借助第四垂直連接部54與漏區(qū)10連接。因此，金屬化平面30至少部分地既與源區(qū)8又與漏區(qū)10同樣與源焊盤(pán)2和漏焊盤(pán)4連接。分別分開(kāi)的一些區(qū)段，在所示出的情況下即條32、34中的分別一個(gè)，既與源區(qū)8又與源焊盤(pán)2連接，相反，其他的那些區(qū)段既與漏區(qū)10又與漏焊盤(pán)4連接。因此，條32可以稱為金屬化平面30的源區(qū)段或源條，條34類似地可以稱為金屬化平面30的漏區(qū)段或漏條。

源條32和漏條34的長(zhǎng)在芯片的寬(0.1mm-10mm)上延伸。源條和漏條的寬沿著芯片長(zhǎng)可以在大約5μm至1mm之間變化。源條和漏條的間距例如可以在大約5μm至30μm之間。但也可以實(shí)現(xiàn)在1μm范圍內(nèi)的更小間距。通過(guò)布置垂直連接部51、52、53和54使兩個(gè)相鄰的條32、34具有不同的電勢(shì)(源和漏)。在此，芯片的“長(zhǎng)”和“寬”的表述是任意選擇的并且可以彼此互換?？梢詫ⅰ伴L(zhǎng)”和“寬”稱為“第一側(cè)”和“第二側(cè)”。

在源條32與源區(qū)8重疊的區(qū)域中布置有第三垂直連接部53，以便使得電流能夠在源區(qū)8與源條32之間流動(dòng)。類似于此地，在漏條34與漏區(qū)10之間布置有第四垂直連接部54。

以相似的方式和方法，實(shí)現(xiàn)金屬化平面30與源焊盤(pán)2以及漏焊盤(pán)4之間的電連接。在此，也使用相應(yīng)的重疊區(qū)域來(lái)放置垂直連接部51、52。因此，在源焊盤(pán)2與源條32彼此重疊的區(qū)域中布置第一垂直連接部51。在漏焊盤(pán)4與漏條34重疊的區(qū)域中布置第二垂直連接部52。

垂直連接部51、52、53和54可以是簡(jiǎn)單的金屬化部，所述金屬化部由薄絕緣層包圍。所述垂直連接部如在所示出的實(shí)施例中那樣可以分別具有正方形的橫截面(替代地也可以是圓形的)并且在相應(yīng)的面上等距地分布。視重疊面的幾何形狀而定，可以提供如在第一和第二垂直連接部51、52的情況下的線形布置或者如在第三和第四垂直連接部53、54的情況下的二維格柵布置。

金屬化平面30的一些條32借助第一垂直連接部51與源焊盤(pán)2連接。金屬化平面的其他條34借助第二垂直連接部52與漏焊盤(pán)4連接。

圖3示出本發(fā)明的第二實(shí)施例的示意性俯視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的結(jié)構(gòu)基本上相應(yīng)于圖2中示出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的結(jié)構(gòu)。相應(yīng)地，各個(gè)元件分別設(shè)有與圖2中相同的附圖標(biāo)記。主要區(qū)別在于金屬化平面30的結(jié)構(gòu)化。源條32和漏條34不是如圖2中那樣實(shí)施為矩形，而是實(shí)施為梯形。換句話說(shuō)，條32、34不具有恒定的寬度，而是向著如下：在該側(cè)上，這些條借助第一垂直連接部51與源焊盤(pán)2或借助第二垂直連接部52與漏焊盤(pán)4連接的一側(cè)變窄。

在此，梯形的彼此平行的側(cè)邊的長(zhǎng)度具有大約2比1的比例。同樣可以實(shí)現(xiàn)在10比1與1比1之間的范圍內(nèi)的其他比例，即例如1:1、5:1或10:1。即例如，源條32的長(zhǎng)側(cè)邊是在漏焊盤(pán)4下面布置的側(cè)邊。所述側(cè)邊是與其平行的側(cè)邊的大約2倍長(zhǎng)，所述與其平行的側(cè)邊在對(duì)面限界條并且布置在源焊盤(pán)2下面。通過(guò)這種設(shè)計(jì)，在金屬化平面30與有源半導(dǎo)體區(qū)、換句話說(shuō)即與源區(qū)8或漏區(qū)10連接的區(qū)域中，得出通過(guò)金屬化平面30的特別小的電阻。這是有利地，因?yàn)樵趥鹘y(tǒng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件中在所述區(qū)域中存在相對(duì)大的電阻。

在條32、34與焊盤(pán)2、4連接的對(duì)置區(qū)域中，雖然由于相對(duì)于如在圖2中的矩形條所減小的條寬度而產(chǎn)生略微更高的電阻，然而，總電阻由于具有梯形條32、34的設(shè)計(jì)而相對(duì)于矩形條減小。

圖4示出本發(fā)明的第三實(shí)施例的示意性俯視圖。所示出的實(shí)施例基本上相應(yīng)于圖3中的實(shí)施例。相同的附圖標(biāo)記又標(biāo)示同名的元件。然而，相對(duì)于圖3中示出的實(shí)施例，源焊盤(pán)2和漏焊盤(pán)4以及源條32和漏條34轉(zhuǎn)動(dòng)90°。因此，源條32和漏條34與源區(qū)8和漏區(qū)10平行地走向，相反，焊盤(pán)2、4與源區(qū)8和漏區(qū)10呈直角地走向。源區(qū)8和漏區(qū)10分別在全部長(zhǎng)度上等距地借助第三和第四垂直連接部53、54與源條32或漏條34連接。

圖5示出本發(fā)明的第四實(shí)施例的示意性俯視圖?？梢钥吹铰┖副P(pán)4，其布置在中央并且由源焊盤(pán)2完全包圍。金屬化平面30在所示出的實(shí)施例中占據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的大部分面積，并且僅僅在漏焊盤(pán)4下面具有一些空隙6，在這些空隙中，在漏焊盤(pán)4與有源半導(dǎo)體區(qū)尤其源區(qū)8之間不存在屬于金屬化平面30的材料。在此，源焊盤(pán)2完全在有源半導(dǎo)體區(qū)之外，即不覆蓋有源半導(dǎo)體區(qū)。代替地，有源半導(dǎo)體區(qū)也可以在源焊盤(pán)2下面延續(xù)。

借助第二垂直連接部52和第四垂直連接部54，漏區(qū)10與漏焊盤(pán)4連接。在所示出的實(shí)施例中，第二垂直連接部52和第四垂直連接部54直接疊置地布置。第二垂直連接部52與第四垂直連接部54相比具有更大的橫截面。這對(duì)于功能性不重要，但是可以提供生產(chǎn)技術(shù)上的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)橐虼说谌偷谒拇怪边B接部53、54如第一和第二垂直連接部51、52那樣設(shè)計(jì)成相同類型。

連接金屬化平面30與源焊盤(pán)2的第一垂直連接部51環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1布置。所述第一垂直連接部在所示出的實(shí)施例中等距地布置成平行的兩排，但也可以布置成其他樣式。

圖6示出本發(fā)明的第五實(shí)施例的示意性的俯視圖。漏焊盤(pán)4又布置在中央并且由源焊盤(pán)2包圍。因此，與圖5中示出的實(shí)施例相反，源焊盤(pán)2又覆蓋有源半導(dǎo)體區(qū)的一部分。金屬化平面分成源部分36和漏部分38兩部分。源部分36粗略地具有“雙t結(jié)構(gòu)”：在附圖上部和下部，源部分延伸至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的邊緣，在右邊緣處和在左邊緣處，源部分縮回了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的寬度的大約四分之一，使得在此源部分36遮蓋半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的大約一半寬度。在附圖中的、源部分36未延伸至的右邊和左邊的區(qū)域中，布置有漏部分38。

在源部分36與漏部分38之間的邊界區(qū)域中，所述源部分和漏部分彼此“嚙合”。換句話說(shuō)，源部分36和漏部分36都具有峰尖狀結(jié)構(gòu)，其中，金屬化平面的一部分的峰尖與金屬化平面的另一部分的峰尖對(duì)應(yīng)地成型并且與后者嚙合。在此，然而，在任何情況下，遵守小的水平間距，使得源部分36與漏部分38之間沒(méi)有電接觸。代替峰尖形的設(shè)計(jì)，例如也可以設(shè)想鋸齒狀的形式。顯而易見(jiàn)地，如在所有示出的實(shí)施例中，所有與源焊盤(pán)2接觸的金屬化部分與漏焊盤(pán)4電絕緣。

附圖中部的兩個(gè)漏區(qū)10.1和10.2借助第二垂直連接部52(見(jiàn)圖7)和第四垂直連接部54(見(jiàn)圖7)與漏焊盤(pán)4連接。而其他漏區(qū)10通過(guò)第四垂直連接部54(見(jiàn)圖7)如在其他實(shí)施例中那樣也與在此呈漏區(qū)段38形式的金屬化平面連接。

圖7示出根據(jù)圖6的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件1的放大的局部。在此可以特別好地看到金屬化平面的源部分36與漏部分38的嚙合以及源焊盤(pán)2和漏焊盤(pán)4的邊界。

所有描述的結(jié)構(gòu)可以任意次地在整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件上重復(fù)且因此被視為統(tǒng)一單元。同樣可以實(shí)現(xiàn)的是，在不偏離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，分別互換具有源功能性的元件與具有漏功能性的元件的幾何位置。由此，僅僅使電流反向。也可以在單位單元中，與所示出的情況相比存在更多的單個(gè)元件，例如更多的平行的源區(qū)和漏區(qū)。為清楚起見(jiàn)，在附圖中分別僅示出相對(duì)少量的結(jié)構(gòu)。