技術(shù)特征：
1.一種納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜，其特征是，所述納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜是通過磁控與脈沖激光共沉積工藝將超導(dǎo)材料與非超導(dǎo)納米材料共同沉積在基片上而形成；所述基片為SrTiO3、LaAlO3、MgO或柔性金屬基帶；所述超導(dǎo)材料為REBa2Cu3O7-x或(LaSr)2CuO4，REBa2Cu3O7-x中RE為Y、Gd、Nd或Sm；所述非超導(dǎo)納米材料為MgO、CeO2、Y2O3、BaZrO3和BaSnO3中的至少一種；上述納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜是通過以下方法制備而成：a、選取基片并進(jìn)行清洗；b、將基片置于磁控與脈沖激光共沉積裝置中；同時(shí)在磁控與脈沖激光共沉積裝置中的磁控靶位上設(shè)置超導(dǎo)靶材，在激光靶位上設(shè)置非超導(dǎo)納米靶材；或者在磁控靶位上設(shè)置非超導(dǎo)納米靶材，在激光靶位上設(shè)置超導(dǎo)靶材；c、打開磁控濺射電源和脈沖激光濺射電源，通過磁控與脈沖激光共濺射工藝在基片上沉積形成非超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)摻雜的超導(dǎo)復(fù)合薄膜；步驟c中沉積超導(dǎo)復(fù)合薄膜的具體工藝條件為：將磁控與脈沖激光共沉積裝置的真空室抽真空至（0.01~100）×10-4Pa，設(shè)置磁控靶基距為1~10cm，激光靶基距為1~10cm；向真空室內(nèi)充入氬氣和氧氣，所充入氬氣和氧氣的流量均為10~100sccm；控制磁控濺射功率為0~150W，脈沖激光濺射功率密度為0~5J/cm2，脈沖激光頻率為1~10Hz；設(shè)置濺射氣壓為1~100Pa，超導(dǎo)復(fù)合薄膜的生長溫度為500~1000℃；d、對(duì)所形成的非超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)摻雜的超導(dǎo)復(fù)合薄膜進(jìn)行退火處理；退火處理是在氧氣氣氛下進(jìn)行的，退火溫度為400~600℃，退火時(shí)間為30~120min。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜，其特征是，所述納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜的厚度為10~10000nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜，其特征是，所述基片為SrTiO3基片，所述超導(dǎo)材料為YBa2Cu3O7-x，所述非超導(dǎo)納米材料為MgO；且所述納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜中MgO與YBa2Cu3O7-x的體積比為1:90~1:100。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜，其特征是，所述納米結(jié)構(gòu)超導(dǎo)復(fù)合薄膜中非超導(dǎo)納米材料與超導(dǎo)材料的體積比為1:95。