技術特征：

技術總結
一種半導體器件的形成方法，包括：提供基底和位于基底上的介質層；在所述介質層上由下到上依次形成多晶硅層、阻擋層和圖形化的掩膜層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕阻擋層、多晶硅層和部分厚度的介質層，在所述介質層中形成接觸孔；在所述圖形化的掩膜層表面和接觸孔中形成填充滿所述接觸孔的導電層，所述阻擋層的強度至少為導電層的強度的10倍；以所述阻擋層為停止層平坦化所述導電層和掩膜層。所述方法能夠使得所述平坦化的過程能夠停止在阻擋層上，避免對介質層造成損傷，從而避免不同半導體器件中介質層高度的差異性及導電層高度的差異性。

技術研發(fā)人員：張海洋;張城龍
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術研發(fā)日：2016.02.03
技術公布日：2017.08.11