本發(fā)明涉及一種高頻封裝結(jié)構(gòu)，尤其指一種可降低高頻損耗的高頻封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

行動(dòng)通訊系統(tǒng)及衛(wèi)星通訊系統(tǒng)常需進(jìn)行高頻操作，而傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)并未針對(duì)高頻操作進(jìn)行設(shè)計(jì)，因此傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)在高頻下會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的損耗而使傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的高頻效能下降。詳細(xì)來說，傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)通常通過一打線接合(Wire Bonding)制程，利用接和線(Bonding Wires)將一晶粒(Die)以及一引腳(Lead)相互接合，接著通過一模封(Molding)制程，將晶粒以及引腳以一模封塑料(Molding Compound)包覆而成。然而，模封塑料通常由高損耗的材質(zhì)制成，因此會(huì)產(chǎn)生電感效應(yīng)而導(dǎo)致高頻損耗惡化。

舉例來說，請(qǐng)參考圖1A至圖1C，圖1A至圖1C分別為現(xiàn)有的一封裝結(jié)構(gòu)10的剖面圖、俯視圖及仰視圖。封裝結(jié)構(gòu)10包含一晶粒100，晶粒100黏著于一晶粒座(Die Pad)102，并通過接合線106連接至引腳104。封裝結(jié)構(gòu)10在經(jīng)過一模封制程之后，接合線106及引腳104均會(huì)由模封塑料所覆蓋，因此在接合線106及引腳104附近會(huì)產(chǎn)生電感效應(yīng)。需注意的是，晶粒100與其周圍的引腳104具有高度差(即晶粒100的一頂面與其周圍的引腳104的一頂面之間并未相互共平面)，接合線106的長度必須夠長才能連接晶粒100與引腳104，然而，接合線106的長度越長，其所造成的電感效應(yīng)越大，導(dǎo)致高頻損耗也更加嚴(yán)重。

因此，現(xiàn)有技術(shù)有改善的必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種可降低高頻損耗的高頻封裝結(jié)構(gòu)，以改善現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。

本發(fā)明揭露一種高頻封裝結(jié)構(gòu)，包含一接地引腳，耦接于一晶粒的一接地部，并設(shè)置于所述高頻封裝結(jié)構(gòu)的一側(cè)邊，所述接地引腳占據(jù)所述側(cè)邊，所述接地引腳具有一孔槽；以及一訊號(hào)引腳，設(shè)置于所述孔槽之中；其中，所述接地引腳環(huán)繞所述訊號(hào)引腳，所述接地引腳與所述訊號(hào)引腳形成一接地－訊號(hào)－接地(Ground-Signal-Ground，GSG)結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1A至圖1C分別為現(xiàn)有的一封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖、俯視圖及仰視圖。

圖2為一電路模型的示意圖。

圖3A及圖3B分別為本發(fā)明實(shí)施例的一高頻封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖及仰視圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一高頻封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。

符號(hào)說明

10、30、40 高頻封裝結(jié)構(gòu)

100、300 晶粒

102、302 晶粒座

104 引腳

106、306 接合線

340、342 接地引腳分段

344 接地引腳

446、346 訊號(hào)引腳

3460 下訊號(hào)引腳部

3462 上訊號(hào)引腳部

4460 中央部

4462、4464 突出部

L1、L2 電感

S1 側(cè)邊

具體實(shí)施方式

關(guān)于接合線及引腳附近所產(chǎn)生的電感效應(yīng)請(qǐng)參考圖2，圖2為一封裝結(jié)構(gòu)的一電路模型示意圖。在圖2中，電感L1代表接合線附近所產(chǎn)生的電感效應(yīng)，而電感L2代表引腳附近所產(chǎn)生的電感效應(yīng)。無論是降低電感L1或電感L2，均可減輕封裝結(jié)構(gòu)的高頻損耗，進(jìn)而提升封裝結(jié)構(gòu)的高頻效能。

為了降低引腳附近的電感L2，高頻封裝結(jié)構(gòu)的引腳可經(jīng)適當(dāng)設(shè)計(jì)而形成為傳輸線。請(qǐng)參考圖3A及圖3B，圖3A及圖3B分別為本發(fā)明實(shí)施例的一高頻封裝結(jié)構(gòu)30的俯視圖及仰視圖。高頻封裝結(jié)構(gòu)30包含訊號(hào)引腳346以及接地引腳344，接地引腳344設(shè)置于高頻封裝結(jié)構(gòu)30的一側(cè)邊S1，訊號(hào)引腳346及接地引腳344可經(jīng)設(shè)計(jì)而形成為傳輸線(Transmission Line)，訊號(hào)引腳346通過接合線306連接于一晶粒300，用來傳遞晶粒300的一訊號(hào)。接地引腳344占據(jù)高頻封裝結(jié)構(gòu)30的整個(gè)側(cè)邊S1，接地引腳344也通過接合線306連接于晶粒300的一接地部。接地引腳344具有一孔槽，且訊號(hào)引腳346設(shè)置于所述孔槽之中，即接地引腳344環(huán)繞訊號(hào)引腳346且接地引腳344與訊號(hào)引腳346分離。通過將訊號(hào)引腳346及接地引腳344設(shè)計(jì)成傳輸線可有效降低引腳附近的電感L2，進(jìn)而提升高頻封裝結(jié)構(gòu)30的高頻效能。另外，接地引腳344連接于晶粒300的接地部，即接地引腳344的電位維持在固定接地電位，因此接地引腳344及訊號(hào)引腳346形成接地－訊號(hào)－接地(Ground-Signal-Ground，GSG)結(jié)構(gòu)，可以更進(jìn)一步地提升高頻封裝結(jié)構(gòu)30的高頻效能。另外，連接晶粒300與訊號(hào)引腳346的接合線306設(shè)置于連接晶粒300與接地引腳344的接合線306之中，即接合線306也形成一接地－訊號(hào)－接地結(jié)構(gòu)，可更進(jìn)一步地提升高頻封裝結(jié)構(gòu)30的高頻效能。

另外，接地引腳344可包含接地引腳分段340、342，接地引腳分段340、342相隔所述孔槽而彼此相互分離，同時(shí)接地引腳分段340、342環(huán)繞訊號(hào)引腳346。接地引腳分段340、342均連接于晶粒300的接地部，如此一來，接地引腳分段340、342的電位均維持在固定的接地電位，以形成接地－訊號(hào)－接地結(jié)構(gòu)。較佳地，接地引腳344的一頂面及訊號(hào)引腳346的一頂面位于相同的水平位準(zhǔn)(或位于相同的高度)，即接地引腳344的頂面與訊號(hào)引腳346的頂面共平面(或相互對(duì)齊)，如此一來，可使訊號(hào)引腳346的訊號(hào)輻射更加穩(wěn)定，進(jìn)而提升高頻封裝結(jié)構(gòu)30的高頻效能。

另外，如圖3B所示，訊號(hào)引腳346包含一上訊號(hào)引腳部3462以及一下訊號(hào)引腳部3460，下訊號(hào)引腳部3460較上訊號(hào)引腳部3462窄，因此，經(jīng)過一模封制程后，模封塑料可對(duì)訊號(hào)引腳346形成較佳的固定效果。

較佳地，高頻封裝結(jié)構(gòu)30的一晶粒座302可具有一凹槽308，晶粒300可設(shè)置于晶粒座302的凹槽308中，使得晶粒300的一頂面大致與接地引腳344及訊號(hào)引腳346的頂面相互共平面(或相互對(duì)齊)，在此情形下，可縮短接合線306的長度而有效降低接合線附近的電感L1，進(jìn)而提升高頻封裝結(jié)構(gòu)30的高頻效能。

由上述可知，本發(fā)明的高頻封裝結(jié)構(gòu)將訊號(hào)引腳及接地引腳設(shè)計(jì)而形成傳輸線，且接地引腳環(huán)繞訊號(hào)引腳而形成接地－訊號(hào)－接地結(jié)構(gòu)，以提升高頻封裝結(jié)構(gòu)的高頻效能。

另外，訊號(hào)引腳的形狀并不限制，訊號(hào)引腳的形狀可根據(jù)實(shí)際狀況而變化。舉例來說，請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一高頻封裝結(jié)構(gòu)40的俯視圖。高頻封裝結(jié)構(gòu)40的一訊號(hào)引腳446可包含突出部4462、4464，突出部4462、4464突出自訊號(hào)引腳446的一中央部4460，突出部4462、4464可形成傳輸線的一電容效應(yīng)，進(jìn)而提升高頻封裝結(jié)構(gòu)40的高頻效能。

需注意的是，前述實(shí)施例是用以說明本發(fā)明的概念，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以由此做不同的修飾，而不限于此。舉例來說，訊號(hào)引腳及接地引腳可利用微帶線(Microstrip Line)或是共平面波導(dǎo)(Coplanar Waveguide，CPW)的方式實(shí)現(xiàn)，而不限于此。另外，形成凹槽的方式并不限制，凹槽可利用正面蝕刻(Topside Etching)或背面蝕刻(Backside Etching)的方式制成，而不限于此。另外，訊號(hào)引腳的突出部的數(shù)量并不限制，例如，訊號(hào)引腳可僅包含單一突出部，也屬于本發(fā)明的范疇。

綜上所述，本發(fā)明的高頻封裝結(jié)構(gòu)將訊號(hào)引腳及接地引腳設(shè)計(jì)而形成傳輸線，且接地引腳環(huán)繞訊號(hào)引腳而形成接地－訊號(hào)－接地結(jié)構(gòu)，因此提升高頻封裝結(jié)構(gòu)的高頻效能。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬于本發(fā)明的涵蓋范圍。