本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其封裝方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細(xì)微加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝，此概念為狹義的封裝定義。更廣義的封裝是指封裝工程，將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。

引線焊接是芯片封裝工藝中最為關(guān)鍵的一步。引線焊接，是指利用高純度的金線、銅線或鋁線(統(tǒng)稱為金屬絲)把芯片上電路的外接點(diǎn)和引線(引線框架上的連接點(diǎn))通過焊接的方法連接起來。傳統(tǒng)的焊接步驟，先利用金屬絲在高溫下融化成球形，以便在芯片上形成第一焊點(diǎn)，然后牽引金屬絲至引線框架上形成第二焊點(diǎn)，將芯片和引線框架連接后，切斷金屬絲，即完成焊接。

上述引線焊接工藝較為繁瑣，對生產(chǎn)工藝中的鍵合要求很高，因?yàn)闄C(jī)器組裝不可能100％全部達(dá)到技術(shù)要求，所以對每一批生產(chǎn)出來的產(chǎn)品的質(zhì)量都抽檢以防止鍵合中出現(xiàn)不穩(wěn)定現(xiàn)象，如金屬絲的頸部和尾部拉力達(dá)不到，將影響產(chǎn)品的應(yīng)用可靠性，金屬絲的弧高太低容易造成對地短路，太高容易裸露在塑封外造成觸電，金屬絲的彈坑測試時(shí)，彈坑深會損傷到芯片造成產(chǎn)品失效，為了把控產(chǎn)品工藝品質(zhì)的穩(wěn)定，需要投入大量的人力物力進(jìn)行檢測抽驗(yàn)，以保障產(chǎn)品的穩(wěn)定可靠。

有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計(jì)人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種半導(dǎo)體封裝件及其封裝方法，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體封裝件及其封裝方法，在其封裝過程中，簡化了引線焊接的步驟，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)和應(yīng)用可靠性，減少了人工抽驗(yàn)的工作成本。

本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體封裝件，包括銅底板、至少一個(gè)設(shè)置在所述銅底板上的芯片、設(shè)置在所述銅底板上并包封所述芯片的塑封體，所述芯片與所述銅底板焊接，所述芯片上還焊接有銅引腳，所述銅引腳延伸至所述塑封體之外，所述塑封體的高度為9.1mm±0.3mm、寬度為10.0mm±0.3mm，所述銅引腳自所述塑封體之外的長度為3.6mm±0.2mm、寬度為0.7mm±0.1mm。

進(jìn)一步的，所述芯片的數(shù)量為兩個(gè)。

本發(fā)明還提出了一種半導(dǎo)體封裝件的封裝方法，包括以下步驟：

S1.頂針從藍(lán)膜下面將芯片往上頂、同時(shí)真空吸嘴將芯片往上吸，將芯片與膜藍(lán)脫離；

S2.將液態(tài)高溫焊料涂到銅底板上；

S3.將芯片焊接到涂好高溫焊料的銅底板上，再在芯片上直接焊接銅引腳，銅引腳延伸至銅底板之外；

S4.將環(huán)氧樹脂注入塑封模具，形成整排的半導(dǎo)體封裝件；

S5.去除整排的半導(dǎo)體封裝件管腳之間的飛邊；

S6.將整排半導(dǎo)體封裝件的每個(gè)單元的管腳之間的中筋和底筋切除，形成單一的半導(dǎo)體封裝件；

S7.測試各個(gè)半導(dǎo)體封裝件的電性能，進(jìn)行分檔，并根據(jù)產(chǎn)品的特性打印識別碼；

S8.將測試后的半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行包裝，方便運(yùn)輸。

借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明將傳統(tǒng)的使用金屬絲焊接芯片和銅引腳的方法，更改為，直接將銅引腳焊接至芯片上，省去了使用金屬絲焊接的步驟，簡化了工藝流程，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)和應(yīng)用可靠性，減少了人工抽驗(yàn)的工作成本。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。

附圖說明

圖1是本發(fā)明中半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明中半導(dǎo)體封裝件的另一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

參見圖1和圖2，本發(fā)明一較佳實(shí)施例所述的一種半導(dǎo)體封裝件，包括銅底板1、兩個(gè)焊接在銅底板1上的芯片2、設(shè)置在銅底板1上并包封芯片2的塑封體3。兩個(gè)芯片2上分別焊接有銅引腳4，焊接時(shí)，兩個(gè)銅引腳4的末端相連呈U型，焊接后，兩個(gè)銅引腳4延伸至塑封體3之外，切斷后，銅引腳4自塑封體3之外的長度為3.6mm±0.2mm、寬度為0.7mm±0.1mm。塑封體3的高度為9.1mm±0.3mm、寬度為10.0mm±0.3mm。

該半導(dǎo)體封裝件的封裝方法，包括以下步驟：

S1.頂針從藍(lán)膜下面將芯片往上頂、同時(shí)真空吸嘴將芯片往上吸，將芯片與膜藍(lán)脫離；

S2.將液態(tài)高溫焊料涂到銅底板上；

S3.將芯片焊接到涂好高溫焊料的銅底板上，再在芯片上直接焊接銅引腳，銅引腳延伸至銅底板之外；

S4.將環(huán)氧樹脂注入塑封模具，形成整排的半導(dǎo)體封裝件；

S5.去除整排的半導(dǎo)體封裝件管腳之間的飛邊；

S6.將整排半導(dǎo)體封裝件的每個(gè)單元的管腳之間的中筋和底筋切除，形成單一的半導(dǎo)體封裝件；

S7.測試各個(gè)半導(dǎo)體封裝件的電性能，進(jìn)行分檔，并根據(jù)產(chǎn)品的特性打印識別碼；

S8.將測試后的半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行包裝，方便運(yùn)輸。

綜上所述，本發(fā)明將傳統(tǒng)的使用金屬絲焊接芯片和銅引腳的方法，更改為，直接將銅引腳焊接至芯片上，省去了使用金屬絲焊接的步驟，簡化了工藝流程，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)和應(yīng)用可靠性，減少了人工抽驗(yàn)的工作成本。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。