技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于塊材鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)的無植入物沖穿摻雜層形成。使用經(jīng)摻雜氧化物，在塊材鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)中形成沖穿終止層。通過退火，驅(qū)使摻質(zhì)進入襯底及晶鰭的基座部分。沖穿終止層包括p型區(qū)反n型區(qū)，這兩區(qū)都可實質(zhì)等距離伸入半導(dǎo)體晶鰭。

技術(shù)研發(fā)人員：K·E·福格爾;A·雷茨尼采克;D·K·薩達納;D·J·斯凱皮絲
受保護的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
文檔號碼：201610046462
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.22
技術(shù)公布日：2016.11.30