1.一種方法，其包含：
獲得結(jié)構(gòu)，其包括：
半導(dǎo)體襯底，其具有nFET區(qū)及pFET區(qū)，
多個平行半導(dǎo)體晶鰭，其延展自該襯底，
多條通道，其隔開所述半導(dǎo)體晶鰭，
p摻雜氧化物層，其部分填充所述通道的一或多個，并且直接接觸該襯底的該nFET區(qū)以及該nFET區(qū)中所述半導(dǎo)體晶鰭的一或多個，
n摻雜氧化物層，其部分填充所述通道的一或多個，并且直接接觸該襯底的該pFET區(qū)以及該pFET區(qū)中所述半導(dǎo)體晶鰭的一或多個，以及
實質(zhì)未摻雜介電層，其填充該多條通道，并且上覆該p摻雜氧化物層及該n摻雜氧化物層；
退火該結(jié)構(gòu)以形成沖穿終止層，該退火該結(jié)構(gòu)的步驟造成p型摻質(zhì)受到驅(qū)使，自該p摻雜氧化物層進入該nFET區(qū)中所述半導(dǎo)體晶鰭的一或多個、并進入該襯底的該nFET區(qū)，并且造成n型摻質(zhì)受到驅(qū)使，自該n摻雜氧化物層進入該pFET區(qū)中所述半導(dǎo)體晶鰭的一或多個、并進入該襯底的該pFET區(qū)，以及
退火該結(jié)構(gòu)后，移除至少部分該實質(zhì)未摻雜介電層，從而曝露所述半導(dǎo)體晶鰭的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該襯底為塊材硅襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該結(jié)構(gòu)更包括位在所述半導(dǎo)體晶鰭上的硬掩膜。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，該獲得該結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在該襯底上形成第一與第二掩膜，該第一掩膜包覆該nFET區(qū)且該第二掩膜包覆該pFET區(qū)；
移除該第一與第二掩膜的一個，從而曝露該襯底的該nFET或pFET區(qū)的一個；
形成該n摻雜氧化物層及該p摻雜氧化物層的一個；
移除該第一與第二掩膜的另一個；
形成該n摻雜氧化物層與該p摻雜氧化物層的另一個；
使該n摻雜氧化物層與該p摻雜氧化物層凹陷，以及
在該凹陷的n摻雜與p摻雜氧化物層上方沉積該實質(zhì)未摻雜介電層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其更包括以下步驟：自所述通道完全移除該n摻雜氧化物層、該p摻雜氧化物層、及該實質(zhì)未摻雜介電層，然后在所述通道內(nèi)沉積實質(zhì)未摻雜氧化物層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該n摻雜氧化物層與該p摻雜氧化物層兩個都包含二氧化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，半導(dǎo)體晶鰭包括位在包含第一半導(dǎo)體材料的該nFET區(qū)中的第一組晶鰭、以及位在包含與該第一半導(dǎo)體材料不同的第二半導(dǎo)體材料的該pFET區(qū)中的第二組晶鰭，并且該p摻雜層的厚度超過該n摻雜層的厚度。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該第二半導(dǎo)體材料為硅鍺。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該沖穿終止層在該襯底的該nFET與pFET區(qū)中、以及在該nFET與pFET區(qū)里的所述半導(dǎo)體晶鰭中具有均勻分布。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該襯底包含硅鍺應(yīng)變松弛緩沖層。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其更包括以下步驟：在所述半導(dǎo) 體晶鰭上形成柵極結(jié)構(gòu)、并在所述半導(dǎo)體晶鰭的所述經(jīng)曝露側(cè)壁上形成磊晶源極/漏極區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，該p摻雜氧化物層主要由硼硅酸玻璃所組成，并且該n摻雜氧化物層主要由磷硅酸鹽玻璃或砷硅酸鹽玻璃所組成。
13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含：
半導(dǎo)體襯底，其具有頂端表面及第一與第二區(qū)；
多個平行半導(dǎo)體晶鰭，其延展自該半導(dǎo)體襯底的該頂端表面，所述半導(dǎo)體晶鰭的一或多個延展自該第一區(qū)，并且所述半導(dǎo)體晶鰭的一或多個延展自該第二區(qū)，所述半導(dǎo)體晶鰭界定多條通道；
p型沖穿終止層，其位在該半導(dǎo)體襯底的該第一區(qū)以及延展自該第一區(qū)的該一或多個半導(dǎo)體晶鰭內(nèi)，該p型沖穿終止層包括經(jīng)擴散p型摻質(zhì)；
n型沖穿終止層，其位在該半導(dǎo)體襯底的該第二區(qū)以及延展自該第二區(qū)的該一或多個半導(dǎo)體晶鰭內(nèi)，該n型沖穿終止層包括經(jīng)擴散n型摻質(zhì)，以及
未摻雜氧化物層，其部分填充所述通道。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，半導(dǎo)體襯底包含塊材硅襯底。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其更包括：
p摻雜氧化物層，其部分填充位在該第一區(qū)上面的所述通道，該p摻雜氧化物層直接接觸該半導(dǎo)體襯底的該頂端表面以及延展自該第一區(qū)的所述半導(dǎo)體晶鰭，以及
n摻雜氧化物層，其部分填充位在該第二區(qū)上面的所述通道，該n摻雜氧化物層直接接觸該半導(dǎo)體襯底的該頂端表面以及延展自該第二區(qū)的所述半導(dǎo)體晶鰭。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，該p摻雜氧化物層主要由硼硅酸玻璃所組成，并且該n摻雜氧化物層主要由磷硅酸鹽玻璃或砷硅酸鹽玻璃所組成。
17.如權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中，延展自該第一區(qū)的該一或多個半導(dǎo)體晶鰭為應(yīng)變硅鰭，而延展自該第二區(qū)的該一或多個半導(dǎo)體晶鰭為應(yīng)變硅鍺鰭。
18.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中，該半導(dǎo)體襯底包含硅鍺應(yīng)變松弛緩沖層。
19.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中，該p摻雜氧化物層比該n摻雜氧化物層更厚。
20.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中，該p型沖穿終止層及該n型沖穿終止層以實質(zhì)等距離伸入所述半導(dǎo)體晶鰭。