1.一種用于制造包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備的方法，包括：
在襯底上形成其中層間電介質(zhì)層與材料層交替層疊的層疊結(jié)構(gòu)；
形成多個(gè)孔，所述多個(gè)孔被布置為具有基本上恒定的間隔同時(shí)通過(guò)穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)而暴露襯底；
在所述多個(gè)孔的第一孔中形成溝道層；
在所述多個(gè)孔的第二孔中形成虛設(shè)層；
在包括虛設(shè)層和溝道層的所得結(jié)構(gòu)上形成掩模圖案，以暴露沿第一方向延伸同時(shí)與沿第一方向布置的虛設(shè)層重疊的區(qū)域；以及
通過(guò)使用掩模圖案作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕層疊結(jié)構(gòu)并且去除虛設(shè)層而形成狹縫。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在與第一方向交叉的第二方向上，由掩模圖案暴露的所述區(qū)域的寬度小于虛設(shè)層的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，狹縫包括凸部，凸部具有比凹部相對(duì)大的沿第二方向的寬度，凹部具有相對(duì)小的沿第二方向的寬度。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，凸部和凹部沿第一方向交替地布置。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)孔被布置為沿第一方向基本上位于直線上，沿第二方向不位于直線上而是彼此交叉。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，狹縫包括凸部，凸部具有比凹部相對(duì)大的沿第二方向的寬度，凹部具有相對(duì)小的沿第二方向的寬度，
凹部形成在分別與鄰近狹縫的多個(gè)溝道層相對(duì)應(yīng)的位置處，以及
凸部形成在分別與鄰近狹縫的所述多個(gè)溝道層之間的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置處。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，虛設(shè)層由與層間電介質(zhì)層或材料層基本上相同的材料形成。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，同時(shí)執(zhí)行刻蝕層疊結(jié)構(gòu)和去除虛設(shè)層。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，同時(shí)執(zhí)行刻蝕層疊結(jié)構(gòu)以形成狹縫以及去除掩模圖案。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，同時(shí)執(zhí)行刻蝕層疊結(jié)構(gòu)、去除虛設(shè)層以及去除掩模圖案。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
形成介于溝道層與材料層之間的存儲(chǔ)層。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成狹縫之后：
去除材料層；以及
利用導(dǎo)電材料填充材料層已經(jīng)被去除的空間。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成狹縫之后：
通過(guò)去除材料層來(lái)形成凹槽；以及
沿凹槽的內(nèi)表面形成金屬層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括：
利用另一種金屬材料填充凹槽的其余空間，
其中，金屬層被配置作為擴(kuò)散阻擋。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，材料層包括導(dǎo)電材料。
16.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：
多個(gè)溝道層，從襯底沿垂直方向延伸；
層間電介質(zhì)層和柵電極層，在襯底上沿溝道層交替層疊；
存儲(chǔ)層，介于溝道層與柵電極層之間；以及
狹縫，形成在層間電介質(zhì)層與柵電極層的層疊結(jié)構(gòu)中并且沿第一方向延伸，
其中，狹縫包括與第二凸部鏡像的第一凸部，第二凸部分別位于第一凸部對(duì)面，以及
其中，狹縫包括與第二凹部鏡像的第一凹部，第二凹部分別位于第二凹部對(duì)面。
17.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其中，第一凸部與第二凸部之間的距離大于第一凹部與第二凹部之間的距離。
18.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，還包括：
凸部，包括第一凸部和第二凸部；
凹部，包括第一凹部和第二凹部，
其中，多個(gè)凸部和多個(gè)凹部沿第一方向交替布置。
19.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：
多個(gè)溝道層，從襯底沿垂直方向延伸；
層間電介質(zhì)層和柵電極層，在襯底上沿溝道層交替層疊；
存儲(chǔ)層，介于溝道層與柵電極層之間；以及
狹縫，形成在層間電介質(zhì)層與柵電極層的層疊結(jié)構(gòu)中并且沿第一方向延伸，
其中，狹縫包括凸部，凸部具有比凹部相對(duì)大的沿第二方向的寬度，凹部具有相對(duì)小的沿第二方向的寬度，第二方向與第一方向交叉。
20.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，其中，凸部和凹部沿第一方向交替布置。
21.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，其中，所述多個(gè)溝道層被布置為沿第一方向基本上位于直線上，沿第二方向不位于直線上而是彼此交叉。
22.如權(quán)利要求21所述的電子設(shè)備，其中，凹部形成在分別與鄰近狹縫的多個(gè)溝道層相對(duì)應(yīng)的位置處，以及
凸部形成在分別與鄰近狹縫的所述多個(gè)溝道層之間的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置處。
23.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，還包括微處理器，微處理器包括：
控制單元，被配置為從微處理器的外部接收包括命令的信號(hào)，以及執(zhí)行提取、命令解碼或者對(duì)微處理器的信號(hào)的輸入或輸出的控制；
操作單元，被配置為基于控制單元解碼命令的結(jié)果來(lái)執(zhí)行操作；以及
存儲(chǔ)單元，被配置為儲(chǔ)存用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)、或被執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址，
其中，晶體管是微處理器中的控制單元、操作單元和存儲(chǔ)單元中的至少一個(gè)的一部分。
24.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，還包括處理器，處理器包括：
核單元，被配置為基于從處理器的外部輸入的命令而通過(guò)使用數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行與所述命令相對(duì)應(yīng)的操作；
高速緩沖存儲(chǔ)單元，被配置為儲(chǔ)存用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng) 的數(shù)據(jù)、或被執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址；以及
總線接口，耦接在核單元與高速緩沖存儲(chǔ)單元之間并且被配置為在核單元與高速緩沖存儲(chǔ)單元之間傳輸數(shù)據(jù)，
其中，晶體管是處理器中的核單元、高速緩沖存儲(chǔ)單元和總線接口中的至少一個(gè)的一部分。
25.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，還包括處理系統(tǒng)，處理系統(tǒng)包括：
處理器，被配置為解碼由處理器接收到的命令以及基于解碼命令的結(jié)果來(lái)控制針對(duì)信息的操作；
輔助存儲(chǔ)器件，被配置為儲(chǔ)存用于解碼命令和信息的程序；
主存儲(chǔ)器件，被配置為調(diào)用和儲(chǔ)存來(lái)自輔助存儲(chǔ)器件的程序和信息，使得處理器在運(yùn)行程序時(shí)能夠使用程序和信息來(lái)執(zhí)行操作；以及
接口設(shè)備，被配置為執(zhí)行處理器、輔助存儲(chǔ)器件和主存儲(chǔ)器件中的至少一個(gè)之間的通信以及從接口設(shè)備外部輸入的命令，
其中，晶體管是處理系統(tǒng)中的處理器、輔助存儲(chǔ)器件、主存儲(chǔ)器件和接口設(shè)備中的至少一個(gè)的一部分。
26.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，還包括數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)包括：
儲(chǔ)存設(shè)備，被配置為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)并且保存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，而不管電源如何；
控制器，被配置為根據(jù)從控制器外部輸入的命令來(lái)控制數(shù)據(jù)向儲(chǔ)存設(shè)備的輸入以及數(shù)據(jù)從儲(chǔ)存設(shè)備的輸出；
暫時(shí)儲(chǔ)存設(shè)備，被配置為暫時(shí)儲(chǔ)存在儲(chǔ)存設(shè)備與外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及
接口，被配置為執(zhí)行儲(chǔ)存設(shè)備、控制器和暫時(shí)儲(chǔ)存設(shè)備中的至少一個(gè)之間的通信以及從控制器外部輸入的命令，
其中，晶體管是數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)中的控制器、儲(chǔ)存設(shè)備、暫時(shí)儲(chǔ)存設(shè)備和接口中的至少一個(gè)的一部分。
27.如權(quán)利要求19所述的電子設(shè)備，還包括存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：
存儲(chǔ)器，被配置為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)并且保存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，而不管電源如何；
存儲(chǔ)器控制器，被配置為根據(jù)從存儲(chǔ)器控制器外部輸入的命令來(lái)控制數(shù)據(jù)向存儲(chǔ)器的輸入以及數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)器的輸出；
緩沖存儲(chǔ)器，被配置為緩沖在存儲(chǔ)器與外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及
接口，被配置為執(zhí)行存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器控制器和緩沖存儲(chǔ)器中的至少一個(gè)之間的通信以及從存儲(chǔ)器控制器外部輸入的命令，
其中，晶體管是存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器、緩沖存儲(chǔ)器和接口中的至少一個(gè)的一部分。