背景技術(shù)：

諸如集成電路之類的電路常常被封裝在環(huán)氧模塑化合物封裝中，以支持和保護電路。取決于所使用的制造方法，可能難以控制所封裝的電路的尺寸、形狀或某些屬性。

附圖說明

出于圖示的目的，現(xiàn)在將參照附圖來描述根據(jù)本公開構(gòu)造的某些示例，在附圖中：

圖1圖示了示例電路封裝的圖。

圖2圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖3圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖4圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖5圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖6圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖7圖示了另一示例電路封裝的圖。

圖8在橫截面?zhèn)纫晥D中圖示了示例流體電路封裝的圖。

圖9在頂視圖中圖示了示例流體電路的圖。

圖10圖示了對電路封裝進行壓模的示例方法的流程圖。

圖11a圖示了在壓模之前的示例電路和封裝材料的圖。

圖11b圖示了在對圖11a的電路和封裝材料進行壓模之后的示例電路封裝的圖。

圖12圖示了形成b階段(b-staged)片材模具的示例方法的流程圖。

圖13圖示了形成b階段片材模具的另一示例方法的流程圖。

圖14圖示了對電路封裝進行壓模的另一示例方法的流程圖。

圖15圖示了擠壓工具和所得示例b階段片材模具的示例的圖。

具體實施方式

在以下詳細描述中，參照了附圖。該描述和附圖中的示例應(yīng)當(dāng)被視為說明性的，且不意圖限于所描述的具體示例或元素?？梢酝ㄟ^不同元素的修改、組合或變形來從以下描述和附圖導(dǎo)出多個示例。

圖1圖示了電路封裝1的示例。電路封裝1包括電路器件3和封裝5。封裝5服務(wù)于支持和保護電路器件3。在示例中，附加電路可以通過連接到電路器件3的封裝5來運行。封裝5包括具有第一cte(熱膨脹系數(shù))的第一環(huán)氧模塑化合物7和具有比第一cte高的第二cte的第二環(huán)氧模塑化合物9。第二環(huán)氧模塑化合物9是鄰近于電路器件3設(shè)置的，例如以便影響包括電路器件3的封裝面附近的弓狀彎曲(bow)。

在一個示例中，電路封裝1基本上是面板形狀的。面板形狀的電路封裝1可以具有正表面f和背表面b。電路器件3和第二環(huán)氧模塑化合物9二者均在正表面f附近延伸。在所圖示的示例中，第二環(huán)氧模塑化合物9在與電路器件3相同的平面x-y中延伸，其中平面x-y平行于面板的正表面f和背表面b且在正表面f附近延伸。例如，封裝5的大部分體積由第一環(huán)氧模塑化合物7形成。在所圖示的示例中，第一環(huán)氧模塑化合物7在第二環(huán)氧模塑化合物9下面延伸直到背表面b。

在電路封裝1在背表面b與正表面f之間具有比其寬度w或長度小得多的厚度t的意義上，電路封裝1具有面板形狀。例如，其厚度t可以是其寬度w和/或長度(在圖中，長度延伸到頁面中)的至少五倍或至少十倍。在圖中，厚度在z方向上延伸，而長度和寬度w平行于x-y平面而延伸。

電路器件3可以包括金屬和/或半導(dǎo)體化合物(諸如硅)。電路器件3具有比第一環(huán)氧模塑化合物7低的cte。在示例中，電路器件3包括每℃溫度升高近似百萬分之3.1(ppm/c)。

在某些示例中，電路封裝1是通過壓模來制造的。在再進一步的示例中，在對封裝5中的電路器件3進行壓模之前，以粒狀、粉末狀、分層和/或b階段片材形式提供環(huán)氧模塑化合物。壓模可以涉及：對模具中的層、片材或粒狀環(huán)氧模塑化合物進行加熱；壓縮電路器件和化合物以形成封裝1；以及冷卻封裝1。在某些示例中，電路器件包括導(dǎo)體和/或半導(dǎo)體材料。因此，電路器件3的熱膨脹和第一環(huán)氧模塑化合物7的熱膨脹是不同的。因此，如果電路器件3將僅被封裝在第一環(huán)氧模塑化合物中，則翹曲可能在冷卻期間發(fā)生。

在本公開的示例中的一些中，鄰近于電路器件3而設(shè)置具有甚至更高的cte的第二環(huán)氧模塑化合物9，以控制所述翹曲或弓狀彎曲。例如，以策略性的量(例如厚度、表面)和位置在電路器件3附近設(shè)置第二環(huán)氧模塑化合物9，以便影響在正表面f附近結(jié)合電路器件3和第二環(huán)氧模塑化合物9二者的封裝1的“復(fù)合”部分的總體cte。例如，復(fù)合部分的cte使得復(fù)合部分的熱膨脹補償可基本上包括第一環(huán)氧模塑化合物7的相反背部分的熱膨脹。

在某些示例中，當(dāng)電路器件被封裝在單個環(huán)氧模塑化合物中時，所得電路封裝可以彎曲成在電路器件所位于的正表面f處凸出且在相反背表面b處凹進的形狀。為了抵消這樣的不期望的彎曲，可以在電路器件3附近設(shè)置具有比第一環(huán)氧模塑化合物7高的cte的第二環(huán)氧模塑化合物9的薄層。通過設(shè)置第二環(huán)氧模塑化合物的層，復(fù)合層在冷卻期間的總體熱膨脹(或收縮)可以是與背表面b附近的熱膨脹類似的或相反形狀的。從而，第二環(huán)氧模塑化合物的層可以補償背表面附近的形變。第二環(huán)氧模塑化合物9和第一環(huán)氧模塑化合物7的位置、形狀和量可以變化以控制電路封裝1的弓狀彎曲或翹曲。通過對經(jīng)壓模的電路封裝中的面板弓狀彎曲更好地加以控制，可以緩和某些設(shè)計約束，諸如電路器件厚度(相對于長度和寬度)、封裝中電路器件的數(shù)目、封裝厚度、模具溫度設(shè)定、壓模下游的襯底處置(諸如電氣重分布層(rdl)制作工藝)、在冷卻期間的封裝卡固、以及更多約束。下面描述進一步的示例電路封裝。

圖2圖示了另一示例電路封裝101。電路封裝101可以是面板形狀的，且包括封裝105和電路器件103。電路封裝101包括設(shè)置在第一環(huán)氧模塑化合物107的第一層之上的第二環(huán)氧模塑化合物109的相對較薄的第二層。第二環(huán)氧模塑化合物109具有比第一環(huán)氧模塑化合物107高的cte。第二環(huán)氧模塑化合物109可以具有比第一環(huán)氧模塑化合物107低的填充物密度。電路器件103在正表面f中或附近延伸。第二環(huán)氧模塑化合物109的第二層在與電路器件103相同的平面x-y中延伸。平面x-y平行于電路器件101的正表面f和背表面b在正表面f附近延伸。在一個示例中，第一環(huán)氧模塑化合物107形成封裝105的塊體且形成封裝105的背表面b。

在所圖示的示例中，第二環(huán)氧模塑化合物109的第二層比電路器件103的高度薄，使得電路器件103的正面部分111在第二環(huán)氧模塑化合物109中延伸，而電路器件103的背面部分113在第一環(huán)氧模塑化合物107中延伸，第一環(huán)氧模塑化合物107在第二環(huán)氧模塑化合物109下面延伸。在壓模期間，電路器件103可以沉積到第二環(huán)氧模塑化合物109中且部分地通過第二環(huán)氧模塑化合物109，使得背面部分113位于第一環(huán)氧模塑化合物107中。該示例可以在期望高cte環(huán)氧模塑化合物109的僅薄切片控制面板弓狀彎曲的情況下適用。

圖3圖示了另一示例電路封裝201。電路封裝201可以是面板形狀的，且包括封裝205和封裝205中的電路器件203。電路封裝201分別具有正表面f和背表面b。封裝205包括第一cte的第一環(huán)氧模塑化合物207和比第一cte高的第二cte的第二環(huán)氧模塑化合物209的層。第二環(huán)氧模塑化合物209的層在電路器件203附近且在正表面f附近平行于穿過電路器件203的平面x-y而延伸。在圖中，第二環(huán)氧模塑化合物209在電路器件203之下且在平面x-y之下延伸。第一環(huán)氧模塑化合物207的兩個層207a、207b分別沿第二環(huán)氧模塑化合物209的正側(cè)和背側(cè)延伸。第一環(huán)氧模塑化合物207的相對較薄的層207a在與電路器件203相同的平面x-y中、在正表面f處且平行于正表面f而延伸。在示例中，電路器件203完全沉積在第一環(huán)氧模塑化合物207的該層207a中?？杀硎痉庋b205的大部分體積的第一環(huán)氧模塑化合物207的背面層207b在封裝205的背部處第二環(huán)氧模塑化合物209的相反側(cè)延伸。由此，可以相對于單個環(huán)氧化合物的封裝控制或減小總體面板翹曲。

在圖3的示例中，第二環(huán)氧模塑化合物209可以補償弓狀彎曲，該弓狀彎曲否則可能由電路器件203和第一環(huán)氧模塑化合物207的不同cte導(dǎo)致。例如，第二環(huán)氧模塑化合物209足夠接近于正表面f和/或電路器件203以影響正表面f附近的總體熱膨脹，以便補償經(jīng)壓模的封裝201的背表面b附近的熱膨脹。

在與圖3類似的另一示例中，正面的第一環(huán)氧模塑化合物層207a可以更薄，并且第二環(huán)氧模塑化合物層可以被向上移動，使得其觸碰電路器件203。然后，電路器件203的背面部分213將被設(shè)置在第二環(huán)氧模塑化合物209中，并且電路器件203的正面部分將被設(shè)置在第一環(huán)氧模塑化合物207中。

圖4圖示了電路封裝301的另一示例。電路封裝301包括電路器件303和封裝305。封裝305包括背表面b附近的第一環(huán)氧模塑化合物307和正表面f附近的第二環(huán)氧模塑化合物309，其中第二環(huán)氧模塑化合物309具有比第一環(huán)氧模塑化合物307高的cte。第二環(huán)氧模塑化合物309被設(shè)置在平面x-y中，平面x-y平行于封裝301的正表面f和背表面b在正表面f附近延伸通過電路器件303。第一環(huán)氧模塑化合物307被設(shè)置在背表面b附近。

封裝305的cte逐漸(例如在步驟或?qū)觓、b中，從正表面f到背表面b)減小。cte可以在遠離電路器件層315的方向g上(例如，在與穿過電路器件303的所述平面x-y垂直的方向g上)減小。在其他示例中，如利用虛線箭頭g、g1圖示的那樣，環(huán)氧模塑化合物307、309被設(shè)置在封裝305中，使得cte在遠離電路器件303的多個方向g、g1上減小。在示例中，封裝305包含背表面b附近的第一cte的100％第一環(huán)氧模塑化合物和正表面f附近的第二cte的100％第二環(huán)氧模塑化合物。

圖5圖示了包括封裝405和電路器件403的電路封裝401的示例。電路封裝401包括電路器件層415中的電路器件403的陣列417。電路器件層415可以是在電路封裝401的正表面f附近提供的。在電路器件層415中，陣列417的電路器件403緊接于彼此(例如，以列和/或行)而延伸。在示例中，電路器件403延伸直到正表面f。

封裝405包括第一環(huán)氧模塑化合物407和具有比第一化合物高的cte的第二環(huán)氧模塑化合物409。在所圖示的示例中，第一環(huán)氧模塑化合物407在背表面b附近形成封裝401的背面部分。第一環(huán)氧模塑化合物407可以形成封裝405的材料的塊體。第二環(huán)氧模塑化合物409在與電路器件陣列417相同的平面x-y中在正表面f附近延伸。

電路器件陣列417可以適用于該描述的示例中的每一個。例如，圖1-4的示例中的每一個的個體電路器件3、103、203、303中的每一個實際上可以是如圖5中那樣的電路器件的陣列417，其中陣列417在相應(yīng)的第一和/或第二環(huán)氧模塑化合物層中延伸。

圖6和7圖示了電路封裝501、601的不同示例，其中在第一環(huán)氧模塑化合物507、607中在正表面f附近穿過電路器件503、603的平面x-y中對更高cte的第二環(huán)氧模塑化合物509、609進行圖案化。這里，圖案可以被解釋為第二環(huán)氧模塑化合物509、609跨越僅面板表面的選擇性部分。這里，第一環(huán)氧模塑化合物509、609跨越整個面板表面。在圖6中，電路器件503被設(shè)置在第二環(huán)氧模塑化合物509中。在圖7中，電路器件603被設(shè)置在第一環(huán)氧模塑化合物607中，并且第二環(huán)氧模塑化合物609緊接于電路陣列617以及緊接于第一環(huán)氧模塑化合物607且在第一環(huán)氧模塑化合物607頂上延伸。在全部兩個示例中，第二環(huán)氧模塑化合物509、609在電路器件層515、615中在電路器件503、603附近延伸，且從而可以補償潛在弓狀彎曲，該潛在弓狀彎曲否則可能由電路器件陣列517、617與第一環(huán)氧模塑化合物507、607之間的不同熱膨脹引起。

圖8和9分別在橫截面?zhèn)纫晥D中和在頂視圖中圖示了面板形狀的流體電路封裝701。流體電路封裝701包括第一和第二環(huán)氧模塑化合物707、709相應(yīng)的封裝705，其中第二環(huán)氧模塑化合物709具有比第一環(huán)氧模塑化合物707高的cte。流體電路器件703的陣列717被設(shè)置在正表面f附近電路器件層715中。在該示例中，電路器件層715定義正表面f。

流體電路封裝701可以是高精度數(shù)字液體配給模塊的部件，諸如用于二維或三維打印的介質(zhì)寬陣列打印桿。流體電路器件703可以是像相對較薄的薄片那樣成形的，且可以包括硅材料。電路器件703中的每一個包括用于傳輸流體的通道719(圖8)。在示例中，流體電路器件703包括溝道719的相應(yīng)端部處的噴嘴。某些促動器(諸如電阻器)可以被設(shè)置在溝道719中噴嘴附近，例如在溝道的相應(yīng)室部分中。噴嘴的陣列721可以開放到正表面f(圖9)中。噴嘴的一個行的噴嘴密度可以例如是至少近似300個噴嘴每英寸、至少600個噴嘴每英寸、至少900個噴嘴每英寸、至少1200個噴嘴每英寸、或者更多。在示例中，每一個流體電路器件703被提供有至少兩個噴嘴陣列721。除了相對較薄外，在進一步的示例中，流體器件703還具有相對較小的寬度w和長的長度l。例如，長度l相對于寬度w的比率可以是至少近似25∶1或至少50∶1。流體電路器件703可以被布置在兩個行r中，使得相對行r中的后續(xù)噴嘴陣列721重疊，以便具有如從與流體電路器件703的所述長度l垂直的側(cè)方向d所見的噴嘴陣列的連續(xù)覆蓋，如圖9最佳地圖示的那樣。

封裝705包括以流體孔723的形式存在的通孔，其用于將流體遞送到流體電路器件703中的每一個。在示例中，流體孔723的平均橫截面直徑大于器件703的流體通道719的平均橫截面直徑。流體孔723開放到封裝705的背表面b中，并造成流體電路器件703中的每一個。流體孔723的陣列723a可以平行于噴嘴陣列721中的每一個而延伸到圖中，如圖9中的電路器件703之一中的虛線所圖示。流體孔723的一個行可以將流體引導(dǎo)到兩個噴嘴陣列721。流體孔723可以開放到造成全部兩個噴嘴陣列721的歧管通道中。

在示例中，流體孔723的長度lf的大部分延伸通過第一環(huán)氧模塑化合物707。例如，流體孔723完全在第一環(huán)氧模塑化合物707中延伸。在另一示例中，流體孔723的處于電路器件703附近的最后部分延伸通過第二環(huán)氧模塑化合物709。

圖10圖示了壓模方法的示例的流程圖。該示例方法在圖11a和11b中的概略圖中進一步圖示。下面，框標號指代圖10的流程圖，并且參考標號指代圖11a和11b的圖。該壓模方法包括：將不同成分的至少兩個環(huán)氧模塑化合物807、809沉積在模具腔825之上(框100，圖11a)。在一個示例中，環(huán)氧模塑化合物中的每一個涉及粒狀環(huán)氧模塑化合物。在一個示例中，不同成分可以涉及不同填充物密度和不同cte。該方法進一步包括：對腔中的化合物807、809進行加熱(框110，圖11a)。該方法進一步包括：將至少一個電路器件803沉積在環(huán)氧模塑化合物807、809中的至少一個中(框120，圖11b)。可以在壓縮環(huán)氧模塑化合物807、809的同時將電路器件803沉積在環(huán)氧模塑化合物807、809中(框130)。該方法進一步包括：冷卻電路器件803和環(huán)氧模塑化合物807、809(框140，圖11b)。

圖11a圖示了模具腔825，其中兩層環(huán)氧模塑化合物807、809(例如，粒狀環(huán)氧模塑化合物807、809)被放置在模具腔825中。在所圖示的示例中，具有較高cte的第二環(huán)氧模塑化合物809的層被放置在具有較低cte的第一環(huán)氧模塑化合物807的層之上。第一環(huán)氧模塑化合物807的層可以比第二環(huán)氧模塑化合物809的層厚。模具工具829在壓縮環(huán)氧模塑化合物的同時將電路器件803沉積到經(jīng)加熱的第二環(huán)氧模塑化合物809中。在進一步的示例中，至少一個模具工具829沉積不同成分的不同環(huán)氧模塑化合物的多個層。在不同示例中，模具工具可以配給不同層厚度、層順序，并在與擠壓方向垂直的x-y平面x-y中對化合物進行圖案化，諸如在圖6和7的示例中。

圖11b圖示了面板形狀的經(jīng)冷卻的電路封裝801，其中電路器件803已經(jīng)沉積在第二環(huán)氧模塑化合物809中。電路封裝803的背面部分bp由第一環(huán)氧模塑化合物807形成。電路封裝805的大部分體積由第一環(huán)氧模塑化合物807形成。

圖12和13圖示了制造環(huán)氧模塑化合物的b階段片材的方法的示例的流程圖，每一個片材在其橫截面之上具有變化的填充物密度。圖14圖示了使用圖12和13的示例方法之一的b階段片材對本公開的電路封裝進行片材壓模的方法的示例的流程圖。圖15圖示了用于制造b階段片材的擠壓工具以及b階段片材的對應(yīng)示例。

在圖12的示例方法中，通過第一擠壓頭來擠壓第一填充物密度的經(jīng)加熱的第一環(huán)氧模塑化合物，以構(gòu)建第一環(huán)氧模塑化合物的第一層(框300)。隨后或同時，通過第二擠壓頭來擠壓與第一填充物密度不同的第二填充物密度的經(jīng)加熱的第二環(huán)氧模塑化合物，以構(gòu)建第二環(huán)氧模塑化合物的第二層(框310)。例如，壓縮或冷卻可以適用于經(jīng)組合的層。這兩個層然后形成在厚度或z方向上變化的填充物密度的環(huán)氧模塑化合物層的b階段片材(參見圖15)(框320)。為了比較，在圖15中圖示了在z方向上具有變化的填充物密度的b階段片材905a、905b、905c以及第一和第二擠壓頭935、937的示例。在其他示例中，可以對不同填充物密度的多于兩個環(huán)氧模塑化合物層進行堆疊，以形成在z方向上具有填充物密度梯度的b階段片材。

在圖13中圖示了形成具有變化的填充物密度的環(huán)氧模塑化合物的b階段片材的另一示例方法。在圖13中，配給第一填充物密度的第一環(huán)氧模塑化合物的第一粉末(框400)。隨后或同時，在第一環(huán)氧模塑化合物之上或在第一環(huán)氧模塑化合物中配給與第一填充物密度不同的第二填充物密度的第二環(huán)氧模塑化合物的第二粉末(框410)。然后可以壓縮和/或冷卻不同填充物密度的粉末，以形成在至少一個方向(例如，厚度或z方向)上具有變化的填充物密度的環(huán)氧模塑化合物的b階段片材(框420)。

圖14圖示了使用變化的填充物密度的b階段環(huán)氧模塑化合物片材對電路封裝進行壓模的方法的示例。如所述的那樣，在本公開中，填充物密度可以指代填充物的重量百分比。該示例方法包括：在模具腔中定位在至少一個方向上具有變化的填充物密度的環(huán)氧模塑化合物的b階段片材(框200)。該方法進一步包括：對模具腔中的片材進行加熱(框210)。該方法進一步包括：將至少一個電路器件沉積在片材中(框220)。例如，將電路器件沉積在相對較低的填充物密度的層附近的片材的正側(cè)附近，該正側(cè)與具有相對較高的填充物密度的背側(cè)相反。該方法可以進一步包括：壓縮和冷卻化合物和電路器件，以便形成電路封裝(框230)。

圖15圖示了分別用于形成具有變化的填充物密度的環(huán)氧模塑化合物的b階段片材905、905b、905c的第一和第二環(huán)氧模塑化合物擠壓頭935、937的示例的圖。這些“片材”在產(chǎn)業(yè)中也被稱作“片材模具”。每一個片材905a、905b、905c可以包括第一環(huán)氧模塑化合物907的第一層和第二環(huán)氧模塑化合物909的第二層，其中第一環(huán)氧模塑化合物907具有比第二環(huán)氧模塑化合物909更高的填充物密度和/或更低的cte。

第一擠壓頭935可以被布置成設(shè)置具有相對較高的填充物密度和/或相對較低的cte的第一環(huán)氧模塑化合物907。第二擠壓頭937可以被布置成設(shè)置具有相對較低的填充物密度和/或相對較高的cte的第二環(huán)氧模塑化合物909，例如設(shè)置在第一環(huán)氧模塑化合物907之上。擠壓頭935、937可以被布置成將環(huán)氧模塑化合物907、909設(shè)置在層中?？梢蕴峁┻M一步的擠壓頭以配給不同填充物密度的更多層，或者相同擠壓頭可以配給再次不同的填充物密度的進一步的層。在示例中，在平行于z軸z的方向上對層907、909進行堆疊。在這里未圖示的某些示例中，可以在形成b階段片材905a、905b和905c之前在不同填充物密度和/或cte的不同化合物的部分層內(nèi)對第二化合物的某些部分層進行圖案化(參見例如圖6或7)。

在第一示例中，片材905a包括第一環(huán)氧模塑化合物907的第一層之上的第二環(huán)氧模塑化合物909的相對較薄的第二層。在該示例中，電路器件可以沉積在第二層909中。在第二示例中，封裝905b包括第一環(huán)氧模塑化合物907的相對較薄的第一層，該第一層沉積在第二環(huán)氧模塑化合物909的再次相對較薄的第二層之上，該第二層進而設(shè)置在第一環(huán)氧模塑化合物907的相對較厚的第一層之上，后者處于背側(cè)附近。在該示例中，電路器件在正側(cè)處沉積在相對較薄的第一層907中，在背側(cè)處沉積在相對較厚的第一層907的相反側(cè)上。在第三示例中，封裝905c包括正側(cè)附近的第二環(huán)氧模塑化合物909的層和背側(cè)處的第一環(huán)氧模塑化合物907的層。在第二環(huán)氧模塑化合物的層與第一環(huán)氧模塑化合物的層之間，提供填充物密度梯度，其中例如填充物密度在平行于z軸z的方向上向著背側(cè)而增大。梯度可以由變化的填充物密度的許多層形成。電路器件可以在正側(cè)中再次沉積通過具有較低填充物密度的第二環(huán)氧化合物的層。

本公開的所描述的示例封裝和b階段片材中的一些包括具有不同cte的多個環(huán)氧模塑化合物。在示例中，該描述的環(huán)氧模塑化合物的cte可以由填充物在環(huán)氧模塑化合物中的重量百分比確定。例如，cte與化合物中的填充物濃度成反比。在一個示例中，第一環(huán)氧模塑化合物具有近似90％的填充物重量百分比，其與近似6ppm/c的cte相對應(yīng)。具有這樣的特性的產(chǎn)業(yè)標準環(huán)氧模塑化合物的示例是來自hitachichemical，的cel400zhf40w。例如，第二環(huán)氧模塑化合物具有近似87％的填充物重量百分比和近似9ppm/c的cte。具有這樣的特性的產(chǎn)業(yè)標準環(huán)氧模塑化合物的示例是cel400zhf40w-87。在其他示例中，填充物在第一環(huán)氧模塑化合物中的重量百分比可以在87％與91％之間。例如，第一環(huán)氧模塑化合物的cte可以在近似6ppm/c與9ppm/c之間。在另一示例中，填充物在第二環(huán)氧模塑化合物中的重量百分比可以在82％與87％之間。例如，第二環(huán)氧模塑化合物的cte在9ppm/c與14ppm/c之間。第一和第二環(huán)氧模塑化合物的不同cte的不同示例分別是6ppm/c和13ppm/c?？山M成電路器件的硅的cte的示例是近似3ppm/c。

本公開的示例描述了緊接于電路器件而對相對較高的cte的額外環(huán)氧模塑化合物的放置。本公開的電路封裝的效果可以包括下述至少一項：減小弓狀彎曲；增大設(shè)計空間；以及消除添加部件或制造工藝步驟的需要。

盡管在本公開的不同示例中主要描述了環(huán)氧模塑化合物，但其他模塑化合物也可以適于壓模和/或提供本公開的電路封裝。

本公開中描述的各種示例的電路封裝可以是較大封裝或器件的子部件或者最終產(chǎn)品的中間產(chǎn)品。例如，多個其他層或部件可以附著到背表面或正表面。因此，當(dāng)電路封裝是子部件時，背表面或正表面可能不可見或不明顯。

電路封裝和制造方法的各種示例可以涉及例如用于計算機部件的集成電路封裝。在進一步的示例中，封裝和方法可以涉及流體應(yīng)用，諸如2d或3d打印、數(shù)字滴定、其他微流體器件等。

而且，電路封裝可以具有任何取向：描述性術(shù)語“背”和“正”應(yīng)當(dāng)被理解為僅相對于彼此。而且，本公開的示例片材或面板具有z方向上的厚度以及沿x-y平面的寬度和長度。相對于寬度和長度，封裝的厚度可以相對較薄。在某些示例中，填充物密度隨厚度而變化。