技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
可以通過：形成包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層、在所述微電子電介質(zhì)層上形成底漆層、以及穿過所述底漆層并且進(jìn)入電介質(zhì)材料層形成凹槽來制造內(nèi)建層。在所述凹槽內(nèi)，活化層可以形成在暴露的微電子電介質(zhì)層中或上，其中，所述底漆層用作掩模?？梢灾T如利用無電鍍工藝將金屬層形成在所述活化層上。因此，金屬層沉積的分辨率可以由用于形成所述凹槽的工藝精確地控制。

技術(shù)研發(fā)人員：B·C·馬林;T·格霍斯達(dá)斯蒂達(dá);Y·李;D·塞納維拉特納
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.02.16
技術(shù)公布日：2017.09.26