本說明書的實施例總體上涉及微電子器件制造的領(lǐng)域，并且更具體地，涉及用于內(nèi)建層的金屬化結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

微電子器件通常由各種部件制造，包括但不限于：至少一個微電子管芯(例如，微處理器、芯片組、圖形器件、無線器件、存儲器器件、專用集成電路等)；至少一個無源部件(例如，電阻器、電容器、電感器等)；以及用于安裝部件的至少一個微電子襯底(例如，內(nèi)插件、母板等)。各種部件可以通過包括多個電介質(zhì)層的內(nèi)建層彼此相互連接，其中多個電介質(zhì)層具有多個金屬化結(jié)構(gòu)，例如，形成在電介質(zhì)層上和/或穿過電介質(zhì)層形成的導(dǎo)電跡線和導(dǎo)電通孔。這些內(nèi)建層可以形成在微電子器件內(nèi)的任何部件上。

微電子工業(yè)不斷努力生產(chǎn)用于各種電子產(chǎn)品的更快和更小的微電子器件，這些電子產(chǎn)品包括但不限于諸如便攜式計算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子平板電腦、蜂窩電話等的便攜式產(chǎn)品。隨著部件的尺寸(例如微電子管芯和微電子襯底)減小，金屬化的尺寸也必須減小。因此，需要開發(fā)金屬化結(jié)構(gòu)及其制造方法以用于減小金屬化結(jié)構(gòu)的尺寸。

附圖說明

本公開內(nèi)容的主題是在本說明書的結(jié)論部分中特別指出且明確要求保護(hù)的。根據(jù)以下描述和所附權(quán)利要求并結(jié)合附圖，本公開內(nèi)容的前述和其它特征將變得更加顯而易見。應(yīng)當(dāng)理解的是，附圖僅描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的若干實施例，并且因此不應(yīng)被認(rèn)為是限制其范圍。將通過使用附圖、利用附加的特異性和細(xì)節(jié)來描述本公開內(nèi)容，以使得可以更容易地確定本公開內(nèi)容的優(yōu)點，在附圖中：

圖1是根據(jù)本說明書的實施例的包括電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層的側(cè)面剖視圖，該電介質(zhì)材料具有散布在其中的金屬化催化劑。

圖2是根據(jù)本說明書的實施例的形成在微電子電介質(zhì)層上的底漆層的側(cè)面剖視圖。

圖3是根據(jù)本說明書的實施例的穿過底漆層并且進(jìn)入電介質(zhì)材料層形成的凹槽的側(cè)面剖視圖。

圖4是根據(jù)本說明書的實施例的當(dāng)將激光消融用于形成凹槽時形成在凹槽中的電介質(zhì)材料層內(nèi)的活化層的側(cè)面剖視圖。

圖5是根據(jù)本說明書的另一個實施例的通過浸入活化溶液中而形成在凹槽中的電介質(zhì)材料層內(nèi)的活化層的側(cè)面剖視圖。

圖6和圖7是根據(jù)本說明書的實施例的通過浸入沉積溶液中而形成在活化層上的金屬層的側(cè)面剖視圖。

圖8示出了根據(jù)本說明書的一個實施方式的計算設(shè)備。

具體實施方式

在下面的詳細(xì)描述中，參考附圖通過說明的方式示出了可以實踐的要求保護(hù)的主題的具體實施例。足夠詳細(xì)地描述了這些實施例以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`主題。應(yīng)當(dāng)理解的是，各種實施例雖然不同，但不一定是相互排斥的。例如，本文結(jié)合一個實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以在不脫離所要求保護(hù)的主題的精神和范圍的情況下在其它實施例中實現(xiàn)。在本說明書中對“一個實施例”或“實施例”的引用意味著結(jié)合該實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本說明書所包含的至少一個實施方式中。因此，使用的短語“一個實施例”或“在實施例中”不一定指代同一實施例。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離所要求保護(hù)的主題的精神和范圍的情況下，可以修改每個公開的實施例中的各個元件的位置或布置。因此，以下詳細(xì)描述不應(yīng)被認(rèn)為是限制性的，并且主題的范圍僅由所附權(quán)利要求書以及所附權(quán)利要求書賦予的等同物的全部范圍適當(dāng)?shù)亟忉?。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記在整個若干視圖中指代相同或相似的元件或功能，并且其中所描繪的元件不一定相互縮放，而是可以放大或縮小各個元件以便更容易地理解在本說明書的上下文中的元件。

本文所使用的術(shù)語“之上”、“到”、“之間”和“上”是指一層相對于其它層的相對位置。一層在另一層“之上”或“上”或者一層接合“到”另一層可以是一層與另一層直接接觸或者可以具有一個或多個中間層。層“之間”的一層可以是與層直接接觸或者可以具有一個或多個中間層。

目前，通過形成電介質(zhì)材料層實現(xiàn)對內(nèi)建層的形成，其中，通過任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)使該電介質(zhì)材料層的表面變得粗糙并且在離子或膠態(tài)溶液中將其暴露于金屬化催化劑。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，例如，通過還原化學(xué)物(例如，二甲基胺硼烷)將具有電介質(zhì)材料層的金屬化催化劑絡(luò)合物的分子和活化工藝用于使金屬化催化劑達(dá)到正確的氧化態(tài)以提高催化劑活性。然后將活化的電介質(zhì)材料層暴露于期望的金屬(例如，銅和還原劑)的溶液中，這導(dǎo)致金屬層沉積在具有金屬化催化劑與電介質(zhì)材料層復(fù)合的區(qū)域中(即，需要金屬化催化劑開始金屬層沉積)。該工藝在工業(yè)中被稱為無電鍍沉積。然而，這種方法缺乏空間特異性，并且依賴于通過完全浸入催化劑溶液中在相對大的區(qū)域上對金屬層的沉積。

本說明書的實施例包括制造對金屬層沉積或“圖案化”具有高度控制的內(nèi)建層的方法，并且包括利用這些方法形成的內(nèi)建層。在一個實施例中，微電子電介質(zhì)層可以被形成為包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料?？梢栽谖㈦娮与娊橘|(zhì)層上形成底漆層，并且然后可以利用消融激光器穿過底漆層并且進(jìn)入電介質(zhì)材料層形成凹槽。在凹槽內(nèi)，活化層可以形成在暴露的微電子電介質(zhì)層中或形成在暴露的微電子電介質(zhì)層上，其中底漆層用作掩模?？梢栽诨罨瘜由闲纬山饘賹樱?，利用無電鍍工藝。因此，可以通過用于形成凹槽的工藝來精確地控制金屬層沉積的分辨率，例如，消融激光器的高精度。

如圖1中所示，可以形成微電子電介質(zhì)層110，其中微電子電介質(zhì)層110可以包括電介質(zhì)材料112，電介質(zhì)材料112具有散布在其中的金屬化催化劑114。電介質(zhì)材料112可以是任何適當(dāng)?shù)碾娊橘|(zhì)材料，包括但不限于環(huán)氧聚合物混合材料、二氧化硅和氮化硅，以及低k和超低k電介質(zhì)(介電常數(shù)小于約3.6)，包括但不限于碳摻雜電介質(zhì)、氟摻雜電介質(zhì)、多孔電介質(zhì)、有機(jī)聚合物電介質(zhì)、基于硅的聚合物電介質(zhì)等。如將要討論的，金屬化催化劑114可以是可以發(fā)起隨后的金屬層沉積的任何適當(dāng)?shù)牟牧?。金屬化催化?14可以包括以下材料，包括但不限于鈀鹽(例如，乙酸鈀，雙-三苯基膦鈀等)、銀鹽、銅鹽、鉑鹽、鎳鹽等。

微電子電介質(zhì)層110可以通過本領(lǐng)域已知的任何工藝形成，包括但不限于摻雜、共沉積等。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，微電子電介質(zhì)層110可以包括填充材料(未示出)，以有助于防止熱膨脹問題。在一個實施例中，填充材料(未示出)可以具有約1μm的最大填料尺寸和小于約0.3μm的平均填料尺寸。在具體示例中，微電子電介質(zhì)層110可以包括用于電介質(zhì)材料112的環(huán)氧-聚合物混合物，并且可以進(jìn)一步包括二氧化硅填充材料。

如圖2中所示，底漆層120可以形成在微電子電介質(zhì)層110的第一表面116上。在本說明書的一個實施例中，如將要討論的，底漆層120可以包括被選擇為對隨后的化學(xué)工藝(包括活化和金屬化工藝)有抗性的有機(jī)聚合物膜。在本說明書的另外實施例中，底漆層120可以由適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)材料構(gòu)成，有機(jī)材料包括但不限于利用基于酯-氰酸或酯-苯酚的固化工藝形成的環(huán)氧-苯酚或環(huán)氧-酰亞胺材料。在本說明書的實施例中，底漆層120可以通過任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)形成，技術(shù)包括但不限于旋涂/狹縫式涂覆、膜層壓等。

在本說明書的實施例中，底漆層120可以相對較薄。在一個實施例中，底漆層120可以具有小于約1μm的厚度t。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，對于相對薄的底漆層120，其材料配方在最小化熱膨脹影響的設(shè)計方面的要求要低得多。

底漆層120可以包括填充材料(未示出)，其可以具有相對較小的粒度。在一個實施例中，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，填充材料可以具有小于約100nm的粒度，以使得在隨后的加工步驟期間避免其伴隨的任何副反應(yīng)。應(yīng)當(dāng)注意的是，使用沒有填充材料的底漆層120可能是有利的，因為它將完全避免這種副反應(yīng)。應(yīng)當(dāng)理解的是，底漆層120不需要被去除，以使得底漆層120將是由本說明書的實施例產(chǎn)生的內(nèi)建層的永久性特征。

如圖3中所示，可以穿過底漆層120并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層110形成凹槽130，其中，凹槽130可以包括微電子電介質(zhì)層110的至少一個暴露的表面(被示為側(cè)壁132和底表面134)。在本說明書的一個實施例中，凹槽130可以由激光消融(如箭頭125所示)形成，例如利用受激準(zhǔn)分子層，其消融掉底漆層120和微電子電介質(zhì)層110的所需部分。

如圖4中所示，當(dāng)激光消融125(參見圖3)用于形成凹槽130時，該工藝可以在凹槽130內(nèi)的微電子電介質(zhì)層110的暴露表面(例如，側(cè)壁132和底表面134)處使微電子電介質(zhì)層110的金屬化催化劑114進(jìn)入針對催化活性的氧化態(tài)(例如，活化)，從而形成活化層150。然而，如果激光消融125(參見圖3)不用于形成凹槽130或者如果其產(chǎn)生不充分的活化，則凹槽130內(nèi)微電子電介質(zhì)層110的暴露表面(例如，側(cè)壁132和底表面134)可以通過浸入活化溶液140中而被活化，如圖5中所示?；罨芤?40將在凹槽130內(nèi)的微電子電介質(zhì)層110的暴露表面(例如，側(cè)壁132和底表面134)處使微電子電介質(zhì)層110的金屬化催化劑114進(jìn)入針對催化活性的氧化態(tài)，從而形成活化層150。

活化溶液140(如果使用的話)可以是任何適當(dāng)?shù)倪€原溶液，例如二甲基硼烷(dimethyborane)。用于催化活化的各種組分和工藝是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，并且為了簡單明了，將不在本文中對其進(jìn)行描述或說明。

如圖6中所示，如果需要這種活化步驟，則可以從活化溶液140(參見圖4)去除微電子電介質(zhì)層110，并將其浸入沉積溶液160中以在活化層150上形成金屬層170。如圖所示，沉積可能產(chǎn)生大體上共形的金屬層170。沉積溶液160可以是任何適當(dāng)?shù)娜芤?，例如，在水介質(zhì)中包含金屬鹽、還原劑和ph介質(zhì)(如果需要)的無電鍍?nèi)芤?。在一個實施例中，金屬鹽可以包含銅鹽。用于無電鍍沉積的各種組分和工藝是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，并且為了簡單明了，將不在本文中對其進(jìn)行描述或說明。

如圖7中所示，可以從電鍍?nèi)芤?60中去除微電子電介質(zhì)層110以形成內(nèi)建層100的至少一部分。應(yīng)當(dāng)理解的是，本說明書的工藝可以用于形成多個微電子電介質(zhì)層110和針對內(nèi)建層100的金屬層170，其中，金屬層170可以形成內(nèi)建層100內(nèi)的導(dǎo)電跡線和/或?qū)щ娡椎闹辽僖徊糠帧?/p>

圖8示出了根據(jù)本說明書的一個實施方式的計算設(shè)備200。計算設(shè)備200容納板202。該板可以包括多個微電子部件，包括但不限于處理器204、至少一個通信芯片206a、206b、易失性存儲器208(例如，dram)、非易失性存儲器210(例如rom)、閃速存儲器212、圖形處理器或cpu214、數(shù)字信號處理器(未示出)、加密處理器(未示出)、芯片組216、天線、顯示器(觸摸屏顯示器)、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器(未示出)、視頻編解碼器(未示出)、功率放大器(amp)、全球定位系統(tǒng)(gps)設(shè)備、羅盤、加速度計(未示出)、陀螺儀(未示出)、揚(yáng)聲器(未示出)、相機(jī)和大容量存儲設(shè)備(未示出)(例如，硬盤驅(qū)動器、光盤(cd)、數(shù)字多功能盤(dvd)等)。微電子部件中的任一個可以物理和電氣地耦合到板202。在一些實施方式中，微電子部件中的至少一個可以是處理器204的一部分。

通信芯片實現(xiàn)了用于將數(shù)據(jù)傳送到計算設(shè)備和從計算設(shè)備傳送數(shù)據(jù)的無線通信。術(shù)語“無線”及其衍生物可以用于描述可以通過使用經(jīng)調(diào)制的電磁輻射來通過非固體介質(zhì)傳送數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并不意味著相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何電線，盡管在一些實施例中它們可能不包括任何電線。通信芯片可以實現(xiàn)多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任何一種，包括但不限于wi-fi(ieee802.1系列)、wimax(ieee802.16系列)、ieee802.20、長期演進(jìn)(lte)、ev-do、hspa+、hsdpa+、hsupa+、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、藍(lán)牙及其衍生物，以及被指定為3g、4g、5g及更高代的任何其它無線協(xié)議。計算設(shè)備可以包括多個通信芯片。例如，第一通信芯片可以專用于諸如wi-fi和藍(lán)牙之類的較短距離的無線通信，并且第二通信芯片可以專用于諸如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do之類的較長距離的無線通信。

術(shù)語“處理器”可以指代對來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的任何部分。

如本文所述，計算設(shè)備200內(nèi)的微電子部件中的任一個可以包括內(nèi)建層，該內(nèi)建層包含微電子電介質(zhì)層，該微電子電介質(zhì)層包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料，以及形成在微電子電介質(zhì)層上的底漆層。

在各種實施方式中，計算設(shè)備可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本、筆記本、超級本、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理(pda)、超移動pc、移動電話、臺式計算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻記錄器。在另外的實施方式中，計算設(shè)備可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它微電子器件。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本說明書的主題不一定限于圖1-7中所示的具體應(yīng)用。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，主題可以應(yīng)用于其它微電子器件和組件應(yīng)用。

以下示例涉及另外的實施例，其中，示例1是一種制造微電子內(nèi)建層的方法，包括：形成包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層，其中，微電子電介質(zhì)層包括第一表面；在微電子電介質(zhì)層第一表面上形成底漆層；穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層形成凹槽；以及在所述凹槽內(nèi)形成與微電子電介質(zhì)層相鄰的金屬層。

在示例2中，示例1的主題可以可選地包括，穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層形成凹槽包括：穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層激光消融出凹槽。

在示例3中，示例1或2的主題可以可選地包括，形成包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層包括：環(huán)氧聚合物混合電介質(zhì)材料。

在示例4中，示例1或2的主題可以可選地包括，形成包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層包括：選自于由鈀鹽、銀鹽、銅鹽、鉑鹽和鎳鹽構(gòu)成的組的金屬化催化劑。

在示例5中，示例1或2的主題可以可選地包括：在微電子電介質(zhì)層的第一表面上形成底漆層包括：在所述微電子電介質(zhì)層的第一表面上形成有機(jī)聚合物底漆層。

在示例6中，示例5的主題可以可選地包括，在微電子電介質(zhì)層的第一表面上形成有機(jī)聚合物底漆層包括：形成選自于由環(huán)氧-苯酚材料和環(huán)氧-酰亞胺材料構(gòu)成的組的有機(jī)聚合物底漆層。

在示例7中，示例1或2的主題可以可選地包括，在凹槽內(nèi)的電介質(zhì)材料層上形成金屬層包括：對凹槽內(nèi)的微電子電介質(zhì)層進(jìn)行活化以在電介質(zhì)材料層內(nèi)形成活化層；并且在活化層上沉積金屬層。

在示例8中，示例7的主題可以可選地包括，對微電子電介質(zhì)層進(jìn)行活化包括：將微電子電介質(zhì)層和底漆層浸入活化溶液。

在示例9中，示例8的主題可以可選地包括，將微電子電介質(zhì)層和底漆層浸入活化溶液包括：將微電子電介質(zhì)層和底漆層浸入二甲基胺硼烷(dimethylborane)活化溶液。

在示例10中，示例7的主題可以可選地包括，在活化層上沉積金屬層包括：將活化層浸入沉積溶液。

在示例11中，示例10的主題可以可選地包括，將活化層浸入沉積溶液包括：將活化層浸入包括金屬鹽和還原劑的水沉積溶液。

在示例12中，示例11的主題可以可選地包括，將活化層浸入包括金屬鹽和還原劑的水沉積溶液包括：將活化層浸入包括銅鹽和還原劑的水沉積溶液。

以下示例涉及另外的實施例，其中，示例13是一種微電子內(nèi)建層，其包括：包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層，其中，微電子電介質(zhì)層包括第一表面；位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的底漆層；穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層的凹槽；以及在凹槽內(nèi)與微電子電介質(zhì)層相鄰的金屬層。

在示例14中，示例13的主題可以可選地包括，穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層的凹槽包括：穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層的激光消融出的凹槽。

在示例15中，示例13的主題可以可選地包括，包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層包括：環(huán)氧聚合物混合電介質(zhì)材料。

在示例16中，示例13至15中的任一項的主題可以可選地包括，包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層包括：選自于由鈀鹽、銀鹽、銅鹽、鉑鹽和鎳鹽構(gòu)成的組的金屬化催化劑。

在示例17中，示例13至15中任一項的主題可以可選地包括，位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的底漆層包括：位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的有機(jī)聚合物底漆層。

在示例18中，示例17的主題可以可選地包括，位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的有機(jī)聚合物底漆層包括：選自于由環(huán)氧-苯酚材料和環(huán)氧-酰亞胺材料構(gòu)成的組的有機(jī)聚合物底漆層。

在示例19中，示例13至15中的任一項的主題可以可選地包括：設(shè)置在凹槽內(nèi)的金屬層與電介質(zhì)材料層之間的活化層。

在示例20中，示例13至15中的任一項的主題可以可選地包括：包括共形金屬層的金屬層。

在示例21中，示例13至15中的任一項的主題可以可選地包括：包括銅層的金屬層。

以下示例涉及另外的實施例，其中，示例22是一種電子系統(tǒng)；該電子系統(tǒng)包括：板；以及附接到板的微電子部件，其中，微電子部件包括微電子內(nèi)建層，該微電子內(nèi)建層包括：包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層，其中，微電子電介質(zhì)層包括第一表面；位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的底漆層；穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層的凹槽；以及在凹槽內(nèi)與微電子電介質(zhì)層相鄰的金屬層。

在示例23中，示例22的主題可以可選地包括，穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層的凹槽包括：穿過底漆層并且進(jìn)入微電子電介質(zhì)層的激光消融出的凹槽。

在示例24中，示例22的主題可以可選地包括，包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層包括：環(huán)氧聚合物混合電介質(zhì)材料。

在示例25中，示例22至24中的任一項的主題可以可選地包括，包括具有散布在其中的金屬化催化劑的電介質(zhì)材料的微電子電介質(zhì)層包括：選自于由鈀鹽、銀鹽、銅鹽、鉑鹽和鎳鹽構(gòu)成的組的金屬化催化劑。

在示例26中，示例22至24中的任一項的主題可以可選地包括，位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的底漆層包括：位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的有機(jī)聚合物底漆層。

在示例27中，示例26的主題可以可選地包括，位于微電子電介質(zhì)層的第一表面上的有機(jī)聚合物底漆層包括：選自于由環(huán)氧-苯酚材料和環(huán)氧-酰亞胺材料構(gòu)成的組的有機(jī)聚合物底漆層。

在示例28中，示例22至24中的任一項的主題可以可選地包括，設(shè)置在凹槽內(nèi)的金屬層與電介質(zhì)材料層之間的活化層。

在示例29中，示例22至24中的任一項的主題可以可選地包括，包括共形金屬層的金屬層。

在示例30中，示例22至24中任一項的主題可以可選地包括，包括銅層的金屬層。

因此，已經(jīng)詳細(xì)描述了本說明書的實施例，應(yīng)當(dāng)理解的是，由所附權(quán)利要求限定的本說明書不受以上描述中闡述的特定細(xì)節(jié)的限制，因為在不脫離其精神或范圍的情況下，許多明顯的變型是可能的。