本公開涉及一種制造用于有機(jī)發(fā)光器件或有機(jī)發(fā)光二極管(oled)器件的光提取基底的方法、一種用于oled器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件。更具體地，本公開涉及一種制造用于oled器件的光提取基底的方法、一種用于oled器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件，其中，不但改善了oled器件的光提取效率而且改善了oled器件的發(fā)光均勻性。

背景技術(shù)：

通常，發(fā)光器件可以劃分為具有由有機(jī)材料形成的發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)器件和具有由無機(jī)材料形成的發(fā)光層的無機(jī)發(fā)光器件。在oled器件中，oled是基于經(jīng)電子注入電極(陰極)注入的電子和經(jīng)空穴注入電極(陽極)注入的空穴的復(fù)合在有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的輻射衰減的自發(fā)光光源。oled具有一系列的優(yōu)點(diǎn)，諸如低電壓驅(qū)動(dòng)、自發(fā)射、寬視角、高分辨率、自然色彩再現(xiàn)性和快速響應(yīng)時(shí)間。

近來，已經(jīng)對oled應(yīng)用于便攜式信息裝置、照相機(jī)、時(shí)鐘、手表、辦公設(shè)備、用于車輛等的信息顯示裝置、電視(tv)、顯示裝置和照明系統(tǒng)等積極地進(jìn)行了研究。

為了改善這種上述oled器件的發(fā)光效率，有必要改善形成發(fā)光層的材料的發(fā)光效率或者光提取效率(即，由發(fā)光層產(chǎn)生的光被提取的效率)。

oled器件的光提取效率取決于oled層的折射率。在典型的oled器件中，當(dāng)由發(fā)光層產(chǎn)生的光束以大于臨界角的角度出射時(shí)，該光束會(huì)在諸如用作陽極的透明電極層的較高折射率的層與諸如玻璃基底的較低折射率的層之間的界面處被全反射。這會(huì)因此降低光提取效率，從而降低了oled器件的整體發(fā)光效率，這是有問題的。

更詳細(xì)地進(jìn)行描述，由oled產(chǎn)生的光中的僅約20％從oled器件發(fā)射而產(chǎn)生的光中的約80％由于波導(dǎo)效應(yīng)和內(nèi)部全反射而損失，波導(dǎo)效應(yīng)源自于玻璃基底、陽極和有機(jī)發(fā)光層(由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層組成)的折射率不同，內(nèi)部全反射源自于玻璃基底和環(huán)境大氣之間的折射率的差異。這里，內(nèi)部有機(jī)發(fā)光層的折射率在1.7到1.8的范圍，而通常用于陽極的氧化銦錫(ito)的折射率為約1.9。由于這兩個(gè)層具有范圍為200nm到400nm的顯著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率為約1.5，從而在oled器件內(nèi)部形成平面波導(dǎo)。計(jì)算出由于上述原因在內(nèi)部波導(dǎo)模式中損失的光的比率為約45％。另外，由于玻璃基底的折射率為約1.5，環(huán)境大氣的折射率為1.0，所以當(dāng)光從玻璃基底的內(nèi)部射出時(shí)，入射角大于臨界角的光束會(huì)被全反射并俘獲在玻璃基底內(nèi)部。被俘獲的光的比率為約35％。因此，僅可以從oled器件射出所產(chǎn)生的光的約20％。

為了克服這樣的問題，已經(jīng)積極研究了光提取層，通過光提取層可以提取否則將在內(nèi)部波導(dǎo)模式中損失的光的80％。光提取層通常被分類為內(nèi)部光提取層和外部光提取層。在外部光提取層的情況下，能夠通過在基底的外表面上設(shè)置包括微透鏡的膜來改善光提取效率，從各種形狀中選擇微透鏡的形狀。光提取效率的改善不明顯依賴于微透鏡的形狀。另一方面，內(nèi)部光提取層直接提取否則將在光波導(dǎo)模式中損失的光。因此，內(nèi)部光提取層改善光提取效率的能力可以高于外部光提取層改善光提取效率的能力。

用于制造內(nèi)部光提取層的常規(guī)工藝包括：將散射顆粒與使所述散射顆粒固定到基底上的無機(jī)粘合劑的溶膠進(jìn)行混合；利用散射顆粒涂覆基底；并在基底上燒制散射顆粒。然而，由于在燒制操作期間粘合劑材料的溶膠的結(jié)晶造成體積收縮以及消除由基底和粘合劑材料之間的熱膨脹系數(shù)(cte)的差異造成的應(yīng)力的工藝，在涂覆膜中可能形成細(xì)微裂紋。因?yàn)榱鸭y在減小了涂覆膜的鍵合力的同時(shí)增加了涂覆膜的表面粗糙度，所以必須利用平坦化層額外地對涂覆膜的頂表面進(jìn)行涂覆，從而造成額外的工藝的成本，這是有問題的。

在大面積oled器件的制造中，為了發(fā)光均勻性和啟用低電壓驅(qū)動(dòng)的目的，除了主電極、陽極之外，輔助金屬電極是必要的。在現(xiàn)有技術(shù)中，通過光刻圖案化形成輔助電極。然而，當(dāng)這種光刻工藝形成輔助電極時(shí)，加工的成本會(huì)顯著增加，這是有問題的。另外，可以使用印刷法形成輔助電極。然而，當(dāng)通過印刷法形成輔助電極時(shí)，輔助電極的最小線寬和高度會(huì)在從幾十微米到幾百微米的范圍，使得會(huì)減小輔助電極的開口率。通過這種印刷法形成的輔助電極的電性能比通過沉積形成的輔助電極的電性能差。

[現(xiàn)有技術(shù)文件]

第1093259號韓國專利(2011年12月6日)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

因此，已經(jīng)考慮到現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問題而做出了本公開，本公開提出一種制造用于有機(jī)發(fā)光器件或有機(jī)發(fā)光二極管(oled)器件的光提取基底的方法、一種用于oled器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件，其中，不但改善了oled器件的光提取效率而且改善了oled器件的發(fā)光均勻性。

技術(shù)方案

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種制造用于oled器件的光提取基底的方法。所述方法可以包括：通過將大量的散射顆粒與無機(jī)粘合劑進(jìn)行混合來制備混合物；利用混合物涂覆基礎(chǔ)基底；通過利用無機(jī)材料涂覆基礎(chǔ)基底上的混合物來形成緩沖層；對混合物和緩沖層進(jìn)行燒制；通過在燒制過程中形成在混合物和緩沖層中的裂紋中的金屬來形成第一電極；在第一電極上形成第二電極以電連接到第一電極。

在制備混合物的步驟中使用的所述大量的散射顆?？梢允瞧湔凵渎逝c無機(jī)粘合劑的折射率相差0.3或更大的顆粒。

在制備混合物的步驟中使用的所述大量的散射顆?？梢允菑挠蓅io2、tio2、zno和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。

在制備混合物的步驟中，分別包括核和圍繞核的殼的散射顆?？梢杂米魉龃罅康纳⑸漕w?；蛘哂糜谛纬伤龃罅康纳⑸漕w粒的部分，其中，殼的折射率不同于核的折射率。

在制備混合物的步驟中，分別包括中空的核的散射顆粒可以用作所述大量的散射顆粒或者用于形成所述大量的散射顆粒的部分。

形成緩沖層的無機(jī)材料可以是zno。

形成第一電極的步驟可以包括在裂紋內(nèi)以及在緩沖層上沉積金屬并且對緩沖層進(jìn)行蝕刻。

所沉積的金屬可以是從由cu、al和ag組成的候選組選擇的一種金屬。

對混合物進(jìn)行燒制可以在基質(zhì)層內(nèi)形成具有不規(guī)則形狀的大量空隙。

根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種用于oled器件的光提取基底。所述光提取基底可以包括：基礎(chǔ)基底；基質(zhì)層，設(shè)置在基礎(chǔ)基底上；大量的散射顆粒，分散在基質(zhì)層內(nèi)；第一電極，填充形成在基質(zhì)層中的裂紋并且由金屬形成；第二電極，設(shè)置在基質(zhì)層和第一電極上。

所述大量的散射顆?？梢允瞧湔凵渎逝c基質(zhì)層的折射率相差0.3或更大的顆粒。

所述大量的散射顆粒的至少部分可以分別包括核和圍繞核的殼，殼的折射率不同于核的折射率。

核可以是空隙。

所述光提取基底還可以包括設(shè)置在基質(zhì)層內(nèi)具有不規(guī)則形狀的空隙。

裂紋可以設(shè)置在所述大量的散射顆粒之間或所述大量的散射顆粒中的幾個(gè)散射顆粒的簇之間。

裂紋的至少部分可以將基礎(chǔ)基底暴露于基質(zhì)層的表面。

第二電極可以是用作oled器件的主電極的透明電極，第一電極可以用作oled器件的輔助電極，基質(zhì)層和所述大量的散射顆?？梢杂米鱫led器件的內(nèi)部光提取層。

根據(jù)本公開的另一方面，一種oled可以包括在所產(chǎn)生的光出射所經(jīng)的位置中的上述光提取基底。

有益效果

根據(jù)本公開，在用于形成基質(zhì)層的混合物的收縮過程中，由于所述混合物和基礎(chǔ)基底之間的熱膨脹系數(shù)(cte)的差異，使得在沒有額外加工的情況下形成裂紋，通過控制所述裂紋的形狀來形成隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，隨后在所述裂紋中沉積金屬，通過上述步驟來制造應(yīng)當(dāng)用作oled器件的輔助電極的電極。當(dāng)應(yīng)用到oled器件時(shí)，可以改善oled器件的光提取效率和發(fā)光均勻性，并且可以使oled器件能夠以低電壓進(jìn)行操作。因此，本公開可應(yīng)用于大面積oled器件。

另外，根據(jù)本公開，通過填充在沒有額外加工的情況下形成的裂紋來形成電極。與通過光刻來形成oled器件的輔助電極的常規(guī)工藝相比，可以以簡單的方式形成電極，從而降低oled器件的制造成本。

此外，根據(jù)本公開，將應(yīng)當(dāng)用作oled器件的透明電極的導(dǎo)電膜形成為覆蓋形成在裂紋中的輔助電極的表面和基質(zhì)層的表面。然后，可以使由于出現(xiàn)裂紋而粗糙度增加的基質(zhì)層的表面平坦化。因此，這能夠去除形成平坦化層的額外的工藝，從而降低oled器件的制造成本。

另外，根據(jù)本公開，當(dāng)通過填充形成在基質(zhì)層中的裂紋來形成輔助電極時(shí)，增大了從基質(zhì)層的內(nèi)部側(cè)向波導(dǎo)的光將到達(dá)由金屬形成的輔助電極并從該輔助電極反射的可能性。因此，這能夠干擾波導(dǎo)模式，從而導(dǎo)致光提取效率的改善。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled器件的光提取基底的方法的工藝流程圖。

圖2至圖8是順序地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled器件的光提取基底的方法的示意性工藝圖。

圖9是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例制造的用于oled器件的光提取基底的oled器件的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于有機(jī)發(fā)光器件或有機(jī)發(fā)光二極管(oled)器件的光提取基底的方法、用于oled器件的光提取基底以及包括光提取基底的oled器件。

在以下描述中，在包括對已知功能和組件的詳細(xì)描述可能使本公開的主題不清楚的情況下，這里將對其進(jìn)行省略。

根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于有機(jī)發(fā)光器件或oled器件的光提取基底的方法是這樣一種制造光提取基底(圖9中的100)的方法，其中，將光提取基底設(shè)置在由oled器件(圖9中的10)的oled發(fā)射的光出射所經(jīng)的路徑上，以用作由oled發(fā)射的光可以通過的路線，提高oled器件10的光提取效率，并且保護(hù)oled免受外部環(huán)境的影響。

如圖1中示出的，根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled器件的光提取基底的方法包括混合物制備步驟s1、混合物涂覆步驟s2、緩沖層形成步驟s3、燒制步驟s4、第一電極形成步驟s5和第二電極形成步驟s6。

首先，混合物制備步驟s1是制備應(yīng)當(dāng)形成oled器件10的內(nèi)部光提取層的混合物(圖2中的120)的步驟。在混合物制備步驟s1中，通過將無機(jī)粘合劑(圖2中的121)的溶膠與大量的散射顆粒(圖2中的122)進(jìn)行混合來制得混合物120。這里，在混合物制備步驟s1中使用的無機(jī)粘合劑121和散射顆粒122可以具有不同的折射率，使得混合物在用于oled器件10的內(nèi)部光提取層時(shí)改善oled器件10的光提取效率。例如，在混合物制備步驟s1中，所使用的散射顆粒122的折射率可以與應(yīng)當(dāng)形成散射顆粒122的基質(zhì)層(圖5中的140)的無機(jī)粘合劑121的折射率相差0.3或更大。這里，在混合物制備步驟s1中，散射顆粒122可以是從由sio2、tio2、zno和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。另外，在混合物制備步驟s1中，用作將要與無機(jī)粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122的大量的散射顆?？梢苑謩e由核(圖2中的123)和圍繞核的殼(圖2中的124)組成，殼的折射率不同于核的折射率。另外，在混合物制備步驟s1中，具有核-殼結(jié)構(gòu)的散射顆粒可以用于形成將要與無機(jī)粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122的部分。在混合物制備步驟s1中使用的散射顆粒中，核123可以是中空部分。具體地，在混合物制備步驟s1中，可以使用從由單一材料形成的典型的單折射率的散射顆粒之中選擇的單一類型的散射顆粒、核123的折射率與殼124的折射率不同的核-殼結(jié)構(gòu)的散射顆粒以及核123為中空部分的核-殼結(jié)構(gòu)的散射顆粒作為將要與無機(jī)粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122。可選擇的，可以以預(yù)定比例混合所提到的多種顆粒中的兩種或更多種顆料以將其用作將要與無機(jī)粘合劑121混合的所述大量的散射顆粒122。如上所述，能夠具有各種組合的所述大量的散射顆粒122使從oled發(fā)射的光沿各種的或復(fù)雜的路徑散射，從而起到改善oled器件10的光提取效率的功能。具體地，當(dāng)散射顆粒122具有多折射率的核-殼結(jié)構(gòu)時(shí)，核123和殼124的不同折射率還可以改善oled器件10的用于提取從oled發(fā)射的光的效率。

在隨后的燒制步驟s4中，將混合物120形成為分散有大量的散射顆粒122的基質(zhì)層(圖5中的140)。這里，由于基礎(chǔ)基底(圖2中的110)和無機(jī)粘合劑121之間的熱膨脹系數(shù)(cte)的差異，導(dǎo)致在沒有額外加工的情況下形成裂紋(圖5中的141)。在根據(jù)示例性實(shí)施例的混合物制備步驟s1中，可以調(diào)整混合物120的組成和濃度以將裂紋141控制為具有隨機(jī)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。例如，在混合物制備步驟s1中，包括sio2的散射顆粒122可以以1.0m或更大的量來與包括tio2的無機(jī)粘合劑121混合。

然后，如圖2中示出的，混合物涂覆步驟s2是利用在混合物制備步驟s1中制得的混合物120涂覆基礎(chǔ)基底110的頂表面的步驟。在混合物涂覆步驟s2中，可以將混合物120施用到基礎(chǔ)基底110的頂表面直到厚度等于或高于散射顆粒122的厚度，使得基礎(chǔ)基底110和無機(jī)粘合劑121之間的cte的差異造成將要形成在基質(zhì)層(圖5中的140)中的裂紋(圖5中的141)，其中，基質(zhì)層通過在隨后的混合物燒制步驟s4中對無機(jī)粘合劑121進(jìn)行燒制來制得。當(dāng)大量的散射顆粒122團(tuán)簇成兩層時(shí)，散射顆粒122的厚度包括所述簇的兩層的總厚度。

換言之，有必要在混合物涂覆步驟s2中控制混合物的涂覆厚度，使得在沒有額外加工的情況下由于燒制步驟s4中的燒制而能夠在基質(zhì)層140中形成裂紋141。為了控制在沒有額外加工的情況下形成的裂紋的形狀，有必要在混合物制備步驟s1中控制混合物120的組成和濃度。

另外，在混合物涂覆步驟s2中，通過濕法涂覆將混合物120施用到基礎(chǔ)基底110，隨后進(jìn)行干燥。

當(dāng)在oled器件(圖9中的10)中使用根據(jù)示例性實(shí)施例制造的光提取基底(圖9中的100)時(shí)，涂覆有混合物120的基礎(chǔ)基底110設(shè)置在oled器件10的前部，即，由oled產(chǎn)生的光與環(huán)境大氣接觸的位置，以在用作保護(hù)oled免受外部環(huán)境影響的包封基底的同時(shí)允許光出射?；A(chǔ)基底110可以是具有優(yōu)異的透光率和優(yōu)異的機(jī)械性能的任意透明基底。例如，基礎(chǔ)基底110可以由諸如可熱固化或可紫外(uv)固化的有機(jī)膜的聚合材料形成?？蛇x擇的，基礎(chǔ)基底110可以由諸如鈉鈣玻璃(sio2-cao-na2o)或鋁硅酸鹽玻璃(sio2-al2o3-na2o)的化學(xué)增強(qiáng)玻璃形成。當(dāng)根據(jù)示例性實(shí)施例的包括光提取基底100的oled器件10用于照明設(shè)備時(shí)，基礎(chǔ)基底110可以由鈉鈣玻璃形成?；A(chǔ)基底110也可以是金屬氧化物基底或金屬氮化物基底。可選擇的，根據(jù)示例性實(shí)施例的基礎(chǔ)基底110可以是柔性基底，更具體地，可以是厚度為1.5mm或更小的薄玻璃片?？梢允褂萌廴诠に嚮蚋》üに噥碇圃焖霰〔Ａ?。

緊接著，如圖3中示出的，緩沖層形成步驟s3是通過利用無機(jī)材料涂覆混合物120來形成緩沖層130的步驟，混合物120在混合物涂覆步驟s2中施用到基礎(chǔ)基底110的頂表面。緩沖層130是將要在燒制步驟s4之后的第一電極形成步驟s5中被去除以形成第一電極(圖7中的150)的層。對此，需要由在燒制步驟s4中能耐高溫?zé)崽幚聿⑶以诘谝浑姌O形成步驟s5中能被容易地蝕刻的無機(jī)材料來形成緩沖層130。因此，在緩沖層形成步驟s3中，諸如zno的無機(jī)材料可以用于緩沖層130。盡管在緩沖層形成步驟s3中可以利用zno通過干法涂覆或濕法涂覆對基礎(chǔ)基底110進(jìn)行涂覆，但考慮到成本和加工可以進(jìn)行濕法涂覆，然后進(jìn)行干燥。

然后，如圖4中示出的，燒制步驟s4是將混合物120和緩沖層130進(jìn)行燒制隨后使其層疊在基礎(chǔ)基底110上的步驟。另外，燒制步驟s4是通過對混合物120進(jìn)行燒制而在基礎(chǔ)基底110上形成分散有不同折射率的大量的散射顆粒122的基質(zhì)層(圖5中的140)的步驟。

在根據(jù)示例性實(shí)施例的混合物燒制步驟s4中，可以在400℃至800℃的溫度下對混合物120進(jìn)行燒制。當(dāng)在該溫度范圍內(nèi)對混合物120進(jìn)行燒制時(shí)，在混合物120和緩沖層130的收縮過程中，由于基礎(chǔ)基底110的cte與混合物120的cte和緩沖層130的cte的不同，使得在基質(zhì)層140中形成裂紋141，如圖5中示出的。當(dāng)在oled器件(圖9中的10)中使用根據(jù)示例性實(shí)施例制造的光提取基底(圖9中的100)時(shí)，形成在基質(zhì)層140中的裂紋141可以散射由oled發(fā)射的光，即，用于使由oled發(fā)射的光的路徑進(jìn)一步復(fù)雜化或多樣化。另外，根據(jù)示例性實(shí)施例，裂紋141提供將要形成為用作oled器件10的輔助電極的第一電極(圖7中的150)的空間，稍后將對其進(jìn)行更詳細(xì)的描述。

裂紋141在從緩沖層130的表面朝向基礎(chǔ)基底110的方向上形成。部分或全部的裂紋141可以形成為將基礎(chǔ)基底110暴露于緩沖層130的表面。另外，裂紋141可以形成在大量的散射顆粒122之間或者形成在幾個(gè)散射顆粒122的簇之間。另外，因?yàn)樵诨旌衔镏苽洳襟Es1中調(diào)整了混合物120的組成和濃度，因此可以使裂紋141形成為具有細(xì)線寬度的隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

另外，在混合物燒制步驟s4中，當(dāng)正在對混合物120進(jìn)行燒制時(shí)，會(huì)在基質(zhì)層140內(nèi)形成具有不規(guī)則形狀的大量空隙(未示出)。在根據(jù)示例性實(shí)施例制造的具有霧值60％的基質(zhì)層140情況下，即，例如在基質(zhì)層140中大量的具有核-殼結(jié)構(gòu)的散射顆粒122分散在單一層中的情況下，在基質(zhì)層140內(nèi)形成的大量空隙(未示出)的面積可以在基質(zhì)層140的面積的2.5％至10.8％的范圍內(nèi)。與散射顆粒122和裂紋141一樣，所述大量的空隙(未示出)沿著各種路徑散射由oled發(fā)射的光，從而有助于改善oled器件10的光提取效率。在這種情況下，光提取效率可以隨著在基質(zhì)層140內(nèi)形成的大量的空隙(未示出)的面積的增加而增加。另外，在基質(zhì)層140內(nèi)形成的空隙(未示出)的增加可以使所使用的散射顆粒122的量減少與空隙的量相等的量，從而降低制造成本。

然后，如圖6和圖7中示出的，第一電極形成步驟s5是由裂紋141中的金屬151形成第一電極150的步驟，其中，裂紋141在燒制步驟s4中對混合物120進(jìn)行燒制的過程中形成在基質(zhì)層140和緩沖層130中。在第一電極形成步驟s5中，首先在裂紋141內(nèi)以及在緩沖層130上沉積金屬151，以形成在制造oled器件10的情況下將要用作大面積oled器件10的輔助電極的第一電極150。金屬151可以是從諸如cu、al和ag組成的候選組選擇的一種金屬，其中，考慮到改善oled器件10的光提取效率，可以使用具有高反射率的ag或al。盡管可以沉積諸如氧化銦錫(ito)的導(dǎo)電金屬氧化物來代替金屬151，但是考慮到片電阻，可以使用金屬材料。

隨后，對緩沖層130進(jìn)行蝕刻，盡管可以通過干法蝕刻和濕法蝕刻對緩沖層130進(jìn)行蝕刻，但是在包括制造用于大面積oled器件10的大面積光提取基底100的工藝的幾個(gè)方面中，濕法蝕刻可能較容易。這里，可用于對緩沖層130進(jìn)行濕法蝕刻的蝕刻溶液不能對金屬151進(jìn)行蝕刻或者相對于緩沖層130對金屬151必須具有非常低的蝕刻率，使得可以執(zhí)行選擇性蝕刻。例如，在將zno用于緩沖層130而將al用于金屬層151的情況下，使用hno3作為用于緩沖層130的蝕刻溶液能夠?qū)崿F(xiàn)對緩沖層130的選擇性蝕刻。

當(dāng)如上所述對緩沖層130進(jìn)行蝕刻時(shí)，金屬151的沉積在緩沖層130上的部分通過剝離被去除，而金屬151的沉積在裂紋141內(nèi)的其余部分可以以間隙填充的形式留存，從而形成第一電極150。根據(jù)示例性實(shí)施例，通過填充在沒有額外加工的情況下形成的裂紋141來形成第一電極150。因此，與用于oled器件的輔助電極的常規(guī)的光刻加工相比，這可以以簡單的方式形成裂紋141，從而與常規(guī)工藝相比降低了oled器件(圖9中的10)的加工成本。另外，在通過填充裂紋141來形成第一電極150的情況下，在oled器件10中使用根據(jù)示例性實(shí)施例制造的光提取基底100增大了從基質(zhì)層140的內(nèi)部側(cè)向波導(dǎo)的光將到達(dá)第一電極150(由金屬形成的輔助電極)并從第一電極150反射的概率。因此，這能夠干擾波導(dǎo)模式，從而導(dǎo)致光提取效率的改善。

形成有隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的裂紋141具有100nm至300nm的微小的寬度以及僅在200nm至500nm之間的高度。包括裂紋141的基質(zhì)層140是光學(xué)透明的并且裂紋的尺寸僅在幾微米到幾十微米之間。當(dāng)通過填充裂紋141來形成第一電極150時(shí)，第一電極150的寬度僅為幾微米至幾十微米。即使在基質(zhì)層140根據(jù)大型oled器件10而具有大面積的情況下，也可以獲得片電阻的均勻性。

之后，如圖8中示出的，第二電極形成步驟s6是在第一電極150上形成第二電極160以電連接到第一電極150的步驟，第二電極160應(yīng)當(dāng)用作oled器件10的主透明電極。在第二電極形成步驟s6中，可以通過沉積諸如ito的導(dǎo)電金屬氧化物或沉積諸如pedot:pss的導(dǎo)電聚合物來形成第二電極160。在第二電極形成步驟s6中，將第二電極160形成為覆蓋第一電極150和基質(zhì)層140的表面。當(dāng)以這種方式形成第二電極160時(shí)，可以使由于出現(xiàn)裂紋141而粗糙度增加的基質(zhì)層140的表面平坦化。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了與oled器件的透明電極鄰接的基質(zhì)層的表面平坦化，在透明電極和基質(zhì)層之間形成單獨(dú)的平坦化層。相反，根據(jù)示例性實(shí)施例，第二電極160不僅用作oled器件10的透明電極而且還用作現(xiàn)有技術(shù)中的平坦化層，使得可以省略額外的平坦化加工。根據(jù)示例性實(shí)施例，如上所述形成第二電極160可以簡化加工并降低成本。

當(dāng)完成如上所述的第二電極形成步驟s6時(shí)，制造了根據(jù)示例性實(shí)施例的用于oled的光提取基底100。

如圖9中示出的，通過上述工藝制造的光提取基底100設(shè)置在oled器件10的一部分中以用作光學(xué)功能性基底，從而改善oled器件10的光提取效率。這里，具有裂紋141的基質(zhì)層140以及分散在基質(zhì)層140內(nèi)的大量散射顆粒122和大量空隙(未示出)形成了oled器件10的內(nèi)部光提取層。基于基質(zhì)層140、散射顆粒122和空隙(未示出)的不同折射率，該內(nèi)部光提取層可以提供復(fù)雜的散射結(jié)構(gòu)，用于造成由有機(jī)發(fā)光層11發(fā)射的光劇烈散射以及光的散射路徑多樣化，從而顯著地改善oled器件10的光提取效率。另外，將通過填充具有隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的裂紋141而形成的第一電極150以及覆蓋并電連接到第一電極150的第二電極160用作oled器件10的輔助電極和主電極，從而提高大面積oled器件10的發(fā)光均勻性，并允許oled器件10以低電壓進(jìn)行操作。

另外，oled器件10的oled具有陽極、有機(jī)發(fā)光層11和第三電極13的多層機(jī)構(gòu)，其中，第三電極13夾在根據(jù)示例性實(shí)施例的光提取基底100與面向光提取基底100以包封oled的另一基底(未示出)之間。陽極(oled器件10的主電極)是透明電極，根據(jù)示例性實(shí)施例的光提取基底100的第二電極160用作主電極。另外，第三電極13是oled器件10的陰極。第三電極13可以是由具有小的功函數(shù)以便于電子注入的al、al:li或mg:ag形成的金屬薄膜。盡管沒有具體示出，但是有機(jī)發(fā)光層11可以包括順序地堆疊在第二電極160上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)在第二電極160和第三電極13之間產(chǎn)生正向電壓，電子從第三電極13經(jīng)電子注入層和電子傳輸層遷移到發(fā)射層，同時(shí)空穴從第二電極160經(jīng)空穴注入層和空穴傳輸層遷移到發(fā)射層。已經(jīng)遷移到發(fā)射層的電子和空穴彼此復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)這些激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，發(fā)射光。發(fā)射的光的亮度正比于在第二電極160和第三電極13之間流經(jīng)的電流的量。

當(dāng)oled器件10是照明設(shè)備中使用的白色oled器件時(shí)，有機(jī)發(fā)光層可以具有例如包括發(fā)射藍(lán)色光的高分子發(fā)光層和發(fā)射橘紅色光的低分子發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)。另外，可以使用發(fā)射白光的各種其它結(jié)構(gòu)。

根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光層11可以具有串聯(lián)(tandem)結(jié)構(gòu)。具體地，可以提供與互連層(未示出)交替的多個(gè)有機(jī)發(fā)光層11。

如以上闡述的，在根據(jù)示例性實(shí)施例制造用于oled器件的光提取基底的方法中，以一系列的工藝來制造光提取基底100：在沒有額外的加工的情況下，通過控制在形成基質(zhì)層140的燒制操作中因混合物120的收縮而形成的裂紋141的形狀來形成隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；隨后在裂紋141中形成用作oled器件的輔助電極的第一電極150。根據(jù)示例性實(shí)施例，可以通過比現(xiàn)有技術(shù)簡單的工藝來制造光提取基底100，從而比現(xiàn)有技術(shù)降低工藝成本。

另外，當(dāng)在oled器件10中使用如上述制造的光提取基底100時(shí)，可改善oled器件10的光提取效率和發(fā)光均勻性，并可使oled器件10能夠以低電壓進(jìn)行操作。因此，本公開可應(yīng)用于大面積oled器件10。

已經(jīng)參照附圖給出了對本公開的具體示例性實(shí)施例的上述描述。它們沒有意圖窮舉或?qū)⒈竟_限制于所公開的具體形式，顯然，根據(jù)以上教導(dǎo)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以進(jìn)行許多修改和改變。

因此，本公開的范圍不意圖受限于上述實(shí)施例，而是意圖受所附權(quán)利要求及其等同物的限制。