本公開涉及一種制造用于有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的光提取基底的方法、一種用于oled的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件。更具體地，本公開涉及一種制造用于oled的光提取基底的方法、一種用于oled的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件，其中，所述方法能夠通過降低波導(dǎo)效應(yīng)和降低表面等離子體激元效應(yīng)來顯著地改善oled的光提取效率，波導(dǎo)效應(yīng)被認(rèn)為是造成oled效率損失的最重要的原因。

背景技術(shù)：

通常，發(fā)光器件可以劃分為具有由有機(jī)材料形成的發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)器件和具有由無機(jī)材料形成的發(fā)光層的無機(jī)發(fā)光器件。在oled器件中，oled是基于經(jīng)電子注入電極(陰極)注入的電子和經(jīng)空穴注入電極(陽極)注入的空穴的復(fù)合在有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的輻射衰減的自發(fā)光光源。oled具有一系列的優(yōu)點(diǎn)，諸如低電壓驅(qū)動、光的自發(fā)射、寬視角、高分辨率、自然色彩再現(xiàn)性和快速響應(yīng)時間。

近來，已經(jīng)對oled應(yīng)用于便攜式信息裝置、照相機(jī)、時鐘、手表、辦公設(shè)備、用于車輛等的信息顯示裝置、電視(tv)、顯示裝置和照明系統(tǒng)等積極地進(jìn)行了研究。

為了改善這種上述oled器件的發(fā)光效率，有必要改善形成發(fā)光層的材料的發(fā)光效率或者光提取效率(即，由發(fā)光層產(chǎn)生的光被提取的效率)。

oled器件的光提取效率取決于oled層的折射率。在典型的oled器件中，當(dāng)由發(fā)光層產(chǎn)生的光束以大于臨界角的角度出射時，該光束會在諸如用作陽極的透明電極層的較高折射率的層與諸如玻璃基底的較低折射率的層之間的界面處被全反射。這會因此降低光提取效率，從而降低了oled器件的整體發(fā)光效率，這是有問題的。

更詳細(xì)地進(jìn)行描述，由oled產(chǎn)生的光中的僅約20％是從oled器件發(fā)射的而產(chǎn)生的光中的約80％由于波導(dǎo)效應(yīng)和全內(nèi)反射而損失，波導(dǎo)效應(yīng)源自于玻璃基底、陽極和有機(jī)發(fā)光層(由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層組成)的不同折射率，全內(nèi)反射源自于玻璃基底和環(huán)境大氣之間的折射率的差異。這里，內(nèi)部有機(jī)發(fā)光層的折射率在1.7到1.8的范圍，而通常用在陽極中的氧化銦錫(ito)的折射率為約1.9。由于這兩個層具有范圍為200nm到400nm的顯著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率為約1.5，從而在oled器件內(nèi)部形成平面波導(dǎo)。計(jì)算出由于上述原因在內(nèi)部波導(dǎo)模式中損失的光的比率為約45％。另外，由于玻璃基底的折射率為約1.5以及環(huán)境大氣的折射率為1.0，所以當(dāng)光從玻璃基底的內(nèi)部射出時，入射角大于臨界角的光束會被全反射并被俘獲在玻璃基底內(nèi)部。被俘獲的光的比率為約35％。因此，僅可以從oled器件射出所產(chǎn)生的光的約20％。

為了克服這樣的問題，已經(jīng)積極研究了光提取層，通過光提取層可以提取否則將在內(nèi)部波導(dǎo)模式中損失的光的80％。光提取層通常被分類為內(nèi)部光提取層和外部光提取層。在外部光提取層的情況下，能夠通過在基底的外表面上設(shè)置包括微透鏡的膜來改善光提取效率，微透鏡的形狀是從各種形狀之中選擇的。光提取效率的改善不明顯依賴于微透鏡的形狀。另一方面，內(nèi)部光提取層直接提取否則將在光波導(dǎo)模式中損失的光。因此，內(nèi)部光提取層改善光提取效率的能力可以高于外部光提取層改善光提取效率的能力。

然而，使用內(nèi)部光提取層來改善光提取效率的效果相對于向外發(fā)射的光的量仍然是不明顯的。因此，需要積極研究進(jìn)一步改善光提取效率的方法或技術(shù)。

[現(xiàn)有技術(shù)文件]

第1093259號韓國專利(2011年12月6日)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

因此，在考慮到現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問題而提出了本公開，本公開提出一種制造有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的光提取基底的方法、一種用于oled的光提取基底以及一種包括該光提取基底的oled器件，其中，所述方法能夠通過降低波導(dǎo)效應(yīng)和降低表面等離子體激元效應(yīng)來顯著地改善oled的光提取效率，波導(dǎo)效應(yīng)被認(rèn)為是造成oled效率損失的最重要的原因。

技術(shù)方案

根據(jù)本公開的一方面，一種制造用于oled的光提取基底的方法可以包括以下步驟：通過將包含第一金屬氧化物的溶膠-凝膠溶液與由第二金屬氧化物形成的多個散射顆粒進(jìn)行混合來制備混合物，第二金屬氧化物的折射率不同于第一金屬氧化物的折射率；利用混合物涂覆基礎(chǔ)基底；對涂覆基礎(chǔ)基底的混合物進(jìn)行燒制以在基礎(chǔ)基底上形成基質(zhì)層，基質(zhì)層由第一金屬氧化物形成并且具有分散在其中的多個散射顆粒；通過施用折射率與基質(zhì)層的折射率不同的材料來在基質(zhì)層的表面上形成填充層。填充層填充在對混合物進(jìn)行燒制過程中基質(zhì)層中產(chǎn)生的裂紋，多個散射顆粒和裂紋的形狀被傳送到填充層的表面。

填充層的表面粗糙度可以低于基質(zhì)層的表面粗糙度。

在制備混合物的步驟中，可以將溶膠-凝膠溶液的濃度控制為0.5m或更大。

在制備混合物的步驟中，第一金屬氧化物可以是從由sio2、tio2、zro2、zno2和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。

在制備混合物的步驟中，第二金屬氧化物可以是從由sio2、tio2、zno2和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。

在制備混合物的步驟中，多個散射顆粒中的至少一部分分別包括中空的核和圍繞核的殼。

可以在400℃至800℃的溫度下對混合物進(jìn)行燒制。

在對混合物進(jìn)行燒制的步驟中，可以在基質(zhì)層內(nèi)形成多個不規(guī)則形狀的空隙。

多個不規(guī)則形狀的空隙的尺寸可以在50nm至900nm的范圍。

根據(jù)本公開的另一方面，用于oled的光提取基底可以包括：基礎(chǔ)基底；基質(zhì)層，設(shè)置在基礎(chǔ)基底上并且由第一金屬氧化物形成；多個散射顆粒，分散在基質(zhì)層中并且由第二金屬氧化物形成，第二金屬氧化物的折射率不同于第一金屬氧化物的折射率；填充層，施用到基質(zhì)層的表面。

基質(zhì)層可以具有產(chǎn)生在基質(zhì)層中的裂紋，裂紋散射由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光。填充層可以填充裂紋。填充層可以具有擁有從多個散射顆粒和裂紋的形狀傳送的形狀的表面褶皺。

填充層的表面粗糙度可以低于基質(zhì)層的表面粗糙度。

基質(zhì)層可以由從由sio2、tio2、zro2、zno2和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合形成。

多個散射顆?？梢杂蓮挠蓅io2、tio2、zno2和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合形成。

多個散射顆粒中的至少一部分可以分別由中空的核和圍繞核的殼組成。

光提取基底還可以包括形成在基質(zhì)層內(nèi)的多個不規(guī)則形狀的空隙。

在這種情況下，多個不規(guī)則形狀的空隙的尺寸可以在50nm至900nm的范圍。

基質(zhì)層中的多個空隙的面積可以在基質(zhì)層的面積的2.5％至10.8％的范圍。

基質(zhì)層的霧度值可以在60％至90％的范圍。

裂紋可以位于多個散射顆粒之中的散射顆粒之間或者在多個散射顆粒之中的散射顆粒的團(tuán)簇之間。

裂紋的至少一部分可以使基礎(chǔ)基底暴露于基質(zhì)層的表面。

根據(jù)本公開的另一方面，oled器件可以包括：陰極；有機(jī)發(fā)光層，設(shè)置在陰極上；陽極，設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層上。光提取基底可以設(shè)置在陽極上。光提取基底的基質(zhì)層、多個散射顆粒和填充層可以形成內(nèi)部光提取層。由于填充層的順序地傳送到陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極的表面褶皺，陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極可以具有褶皺結(jié)構(gòu)。

有益效果

根據(jù)本公開，光提取基底具有形成在光提取基底的緊鄰oled的表面中的褶皺結(jié)構(gòu)，褶皺結(jié)構(gòu)被傳送到包括陰極(oled的發(fā)射電極)的oled。這能夠降低波導(dǎo)效應(yīng)和降低表面等離子體激元效應(yīng)，從而顯著地改善oled器件的光提取效率，波導(dǎo)效應(yīng)被認(rèn)為是造成oled效率損失的最重要的原因。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled的光提取基底的方法的工藝流程圖。

圖2至圖5順序地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled的光提取基底的方法的工藝步驟。

圖6是示出根據(jù)示例性實(shí)施例制造的用于oled的光提取基底用在oled器件中的應(yīng)用的剖視圖。

圖7和圖8是示出根據(jù)本公開的示例1和示例2制造的光提取基底的表面的電子顯微鏡圖像。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的光提取基底、用于oled的光提取基底以及包括光提取基底的oled器件。

在以下公開中，在包括對包含于本公開中的已知功能和組件的詳細(xì)描述可能使本公開的主題不清楚的情況下，將對其進(jìn)行省略。

如圖1中示出的，根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled的光提取基底的方法是這樣一種制造光提取基底(圖6中的100)的方法，其中，將光提取基底設(shè)置在oled(圖6中的10)發(fā)射的光出射所經(jīng)的路徑上，以用作由oled(圖6中的10)發(fā)射的光出射的路線，改善oled(圖6中的10)的光提取效率，并且保護(hù)oled(圖6中的10)免受外部環(huán)境的影響。

如圖1中示出的，根據(jù)示例性實(shí)施例的制造用于oled的光提取基底的方法包括混合物制備步驟s1、混合物涂覆步驟s2、混合物燒制步驟s3和填充層形成步驟s4。

首先，混合物制備步驟s1是制備用于形成oled10的內(nèi)部光提取層的混合物(圖2中的120)的步驟。在根據(jù)示例性實(shí)施例的混合物制備步驟s1中，通過將多個散射顆粒(圖2中的122)和溶膠-凝膠溶液(圖2中的121)混合來制備混合物120。在混合物制備步驟s1中，可以使用包含第一金屬氧化物的溶膠-凝膠溶液121。例如，第一金屬氧化物可以是從由sio2、tio2、zro2、zno2和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。另外，混合物制備步驟s1中可以使用由第二金屬氧化物形成的所述多個散射顆粒122，其中，第二金屬氧化物的折射率不同于第一金屬氧化物的折射率。例如，第二金屬氧化物可以是從由sio2、tio2、zno2和sno2組成的候選組選擇的一種金屬氧化物或者兩種或更多種金屬氧化物的組合。在混合物制備步驟s1中，分別由中空的核(圖2中的123)和圍繞核的殼(圖2中的124)組成的散射顆粒可以用作所述多個散射顆粒122。另外，在混合物制備步驟s1中，具有核-殼結(jié)構(gòu)的散射顆?？梢杂糜谛纬蓪⒁c溶膠-凝膠溶液混合的所述多個散射顆粒122的至少部分。即，在混合物制備步驟s1中，可以通過將沒有中空的內(nèi)部的散射顆粒與分別具有核-殼結(jié)構(gòu)的散射顆粒以預(yù)定比例進(jìn)行混合來制備將要與溶膠-凝膠溶液121混合的所述多個散射顆粒122。另外，在混合物制備步驟s1中，僅沒有中空的內(nèi)部的散射顆?？梢杂米魉龆鄠€散射顆粒122。如上所述，能夠具有各種組合的所述多個散射顆粒122用于使從oled10發(fā)射的光沿各種路徑散射，從而改善oled10的光提取效率。具體地，當(dāng)散射顆粒122具有由核123和殼124組成的核-殼結(jié)構(gòu)時，核123和殼之間的折射率的差異能夠進(jìn)一步改善oled10發(fā)射的光的光提取效率。

在根據(jù)示例性實(shí)施例的混合物制備步驟s1中，可以將溶膠-凝膠溶液121的濃度控制為0.5m或更大，使得由于基礎(chǔ)基底(圖2中的110)和包含在溶膠-凝膠溶液121中的第一金屬氧化物之間的熱膨脹系數(shù)(cte)的差異，造成通過在后續(xù)的混合物燒制步驟s3中對溶膠-凝膠溶液121進(jìn)行燒制而形成的基質(zhì)層(圖4中的130)中產(chǎn)生裂紋(圖4中的131)。

隨后，如圖2中示出的，混合物涂覆步驟s2是利用在混合物制備步驟s1中制備的混合物120涂覆基礎(chǔ)基底110的頂表面的步驟。這里，在混合物涂覆步驟s2中可以按等于或高于散射顆粒122的厚度的厚度將混合物120施用到基礎(chǔ)基底110，使得由于基礎(chǔ)基底110和包含在溶膠-凝膠溶液121中的第一金屬氧化物之間的cte的差異，造成通過在后續(xù)的混合物燒制步驟s3中對溶膠-凝膠溶液121進(jìn)行燒制而形成的基質(zhì)層(圖4中的130)中產(chǎn)生裂紋(圖4中的131)。當(dāng)所述多個散射顆粒122中的幾個散射顆粒團(tuán)簇成兩層時，散射顆粒122的厚度包括團(tuán)簇成兩層的散射顆粒的總厚度。

換言之，為了在基質(zhì)層130中形成裂紋(圖4中的131)，有必要在混合物制備步驟s1中控制溶膠-凝膠溶液121的濃度以及在混合物涂覆步驟s2中控制混合物120的厚度。

當(dāng)包括oled(圖6中的10)的oled器件中使用根據(jù)示例性實(shí)施例制造的光提取基底(圖5中的100)時，涂覆有混合物120的基礎(chǔ)基底110設(shè)置在oled10的前部(即，由oled10產(chǎn)生的光與環(huán)境大氣接觸的部分)上，以在用作保護(hù)oled10免受外部環(huán)境影響的包封基底的同時允許光出射?；A(chǔ)基底110可以是具有優(yōu)異的透光率和優(yōu)異的機(jī)械性能的任意透明基底。例如，基礎(chǔ)基底110可以由諸如可熱固化或可紫外(uv)固化的有機(jī)膜的聚合材料形成?？蛇x擇地，基礎(chǔ)基底110可以由諸如鈉鈣玻璃(sio2-cao-na2o)或鋁硅酸鹽玻璃(sio2-al2o3-na2o)的化學(xué)增強(qiáng)玻璃形成。當(dāng)根據(jù)示例性實(shí)施例的包括光提取基底100的oled器件用于照明設(shè)備時，基礎(chǔ)基底110可以由鈉鈣玻璃形成。基礎(chǔ)基底110也可以是由金屬氧化物或金屬氮化物形成的基底。根據(jù)示例性實(shí)施例的基礎(chǔ)基底110可以是具有1.5mm或更小的厚度的薄玻璃片?？梢允褂萌廴诠に嚮蚋》üに噥碇圃焖霰〔Ａ?/p>

隨后，如圖3中示出的，混合物燒制步驟s3是對在混合物涂覆步驟s2中施用到基礎(chǔ)基底110的混合物120進(jìn)行燒制的步驟。另外，混合物燒制步驟s3通過對混合物120進(jìn)行燒制來在基礎(chǔ)基底110上形成其中分散有所述多個散射顆粒122的基質(zhì)層(圖4中的130)。這里，基質(zhì)層130由第一金屬氧化物形成，而所述多個散射顆粒122中的每個由第二金屬氧化物形成，第二金屬氧化物的折射率不同于第一金屬氧化物的折射率。

在根據(jù)示例性實(shí)施例的混合物燒制步驟s3中，在400℃至800℃的溫度下對混合物120進(jìn)行燒制。當(dāng)如圖4中示出的在該溫度范圍內(nèi)對混合物120進(jìn)行燒制時，在基質(zhì)層130中形成能夠散射由oled(圖6中的10)發(fā)射的光的裂紋131。即，裂紋131還可以使用于oled10發(fā)射的光的路徑復(fù)雜化或多樣化。形成在基質(zhì)層130中的裂紋131沿從基質(zhì)層130的表面朝向基礎(chǔ)基底110的方向延伸。這里，可以形成部分或全部的裂紋131，使得基礎(chǔ)基底110可以暴露于基質(zhì)層130的表面。另外，裂紋131可以形成在多個散射顆粒122之中的散射顆粒之間或者形成在多個散射顆粒122之中的幾個散射顆粒的團(tuán)簇之間。

由于基礎(chǔ)基底110和包含在溶膠-凝膠溶液121中的第一金屬氧化物之間的cte的差異，在混合物燒制步驟s3中的對混合物進(jìn)行燒制的工藝中引起裂紋。這里，在混合物制備步驟s1中對溶膠-凝膠溶液121的濃度的控制以及在混合物涂覆步驟s2中對混合物120的厚度的控制作為基本產(chǎn)生或促進(jìn)由于cte差異引起的裂紋131的因素。具體地，當(dāng)在混合物制備步驟s1中控制溶膠-凝膠溶液121的濃度并且在混合物涂覆步驟s2中控制混合物120的涂覆厚度時，可以控制由于基礎(chǔ)基底110與溶膠-凝膠溶液121的第一金屬氧化物之間的cte的差異造成的基質(zhì)層130中產(chǎn)生的裂紋131的程度。

在混合物燒制步驟s3中，在混合物120的燒制過程中，在基質(zhì)層130內(nèi)形成尺寸為例如50nm至900nm的多個不規(guī)則形狀的空隙(未示出)。當(dāng)根據(jù)示例性實(shí)施例制造的基質(zhì)層130(例如具有由核123和殼124組成的核-殼結(jié)構(gòu)的多個散射顆粒122分散在單一層中的基質(zhì)層130)具有霧度值60％至90％時，在基質(zhì)層130內(nèi)形成的多個空隙(未示出)的面積可以在基質(zhì)層130的面積的2.5％至10.8％的范圍內(nèi)。與散射顆粒122和裂紋131一樣，所述多個空隙(未示出)沿著各種路徑散射由oled發(fā)射的光，從而有助于改善oled10的光提取效率。在這種情況下，光提取效率可以隨著在基質(zhì)層130內(nèi)形成的多個空隙(未示出)的面積的增加而增加。

因?yàn)槠渲挟a(chǎn)生的散射顆粒122和裂紋131的形狀被傳送到基質(zhì)層130的表面，所以如上所述通過混合物燒制步驟s3產(chǎn)生的基質(zhì)層130的表面具有褶皺結(jié)構(gòu)。

隨后，如圖5中示出的，填充層形成步驟s4是通過將折射率與基質(zhì)層130的折射率不同的材料施用到基質(zhì)層130的表面來在基質(zhì)層130的表面上形成填充層140的步驟。在填充層形成步驟s4中，可以通過將溶膠-凝膠溶液或者包含高折射率無機(jī)材料的高折射率混合聚合物(hybrimer)施用到基質(zhì)層130的表面來形成填充層140。

當(dāng)如上所述形成填充層140時，填充層140填充在對混合物120進(jìn)行燒制過程產(chǎn)生在基質(zhì)層130中產(chǎn)生的裂紋131，從而有效地防止oled10響應(yīng)于具有多個裂紋131的基質(zhì)層130的表面粗糙度的突變而變得有缺陷。這里，多個散射顆粒122的形狀和多個裂紋131的形狀被傳送到填充層140的表面，從而在填充層140的表面上形成褶皺。填充層140的褶皺比形成在基質(zhì)層130的表面上的褶皺結(jié)構(gòu)平滑。因?yàn)樘畛鋵?40用于降低基質(zhì)層130的表面粗糙度，所以填充層140的表面粗糙度低于基質(zhì)層130的表面粗糙度。填充層140的表面褶皺引起折射率的突變，為由oled10發(fā)射的光提供優(yōu)異的散射特性，并且被傳送到oled的陰極(圖6中的13)(反射電極)的表面。由于如上所述的填充層140的表面褶皺，而引起順序地堆疊在填充層140上的陽極(圖6中的11)、有機(jī)發(fā)光層(圖6中的12)和陰極(圖6中的13)的褶皺，可以降低表面等離子體激元效應(yīng)。當(dāng)波導(dǎo)效應(yīng)和表面等離子體激元效應(yīng)都降低時，可以顯著地改善oled(圖6中的10)的光提取效率。

當(dāng)完成填充層形成步驟s4時，制造了根據(jù)示例性實(shí)施例的用于oled的光提取基底100。

如圖6中示出的，使用上述工藝制造的光提取基底100設(shè)置在oled10的由oled10發(fā)射的光出射所經(jīng)的一部分中以用作光學(xué)功能性基底，從而改善oled10的光提取效率。這里，具有裂紋131的基質(zhì)層130、分散在基質(zhì)層130內(nèi)的多個散射顆粒122和多個空隙(未示出)以及具有褶皺結(jié)構(gòu)的填充層140形成了包括oled10的oled器件的內(nèi)部光提取層。內(nèi)部光提取層可以使用具有褶皺結(jié)構(gòu)的填充層140來造成由oled10發(fā)射的光被劇烈折射以及使用于所述光的散射路徑多樣化，從而改善oled10的光提取效率。另外，由于填充層140的褶皺結(jié)構(gòu)，內(nèi)部光提取層具有通過裂紋131、基質(zhì)層130、多個散射顆粒122和多個空隙(未示出)實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜的散射結(jié)構(gòu)。由于這些結(jié)構(gòu)，內(nèi)部光提取層能夠顯著地改善oled10的光提取效率。

oled10具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)由夾置在根據(jù)示例性實(shí)施例的光提取基底100和面對光提取基底100以包封oled的另一基底(未示出)之間的陽極11、有機(jī)發(fā)光層12和陰極13組成。陽極11緊鄰根據(jù)示例性實(shí)施例的光提取基底100的填充層140。因此，填充層140的表面褶皺結(jié)構(gòu)被順序地傳送到陽極11、有機(jī)發(fā)光層12和陰極。被傳送到包括陰極13的多層結(jié)構(gòu)的褶皺結(jié)構(gòu)不僅可以基于散射效應(yīng)來降低波導(dǎo)效應(yīng)，而且還可以降低表面等離子體激元效應(yīng)，從而顯著地改善包括oled10的oled器件的光提取效率。

陽極11可以由具有較大的功函數(shù)以便于空穴注入的諸如au、in、sn或氧化銦鋅(ito)的金屬或金屬氧化物形成。陰極可以是由具有小的功函數(shù)以便于電子注入的al、al:li或mg:ag形成的金屬薄膜。盡管沒有具體示出，但是有機(jī)發(fā)光層12可以包括順序地堆疊在陽極11上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)在陽極11和陰極13之間產(chǎn)生正向電壓時，電子從陰極13經(jīng)電子注入層和電子傳輸層遷移到發(fā)射層，同時空穴從陽極11經(jīng)空穴注入層和空穴傳輸層遷移到發(fā)射層。已經(jīng)遷移到發(fā)射層中的電子和空穴彼此復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。當(dāng)這些激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時，產(chǎn)生光。產(chǎn)生的光的亮度正比于在陽極11和陰極13之間流經(jīng)的電流的量。

當(dāng)oled10是用于照明的白色oled時，有機(jī)發(fā)光層可以具有例如由發(fā)射藍(lán)色光的高分子發(fā)光層和發(fā)射橘紅色光的低分子發(fā)光層組成的多層結(jié)構(gòu)。另外，可以使用發(fā)射白光的各種其它結(jié)構(gòu)。

根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光層12也可以具有串聯(lián)式(tandem)結(jié)構(gòu)。在這種情況下，可以提供與互連層(未示出)交替的多個有機(jī)發(fā)光層12。

示例1

將直徑為600nm的sio2顆粒與0.65m的tio2溶膠-凝膠溶液混合，然后，利用所得到的混合物涂覆基底。然后，在100℃下將混合物干燥10分鐘，緊接著在500℃下燒制30分鐘。之后，在燒制后的混合物上形成高折射率的填充層。圖7是示出填充層的表面的電子顯微鏡圖像。能夠可見地檢測到形成在填充層的表面中的裂紋。隨后，通過將樣品施用到oled來模擬oled的光提取效率。模擬的光提取效率是沒有光提取層的oled的光提取效率的大約1.7倍。

示例2

將直徑為600nm的sio2顆粒與1.5m的tio2溶膠-凝膠溶液混合，然后，利用所得到的混合物涂覆基底。然后，在100℃下將混合物干燥10分鐘，緊接著在500℃下燒制30分鐘。之后，在燒制后的混合物上形成高折射率的填充層。圖8是示出填充層的表面的電子顯微鏡圖像。能夠可見地檢測到形成在填充層的表面中的裂紋。因此，可以預(yù)期等于或等同于示例1的光提取效率的光提取效率。

已經(jīng)參照附圖給出了對本公開的具體示例性實(shí)施例的上述描述，并且不意圖窮舉或?qū)⒈竟_限制于所公開的精確形式，明顯地，根據(jù)以上教導(dǎo)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠進(jìn)行許多修改和改變。

因此，本公開的范圍不意圖受限于上述實(shí)施例，而是意圖受所附權(quán)利要求及其等同物的限制。