本發(fā)明整體涉及一種用于形成共形涂覆制品的方法及由該方法形成的共形涂覆制品。更具體地講，該方法包括真空層合法。
背景技術(shù)：
：：各種涂覆制品可以通過(guò)真空層合制造，以用于諸如電子、建筑、車輛、保健和消費(fèi)應(yīng)用之類的各種應(yīng)用中。比如，一些電子應(yīng)用使用涂覆的電子裝置，諸如涂覆的發(fā)光二極管?？梢灾圃祚詈系交宓陌l(fā)光二極管(led)裝置(包括一系列發(fā)光二極管(led))，以產(chǎn)生不同顏色的光。用于產(chǎn)生不同顏色的光或用于以其他方式控制或操縱從led產(chǎn)生的光的一種方法是將熒光體材料沉積在led陣列上。有很多方法可以做到這一點(diǎn)。最常見(jiàn)的一種方法是在led上分配熒光體和密封劑的混合物。另一種方法是在未固化的熱固性粘合劑材料中混合熒光體顆粒以形成預(yù)成型層合層，然后將該層層合在led陣列上以在其上形成共形涂層。常用的層合方法是真空層合技術(shù)，其包括兩個(gè)不同的加熱步驟，在下文中稱為兩步真空層合技術(shù)或方法。在這種兩步真空層合技術(shù)中，首先將預(yù)成型層合層加熱至足夠高的溫度以實(shí)現(xiàn)未固化的熱固性粘合劑材料中的流動(dòng)，然后進(jìn)行第二加熱步驟，其中將預(yù)成型層合層重新加熱并共形涂覆到led陣列上。在該第一加熱步驟中，預(yù)成型層合層開(kāi)始固化(即交聯(lián))，此處降低了該層的流動(dòng)特性，因此該層可能過(guò)硬而不能隨后在第二最終加熱步驟期間貼合，或者可能貼合但具有與其相關(guān)的大量缺陷。此外，即使精確地控制這些兩步真空層合技術(shù)中的固化條件，處理時(shí)間(包括第二加熱步驟和隨后在led陣列上進(jìn)行預(yù)成型層合層的貼合)也會(huì)由于粘合劑材料在第一加熱步驟中發(fā)生部分固化而受到限制。另外，第二加熱步驟和隨后的貼合步驟中有限的處理時(shí)間不允許將兩步真空層合技術(shù)用于具有各種高度的led陣列上，并且還限制了基于這種有限的處理時(shí)間可用于兩步真空層合技術(shù)中的粘合劑材料和熒光體材料的選擇。制造用于諸如其他電子應(yīng)用、建筑、車輛、保健和消費(fèi)應(yīng)用之類的各種應(yīng)用中的其他涂覆制品具有許多上述層合問(wèn)題。本發(fā)明解決了利用上述兩步真空層合技術(shù)出現(xiàn)的許多層合技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明公開(kāi)了用于通過(guò)真空層合形成共形涂覆制品的真空層合方法，以用于諸如消費(fèi)、保健、建筑、車輛和電子應(yīng)用(諸如發(fā)光二極管(led)裝置)之類的各種應(yīng)用中。在一個(gè)實(shí)施例(不限于led陣列或具有面的物體)中，本發(fā)明是由容納在制造設(shè)備的真空室中的組件制造共形涂覆制品的方法；其中所述真空室包含施加的真空；其中所述組件包括預(yù)成型層合層和具有需要層合的表面的物體；其中預(yù)成型層合層具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，以及在第一溫度下被熱軟化且被邊緣部分包圍的中間部分；其中所述物體具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，第一表面需要層合并且包括內(nèi)部部分和包圍內(nèi)部部分的周邊部分；其中所述組件被構(gòu)造成使得預(yù)成型層合層的第一表面面向物體的第一表面定位，其中所述預(yù)成型層合層的邊緣部分形成所述物體的第一表面的周邊部分的氣密密封，使得組件包含由氣密密封、預(yù)成型層合層的第一表面和物體的第一表面的組合限定的氣密內(nèi)部區(qū)域，其中預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分與物體的第一表面的內(nèi)部部分由氣密內(nèi)部區(qū)域間隔開(kāi)，并且其中氣密內(nèi)部區(qū)域包含降低的氣體壓力；其中在真空室中施加的真空有實(shí)際上等于組件的氣密內(nèi)部區(qū)域中的降低的氣體壓力；并且其中該方法包括：通過(guò)增加真空室內(nèi)的氣體壓力使預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分貼合到物體的第一表面的內(nèi)部部分，使得真空室內(nèi)的氣體壓力大于氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的降低的氣體壓力，從而將熱軟化的中間部分共形地推靠在物體的第一表面的內(nèi)部部分上，以便制造共形涂覆制品；其中共形涂覆制品包括貼合的層合層和物體，其中貼合的層合層由預(yù)成型層合層形成，并且具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，以及中間部分和包圍中間部分的邊緣部分；其中物體具有第一表面，第一表面具有內(nèi)部部分和包圍內(nèi)部部分的周邊部分，其中物體的第一表面的內(nèi)部部分由貼合的層合層的中間部分共形涂覆；并且其中貼合的層合層的邊緣部分形成物體的第一表面的周邊部分的氣密密封。比如，led裝置，其具有多個(gè)發(fā)光二極管(led)和共形涂覆到led陣列的預(yù)成型層合層，其中采用單個(gè)加熱步驟加熱預(yù)成型層合層的中間部分，然后將預(yù)成型層合層共形涂覆到設(shè)置在基板(例如，底座晶片)的第一側(cè)上的led陣列上。在另一個(gè)實(shí)施例中，其中共形涂覆制品包括共形涂覆led陣列，物體是用于led的基板，并且物體的第一表面是基板(例如，底座晶片)的第一側(cè)，該方法包括：(a)在led陣列上安裝具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層；(b)將預(yù)成型層合層的邊緣部分的一部分粘附到基板(例如，底座晶片)的第一側(cè)的周邊部分；(c)將led陣列和預(yù)成型層合層引入真空室；(d)在步驟(c)之后，在真空室內(nèi)施加真空，并將預(yù)成型層合層加熱至足以軟化預(yù)成型層合層的邊緣部分和中間部分的第一溫度；(e)在施加的真空下將軟化的邊緣部分密封到周邊部分，以在其間形成氣密密封，從而形成由氣密密封、預(yù)成型層合層的第一表面和基板(例如，底座晶片)的第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域；以及(f)在步驟(e)之后，通過(guò)將真空室內(nèi)未由氣密內(nèi)部區(qū)域限定的區(qū)域中的氣體壓力增加到大于氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的氣體壓力，將軟化的預(yù)成型層合層貼合到led陣列上。在另一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括：(a)在led陣列上安裝具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層；(b)將led陣列和預(yù)成型層合層引入真空室；(c)在步驟(b)之后，在真空室內(nèi)施加真空；(d)在施加的真空下將邊緣部分密封到周邊部分，以在其間形成氣密密封，從而形成由氣密密封、預(yù)成型層合層的第一表面和基板(例如，底座晶片)的第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域；(e)在步驟(d)之后，將預(yù)成型層合層加熱至足以軟化預(yù)成型層合層的中間部分的第一溫度；以及(f)通過(guò)將真空室內(nèi)未由氣密內(nèi)部區(qū)域限定的區(qū)域中的氣體壓力增加到大于氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的氣體壓力，將軟化的預(yù)成型層合層貼合到led陣列上。本發(fā)明的真空層合方法通常以簡(jiǎn)單且可重復(fù)的方式在led陣列上形成無(wú)缺陷的共形涂層。另外，通過(guò)在將預(yù)成型層合層共形地涂覆在led上之前將該層的中間部分的加熱限制為單個(gè)加熱步驟，與現(xiàn)有技術(shù)中的兩步真空層合技術(shù)(其中采用兩個(gè)不同的加熱步驟)相比，增加了用于施加和貼合層合層的處理窗口。這繼而允許使用具有不同熒光體水平的預(yù)成型層合層，并與具有不同流變性或固化速度的附加的或不同的粘合劑組合物組合，使其在由于處理窗口有限而不能用于兩步真空層合技術(shù)的同一制造裝置中形成。此外，本發(fā)明的方法允許在具有不同高度的led陣列上進(jìn)行共形涂覆，因?yàn)樵黾恿嗽趦刹秸婵諏雍霞夹g(shù)中不可用的處理窗口。附圖說(shuō)明當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和方面可在以下具體實(shí)施方式中有所描述，其中：圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有共形涂覆在led陣列上的預(yù)成型層合層的led裝置的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有安裝在底座晶片上的一系列l(wèi)ed的led陣列的頂視圖；圖3是圖2沿線2-2截取的側(cè)面剖視圖；圖4是包括支撐層的預(yù)成型層合層的剖視圖；圖5是在移除支撐層之前耦合在led陣列上的預(yù)成型層合層的剖視圖，其中預(yù)成型層合層的邊緣部分的一部分粘附到底座晶片的周邊部分，并且預(yù)成型層合層的邊緣部分的另一部分不粘附到底座晶片的周邊部分；圖5a是在移除支撐層(圖5所示)之后耦合在led陣列上的預(yù)成型層合層的剖視圖，其中預(yù)成型層合層的邊緣部分的一部分粘附到底座晶片的周邊部分，并且預(yù)成型層合層的邊緣部分的另一部分不粘附到底座晶片的周邊部分。圖6是在移除支撐層之后但在共形涂覆到led陣列之前耦合在led陣列上的預(yù)成型層合層的剖視圖，其中預(yù)成型層合層的邊緣部分密封地耦合到底座晶片的周邊部分；圖7是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于形成圖1的led裝置的方法的邏輯流程圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于形成圖1的led裝置的方法的邏輯流程圖。圖9是形成共形涂覆制品的方法的實(shí)施例的工藝坐標(biāo)的曲線圖。圖10是通過(guò)該方法的實(shí)施例制備的組件的頂視圖，其中組件是通過(guò)粘附步驟但在氣密密封步驟之前產(chǎn)生的。具體實(shí)施方式說(shuō)明書摘要和
發(fā)明內(nèi)容以引用方式并入本文。預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分是通過(guò)在將預(yù)成型層合層共形涂覆在物體(諸如led)上之前，在單個(gè)加熱步驟中將預(yù)成型層合層的中間部分加熱至第一溫度而獲得的。預(yù)成型層合層可由可被依次熱軟化、在真空下密封到物體表面以形成氣密內(nèi)部區(qū)域并貼合到物體表面的任何材料組成。在一些實(shí)施例中，預(yù)成型層合層由熱塑性或熱固性材料組成。這種材料可以是有機(jī)聚合物或有機(jī)硅。有機(jī)聚合物可以是熱塑性或熱固性大分子材料，諸如聚烯烴、乙烯醋酸乙烯酯(eva)、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酸酯或聚(乙烯醇縮丁醛)。有機(jī)硅可以是熱塑性或熱固性大分子材料，諸如熱熔有機(jī)硅或樹脂-線性有機(jī)硅。有機(jī)硅可以是可固化的，諸如通過(guò)縮合、硅氫加成或自由基固化進(jìn)行固化。在一些實(shí)施例中，預(yù)成型層合層的材料是硅氫加成可固化的有機(jī)硅，或者是縮合可固化的有機(jī)硅，或者是自由基可固化的有機(jī)硅。在一些實(shí)施例中，預(yù)成型層合層的材料由熱塑性材料組成。在其他實(shí)施例中，預(yù)成型層合層的材料由熱固性材料組成。為了在任何給定的應(yīng)用中使用，任選地，預(yù)成型層合層的材料也可基于其具有一種或多種適用于這種應(yīng)用的附加性質(zhì)來(lái)選擇。這類附加性質(zhì)的例子包括粘附性、光透射率、模量、硬度、與任選組分(諸如細(xì)分填料或熒光體)的相容性、抗黃變或抗氧化性，以及對(duì)由于長(zhǎng)時(shí)間暴露于熱和/或光而引起的劣化的抗性。術(shù)語(yǔ)“降低的氣體壓力”是指氣體或蒸氣物質(zhì)在容納在真空室內(nèi)的容積空間或區(qū)域中所施加的力，其中該力小于環(huán)境氣體壓力(即，應(yīng)用真空步驟之前所存在的力)。降低該力的手段包括施加真空，即將真空室和容積空間設(shè)置成與真空源(諸如，運(yùn)行的真空泵)流體連通。真空室具有與真空源或真空室外部的氣體源流體連通的可控壓力區(qū)域。氣體源可以是空氣氣氛；惰性氣體源，諸如氣態(tài)氮源、氣態(tài)氦源或氣態(tài)氬源；或者如果需要，可以是處理氣體，諸如氣態(tài)氫、氣態(tài)氧、氣態(tài)甲硅烷等。短語(yǔ)“在真空室中施加的真空有效地等于組件的氣密內(nèi)部區(qū)域中的降低的氣體壓力”是指在一些實(shí)施例中，所施加的真空等于減小的氣體壓力，并且在其他實(shí)施例中，組件的氣密內(nèi)部區(qū)域中的減小的氣體壓力與真空室中所施加的真空略有差異(例如，差異為±0.1千帕斯卡)，但是不會(huì)過(guò)高而引起預(yù)成型層合層膨脹或脹泡并導(dǎo)致過(guò)程失效，也不會(huì)過(guò)低而引起預(yù)成型層合層與要共形涂覆的物體的第一表面的內(nèi)部部分接觸。在本文中已經(jīng)通過(guò)公開(kāi)多個(gè)代表性、非限制性的發(fā)明實(shí)施例、方面和實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。它們共同使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠在不進(jìn)行過(guò)度實(shí)驗(yàn)的情況下理解如何制作和使用本發(fā)明。對(duì)“本發(fā)明”或等同表達(dá)的任何提及都是指這些代表性的發(fā)明實(shí)施例、方面和實(shí)例，并且不能用于過(guò)度地限制本發(fā)明范圍。術(shù)語(yǔ)“方面”和“實(shí)施例”可互換使用。本文所引用的任何發(fā)明實(shí)例都可被依賴，并且為特定的發(fā)明實(shí)施例提供適當(dāng)?shù)闹С?。?duì)馬庫(kù)什組的任何提及都可以不同的方式等效地表示。例如，馬庫(kù)什組的成員a、b和c可等效地表示為：“選自a、b和c的成員”；“選自由a、b和c組成的組的成員”；或“成員a、b或c”。馬庫(kù)什組可包括屬、其亞屬以及其一個(gè)或多個(gè)特定成員中的兩者或多者；其中每一者都可被單獨(dú)或集體依賴，并且為特定的發(fā)明實(shí)施例提供適當(dāng)?shù)闹С?。本文引用的所有美?guó)專利申請(qǐng)公布和專利或者其一部分(如果僅引用該部分的話)據(jù)此在并入的主題不與本說(shuō)明書相抵觸的程度上以引用的方式并入本文，在任何這種抵觸的情況下，應(yīng)以本說(shuō)明書為準(zhǔn)。本發(fā)明的描述可通過(guò)明確陳述和上下文指示(明晰)進(jìn)行，并且可使用以下通用詞語(yǔ)、術(shù)語(yǔ)和表述中的任何一者或多者。任何“或者”的使用應(yīng)指獨(dú)立的實(shí)施例。冠詞“一個(gè)”、“一種”和“該”都是指一個(gè)(一種)或多個(gè)(多種)。比較例中的“比較”的提及僅僅是出于說(shuō)明目的，并不指現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容。對(duì)“接觸”的任何提及是指形成物理接觸。對(duì)“大于”的任何提及，如大于指定的單個(gè)數(shù)字(例如，>50或≥50)，其涵蓋的范圍或子范圍包括其上限端值即絕對(duì)最大值(例如，100％)，或者也可以是不存在絕對(duì)最大值即實(shí)際最大值(例如，10,000個(gè)重復(fù)單元或10,000,000g/mol)的情況?；蛘?，上限端值可小于絕對(duì)最大值(例如，<100％)或小于實(shí)際最大值(例如，<10,000重復(fù)單元或<10,000,000g/mol)。對(duì)“小于”的任何提及，如小于指定的單個(gè)數(shù)字(例如，<10或≤10)，其涵蓋的范圍或子范圍包括其下限端值即絕對(duì)最小值(例如，零(0))，或者也可以是不存在絕對(duì)最小值即實(shí)際最小值(例如，大于零(>0))的情況。例如，從表述“以小于10重量％的濃度存在”語(yǔ)境中可明白實(shí)際最小值>0?；蛘撸孪薅酥悼纱笥诮^對(duì)最小值(例如，>0％)?！翱伞碧峁┮粋€(gè)選擇，而不是必要的?！坝行浴笔侵妇哂泄δ苡行?。例如，“有效接觸”包括功能上有效的觸碰，例如用于改性、涂覆、粘附、密封或填充。有效接觸可以是直接的物理接觸或者間接接觸，只要對(duì)其預(yù)期目的有效即可?！叭芜x地”是指不存在(或排除)或者存在(或包括)。本文所依賴的任何范圍描述并考慮了包括端值及其中的所有值和/或分?jǐn)?shù)值在內(nèi)的所有范圍和子范圍，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。所公開(kāi)范圍或子范圍的端值之間的所公開(kāi)端值或單個(gè)數(shù)字可被依賴，并且為特定的發(fā)明實(shí)施例提供適當(dāng)?shù)闹С?。?duì)“其”的任何提及應(yīng)指前面緊接的元件、構(gòu)件、特征、限制、列表或群組，并且可以修改為用前面緊接的元件、構(gòu)件、特征、限制、列表或組組來(lái)替換。本發(fā)明的描述還可利用以下技術(shù)詞語(yǔ)、術(shù)語(yǔ)和表述中的任何一者或多者。對(duì)量、濃度或量比例的任何提及都基于重量，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。對(duì)化學(xué)元素的任何提及，一族或多族化學(xué)元素或元素周期表均是指iupac在2013年5月1日所發(fā)布版本的化學(xué)元素、族和元素周期表(參見(jiàn)iupac.org/reports/periodic_table/)。iupac是指國(guó)際純粹與應(yīng)用化學(xué)聯(lián)合會(huì)(internationalunionofpureandappliedchemistry)(美國(guó)北卡羅來(lái)納州研究三角區(qū)iupac秘書處(iupacsecretariat,researchtrianglepark,northcarolina,usa))。任何化學(xué)術(shù)語(yǔ)的預(yù)期含義均是iupac所公布的定義，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。對(duì)材料性質(zhì)(例如，粘度)或用于測(cè)量該材料性質(zhì)的測(cè)試方法的任何提及應(yīng)指在23攝氏度(℃)下測(cè)量的性質(zhì)或者該方法在23攝氏度(℃)下進(jìn)行，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。對(duì)含有c-h官能團(tuán)的有機(jī)基團(tuán)或分子的任何提及是指該有機(jī)基團(tuán)或分子獨(dú)立地可為未取代的或被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。這些有機(jī)基團(tuán)的例子包括一價(jià)基團(tuán)：烴基、雜烴基和有機(jī)雜基(organoheteryl)；以及二價(jià)基團(tuán)：亞烴基、雜亞烴基和有機(jī)亞雜基(organoheterylene)。雜烴基和有機(jī)雜基的雜原子的例子為o、n、s和p；或者o、n或s；或者o或n；或者n；或者o。除非本文在別處另有說(shuō)明或指出，否則每個(gè)取代基獨(dú)立地為rs，其中每個(gè)rs獨(dú)立地為鹵素原子、-nh2、-nhr、-nr2、-no2、-oh、-or、氧代基(＝o)、-c≡n、-c(＝o)-r、-oc(＝o)r、-c(＝o)oh、-c(＝o)or、-sh、-sr、-ssh、-ssr、-sc(＝o)r、-so2r、-oso2r、-sir3和-si(or)3；其中每個(gè)r獨(dú)立地為未取代的(c1-c30)烴基。鹵素原子是f、cl、br或i；或者f、cl或br；或者f或cl；或者f；或者cl。對(duì)“有機(jī)硅”的任何提及涵蓋直鏈、支鏈聚有機(jī)硅氧烷大分子以及直鏈和支鏈聚有機(jī)硅氧烷大分子的混合物，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。支鏈聚有機(jī)硅氧烷大分子包括倍半硅氧烷樹脂和樹脂-線性聚有機(jī)烷氧烷大分子，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。對(duì)“wt％”(重量百分?jǐn)?shù))或份數(shù)(例如，每一百萬(wàn)份中的份數(shù)或ppm)的任何提及都是基于用來(lái)制備組合物的所有成分的總重量，其中該總重量為100重量％，除非本文在別處另有說(shuō)明或指出。首先參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的方法形成的發(fā)光二極管(led)裝置10包括led陣列11，該led陣列具有共形涂覆在其上的預(yù)成型層合層12(pl層12)。在圖1中，pl層12已經(jīng)成為貼合的層合層。在一些實(shí)施例中，共形涂覆制品的pl層12和相關(guān)的貼合的層合層以單層形式構(gòu)造，如圖1至圖6所示。在其他實(shí)施例中，相關(guān)的貼合的層合層被構(gòu)造為多層層合體(未示出)，并且該方法包括制造包括貼合的層合層和物體的多層層合體形式的共形涂覆制品?？赏ㄟ^(guò)任何合適的方法來(lái)構(gòu)造貼合的層合層的多層層合體形式，諸如(a)將pl層12制造為多層層合體，并在本發(fā)明的方法中使用該多層層合體形式的pl層12；或(b)在本發(fā)明的方法中使用單層形式的pl層12，以得到單層層合體形式的貼合的層合層，然后利用相同或不同的單層形式的pl層12，重復(fù)本發(fā)明的方法至少一次，以得到除了其他方面還包括多層形式的貼合的層合層的共形涂覆制品。如圖2和圖3所示，led陣列11包括底座晶片13(為基板的例子，基板為物體的例子)，該底座晶片具有第一側(cè)15和第二側(cè)16。底座晶片13的第一側(cè)15具有包圍內(nèi)部部分19的周邊部分18。底座晶片13是一種基板類型，其包括多個(gè)發(fā)光二極管(led)14，這些led被布置成使得能夠制造多個(gè)層合led14，然后可在層合之后分離這些層合led，以得到多個(gè)單獨(dú)的層合led。在一些方面，該方法采用底座晶片作為基板，并且還包括分離共形涂覆的led陣列，以得到多個(gè)單獨(dú)的層合led。led陣列11還包括設(shè)置在底座晶片13的第一側(cè)15的內(nèi)部部分19上的一系列l(wèi)ed14。每個(gè)單獨(dú)的led14沿著內(nèi)部部分19的第一側(cè)15與下一個(gè)相鄰的led14間隔開(kāi)。雖然圖1至圖3示出了置于底座晶片的第一側(cè)的內(nèi)部部分19上的二極管14的一種構(gòu)型，但是應(yīng)當(dāng)理解，內(nèi)部部分19內(nèi)的二極管14的數(shù)量、相對(duì)位置和間距可相對(duì)于圖1至圖3所示的數(shù)量、相對(duì)位置和/或間距變化。此外，限定led陣列的每個(gè)單獨(dú)二極管14的尺寸和形狀可以相同或不同。例如，延伸超出底座晶片13的第一側(cè)15的一個(gè)二極管14的高度可相對(duì)于陣列中的一個(gè)或多個(gè)另外二極管14變化。此外，二極管14的相對(duì)尺寸與底座晶片13的尺寸也不受圖2和圖3中所示的構(gòu)型的限制。此外，底座晶片13的形狀(如圖1至圖3所示，沿著第一側(cè)15為大致正方形)可以任何數(shù)量的方式變化。例如，該形狀可為圓形、矩形、規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀，具體取決于其預(yù)期用途。另外，周邊部分18相對(duì)于底座晶片13的內(nèi)部部分19的尺寸也可不同于圖2所示的尺寸。如圖4所示，pl層12包括第一表面20和與第一表面20相對(duì)的第二表面22。pl層12包括被邊緣部分28包圍的中間部分26。pl層12可以是自支撐膜。為了方便起見(jiàn)，在安裝和粘附步驟中，pl層12可耦合到支撐層24，以便于操作。在共形涂覆到led陣列11之前，支撐層24通常耦合到pl層12的第一表面20和第二表面22中的一者或兩者(如圖4所示，支撐層24耦合到第二表面22)，以便于操作。如下文進(jìn)一步描述，在熱軟化pl層12的中間部分26之前，在形成氣密密封之前以及在將pl層12貼合到led陣列11之前，移除一個(gè)或多個(gè)支撐層24(如果存在)。pl層12的熱軟化中間部分26是通過(guò)在將pl層12共形涂覆在led陣列11上之前，在單個(gè)加熱步驟中將中間部分26加熱至第一溫度而獲得的。pl層12的形狀(尺寸或輪廓)大致對(duì)應(yīng)于其所施加的底座晶片13的形狀(尺寸或輪廓)，其中pl層12的中間部分26的尺寸和形狀大致對(duì)應(yīng)于底座晶片13的內(nèi)部部分19，并且其中邊緣部分28的尺寸和形狀大致對(duì)應(yīng)于底座晶片13的周邊部分18。預(yù)成型層合層12通常包括通常為粉末形式的熒光體材料，該熒光體材料設(shè)置在基本上未固化的熱固性材料內(nèi)。pl層12是可變形的(即在室溫下是柔性的)。術(shù)語(yǔ)“基本上未固化”是指熱固性材料已經(jīng)制備并保持在低于約30℃的溫度下，以便除了在混合組分過(guò)程中和儲(chǔ)存所得材料時(shí)可能發(fā)生少量交聯(lián)之外，不發(fā)生固化(即交聯(lián))。具有或不具有熒光體材料的熱固性材料或有機(jī)硅粘合劑的漿料涂層可在約70℃或更低的溫度下干燥，以得到其干燥膜，并且該干燥膜保持基本上未固化。在某些實(shí)施例中，基本上未固化的熱固性材料是有機(jī)硅粘合劑。在這些實(shí)施例中，pl層12可通過(guò)將熒光體材料與有機(jī)硅粘合劑混合以形成漿料，然后將漿料施加到支撐層24并干燥漿料而形成。漿料可借助于液體媒介物(諸如甲苯、乙酸丁酯、甲基乙基酮、二噁烷、二甲苯等之類的有機(jī)溶劑)形成。有機(jī)硅粘合劑或基本上未固化的熱固性材料可分散在液體媒介物中以形成分散體。分散體可具有50至80重量％(例如，65重量％、70重量％或75重量％)的非揮發(fā)性物含量。可將熒光體顆?；旌系椒稚Ⅲw中以形成漿料。漿料可具有大于50至90重量％(例如，70重量％、80重量％或85重量％)的非揮發(fā)性物含量。非揮發(fā)性物含量是指液體媒介物以外的所有成分的濃度。再回來(lái)參考圖1，在下面描述的層合方法之后，將pl層12共形涂覆到led陣列11，從而變成貼合的層合層。如本文所定義，獲得pl層12到led陣列11的共形涂層，其中pl層12的中間部分26的第一表面20在二極管14的每個(gè)暴露部分上進(jìn)行密封接觸，并且在內(nèi)部部分19內(nèi)的每個(gè)二極管14之間與底座晶片13的第一側(cè)15接觸。另外，pl層12的邊緣部分28在底座晶片13的第一側(cè)的周邊部分18上進(jìn)行密封接觸。這樣，pl層12為led14提供了基本上無(wú)缺陷、層厚度一致的保護(hù)性和耐久性涂層。包含在厚度均勻且一致的該貼合的層內(nèi)的熒光體材料允許從二極管14發(fā)射的光單獨(dú)或集體地被引導(dǎo)，以提供期望的光效應(yīng)。如上所述，在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及用于形成諸如半導(dǎo)體裝置之類的電子裝置和光電裝置的真空層合方法。在一些例示性實(shí)施例中，本發(fā)明涉及用于形成如圖1所示的這些led裝置10的真空層合方法，下面關(guān)于下圖7和圖8的邏輯流程圖描述了示例性方法。根據(jù)本發(fā)明的用于形成led裝置10的方法包括使用具有真空室(圖6中示為40)的制造裝置(圖6中示出為50)。在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，如圖7的邏輯流程圖所示，該方法從步驟100開(kāi)始，在該步驟中，將pl層12安裝在led陣列11上。如本文所提供，術(shù)語(yǔ)“安裝”是指將pl層12鄰近led陣列11放置，并非意圖是指或暗示將pl層12緊固或以其他方式固定到陣列11。在某些實(shí)施例中，諸如如圖5和圖6所示，在共形涂覆pl層12之前布置pl層12，其中使pl層12的第一表面20位于底座晶片13的第一側(cè)15與第二表面22之間，并且其中使底座晶片13的第一側(cè)15位于第一表面20與第二側(cè)16之間。在這種布置中，pl層12的中間部分26與陣列11的內(nèi)部部分19相鄰，并且因此與相應(yīng)的二極管陣列14相鄰，而邊緣部分28與周邊部分18相鄰。在某些實(shí)施例中，將pl層12安裝到led陣列11的步驟100在真空室40內(nèi)執(zhí)行，而在其他實(shí)施例中，將pl層12安裝到led陣列11的步驟100在將pl層12和led陣列11放置在真空室40中之前執(zhí)行。接下來(lái)，在步驟110中，如圖5所示，將pl層12的邊緣部分28的一部分29粘附到底座晶片13的第一側(cè)15的周邊部分18?；蛘?，這可被稱為將邊緣部分的一部分29粘固或點(diǎn)粘固到周邊部分18。在這種布置中，邊緣部分28的另一部分30不粘附到周邊部分18。因此，在步驟110中，邊緣部分28與周邊部分18之間不形成氣密密封。還可參見(jiàn)圖10。在該步驟中，將部分29加熱至第一溫度，以使部分29軟化(即，使部分29可流動(dòng))。另外，pl層12的中間部分26和部分30保持在低于第一溫度的溫度(即，未使中間部分26和部分30軟化或未以其他方式使其可流動(dòng))。在一些實(shí)施例中，通過(guò)在支撐層24上與部分29相對(duì)的位置處進(jìn)行按壓而在支撐層24上與部分30相對(duì)的位置處不進(jìn)行按壓來(lái)加熱部分29，使得pl層12的邊緣部分28的部分29粘附到底座晶片13的第一側(cè)15的周邊部分18，而pl層12的部分30不粘附到底座晶片13的第一側(cè)15的周邊部分18。在該第一溫度下，除了影響pl層12的流動(dòng)性之外，pl層12的部分29的基本上未固化的熱固性材料開(kāi)始反應(yīng)(即，開(kāi)始交聯(lián)和固化)，從而隨著交聯(lián)度增加而降低了部分29隨時(shí)間推移的流動(dòng)性。因此，pl層12的部分29在達(dá)到第一溫度時(shí)變得高度可流動(dòng)，隨后隨著pl層12的部分29內(nèi)的交聯(lián)度增加而變得不易流動(dòng)。第一溫度取決于在pl層12中所用的未固化的熱固性材料的組合物的流變性和固化性(即交聯(lián))。第一溫度也不能超過(guò)底座晶片13或二極管14的化學(xué)或物理性質(zhì)受到負(fù)面影響的溫度。當(dāng)未固化的熱固性材料包括如上所述的有機(jī)硅粘合劑時(shí)，第一溫度通常在110℃至170℃、或者110℃至150℃、或者120℃至140℃、或者150℃至170℃的范圍內(nèi)，或者為后續(xù)實(shí)例中所用的溫度，以實(shí)現(xiàn)流動(dòng)并開(kāi)始交聯(lián)過(guò)程，但是第一溫度可以更高或更低，具體取決于所用材料的具體化學(xué)性質(zhì)。在某些實(shí)施例中，加熱器裝置被定位成與pl層12的部分29熱連通(圖6中示為39)。本文所提及的術(shù)語(yǔ)“熱連通”描述的是加熱器裝置39在被激活時(shí)能夠增加其被引導(dǎo)到的pl層12部分的溫度。因此，例如加熱器裝置39可以是能夠?qū)崃枯椛涞絧l層12的期望部分的裝置(其中裝置與pl層12形成接觸或緊密耦合到pl層12)，以將pl層12的溫度升高到第一溫度。例如，加熱器裝置39可以是被定位成直接接觸或緊密耦合到pl層12上的期望位置的熱板?；蛘?，加熱器裝置39可以是紅外發(fā)光燈或激光器?；蛘撸訜崞餮b置39可以通過(guò)除輻射熱量之外的方法來(lái)加熱pl層12。例如，加熱器裝置39可以是將電磁輻射引導(dǎo)到pl層12的期望部分的激光器或者紅外燈。在步驟110發(fā)生在真空室40中的某些實(shí)施例中，加熱器裝置39位于真空室40的一部分內(nèi)，使得加熱器裝置可被引導(dǎo)到pl層12的部分29。接下來(lái)，又如圖5所示，將加熱到第一溫度的軟化部分29按壓到周邊部分，直到在軟化部分29的第一表面20與周邊部分18之間形成粘附，并且其中在另一部分30與周邊部分18之間不形成粘附?？赏ㄟ^(guò)使用機(jī)械裝置手動(dòng)地向第二表面22施加壓力，或通過(guò)可產(chǎn)生足夠的力以在軟化部分29與周邊部分18之間形成粘附的任何其他方式來(lái)進(jìn)行按壓。在某些實(shí)施例中，加熱和按壓步驟同時(shí)進(jìn)行，而在其他實(shí)施例中，可先將部分29加熱至第一溫度，然后將其按壓到周邊部分18上。在已經(jīng)將pl層12和led陣列11引入真空室40內(nèi)的某些實(shí)施例中，可執(zhí)行步驟110，在該步驟中，在真空室40內(nèi)施加了真空。在pl層12包括耦合到第二表面22的支撐層24的某些實(shí)施例中，步驟110還包括在下面的步驟120之前從第二表面22移除(圖7中未示出)支撐層24。在這些實(shí)施例的某些實(shí)施例中，通過(guò)將壓敏粘合劑(psa)帶施加到支撐層24上以將其粘附到支撐層24，并拉動(dòng)psa帶和粘附的支撐層24使其遠(yuǎn)離第二表面20，從而將支撐層24從第二表面20移除?？墒褂闷渌夹g(shù)來(lái)從第二表面20移除支撐層24，諸如使用鑷子或刀片來(lái)將機(jī)械力施加到支撐層24，以便將其與第二表面20分離。圖5a是在移除支撐層24(未示出)之后耦合在led陣列11上的pl層12的剖視圖，其中pl層12的邊緣部分28的一部分29粘附到底座晶片13的周邊部分18，并且pl層12的邊緣部分28的另一部分30不粘附到底座晶片13的周邊部分18。接下來(lái)，在步驟115中，在步驟110不在真空室40中進(jìn)行的某些實(shí)施例中，將底座晶片13的led陣列11(其具有粘附到周邊部18的部分29)放入制造裝置50的真空室40中。或者，在步驟110在真空室40中進(jìn)行的某些實(shí)施例中，邏輯進(jìn)行到步驟120。在步驟120中，在真空室40內(nèi)施加真空，并將包括邊緣部分28(具體為邊緣部分28的部分30)和中間部分26兩者的pl層12加熱至第一溫度，以軟化中間部分26和部分30(即，使它們可流動(dòng))。熱軟化中間部分26是通過(guò)在將pl層12共形涂覆在led陣列11上之前，在單個(gè)加熱步驟中將pl層12的中間部分26加熱至第一溫度而獲得的。在進(jìn)行步驟120之前已經(jīng)移除任何支撐層24。加熱可在完全施加真空之后發(fā)生?；蛘?，加熱可與施加真空同時(shí)發(fā)生，只要在中間部分26和邊緣部分28(具體為邊緣部分28的部分30)之前排空真空室。在某些實(shí)施例中，與步驟110中所述的加熱器裝置39相同或不同的加熱器裝置39可用于將預(yù)成型層12加熱至第一溫度。在某些實(shí)施例中，加熱器裝置39是位于真空室40內(nèi)并處于與led陣列11的第二側(cè)16相鄰但不與其熱連通的位置中(即，其中第二側(cè)16位于加熱器裝置39與led陣列11的第一側(cè)15之間，并且其中加熱器裝置39即使被激活也不會(huì)升高led陣列11和安裝層12的溫度)的加熱器裝置39，諸如熱板。在這些實(shí)施例中，為了加熱pl層12，如在步驟110中，將led陣列11從不與加熱器裝置39熱連通的第一位置移動(dòng)到熱連通裝置中的第二位置(即，移動(dòng)led陣列11的第二側(cè)16使其更靠近加熱器裝置39或與其接觸)。在該第二位置，當(dāng)加熱器39被激活時(shí)，熱量傳遞到led陣列和安裝層12，以將中間部分26和部分30加熱至第一溫度，從而軟化pl層12的中間部分26和部分30，如上所述。在這些實(shí)施例中的某些實(shí)施例中，真空室40包括具有至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)的外部框架，該可移位結(jié)構(gòu)可在接合位置和脫離位置之間移動(dòng)。在接合位置(對(duì)應(yīng)于上一段所述的第一位置)，led陣列11的第二側(cè)16設(shè)置在至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)上，使得其懸掛在與加熱器裝置39相鄰的位置，其中l(wèi)ed陣列11因此不與加熱器裝置39熱連通。當(dāng)將至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)從接合位置移動(dòng)到脫離位置時(shí)，led陣列11不再接觸至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)，從而允許led陣列11移動(dòng)到與加熱器裝置39熱連通(即移動(dòng)到第二位置)，因此在加熱器部分被激活時(shí)，允許加熱led陣列和膜。在這些實(shí)施例中的某些實(shí)施例中，可移位結(jié)構(gòu)是可在接合位置從外部框架向外延伸并且在分離位置撤回到框架中的推銷或彈簧。在步驟130中，在施加的真空下將軟化的邊緣部分28密封到周邊部分18，從而在邊緣部分28與周邊部分18之間形成密封的周邊33。在該密封過(guò)程中，與上述類似，pl層12的部分30的基本上未固化的熱固性材料開(kāi)始反應(yīng)(即，交聯(lián)或固化)，從而隨著交聯(lián)度增加而降低了部分30的流動(dòng)性。此外，如圖6所示，形成氣密內(nèi)部區(qū)域32，該氣密內(nèi)部區(qū)域被限定在軟化的中間部分26、底座晶片13的第一側(cè)15和密封的周邊33之間的空間內(nèi)。換句話講，可以防止氣流從氣密部分32通過(guò)密封的周邊33移動(dòng)到真空室40的其余部分(另外也可稱為真空室40的區(qū)域(圖6中示為35))，反之亦然。在步驟140中，在形成密封的周邊33之后，將整個(gè)層合層12貼合到led陣列11上。這是通過(guò)相對(duì)于氣密內(nèi)部區(qū)域32中的氣體壓力升高真空室40的區(qū)域35內(nèi)的氣體壓力來(lái)實(shí)現(xiàn)的。通過(guò)破壞真空室40中所施加的真空并允許氣體進(jìn)入真空室40，可升高區(qū)域35內(nèi)的氣體壓力。破壞所施加的真空并允許氣體進(jìn)入真空室40可包括將真空室40向環(huán)境氣氛(例如空氣)排放或開(kāi)口以及/或者(斷然地)將氣體引入真空室40中(例如，從壓縮氣體源)?？蓪⒄婵帐抑械臍怏w壓力升高到一定壓力，該壓力大于氣密內(nèi)部區(qū)域32中足以實(shí)現(xiàn)共形涂覆步驟的降低的氣體壓力，諸如該壓力為從大于降低的氣體壓力至小于環(huán)境壓力(例如，小于101千帕斯卡(kpa))、至環(huán)境壓力(約101kpa)或至大于環(huán)境壓力(例如，高達(dá)200kpa)。因此，區(qū)域35中所增加的壓力對(duì)軟化的pl層12的第二表面22施加力(圖6中示為箭頭37)，從而將第一表面20推進(jìn)到與led陣列11的第一側(cè)15上(包括每個(gè)二極管陣列14上方、二極管14之間的晶片底座13的第一側(cè)15的內(nèi)部部分19上方以及晶片底座13的周邊部分18的第一側(cè)上方)存在的每個(gè)特征部密封(即共形)接觸。當(dāng)加熱的層12在led陣列11上方接觸時(shí)，中間部分26的基本上未固化的熱固性材料和pl層12的部分30繼續(xù)反應(yīng)并固化。隨時(shí)間推移，整個(gè)層12在led陣列11的整個(gè)第一表面15上方形成固化且貼合的層12。在某些實(shí)施例中，步驟140的氣體壓力增加是通過(guò)從真空室40中移除真空(即，排空真空室40)，從而增加真空室40內(nèi)區(qū)域35中的氣體壓力而產(chǎn)生的。此外，在其他實(shí)施例中，區(qū)域35中的氣體壓力可以可替代地或進(jìn)一步地在步驟140中通過(guò)將另外的氣體引入真空室40的區(qū)域35中來(lái)增加?？蓪怏w壓力升高到環(huán)境壓力，或者升高到大于101kpa(例如，高達(dá)200kpa)的壓力。本發(fā)明還提供了除圖7提供的實(shí)施例外的一種替代層合方法。在該方法中，如結(jié)合圖8所示的邏輯流程圖所述，在單個(gè)步驟中將pl層12的整個(gè)邊緣部分28密封到周邊18部分，這與在第一步驟中首先粘固(或粘附)邊緣部分28的部分29(上述步驟110)，然后將整個(gè)邊緣部分28密封到周邊部分18(上述步驟130)截然相反，如結(jié)合圖7的邏輯流程圖所述。參考圖8，層合方法從步驟200開(kāi)始，在該步驟中，將pl層12安裝在led陣列11上。步驟200的方法基本上如上文關(guān)于圖7的步驟100所提供的，在本文中不再重復(fù)。與步驟100類似，在某些實(shí)施例中，將pl層12安裝到led陣列11的步驟200在真空室40內(nèi)執(zhí)行，而在其他實(shí)施例中，將pl層12安裝到led陣列11的步驟200在將pl層12和led陣列11放置在真空室40中之前執(zhí)行。接下來(lái)，在步驟210中，在步驟200不在真空室40中進(jìn)行的某些實(shí)施例中，將具有安裝的pl層12的led陣列11放入制造裝置50的真空室40中?；蛘?，在步驟200在真空室40中進(jìn)行的某些實(shí)施例中，邏輯進(jìn)行到步驟120。在進(jìn)行步驟220之前已經(jīng)移除任何支撐層(即，24)。在步驟220中，在真空室40內(nèi)施加真空，并將pl層12的邊緣部分28加熱至第一溫度，以軟化邊緣部分28(即，使其可流動(dòng))。在步驟230中，在施加的真空下將軟化的邊緣部分28密封到周邊部分18，從而在邊緣部分28與周邊部分18之間形成密封的周邊33。在該密封過(guò)程中，與上述類似，pl層12的邊緣部分28的基本上未固化的熱固性材料開(kāi)始反應(yīng)(即，交聯(lián)或固化)，從而隨著交聯(lián)度增加而降低了邊緣部分28的流動(dòng)性。此外，形成氣密內(nèi)部區(qū)域32，該氣密內(nèi)部區(qū)域被限定在中間部分26、底座晶片13的第一側(cè)15和密封的周邊33之間的空間內(nèi)。換句話講，可以防止氣流從氣密部分32通過(guò)密封的周邊33移動(dòng)到真空室40的其余部分35，反之亦然。在pl層12包括耦合到第二表面22的支撐層24的某些實(shí)施例中，步驟230還包括在下面的步驟240之前從第二表面22移除支撐層24?？稍陂_(kāi)始密封之前(在步驟230之前)移除支撐層24。在這些實(shí)施例的某些實(shí)施例中，通過(guò)將壓敏粘合劑(psa)帶施加到支撐層24上以將其粘附到支撐層24，并拉動(dòng)psa帶和粘附的支撐層24使其遠(yuǎn)離第二表面20，從而將支撐層24從第二表面20移除。接下來(lái)，在步驟240中，在仍然處于真空狀態(tài)的同時(shí)，將包括邊緣部分28和中間部分26兩者的pl層12加熱至第一溫度，以軟化中間部分26(即，使中間部分可流動(dòng))。熱軟化中間部分26是通過(guò)在將pl層12共形涂覆在led陣列11上之前，在單個(gè)加熱步驟中將pl層12的中間部分26加熱至第一溫度而獲得的。在某些實(shí)施例中，與步驟110、步驟230中任一者所述的加熱器裝置39相同或不同的加熱器裝置39可用于將預(yù)成型層12加熱至第一溫度。在某些實(shí)施例中，加熱器裝置39是位于真空室40內(nèi)并處于與led陣列11的第二側(cè)16相鄰但不與其熱連通的位置中(即，其中第二側(cè)16位于加熱器裝置39與led陣列11的第一側(cè)15之間，并且其中加熱器裝置39即使被激活也不會(huì)升高led陣列11和安裝層12的溫度)的加熱器裝置39，諸如熱板。在這些實(shí)施例中，為了加熱pl層12，如在步驟110中，將led陣列11從不與加熱器裝置39熱連通的第一位置移動(dòng)到熱連通裝置中的第二位置(即，移動(dòng)led陣列11的第二側(cè)16使其更靠近加熱器裝置39或與其接觸)。在該第二位置，當(dāng)加熱器39被激活時(shí)，熱量傳遞到led陣列和安裝層12，以將中間部分26和部分30加熱至第一溫度，從而軟化pl層12的中間部分26和部分30，如上所述。在這些實(shí)施例中的某些實(shí)施例中，真空室40包括具有至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)的外部框架，該可移位結(jié)構(gòu)可在接合位置和脫離位置之間移動(dòng)。在接合位置(對(duì)應(yīng)于上一段所述的第一位置)，led陣列11的第二側(cè)16設(shè)置在至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)上，使得其懸掛在與加熱器裝置39相鄰的位置，其中l(wèi)ed陣列11因此不與加熱器裝置39熱連通。當(dāng)將至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)從接合位置移動(dòng)到脫離位置時(shí)，led陣列11不再接觸至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)，從而允許led陣列11移動(dòng)到與加熱器裝置39熱連通(即移動(dòng)到第二位置)，因此在加熱器部分被激活時(shí)，允許加熱led陣列和膜。在某些實(shí)施例中，可將可移位結(jié)構(gòu)移動(dòng)至使層合層12的邊緣部分28撞擊底座晶片13的周邊部分18上，從而迫使圍繞周邊形成氣密密封。在這些實(shí)施例中的某些實(shí)施例中，可移位結(jié)構(gòu)是可在接合位置從外部框架延伸并且在分離位置撤回到框架中的推銷或彈簧。接下來(lái)，在步驟250中，在將層合層12的中間部分26加熱至第一溫度之后，將整個(gè)層合層12貼合到led陣列11上。這是通過(guò)相對(duì)于氣密內(nèi)部區(qū)域32升高真空室40內(nèi)的區(qū)域35中的氣體壓力來(lái)實(shí)現(xiàn)的，如圖7的步驟140所述。因此，區(qū)域35中所增加的壓力對(duì)軟化的pl層12的第二表面22施加力(圖6中示為箭頭37)，從而將第一表面20推進(jìn)到與led陣列11的第一側(cè)15上(包括每個(gè)二極管陣列14上方、二極管14之間的晶片底座13的第一側(cè)15的內(nèi)部部分19上方以及晶片底座13的周邊部分18的第一側(cè)上方)存在的每個(gè)特征部密封(即共形)接觸。當(dāng)加熱的層12在led陣列11上方接觸時(shí)，中間部分26的基本上未固化的熱固性材料繼續(xù)反應(yīng)并固化。隨時(shí)間推移，整個(gè)層12在led陣列11的整個(gè)第一表面15上方形成固化且貼合的層。在某些實(shí)施例中，步驟250的氣體壓力增加是通過(guò)從真空室40中移除真空(即，排空真空室40)，從而相對(duì)于氣密內(nèi)部區(qū)域32增加區(qū)域35內(nèi)的氣體壓力而產(chǎn)生的。此外，在其他實(shí)施例中，氣體壓力可在步驟250中通過(guò)將另外的氣體引入真空室40的區(qū)域35中來(lái)增加。然后可將所得led裝置10(如上面關(guān)于圖1所示和所述的，并且根據(jù)與圖7或圖8相關(guān)聯(lián)的邏輯流程圖的方法形成的)從制造裝置50的真空室40中移除，并且該led裝置可用于各種照明應(yīng)用中。通過(guò)本發(fā)明的方法形成的led裝置10包括共形涂覆pl層12，該層為led14提供了基本上無(wú)缺陷、層厚度一致的保護(hù)性和耐久性涂層。在圖1中，pl層12被示為貼合的層合層。包含在該貼合的層12內(nèi)、均勻且一致地分布在貼合的膜層12內(nèi)的熒光體材料允許引導(dǎo)或以其他方式過(guò)濾從單獨(dú)的二極管14發(fā)射的光或從二極管陣列中的兩個(gè)或更多個(gè)二極管聚集的光，以提供期望的光效應(yīng)用于其預(yù)期用途。與使用兩個(gè)不同加熱步驟的兩步真空層合方法相比，本發(fā)明的真空層合方法提供了許多優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)在將預(yù)成型層合層(例如，12)共形地涂覆在led(例如14)上之前將預(yù)成型層合層(例如，12)的中間部分(例如，26)的加熱限制為一個(gè)加熱步驟，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的兩步真空層合技術(shù)(其中采用兩個(gè)不同的加熱步驟)，增加了用于施加和貼合預(yù)成型層合層(例如，12)的處理窗口。這種增加的處理窗口允許使用具有不同熒光體水平的預(yù)成型層合層(例如，12)，并且與具有不同流變性或固化速度的附加或不同粘合劑組合物組合使用，這可能需要比兩步真空層合技術(shù)更長(zhǎng)的加熱時(shí)間。因此，所形成的所得led裝置(例如，10)可具有與利用兩步真空層合技術(shù)所形成的led裝置更多種類的顏色和光質(zhì)量。此外，增加的處理時(shí)間允許將pl層12貼合到具有不同特征部高度的一系列二極管14(諸如，包括較短的常規(guī)二極管和較高的藍(lán)寶石二極管的二極管陣列14)上，同時(shí)在最高高度的led上仍然實(shí)現(xiàn)熒光體層的均勻厚度。因此，可以精確和預(yù)測(cè)性地控制這些二極管陣列的期望的照明特性。在圖5和圖6中，pl層12被示為不接觸二極管14的頂部。當(dāng)led陣列具有可能高于二極管14的附加結(jié)構(gòu)(未示出)，因此該附加結(jié)構(gòu)可能在進(jìn)行共形涂覆步驟之前將pl層12保持在二極管14之外時(shí)，可發(fā)生這種構(gòu)型?；蛘撸绻淮嬖诟哂诙O管14的附加結(jié)構(gòu)，則可使pl層12擱置在二極管14的頂部(未示出)并與其接觸。圖9是由包括預(yù)成型層合層和物體的組件形成共形涂覆制品的方法的實(shí)施例的工藝坐標(biāo)的曲線圖，該物體具有需要層合的第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面。工藝坐標(biāo)分為三個(gè)一般連續(xù)階段：1、2和3，從階段1(最左側(cè))開(kāi)頭時(shí)的組件開(kāi)始，在階段3結(jié)束(最右側(cè))時(shí)的共形涂覆制品結(jié)束。工藝坐標(biāo)繪制了預(yù)制層合層的溫度(實(shí)線)和制造裝置的真空室內(nèi)的壓力(虛線)。再次參考圖9，在階段1中(其獨(dú)立地包括圖7的步驟120的施加真空部分的實(shí)施例(并且可不包括步驟120的加熱中間部分)，并且包括圖8的步驟220)，組件與激活的加熱器(未示出)間隔開(kāi)，并且真空室被施加的真空排空，以從真空室中以及從預(yù)成型層合層與物體之間移除氣體。在階段1中，工藝坐標(biāo)示出了真空室內(nèi)的壓力顯著降低以及組件的預(yù)成型層合層的溫度最多稍微增加，其中階段1中發(fā)生任何溫度升高相對(duì)于排空真空室所需的時(shí)間以及相對(duì)于軟化或固化預(yù)成型層合層所需的溫度均不顯著。因此，在階段1中，預(yù)成型層合層的加熱最小或者沒(méi)有。階段1包括發(fā)生在加熱步驟之前的施加真空步驟。在真空室內(nèi)施加真空能夠從真空室中移除氣體，包括從預(yù)成型層合層的第一表面與物體的第一表面之間移除氣體，以便在制造裝置的真空室中產(chǎn)生施加的真空。再次參考圖9，對(duì)于全部階段2(其獨(dú)立地包括圖7的步驟130以及圖8和步驟230和240的實(shí)施例)，真空室以及預(yù)成型層合層的第一表面與物體的第一表面之間的空間處于施加的真空下。在階段2開(kāi)始時(shí)，將組件移動(dòng)到激活的加熱器(反之亦然)，直到物體的第二表面與激活的加熱器熱連通。如階段2所示，熱連通導(dǎo)致物體的溫度的快速增加，繼而導(dǎo)致與其接觸的預(yù)成型層合層的溫度快速增加。預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分是通過(guò)在將預(yù)成型層合層共形涂覆在物體上之前，在單個(gè)加熱步驟中將中間部分加熱至第一溫度而獲得的。在階段2結(jié)束時(shí)，預(yù)成型層合層的邊緣部分和中間部分的溫度達(dá)到第一溫度，其中預(yù)成型層合層的邊緣部分和中間部分軟化，并且邊緣部分密封到物體的第一表面的周邊部分，從而在施加的真空下形成氣密密封，并且使得組件包含氣密內(nèi)部區(qū)域。氣密內(nèi)部區(qū)域包含降低的氣體壓力，該氣體壓力有效地等于在真空室中施加的真空。在階段2結(jié)束時(shí)，真空室內(nèi)的壓力沒(méi)有增加，因此預(yù)成型層合層的軟化的中間部分不與制品的第一表面的內(nèi)部部分接觸。因此，階段2包括加熱和密封步驟，但不包括貼合步驟。再次參考圖9，在階段3開(kāi)始時(shí)(其獨(dú)立地包括圖7的步驟140以及圖8的步驟250的實(shí)施例)，保持加熱，使得預(yù)成型層合層的溫度保持在其軟化溫度或其軟化溫度以上，同時(shí)真空室內(nèi)的氣體壓力增加。真空室內(nèi)的氣體壓力變得大于氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的降低的氣體壓力。這是貼合步驟的開(kāi)始。氣體壓力的增加共形地將預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分推靠在物體的第一表面的內(nèi)部部分，以便在階段3結(jié)束之前制造共形涂覆制品。因此，階段3是貼合步驟，并且發(fā)生在加熱和密封步驟之后。制造共形涂覆制品之后，可將其冷卻并從制造裝置中移出。冷卻和移出可按任何順序進(jìn)行。冷卻和移出后的共形涂覆制品可以是自支撐的，并且是本發(fā)明的另一方面。第一層合溫度、施加的真空步驟中的抽空持續(xù)時(shí)間以及相對(duì)于加熱步驟對(duì)施加真空步驟的定時(shí)可取決于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將可控制的許多因素。這些因素包括制造裝置的泵速(即，給定的制造裝置的真空室可多快地被抽空)、真空室的熱特性(即，其溫度和導(dǎo)熱能力)、預(yù)成型層合層的粘彈性以及被層合的物體的設(shè)計(jì)和性質(zhì)(例如，物體的第一表面的內(nèi)部部分上的表面特征部有多小，因此這些表面特征多容易被共形涂覆，以及實(shí)現(xiàn)質(zhì)量共形涂層以使用共形涂覆制品有多重要)。這可有助于在加熱預(yù)成型層合層之前確保真空室的良好抽空，從而形成預(yù)成型層合層的邊緣部分到物體的第一表面的周邊部分的氣密密封。預(yù)成型層合層的第一溫度可足夠高以軟化預(yù)成型層合層，并且允許氣密密封的形成和維護(hù)，同時(shí)不會(huì)太高以至于在達(dá)到從預(yù)成型層合層和物體之間除去氣體的程度之前引起過(guò)早的密封，以避免在預(yù)成型層合層下夾帶空氣或其他氣體。如果預(yù)成型層合層由在加熱至高溫時(shí)產(chǎn)生揮發(fā)物的材料構(gòu)成，則預(yù)成型層合層的第一溫度可保持低于揮發(fā)溫度。抽空速率可調(diào)節(jié)到足夠快于預(yù)成型層合層的加熱速率，從而在預(yù)成型層合層開(kāi)始軟化和捕獲空氣或其他氣體之前實(shí)現(xiàn)在真空室中達(dá)到令人滿意的施加的真空的定時(shí)。預(yù)成型層合層可在實(shí)現(xiàn)施加的真空之前開(kāi)始被加熱，但是抽空速率被控制，使得在實(shí)現(xiàn)完全施加的真空之前對(duì)預(yù)成型層合層的任何加熱都不足以使其軟化。在一些實(shí)施例中，預(yù)成型層合層的邊緣部分的加熱在實(shí)現(xiàn)施加的真空之后立即開(kāi)始，并且足夠快以使得能夠在加熱開(kāi)始之后很快(例如，在不到5分鐘之后)形成氣密密封。在其他實(shí)施例中，預(yù)成型層合層的邊緣部分的加熱在實(shí)現(xiàn)施加的真空之前開(kāi)始，但加熱速率相對(duì)于真空室抽空的速率足夠慢，使得預(yù)成型層合層的邊緣部分達(dá)不到第一溫度或軟化，直到實(shí)現(xiàn)施加的真空后。圖10是通過(guò)該方法的實(shí)施例制備的組件8的頂視圖，其中組件8是通過(guò)粘附步驟但在氣密密封步驟之前產(chǎn)生的。在圖10中，pl層12安裝在二極管14的陣列11上，pl層12的中間部分26不是共形涂覆的二極管14。pl層12的邊緣部分28在一個(gè)或多個(gè)位置29處點(diǎn)粘附到底座晶片13的周邊部分18上，并且在一個(gè)或多個(gè)位置30處粘附到底座晶片13的周邊部分18。組件8已準(zhǔn)備好用于施加真空步驟或者引入步驟并施加真空步驟等。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明的實(shí)施例是以下編號(hào)的方面1至33中的任一項(xiàng)。方面1.一種在具有真空室的制造裝置中制造發(fā)光二極管裝置的方法，所述方法包括：(a)將具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層安裝在發(fā)光二極管(led)陣列上，所述led陣列包括設(shè)置在基座晶片的第一側(cè)的內(nèi)部部分上的一系列發(fā)光二極管，所述底座晶片還包括圍繞所述內(nèi)部部分的周邊部分和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；其中所述預(yù)成型層合層的所述第一表面位于所述底座晶片的所述第一側(cè)和所述預(yù)成型層合層的所述第二表面之間，所述預(yù)成型層合層具有被邊緣部分包圍的中間部分；(b)將所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分的一部分粘附到所述底座晶片的所述第一側(cè)的所述周邊部分；(c)將所述led陣列和所述預(yù)成型層合層引入所述真空室；(d)在步驟(c)之后，在真空室內(nèi)施加真空，并將所述預(yù)成型層合層加熱到足以軟化所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分和所述中間部分的第一溫度；(e)在所述施加的真空下將所述軟化的邊緣部分密封到所述周邊部分，以在其間形成氣密密封，從而形成由所述氣密密封、所述預(yù)成型層合層的所述第一表面和所述底座晶片的所述第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域；以及(f)在步驟(e)之后，通過(guò)將真空室內(nèi)未由所述氣密內(nèi)部區(qū)域限定的區(qū)域中的氣體壓力增加到大于所述氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的氣體壓力，使所述軟化的預(yù)成型層合層貼合到所述led陣列上。預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分是通過(guò)在將預(yù)成型層合層共形涂覆在led陣列上之前，在單個(gè)加熱步驟中將預(yù)成型層合層的中間部分加熱至第一溫度而獲得的。方面2.根據(jù)方面1的方法，其中步驟(c)發(fā)生在步驟(b)之前。方面3.根據(jù)方面1或方面2的方法，其中步驟(c)發(fā)生在步驟(a)之前。方面4.根據(jù)方面1的方法，其中步驟(c)發(fā)生在步驟(a)和步驟(b)之后。方面5.根據(jù)任一前述方面的方法，其中步驟(b)包括：(b1)將所述邊緣部分的一部分加熱到所述第一溫度，以軟化所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分的所述部分，同時(shí)保持所述預(yù)成型層合層的所述中間部分以及所述邊緣部分的另一部分處于低于所述第一溫度的溫度；以及(b2)將所述邊緣部分的所述軟化部分按壓到所述周邊部分，直到在所述預(yù)成型層合層的所述軟化邊緣部分的所述第一表面與所述周邊部分之間形成粘附，并且其中在所述邊緣部分的所述另一部分之間不形成粘附，從而不產(chǎn)生所述氣密內(nèi)部部分。方面6.根據(jù)方面5的方法，其中步驟(b1)和(b2)同時(shí)進(jìn)行。方面7.根據(jù)任一前述方面的方法，其中步驟(e)包括：(e1)在所述施加的真空下將所述軟化的邊緣部分壓貼到所述周邊部分，以在其間形成氣密密封，從而形成由所述氣密密封、所述預(yù)成型層合層的所述第一表面和所述底座晶片的所述第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域。方面8.根據(jù)任一前述方面的方法，其中步驟(f)包括：(f1)在步驟(e)之后，通過(guò)去除真空室內(nèi)的所述施加的真空，使所述軟化的預(yù)成型層合層貼合到所述led陣列上。方面9.根據(jù)方面5至8中任一項(xiàng)的方法，其中制造裝置包括與所述底座晶片的所述周邊部分熱連通的第一加熱器裝置，并且其中步驟(b1)包括：(b1-a)激活所述第一加熱器裝置，以將所述底座晶片的所述周邊部分加熱到所述第一溫度，從而軟化所述邊緣部分，同時(shí)將所述預(yù)成型層合層的所述中間部分保持在低于所述第一溫度的溫度。方面10.根據(jù)任一前述方面的方法，其中制造裝置包括與所述預(yù)成型層合層熱連通的第二加熱器裝置，所述第二加熱器裝置與所述第一加熱器裝置相同或不同；并且其中步驟(e)包括：(e1)在真空室內(nèi)施加真空，并激活所述第二加熱器裝置，以將所述預(yù)成型層合層加熱至所述第一溫度，從而軟化所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分和所述中間部分。方面11.根據(jù)方面1至9中任一項(xiàng)的方法，其中制造裝置包括與所述led陣列的所述第二側(cè)相鄰設(shè)置但不熱連通的第二加熱器裝置，所述第二加熱器裝置與所述第一加熱器裝置相同或不同；并且其中步驟(e)包括：(e1)在真空室內(nèi)施加真空；(e2)將所述led陣列的所述第二側(cè)移動(dòng)成與所述第二加熱器裝置熱連通；以及(e3)當(dāng)所述led陣列與所述第二加熱器裝置熱連通時(shí)，激活所述第二加熱器裝置以加熱所述led陣列，其中加熱所述led陣列可將所述預(yù)成型層合層加熱至所述第一溫度，從而軟化所述邊緣部分并軟化所述中間部分。方面12.根據(jù)方面11所述的方法，其中所述真空室包括具有至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)的外部框架，所述可移位結(jié)構(gòu)可在接合位置到脫離位置之間移動(dòng)，并且其中步驟(a)和(c)包括：(1)將所述led陣列設(shè)置在所述至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)上，其中所述led陣列包括設(shè)置在底座晶片第一側(cè)的內(nèi)部部分上的一系列發(fā)光二極管，所述底座晶片還包括圍繞所述內(nèi)部部分的周邊部分和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，并且其中所述led陣列的所述第二側(cè)與所述第二加熱器裝置鄰近但不熱連通；以及(2)在所述led陣列上安裝具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層；其中所述預(yù)成型層合層的所述第一表面位于所述底座晶片的所述第一側(cè)和所述預(yù)成型層合層的所述第二表面之間，所述預(yù)成型層合層具有被邊緣部分包圍的中間部分。方面13.根據(jù)方面12的方法，其中步驟(e2)包括：(e2-a)將所述可移位結(jié)構(gòu)從所述接合位置移動(dòng)到所述脫離位置，以允許所述led陣列的所述第二側(cè)移動(dòng)成與所述第二加熱器裝置熱連通。方面14.根據(jù)任一前述方面的方法，其中所述預(yù)成型層合層包括耦合到所述第二表面的支撐層，并且其中所述方法還包括：(g)在步驟(b)之后但在步驟(e)之前從所述第二表面除去所述支撐層。方面15.根據(jù)任一前述方面的方法還包括：(h)形成包括設(shè)置在基本上未固化的熱固性材料中的熒光體材料的預(yù)成型層合層。方面16.根據(jù)方面1至14中任一項(xiàng)的方法，還包括：(h)形成包括設(shè)置在有機(jī)硅粘合劑中的熒光體材料的預(yù)成型層合層。方面17.根據(jù)方面14的方法還包括：(h)通過(guò)以下方式形成通過(guò)耦合到支撐層的預(yù)成型層合層：(1)將熒光體材料與有機(jī)硅粘合劑混合，以形成漿料；(2)將所述漿料分配到所述支撐層上；以及(3)干燥所述漿料。方面18.一種在具有真空室的制造裝置中制造發(fā)光二極管裝置的方法，所述方法包括：(a)將具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層安裝在發(fā)光二極管(led)陣列上，所述led陣列包括設(shè)置在基座晶片的第一側(cè)的內(nèi)部部分上的一系列發(fā)光二極管，所述底座晶片還包括圍繞所述內(nèi)部部分的周邊部分和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；其中所述預(yù)成型層合層的所述第一表面位于所述底座晶片的所述第一側(cè)和所述預(yù)成型層合層的所述第二表面之間，所述預(yù)成型層合層具有被邊緣部分包圍的中間部分；(b)將所述led陣列和所述預(yù)成型層合層引入真空室；(c)在步驟(b)之后，在真空室內(nèi)施加真空；(d)在所述施加的真空下將所述邊緣部分密封到所述周邊部分，以在其間形成氣密密封，從而形成由所述氣密密封、所述預(yù)成型層合層的所述第一表面和所述底座晶片的所述第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域；(e)在步驟(d)之后，將所述預(yù)成型層合層加熱至足以軟化所述預(yù)成型層合層的所述中間部分的第一溫度；以及(f)通過(guò)將真空室內(nèi)未由所述氣密內(nèi)部區(qū)域限定的區(qū)域中的氣體壓力增加到大于所述氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的氣體壓力，使所述軟化的預(yù)成型層合層貼合到所述led陣列上?；蛘?，步驟(d)和(e)同時(shí)但以不同速率發(fā)生，使得預(yù)成型層合層在實(shí)現(xiàn)施加的真空之前開(kāi)始被加熱，但是抽空速率被控制，使得在實(shí)現(xiàn)完全施加的真空之前對(duì)預(yù)成型層合層的加熱不足以使其軟化。方面19.根據(jù)方面18的方法，其中步驟(b)發(fā)生在步驟(a)之前。方面20.根據(jù)方面18的方法，其中步驟(b)發(fā)生在步驟(a)之后。方面21.根據(jù)方面18至20中任一項(xiàng)的方法，其中步驟(d)包括：(d1)將所述邊緣部分加熱到所述第一溫度，以軟化所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分的所述部分，同時(shí)使所述預(yù)成型層合層的所述中間部分保持在低于所述第一溫度的溫度；以及(d2)將所述邊緣部分的所述軟化部分按壓到所述周邊部分，直到在所述預(yù)成型層合層的所述軟化邊緣部分的所述第一表面與所述底座晶片的所述周邊部分之間獲得氣密密封，從而形成由所述氣密密封、所述預(yù)成型層合層的所述第一表面和所述底座晶片的所述第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域。方面22.根據(jù)方面21的方法，其中步驟(d1)和(d2)同時(shí)進(jìn)行。方面23.根據(jù)方面18至21中任一項(xiàng)的方法，其中步驟(f)包括：(f1)通過(guò)去除真空室內(nèi)的所述施加的真空，使所述軟化的預(yù)成型層合層貼合到所述led陣列上。方面24.根據(jù)方面21至23中任一項(xiàng)的方法，其中制造裝置包括與所述底座晶片的所述周邊部分熱連通的第一加熱器裝置，并且其中步驟(d1)包括：(d1-a)激活所述第一加熱器裝置，以將所述底座晶片的所述周邊部分加熱到所述第一溫度，從而軟化所述邊緣部分，同時(shí)將所述預(yù)成型層合層的所述中間部分保持在低于所述第一溫度的溫度。方面25.根據(jù)方面18至24中任一項(xiàng)的方法，其中制造裝置包括與所述預(yù)成型層合層熱連通的第二加熱器裝置，所述第二加熱器裝置與所述第一加熱器裝置相同或不同；并且其中步驟(e)包括：(e1)激活所述第二加熱器裝置，以將所述預(yù)成型層合層加熱至所述第一溫度，從而軟化所述預(yù)成型層合層的所述中間部分。方面26.根據(jù)方面18至24中任一項(xiàng)的方法，其中制造裝置包括與所述led陣列的所述第二側(cè)相鄰設(shè)置但不熱連通的第二加熱器裝置，所述第二加熱器裝置與所述第一加熱器裝置相同或不同；并且其中步驟(e)包括：(e1)將所述led陣列的所述第二側(cè)移動(dòng)成與所述第二加熱器裝置熱連通；以及(e2)當(dāng)所述led陣列與所述第二加熱器裝置熱連通時(shí)，激活所述第二加熱器裝置以加熱所述led陣列，其中加熱所述led陣列可將所述預(yù)成型層合層加熱至所述第一溫度，從而軟化所述邊緣部分并軟化所述中間部分。方面27.根據(jù)方面26所述的方法，其中所述真空室包括具有至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)的外部框架，所述可移位結(jié)構(gòu)可在接合位置到脫離位置之間移動(dòng)，并且其中步驟(a)和(b)包括：(1)將所述led陣列設(shè)置在所述至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)上，其中所述led陣列包括設(shè)置在底座晶片第一側(cè)的內(nèi)部部分上的一系列發(fā)光二極管，所述底座晶片還包括圍繞所述內(nèi)部部分的周邊部分和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，并且其中所述led陣列的所述第二側(cè)與所述第二加熱器裝置鄰近但不熱連通；以及(2)在所述led陣列上安裝具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層；其中所述預(yù)成型層合層的所述第一表面位于所述底座晶片的所述第一側(cè)和所述預(yù)成型層合層的所述第二表面之間，所述預(yù)成型層合層具有被邊緣部分包圍的中間部分。方面28.根據(jù)方面27的方法，其中步驟(e1)包括：(e1-a)將所述可移位結(jié)構(gòu)從所述接合位置移動(dòng)到所述脫離位置，以允許所述led陣列的所述第二側(cè)移動(dòng)成與所述第二加熱器裝置熱連通。在某些實(shí)施例中，可移位結(jié)構(gòu)可被移動(dòng)以撞擊在預(yù)成型層合層12的邊緣部分28上到底座晶片13的周邊部分18上，從而迫使圍繞底座晶片13周邊的氣密密封形成氣密內(nèi)部區(qū)域。方面29.根據(jù)方面18至28中任一項(xiàng)的方法，其中所述預(yù)成型層合層包括耦合到所述第二表面的支撐層，并且其中所述方法還包括：(g)在步驟(d)之后但在步驟(e)之前從所述第二表面除去所述支撐層。方面30.根據(jù)方面18至29中任一項(xiàng)的方法，還包括：(h)形成包括設(shè)置在基本上未固化的熱固性材料中的熒光體材料的預(yù)成型層合層。方面31.根據(jù)方面18至29中任一項(xiàng)的方法，還包括：(h)形成包括設(shè)置在有機(jī)硅粘合劑中的熒光體材料的預(yù)成型層合層。方面32.根據(jù)方面29的方法還包括：(i)通過(guò)以下方式形成耦合到支撐層的預(yù)成型層合層：(1)將熒光體材料與有機(jī)硅粘合劑混合，以形成漿料；(2)將所述漿料分配到所述支撐層上；以及(3)干燥所述漿料。方面33.根據(jù)任一前述方面的方法形成的發(fā)光二極管裝置。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明的方面是以下編號(hào)的方面中的任一項(xiàng)。方面一.一種由容納在制造裝置的真空室中的組件制造共形涂覆制品的方法；其中所述真空室包含施加的真空；其中所述組件包括預(yù)成型層合層和具有需要層合的表面的物體；其中預(yù)成型層合層具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，以及在第一溫度下被熱軟化且被邊緣部分包圍的中間部分；其中所述物體具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，第一表面需要層合并且包括內(nèi)部部分和包圍內(nèi)部部分的周邊部分；其中所述組件被構(gòu)造成使得預(yù)成型層合層的第一表面面向物體的第一表面定位，其中所述預(yù)成型層合層的邊緣部分形成所述物體的第一表面的周邊部分的氣密密封，使得組件包含由氣密密封、預(yù)成型層合層的第一表面和物體的第一表面的組合限定的氣密內(nèi)部區(qū)域，其中預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分與物體的第一表面的內(nèi)部部分由氣密內(nèi)部區(qū)域間隔開(kāi)，并且其中氣密內(nèi)部區(qū)域包含降低的氣體壓力；其中在真空室中施加的真空有實(shí)際上等于組件的氣密內(nèi)部區(qū)域中的降低的氣體壓力；并且其中該方法包括：通過(guò)增加真空室內(nèi)的氣體壓力使預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分貼合到物體的第一表面的內(nèi)部部分，使得真空室內(nèi)的氣體壓力大于氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的降低的氣體壓力，從而將熱軟化的中間部分共形地推靠在物體的第一表面的內(nèi)部部分上，以便制造共形涂覆制品；其中共形涂覆制品包括貼合的層合層和物體，其中貼合的層合層由預(yù)成型層合層形成，并且具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，以及中間部分和包圍中間部分的邊緣部分；其中物體具有第一表面，第一表面具有內(nèi)部部分和包圍內(nèi)部部分的周邊部分，其中物體的第一表面的內(nèi)部部分由貼合的層合層的中間部分共形涂覆；并且其中貼合的層合層的邊緣部分形成物體的第一表面的周邊部分的氣密密封。預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分是通過(guò)在將預(yù)成型層合層共形涂覆在物體(諸如發(fā)光二極管)上之前，在單個(gè)加熱步驟中將預(yù)成型層合層的中間部分加熱至第一溫度而獲得的。方面二.方面一的方法，其中在貼合步驟中，通過(guò)破壞制造裝置的真空室中施加的真空并允許氣體進(jìn)入真空室，使真空室內(nèi)的氣體壓力增加。通過(guò)在環(huán)境氣氛(例如，空氣)中使真空室通氣，并/或通過(guò)將氣體(例如，從壓縮氣體源)肯定地引入真空室，可增加真空室內(nèi)的氣體壓力。方面三.方面一或方面二的方法，還包括在貼合步驟之前，在施加的真空下，通過(guò)使預(yù)成型層合層的邊緣部分與物體的第一表面的周邊部分接觸，使預(yù)成型層合層的邊緣部分密封到物體的第一表面的周邊部分，以便形成氣密密封和組件的氣密內(nèi)部區(qū)域，其中在接觸期間，預(yù)成型層合層的邊緣部分的特征在于在第二溫度下被熱軟化，其中第一溫度和第二溫度相同或不同。方面四.方面三的方法，其中密封步驟包括將預(yù)成型層合層的熱軟化邊緣部分按壓到物體的第一表面的周邊部分。方面五.方面二或方面三的方法，還包括在密封步驟之前，在施加的真空下，將預(yù)成型層合層的邊緣部分加熱到第一溫度或第二溫度(視情況而定)，以形成預(yù)成型層合層的熱軟化邊緣部分。方面六.任一前述方面的方法，還包括在貼合步驟之前，在施加的真空下，將預(yù)成型層合層的中間部分加熱到第一溫度，以軟化預(yù)成型層合層的中間部分，從而形成預(yù)成型層合層的熱軟化中間部分。方面七.方面六的方法，其中制造裝置還包括第一加熱器裝置，其以一定方式與物體的第二表面相鄰設(shè)置，使得第一加熱器和物體的第二表面之間的任何熱連通都不足以軟化預(yù)成型層合層；并且其中加熱步驟包括：將物體的第二表面移動(dòng)到與第一加熱器裝置熱連通，反之亦然；并激活第一加熱器裝置，使其產(chǎn)生熱量；其中激活的第一加熱器裝置加熱物體，從而將預(yù)成型層合層加熱到第一溫度，以獨(dú)立地軟化預(yù)成型層合層的邊緣部分和中間部分。方面八.方面七的方法，其中在移動(dòng)步驟之后執(zhí)行激活步驟。方面九.根據(jù)方面七或方面八的方法，其中真空室包括具有至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)的外部框架，所述可移位結(jié)構(gòu)可從接合位置移動(dòng)到脫離位置，并且其中所述組件設(shè)置在所述至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)上以提供負(fù)載的可移位結(jié)構(gòu)，其中負(fù)載的可移位結(jié)構(gòu)設(shè)置在接合位置；其中加熱步驟包括將負(fù)載的可移位結(jié)構(gòu)從接合位置移動(dòng)到脫離位置，以將物體的第二表面移動(dòng)到與第一加熱器裝置熱連通。在一些方面，至少一個(gè)可移位結(jié)構(gòu)也可從脫離位置移回到接合位置。方面十.方面五至方面九中任一項(xiàng)的方法，還包括在加熱步驟之前，在真空室內(nèi)施加真空，以從真空室中除去氣體，包括從預(yù)成型層合層的第一表面和物體的第一表面之間除去氣體，以便在制造裝置的真空室中形成施加的真空。方面十一.方面十的方法，還包括在施加步驟之前，將預(yù)成型層合層和物體引入制造裝置的真空室。方面十二.方面十一的方法，還包括在施加步驟之前并且在引入步驟之前、期間或之后，將預(yù)成型層合層抵靠物體安裝，使得預(yù)成型層合層的第一表面面向物體的第一表面設(shè)置。方面十三.方面十二的方法，其中在安裝步驟中使用的預(yù)成型層合層耦合到支撐層，并且其中方法還包括在安裝步驟之后并且在引入步驟之前：將預(yù)成型層合層的邊緣部分的第一子部分粘附到物體的第一表面的周邊部分的第一子部分，而不將預(yù)成型層合層的邊緣部分的第二子部分粘附到物體的第一表面的周邊部分的第二子部分，其中粘合步驟在預(yù)成型層合層耦合到支撐層的同時(shí)進(jìn)行；以及在粘合步驟之后從安裝的預(yù)成型層合層移除支撐層。在一些實(shí)施例中，方面十的方法還包括方面十一至十三中的每一項(xiàng)。方面十四.方面十三的方法，其中粘附步驟包括：將預(yù)成型層合層的邊緣部分的第一部子部分加熱到第三溫度，以軟化預(yù)成型層合層的邊緣部分的第一子部分，同時(shí)將預(yù)成型層合層的中間部分和預(yù)成型層合層的邊緣部分的第二子部分保持在第三溫度以下的溫度，其中第三溫度獨(dú)立地與第一溫度和第二溫度各自相同或不同；以及將預(yù)成型層合層的邊緣部分的軟化第一子部分按壓到物體的第一表面的周邊部分的第一子部分，直到在其間形成粘合，并且其中在預(yù)成型層合層的邊緣部分的第二子部分與物體的第一表面的周邊部分的第二子部分之間沒(méi)有形成粘合，從而在該步驟中未產(chǎn)生組件的氣密內(nèi)部區(qū)域。方面十五.任一前述方面的方法，其中所述物體還包括需要層合的至少一個(gè)附加特征部，其中所述至少一個(gè)附加特征部被設(shè)置成與物體的第一表面的內(nèi)部部分有效接觸并且在組件的氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)，并且其中所述至少一個(gè)附加特征部在貼合步驟中由共形涂覆制品中的貼合的層合層共形涂覆。方面十六.方面十五的方法，其中需要層合的至少一個(gè)附加特征部包括電子裝置(例如，印刷電路板或多個(gè)發(fā)光二極管)、光學(xué)裝置、車輛部件，建筑部件(例如，窗戶、門或器具)、醫(yī)療裝置部件、機(jī)器部件、容器、保健產(chǎn)品(諸如，層合多種固體藥物劑型(丸劑、片劑、錠劑、膠囊劑等)以提供多劑量包裝)或器具部件。方面十七.方面十六的方法，其中物體包括多個(gè)發(fā)光二極管(led)和底座晶片，其中所述底座晶片具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，并且底座晶片的第一表面具有內(nèi)部部分和圍繞內(nèi)部部分的周邊部分；其中所述led排列在所述底座晶片的所述第一表面的所述內(nèi)部部分上，并且其中所述led和所述底座晶片的所述第一表面的所述內(nèi)部部分一起需要層合。方面十八.根據(jù)任一前述方面的方法，其中預(yù)成型層合層包括設(shè)置在有機(jī)硅粘合劑或基本上未固化的熱固性材料中的熒光體材料。方面十九.任一前述方面的方法，還包括從制造裝置中移出共形涂覆制品。方面二十.任一前述方面的方法，包括一種在具有真空室的制造裝置中制造發(fā)光二極管裝置的方法，所述方法包括：(a)將具有第一表面和第二表面的預(yù)成型層合層安裝在發(fā)光二極管(led)陣列上，所述led陣列包括設(shè)置在基座晶片的第一側(cè)的內(nèi)部部分上的一系列發(fā)光二極管，所述底座晶片還包括圍繞所述內(nèi)部部分的周邊部分和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)；其中所述預(yù)成型層合層的所述第一表面位于所述底座晶片的所述第一側(cè)和所述預(yù)成型層合層的所述第二表面之間，所述預(yù)成型層合層具有被邊緣部分包圍的中間部分；(b)將所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分的一部分粘附到所述底座晶片的所述第一側(cè)的所述周邊部分；(c)將所述led陣列和所述預(yù)成型層合層引入所述真空室；(d)在步驟(c)之后，在真空室內(nèi)施加真空，并將所述預(yù)成型層合層加熱到足以軟化所述預(yù)成型層合層的所述邊緣部分和所述中間部分的第一溫度；(e)在所述施加的真空下將所述軟化的邊緣部分密封到所述周邊部分，以在其間形成氣密密封，從而形成由所述氣密密封、所述預(yù)成型層合層的所述第一表面和所述底座晶片的所述第一側(cè)限定的氣密內(nèi)部區(qū)域；以及(f)在步驟(e)之后，通過(guò)將真空室內(nèi)未由所述氣密內(nèi)部區(qū)域限定的區(qū)域中的氣體壓力增加到大于所述氣密內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的氣體壓力，使所述軟化的預(yù)成型層合層貼合到所述led陣列上。方面二十一.根據(jù)方面2至32中任一項(xiàng)的方法的方面二十的方法。方面二十二.根據(jù)任一前述方面的方法制備的共形涂覆制品。在一些方面或?qū)嵤├?，有機(jī)硅是樹脂-線性有機(jī)硅氧烷的一種大分子或一些大分子。樹脂-線性聚有機(jī)硅氧烷大分子可以是硅氫加成固化樹脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物(r-lob共聚物)。r-lob共聚物具有與非嵌段共聚物諸如統(tǒng)計(jì)共聚物、無(wú)規(guī)共聚物或交替共聚物不同的單體排列。r-lob共聚物可以是兩嵌段、三嵌段或更高嵌段共聚物。r-lob共聚物由大分子組成，其特征在于不同的線性嵌段和不同的樹脂嵌段。線性嵌段通常包含主要、基本上全部或全部的d型有機(jī)硅氧烷單元，其主要鍵合在一起以形成二價(jià)直鏈聚合鏈段(例如，各自具有10至400個(gè)單元)，該二價(jià)直鏈聚合鏈段在本文中稱為“線性嵌段”。樹脂嵌段包含大部分、基本上全部或全部的t型有機(jī)硅氧烷單元或q單元，但通常它們是t型有機(jī)硅氧烷單元。通常，如果在r-lob共聚物中存在任何q單元(sio4/2)，則它們的數(shù)目相對(duì)較小(小于所有單元的5摩爾％)。(此外，r-lob共聚物可含有相對(duì)較少數(shù)量*的m型有機(jī)硅氧烷單元(r3sio1/2)，其中r是烴基；*通常小于5摩爾％的m型單元。)t型有機(jī)硅氧烷單元彼此主要鍵合以形成多價(jià)支鏈聚合鏈段，其在本文中稱為“非線性嵌段”。因此，r-lob共聚物由大分子組成，其中線性嵌段鍵合到非線性嵌段。在r-lob共聚物的固體形式中，大量的這些非線性嵌段可聚集在一起形成納米域。r-lob共聚物的聚集非線性嵌段可稱為硬域，線性嵌段可稱為軟域。r-lob共聚物的特征可在于其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg)高于非嵌段共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。這些r-lob共聚物可被設(shè)計(jì)成含有低摩爾量的不飽和脂族基團(tuán)，這使得能夠在下游工業(yè)應(yīng)用諸如密封或封裝(光電)電子裝置中交聯(lián)共聚物。這些r-lob共聚物的一些實(shí)施例還含有另外類型的反應(yīng)性基團(tuán)，其使得如此功能化的r-lob共聚物能夠用于雙重固化機(jī)制。一些r-lob共聚物是納米相分離型的，其包含主要由d單元構(gòu)成的線性嵌段和主要由t單元構(gòu)成的樹脂嵌段的納米尺寸域。樹脂-線性聚有機(jī)硅氧烷大分子可包含硅氫加成固化的樹脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其包含：40摩爾％至90摩爾％式[r12sio2/2]的d型單元、10摩爾％至60摩爾％式[r2sio3/2]的t型單元、0.5摩爾％至35摩爾％硅醇基團(tuán)[si-oh]；其中每個(gè)r1和r2獨(dú)立地為具有0個(gè)脂族不飽合鍵的(c1-c30)烴基或包含至少1個(gè)脂族不飽和鍵的(c1-c30)烴基，其中樹脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含0.5摩爾％至5摩爾％的包含至少一個(gè)脂族不飽和鍵的(c1-c30)烴基；其中d型單元[r12sio2/2]排列成平均每個(gè)線性嵌段具有100至300個(gè)d型單元[r12sio2/2]的線性嵌段，并且t型單元[r2sio3/2]排列成分子量至少為500克/摩爾(g/mol)的非線性嵌段，其中至少30摩爾％的非線性嵌段彼此交聯(lián)，并且其中每個(gè)線性嵌段通過(guò)包含d型或t型硅氧烷單元的二價(jià)連接基團(tuán)連接至至少一個(gè)非線性嵌段。樹脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可具有至少20,000g/mol的重均分子量(mw)。設(shè)想到了任何樹脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，包括本領(lǐng)域已知的r-lob共聚物。例如，參見(jiàn)us2014/0357827a1；us2013/0165602a1；us2013/0168727a1；us2013/171354a1；us2013/0172496a1，其公布為us8,921,495b2和us2013/0245187a1。層合產(chǎn)率測(cè)試方法：在包含總數(shù)x個(gè)led二極管并因此在每對(duì)電極之間包含x個(gè)間隙的共形涂覆led陣列中，目視檢查間隙，以確定用共形涂層完全填充的間隙的數(shù)量f以及未填充或具有氣穴的間隙的數(shù)量u。層合產(chǎn)率(ly)是填充間隙的數(shù)量f除以間隙的總數(shù)x，以百分比表示。ly＝100(f/x)。在可用于測(cè)試層合產(chǎn)率的一些實(shí)施例中，使用具有x＝132個(gè)led的11×12led陣列，并且x個(gè)間隙中每一個(gè)的寬度為100微米(μm)，并且ly≥80％，或者ly≥85％，或者ly≥89％，或者ly≥90％，或者ly≥93％，或者ly≥95％，或者ly≥96％，或者ly≥97％，或者ly≥98％，或者ly≥99％，或者ly為100％。物體(1)：led陣列(1)：設(shè)置在底座晶片的第一側(cè)的內(nèi)部部分上的11×12led陣列(總數(shù)n＝132個(gè)led)，其中每個(gè)led被鍵合到彼此間隔開(kāi)約100微米(μm)的不同對(duì)矩形焊盤電極并被附接到底座晶片。物體(2)：0.3毫米厚的硼硅酸鹽玻璃片材(schottd263teco薄玻璃)，其用作窗口或臺(tái)面的部件。預(yù)成型層合層(1)：100μm厚自立式干燥膜，包含40重量％的樹脂-線性有機(jī)硅和在其中混合的60重量％的yag:ce熒光體。預(yù)成型層合層(2)：100μm厚自立式干燥膜，包含40重量％的樹脂-線性有機(jī)硅和在其中混合的60重量％的熒光體共混物，其中該熒光體共混物為yag:ce(3份)和eu摻雜的氮化物(1份)。預(yù)成型層合層(3)：100μm厚自立式干燥膜，包含20重量％的樹脂-線性有機(jī)硅和在其中混合的80重量％的yag:ce熒光體。預(yù)成型層合層(4)：55μm厚自立式干燥膜，包含20重量％的樹脂-線性有機(jī)硅和在其中混合的80重量％的yag:ce熒光體。預(yù)成型層合層(5)：100μm厚的樹脂線性有機(jī)硅自立式干燥膜。預(yù)成型層合層(6)：100μm厚的基于乙烯共聚物的離聚物密封劑的自立式干燥膜(dupont5400)。預(yù)成型層合層(7)：預(yù)成型層合層(5)的熱處理形式，與預(yù)成型層合層(5)的粘著性相比具有降低的粘著性。(可以通過(guò)以下方式制得：將預(yù)成型層合層(5)在150℃下加熱90秒，而后冷卻得到預(yù)成型層合層(7)。)支撐層(1)：fep聚(四氟乙烯)片材為透明熱塑性薄膜，其由杜邦公司(dupont)制造，并且可從美國(guó)馬薩諸塞州霍利斯頓的americandurafilm公司(americandurafilm(holliston,massachusetts,usa))作為“fepfilm”商購(gòu)獲得。支撐層(2)：硅化聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)片材，可從三菱公司(mitsubishi)作為hostaphan2slkn商購(gòu)獲得。真空層合機(jī)(1)：含有氣囊和支撐彈簧。其為一種制造裝置，其被構(gòu)造成具有真空室、熱板和支撐彈簧，其中真空室容納有氣囊，熱板能夠被加熱到從100℃至200℃的溫度設(shè)定點(diǎn)，支撐彈簧被設(shè)置成將放置在其上的物體保持在熱板上方，使得在熱板和物體的底部之間存在約0.3厘米(cm)的氣隙。真空層合機(jī)(2)：除了不具有支撐彈簧外，其與真空層合機(jī)(1)相同。放置在真空層合機(jī)(2)中的物體被直接放置在熱板上，使得熱板和物體的底部之間不存在氣隙。制備過(guò)程1：預(yù)成型層合層(1)的制備。借助于甲苯將60份yag:ce熒光體(intematixnyag-4454-l)與40份樹脂-線性有機(jī)硅(例如，us8,921,495b2的那種)混合形成漿料。采用刮刀涂布技術(shù)將漿料施加到支撐層(1)上，并將所得的施加的涂層干燥以制備層合體，該層合體含有連接到支撐層(1)的100μm厚干燥膜。從支撐層(1)移除該干燥膜，得到預(yù)成型層合層(1)，包含40重量％的樹脂-線性有機(jī)硅和在其中混合的60重量％的yag:ce熒光體。制備過(guò)程2：預(yù)成型層合層(2)的制備。通過(guò)以下方式形成熒光體共混物：將3份yag:ce熒光體(intematixnyag-4454-l)與1份銪摻雜的氮化物熒光體(intermatixer-6535)混合形成熒光體共混物。借助于甲苯將60份熒光體共混物與40份樹脂-線性有機(jī)硅(例如，us8,921,495b2的那種)混合形成漿料。采用刮刀涂布技術(shù)將漿料施加到支撐層(1)上，并將所得的施加的涂層干燥以制備層合體，該層合體含有連接到支撐層(1)的100μm厚干燥膜。從支撐層(1)移除該干燥膜，得到100μm厚的預(yù)成型層合層(2)，其包含40重量％的樹脂-線性有機(jī)硅和在其中混合的60重量％的熒光體共混物，其中該熒光體共混物為yag:ce(3份)和eu摻雜的氮化物(1份)。制備過(guò)程3：預(yù)成型層合層(3)的制備。重復(fù)制備過(guò)程1的工序，不同之處在于使用80份yag:ce熒光體(intematixnyag-4454-l)代替60份yag:ce熒光體(intematixnyag-4454-l)，并使用20份樹脂-線性有機(jī)硅代替40份樹脂線性有機(jī)硅，得到100μm厚的預(yù)成型層合層(3)，其包含20重量％的樹脂線性有機(jī)硅和在其中混合的80重量％的yag:ce熒光體。制備過(guò)程4：預(yù)成型層合層(4)的制備。重復(fù)制備過(guò)程3的工序，不同之處在于形成的是55μm厚的預(yù)成型層合層(4)，其包含20重量％的樹脂線性有機(jī)硅和在其中混合的80重量％的yag:ce熒光體。出于比較目的，本文包括(非發(fā)明性)比較例。比較例1.使用真空層合機(jī)(1)嘗試制備共形涂覆的led陣列(3)：重復(fù)下述實(shí)例3(140℃)的工序，不同之處在于省略了載體托盤的使用，而是將組件直接放置在組件上方的熱板和懸垂支撐層(2)上，以避免氣囊和預(yù)成型層合層(3)之間發(fā)生直接接觸。層合產(chǎn)率為0％。比較例2a.使用真空層合機(jī)(1)嘗試制備共形涂覆的led陣列(4)：重復(fù)下述實(shí)例3(140℃)的工序，不同之處在于省略周邊夾具，而是使用真空層合機(jī)(1)的氣囊將加載的載體托盤向下推在熱板上?？偺幚頃r(shí)間為1分鐘30秒，其中抽空時(shí)間為60秒，初始加熱時(shí)間為15秒(在與熱板接觸之后且在真空釋放之前)，額外加熱時(shí)間為15秒(真空釋放之后)。層合產(chǎn)率為0％。比較例2b.使用真空層合機(jī)(1)嘗試制備共形涂覆的led陣列(4)：重復(fù)比較例2a的工序，不同之處在于使用150℃而不是140℃的設(shè)定點(diǎn)溫度；使用30秒而不是1分鐘的抽空時(shí)間；使用30秒而不是15秒的初始加熱時(shí)間(在與熱板接觸之后且在真空釋放之前)，并使用30秒而不是15秒的額外加熱時(shí)間(真空釋放之后)，從而得到共形涂覆的led陣列(4b)。總處理時(shí)間為1分30秒，其中抽空時(shí)間為30秒，總加熱時(shí)間為2×30秒。層合產(chǎn)率為0％。本發(fā)明實(shí)施例的非限制性實(shí)例如下。任何比較例不應(yīng)被解釋為現(xiàn)有技術(shù)。實(shí)例1a至1e：使用真空層合機(jī)(1)制備共形涂覆的led陣列(1a)至(1e)。在五個(gè)不同實(shí)驗(yàn)中的每一個(gè)實(shí)驗(yàn)中，如下所述地使用真空層合機(jī)(1)將led陣列(1)共形涂覆上預(yù)成型層合層(1)，運(yùn)行次數(shù)為n。激活真空層合機(jī)(1)中的熱板，使得熱板的溫度達(dá)到設(shè)定點(diǎn)(見(jiàn)下表1)。單獨(dú)地，在led陣列(1)上放置預(yù)成型層合層(1)以得到組件，并將該組件放置在載體托盤中。在熱板的溫度達(dá)到其設(shè)定點(diǎn)之后，將加載的載體托盤放置在真空層合機(jī)(1)中的彈簧上，使得載體托盤的底部在激活的熱板上方約為0.3cm處。將所得加載的真空層合機(jī)(1)關(guān)閉，并且施加1分鐘真空以抽空真空室，并在其中產(chǎn)生施加的真空，與此同時(shí)，彈簧將加載的載體托盤保持在熱板上方，從而使得對(duì)led陣列(1)的底座晶片的加熱減到最小，繼而使得對(duì)預(yù)成型層合層(1)的加熱減到最小。然后，在不接觸預(yù)成型層合層(1)的情況下，使真空層合機(jī)(1)的氣囊下降，將加載的載體托盤推到熱板上，該載體托盤在熱板上會(huì)被保持在真空條件下，并初始加熱1分30秒。這允許熱板加熱底座晶片，繼而加熱預(yù)成型層合層(1)。然后通過(guò)使真空室與環(huán)境空氣通氣，將所施加的真空完全釋放，并且使預(yù)成型層合層(1)在環(huán)境壓力下另外加熱2分鐘，分別得到共形涂覆的led陣列(1a)至(1e)中的一種，然后將其從真空室中取出。總處理時(shí)間4.5分鐘，其中抽空時(shí)間1分鐘，總加熱時(shí)間3.5分鐘。將實(shí)例1e再重復(fù)運(yùn)行兩次。下表1示出了在從110℃至150℃范圍內(nèi)的各種熱板溫度設(shè)定點(diǎn)下的層合產(chǎn)率。表1：使用真空層合機(jī)(1)制備的共形涂覆的led陣列(1a)至(1e)。實(shí)例：1a1b1c1d1e運(yùn)行次數(shù)(n)11113*設(shè)定點(diǎn)溫度(℃)110120130140150層合產(chǎn)率100％100％100％100％92％*83％，95％，98％實(shí)例1f至1j：使用真空層合機(jī)(2)制備共形涂覆的led陣列(1f)至(1j)。重復(fù)實(shí)例1a至1e，除了不同之處在于使用真空層合機(jī)(2)代替真空層合機(jī)(1)，并將加載的載體托盤直接放置在熱板上，而不是放置在真空層合機(jī)(1)的支撐彈簧上，從而分別得到共形涂覆的led陣列(1f)至(1j)中的一種，然后將其從真空室中取出。將實(shí)例1i和1j再重復(fù)運(yùn)行一次。下表2示出了在從110℃至150℃范圍內(nèi)的各種熱板溫度設(shè)定點(diǎn)下的層合產(chǎn)率。表2：使用真空層合機(jī)(2)制備的共形涂覆的led陣列(1a)至(1e)。實(shí)例：1f1g1h1i1j運(yùn)行次數(shù)(n)1112*2**設(shè)定點(diǎn)溫度(℃)110120130140150層合產(chǎn)率0％99％100％96％89％*93％，99％；**79％，100％表1和表2中的層合產(chǎn)率比較結(jié)果表明，在將預(yù)成型層合層(1)熱軟化之前，可以使用真空層合機(jī)(1)或(2)將組件中預(yù)成型層合層(1)與led陣列(1a)至(1j)之間的空氣抽空，但使用真空層合機(jī)(1)時(shí)的相應(yīng)處理窗口比使用缺乏支撐彈簧的真空層合機(jī)(2)時(shí)的處理窗口更寬。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明的方法在施加真空步驟期間使組件與激活的加熱器保持間隔開(kāi)。實(shí)例2a至2e：使用真空層合機(jī)(1)制備共形涂覆的led陣列(2a)至(2e)：重復(fù)實(shí)例1a至1e的工序，不同之處在于使用預(yù)成型層合層(2)代替預(yù)成型層合層(1)，以得到共形涂覆的led陣列(2a)至(2e)。下表3示出了在從110℃至150℃范圍內(nèi)的各種熱板溫度設(shè)定點(diǎn)下的層合產(chǎn)率。表3：使用真空層合機(jī)(1)制備的共形涂覆的led陣列(2a)至(2e)。實(shí)例：2a2b2c2d2e運(yùn)行次數(shù)(n)11111設(shè)定點(diǎn)溫度(℃)110120130140150層合產(chǎn)率13％99％100％93％81％如表3中的層合產(chǎn)率數(shù)據(jù)所示，相對(duì)于實(shí)例2b至2e來(lái)說(shuō)對(duì)實(shí)例2a尤為明顯的是，如果熱板設(shè)定點(diǎn)溫度過(guò)低，則預(yù)成型層合層(2)在1分鐘30秒和額外2分鐘的加熱時(shí)間后不會(huì)充分軟化。因此，如果設(shè)定點(diǎn)溫度太低，則為了使預(yù)成型層合層有時(shí)間形成共形涂覆制品，可延長(zhǎng)加熱時(shí)間?？梢愿倪M(jìn)實(shí)例2a中的條件，以便在110℃的設(shè)定點(diǎn)溫度下產(chǎn)生共形涂層。在一些實(shí)施例中，實(shí)例2a被排除在本發(fā)明之外。實(shí)例2f至2j：使用真空層合機(jī)(2)制備共形涂覆的led陣列(2f)至(2j)。重復(fù)實(shí)例1f至1j，不同之處在于使用預(yù)成型層合層(2)代替預(yù)成型層合層(1)，以分別得到共形涂覆的led陣列(2f)至(2j)，然后將其從真空室中取出。下表4示出了在從110℃至150℃范圍內(nèi)的各種熱板溫度設(shè)定點(diǎn)下的層合產(chǎn)率。表4：使用真空層合機(jī)(2)制備的共形涂覆的led陣列(1a)至(1e)。實(shí)例：2f2g2h2i2j運(yùn)行次數(shù)(n)1112*2**設(shè)定點(diǎn)溫度(℃)110120130140150層合產(chǎn)率24％99％56％0％22％*兩次運(yùn)行中均獲得0％；**43％和0％。表3和表4中的層合產(chǎn)率比較結(jié)果表明，在將預(yù)成型層合層(2)熱軟化之前，可以使用真空層合機(jī)(1)或(2)將組件中預(yù)成型層合層(2)與led陣列(2a)至(2j)之間的空氣抽空，但使用真空層合機(jī)(1)時(shí)的相應(yīng)處理窗口比使用缺乏支撐彈簧的真空層合機(jī)(2)時(shí)的處理窗口寬得多。另外，如表4的層合產(chǎn)率數(shù)據(jù)所示，如果熱板設(shè)定點(diǎn)溫度過(guò)高，則相對(duì)于真空室的抽空速度而言，預(yù)成型層合層(2)可能會(huì)熱軟化得過(guò)快。因此，如果設(shè)定點(diǎn)溫度過(guò)高，則為了給排空步驟提供從預(yù)成型層合層(2)和led陣列2之間移除空氣的時(shí)間，以形成共形涂覆制品，可以提高抽空速率或降低設(shè)定點(diǎn)溫度?？梢愿倪M(jìn)實(shí)例2f和2h至2j中的條件，以便在110℃、130℃、140℃或150℃的設(shè)定點(diǎn)溫度下產(chǎn)生共形涂層。在一些實(shí)施例中，實(shí)例2f和2h至2j被排除在本發(fā)明之外。實(shí)例3：使用真空層合機(jī)(1)制備共形涂覆的led陣列(3)：重復(fù)實(shí)例1d(140℃)的工序，不同之處在于使用預(yù)成型層合層(3)代替預(yù)成型層合層(5)，以得到共形涂覆的led陣列(3)。層合產(chǎn)率為100％。與上述比較例1進(jìn)行比較。實(shí)例4a：使用真空層合機(jī)(1)制備共形涂覆的led陣列(4)：重復(fù)實(shí)例1d(140℃)的工序，不同之處在于使用預(yù)成型層合層(4)代替預(yù)成型層合層(1)并使用周邊壓印夾具，該夾具被構(gòu)造為接觸預(yù)成型層合層(4)的第二表面的整個(gè)邊緣部分，并且將其壓貼在底座晶片的第一側(cè)的周邊部分，同時(shí)保持預(yù)成型層合層(4)的第一側(cè)的邊緣部分和led陣列(1)的底座晶片的第一側(cè)的周邊部分之間的間隙，使得按壓過(guò)程不會(huì)將軟化的預(yù)成型層合層撕裂；使用15秒而不是1分30秒的初始加熱時(shí)間(與熱板接觸之后且真空釋放之前)；并且使用15秒而不是2分鐘的額外加熱時(shí)間(真空釋放之后)，以得到共形涂覆的led陣列(4a)?？偺幚頃r(shí)間1.5分鐘，其中抽空時(shí)間1分鐘，總加熱時(shí)間30秒。使用壓印夾具將預(yù)成型層合層的邊緣部分壓制或撞擊到底座晶片的周邊部分上，從而迫使氣密密封圍繞著該周邊。層合產(chǎn)率為100％。與上述比較例2進(jìn)行比較。實(shí)例4b：重復(fù)實(shí)例4a的工序，不同之處在于使用150℃而不是140℃的設(shè)定點(diǎn)溫度；使用30秒而不是1分鐘的抽空時(shí)間；和30秒而不是15秒的額外加熱時(shí)間(真空釋放之后)，以得到共形涂覆的led陣列(4b)?？偺幚頃r(shí)間為1分15秒，其中抽空時(shí)間為30秒，總加熱時(shí)間為45秒。層合產(chǎn)率為98％。周邊夾具有助于將預(yù)成型層合層的熱軟化邊緣部分密封到物體的第一表面的周邊部分。實(shí)例5a至5e(假想例)：使用真空層合機(jī)(1)制備共形涂覆的led陣列(5a)至(5e)。在五個(gè)不同實(shí)驗(yàn)中的每一個(gè)實(shí)驗(yàn)中，如下所述地使用真空層合機(jī)(1)將led陣列(5)共形涂覆上預(yù)成型層合層(1)，運(yùn)行次數(shù)均為1。激活真空層合機(jī)(1)中的熱板，使得熱板的溫度分別達(dá)到110℃、120℃、130℃、140℃或150℃的設(shè)定點(diǎn)。單獨(dú)地，在led陣列(1)上放置預(yù)成型層合層(5)以得到組件，并將該組件放置在載體托盤中。在熱板的溫度達(dá)到其設(shè)定點(diǎn)之后，將加載的載體托盤放置在真空層合機(jī)(1)中的彈簧上，使得載體托盤的底部在激活的熱板上方約為0.3cm處。將所得加載的真空層合機(jī)(1)關(guān)閉，并且施加1分鐘真空以抽空真空室，并在其中產(chǎn)生施加的真空，與此同時(shí)，彈簧將加載的載體托盤保持在熱板上方，從而使得對(duì)led陣列(1)的底座晶片的加熱減到最小，繼而使得對(duì)預(yù)成型層合層(5)的加熱減到最小。然后，在不接觸預(yù)成型層合層(5)的情況下，使真空層合機(jī)(1)的氣囊下降，將加載的載體托盤推到熱板上，該載體托盤在熱板上會(huì)被保持在真空條件下，并初始加熱1分30秒。這允許熱板加熱底座晶片，繼而加熱預(yù)成型層合層(5)。然后通過(guò)使真空室與環(huán)境空氣通氣，將所施加的真空完全釋放，并且使預(yù)成型層合層(5)在環(huán)境壓力下另外加熱2分鐘，分別得到共形涂覆的led陣列(5a)至(5e)中的一種，然后將其從真空室中取出?？偺幚頃r(shí)間4.5分鐘，其中抽空時(shí)間1分鐘，總加熱時(shí)間3.5分鐘。確定共形涂覆的led陣列(5a)至(5e)的層合產(chǎn)率。實(shí)例6a至6e(假想例)：重復(fù)實(shí)例5a至5e，不同之處在于使用預(yù)成型層合層(6)代替預(yù)成型層合層(5)，以得到共形涂覆的led陣列(6a)至(6e)。確定共形涂覆的led陣列(6a)至(6e)的層合產(chǎn)率。實(shí)例7a至7e(假想例)：重復(fù)實(shí)例5a至5e，不同之處在于使用物體(2)代替led陣列(1)(物體(1))，以分別提供共形涂覆的玻璃片材(7a)至(7e)。目視檢查片材(7a)至(7e)是否存在殘留的微小氣泡。如果殘留有氣泡，則重復(fù)實(shí)例7a至7e的工序，不同之處在于使用預(yù)成型層合層(7)代替預(yù)成型層合層(5)。作為另外一種選擇，如果殘留有氣泡，則重復(fù)實(shí)例7a至7e的工序，不同之處在于，在開(kāi)始加熱物體物(2)之前完成真空層合機(jī)(1)的抽空，以便得到共形涂覆的二氧化硅玻璃片材(7a)至(7e)的無(wú)氣泡形式。本發(fā)明的某些實(shí)施例據(jù)此受權(quán)利要求書保護(hù)。下述權(quán)利要求以引用的方式并入本文作為編號(hào)的實(shí)施例。當(dāng)前第1頁(yè)12當(dāng)前第1頁(yè)12