本申請案主張2014年9月15日申請的標題為“保護制造中半導(dǎo)體晶片的外圍的方法以及相關(guān)制造中晶片及系統(tǒng)(Methods of Protecting Peripheries of In-Process Semiconductor Wafers and Related In-Process Wafers and Systems)”的第14/485,973號美國專利申請案的申請日期的權(quán)利。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體晶片及保護半導(dǎo)體晶片的方法。更具體來說，所揭示實施例涉及在處理期間保護半導(dǎo)體晶片的外圍的方法且涉及相關(guān)制造中晶片。

背景技術(shù)：

制造中半導(dǎo)體晶片的有效表面及包括定位在所述有效表面上的半導(dǎo)體裸片的堆疊的半導(dǎo)體裝置可至少部分囊封在囊封材料中。舉例來說，囊封材料可經(jīng)施配遍及由載體支撐的薄化半導(dǎo)體晶片的有效表面的一部分，以覆蓋且保護定位在有效表面上的半導(dǎo)體裝置。更具體來說，具有小于晶片的外徑的內(nèi)徑的模具本體可用來圍繞晶片的外圍接觸晶片的主要表面，例如有效表面。呈所謂模制化合物的形式的囊封材料可流動到模具中，遍及有效表面，且遍及并圍繞每一半導(dǎo)體裝置。囊封材料可經(jīng)固化，且模具可經(jīng)移除以免接觸晶片的外圍。模具本體與晶片表面的接觸通過防止模具化合物到達晶片的邊緣而防止污染。

然而，上述方法導(dǎo)致在使晶片與載體解除接合之后暴露晶片邊緣，其易受邊緣碎裂及破裂影響，從而引起處置問題。

附圖說明

雖然本發(fā)明以特別指出且清楚主張的具體實施例的權(quán)利要求書結(jié)束，但在結(jié)合附圖閱讀時可從下文描述更容易地確定本發(fā)明的范圍內(nèi)的實施例的各個特征及優(yōu)點，在附圖中：

圖1是半導(dǎo)體材料的晶片的橫截面視圖；

圖2是囊封模具中的圖1的晶片的橫截面視圖；

圖3是具有囊封材料的圖2的晶片的橫截面視圖；

圖4是在移除囊封材料的一部分之后的圖3的晶片的橫截面視圖；

圖5是在使載體晶片從襯底卸離之后的圖4的晶片的橫截面視圖；及

圖6是囊封模具的另一實施例中的圖1的晶片的橫截面視圖。

具體實施方式

本發(fā)明中呈現(xiàn)的圖解并非意為任何特定半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體材料的晶片、保護晶片的方法中的動作或其組件的實際視圖，而僅意為用來描述說明性實施例的理想化表示。因此，圖式未必按比例繪制。

所揭示實施例大體上涉及保護半導(dǎo)體晶片的外圍的方法以及相關(guān)系統(tǒng)及設(shè)備。更具體來說，揭示保護半導(dǎo)體材料的晶片的外圍的方法的實施例，其可涉及將晶片的有效表面及有效表面上的半導(dǎo)體裝置更完全地囊封在囊封材料中，使得囊封材料保護半導(dǎo)體晶片的外圍。

如上文提及，當用于囊封的模具本體在晶片的外圍處接觸主要表面(例如有效表面)時，外圍可能未囊封在囊封材料中，因為所述外圍被模具覆蓋。晶片的未經(jīng)囊封外圍然后可易受損壞。舉例來說，晶片可較薄(約40μm到約60μm厚度的數(shù)量級)且為脆性半導(dǎo)體材料(通常為硅)。因為晶片在其已從載體襯底卸離之后需要額外處理、裝運及其它處置，所以晶片的外圍可能破裂、碎裂或以其它方式受損。隨著裂痕從外圍徑向向內(nèi)傳播，對外圍的損壞甚至可能影響晶片的其它區(qū)域。因此，晶片的有效表面上的半導(dǎo)體裝置可受損，從而降低良率。

另外，迫使模具抵靠晶片的外圍可將不必要應(yīng)力引入到晶片中。舉例來說，模具可在晶片的外圍處用100kN或更大(例如，200kN或更大)的力抵壓有效表面。晶片內(nèi)的應(yīng)力可超過2MPa、4MPa或甚至9MPa，這可引入裂痕，所述裂痕隨后可能傳播而損壞晶片。

參考圖1，圖中展示半導(dǎo)體材料的晶片100的橫截面視圖。晶片100可為(例如)半導(dǎo)體材料薄片，且可包含晶片100的一側(cè)上的有效表面102及晶片100的另一相對側(cè)上的背側(cè)表面104。在晶片100的外圍處，側(cè)表面106或多個側(cè)表面可在有效表面102與背側(cè)表面104之間延伸且與其交叉。更具體來說，晶片100可為(例如)硅材料的薄、至少基本上圓形盤。晶片100的厚度T_W可(例如)約500微米或更小。更具體來說，晶片100的厚度T_W可(例如)約100微米或更小。作為具體非限制性實例，晶片100的厚度T_W可為約50微米或更小(例如，約40微米)。在其中晶片100是圓形的實施例中，晶片100的外徑OD可(例如)約100mm或更大。更具體來說，晶片100的外徑OD可(例如)約200mm或更大。作為具體非限制性實例，晶片100的外徑OD可為約300mm或更大。

至少一個半導(dǎo)體裝置108可定位在晶片100的有效表面102上。舉例來說，晶片100可包含分布在晶片100的有效表面102上的多個半導(dǎo)體裝置108。至少一個半導(dǎo)體裝置108可包含(例如)嵌入在晶片100的有效表面102內(nèi)的集成電路110。更具體來說，每一半導(dǎo)體裝置108可包含(例如)限定在晶片100的有效表面102上的預(yù)定區(qū)域內(nèi)的集成電路110。道112可界定在有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108之間。至少一個半導(dǎo)體裝置108可包含(例如)定位在有效表面102上的至少一個半導(dǎo)體裸片114。更具體來說，每一半導(dǎo)體裝置108可包含定位在有效表面102上方的半導(dǎo)體裸片114的堆疊。半導(dǎo)體裸片114可彼此電連接且電連接到晶片100的未經(jīng)單一化半導(dǎo)體裸片114的集成電路110，且可以物理方式緊固到晶片100。

晶片100可緊固到載體襯底116以加固晶片100。載體襯底116可為(例如)經(jīng)配置以支撐且保護晶片100的材料(例如，半導(dǎo)體材料或玻璃材料)的剛性片。在一些實施例中，載體襯底116可大于晶片100。舉例來說，載體襯底116的上表面118的表面積可大于晶片100的有效表面102的表面積。更具體來說，在其中載體襯底116及晶片100中的每一者的橫截面是圓形的實施例中，載體襯底116的直徑D可大于晶片100的外徑OD。作為具體非限制性實例，載體襯底116的直徑D可大于晶片100的外徑OD達約1mm與約50mm之間(例如，約5mm)。在其它實施例中，載體襯底116的直徑D可至少基本上等于晶片100的外徑OD。

粘合材料120可定位在晶片100與載體襯底116之間。更具體來說，粘合材料120可接觸晶片100的背側(cè)表面104及載體襯底116的上表面118以將晶片100緊固到載體襯底116。作為具體非限制性實例，粘合材料120可為來自密蘇里州羅拉市的布魯爾科技公司(Brewer Science,Inc.of Rolla,MO)的HT-10.10或220；來自猶他州墨里市(Murray,UT)的3M的LC3200、LC5300或LC5320；來自日本東京的信越化學(xué)公司(Shin-Etsu Chemical Co.of Tokyo,Japan)的三層臨時接合材料；或來自俄勒岡州希爾斯波洛市(Hillsboro,OR)的TOK的A4004或A4007。粘合材料120的厚度T_A可(例如)在約20微米與約200微米之間。更具體來說，粘合材料120的厚度T_A可(例如)在約40微米與約100微米之間。作為具體非限制性實例，粘合材料120的厚度T_A可在約50微米與約80微米之間(例如，約65微米)。

圖2是安置在囊封模具122中的圖1的晶片100的橫截面視圖。更具體來說，晶片100、晶片100的有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108及粘合材料120的至少一部分可定位在模具122中。作為具體非限制性實例，晶片100、半導(dǎo)體裝置108、粘合材料120及載體襯底116的至少一部分(例如，整個載體襯底116)可定位在模具122內(nèi)。

模具122可包含(例如)上模具部件124及下模具部件126。上模具部件124可界定上模具部件124內(nèi)的凹部128(例如，凹面(concavity))，所述凹部128經(jīng)定大小以將晶片100、晶片100的有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108及粘合材料120的至少一部分接納在凹部128內(nèi)。更具體來說，上模具部件124可界定經(jīng)定大小且經(jīng)塑形以接納晶片100、半導(dǎo)體裝置108、粘合材料120的凹部128，且載體襯底116的至少一部分(例如，整個載體襯底116)可定位在模具122中。

由上模具部件124界定的凹部128的內(nèi)徑ID可大于晶片100的外徑OD。舉例來說，凹部128的內(nèi)徑ID可大于晶片100的外徑OD達約0.001％與約10％之間。更具體來說，凹部128的內(nèi)徑ID可(例如)大于晶片100的外徑OD達約0.002％與約5％之間。作為具體非限制性實例，凹部128的內(nèi)徑ID可大于晶片100的外徑OD達約0.003％與約1％之間(例如，約0.05％)。凹部128的內(nèi)徑ID可(例如)大于晶片100的外徑OD達約30mm或更少。更具體來說，凹部128的內(nèi)徑ID可(例如)大于晶片100的外徑OD達約10mm或更少。作為具體非限制性實例，凹部128的內(nèi)徑ID可大于晶片100的外徑OD達約5mm或更少(例如，約1mm)。

由上模具部件124界定的凹部128的內(nèi)徑ID可大于載體襯底116的直徑D。舉例來說，凹部128的內(nèi)徑ID可大于載體襯底116的直徑D達約0.001％與約9％之間。更具體來說，凹部128的內(nèi)徑ID可(例如)大于載體襯底116的直徑D達約0.002％與約4％之間。作為具體非限制性實例，凹部128的內(nèi)徑ID可大于載體襯底116的直徑D達約0.003％與約0.09％之間(例如，約0.09％)。凹部128的內(nèi)徑ID可(例如)大于載體襯底116的直徑D達約10mm或更少。更具體來說，凹部128的內(nèi)徑ID可(例如)大于載體襯底116的直徑D達約5mm或更少。作為具體非限制性實例，凹部128的內(nèi)徑ID可大于載體襯底116的直徑D達約2.5mm或更少(例如，約1mm)。

在將半導(dǎo)體裝置108圍封在凹部128內(nèi)時，上模具部件124可不接觸晶片100，與使用常規(guī)模具本體相比，這可消除對晶片100的應(yīng)力施加。更具體來說，在將半導(dǎo)體裝置108圍封在凹部128內(nèi)時，上模具部件124可不在晶片100的外圍處接觸晶片100的有效表面102。在一些實施例中，上模具部件124可不接觸晶片100、粘合材料120或載體襯底116。舉例來說，上模具部件124可接觸下模具部件126以將晶片100、粘合材料120及載體襯底116圍封在凹部128內(nèi)。更具體來說，載體襯底116可支撐在下模具部件126上，且上模具部件124可接觸且抵壓下模具部件126以將晶片100、粘合材料120及載體襯底116圍封在凹部128內(nèi)。

上模具部件124及下模具部件126中面向凹部128的表面可加襯有釋放材料130。舉例來說，釋放材料130可涂布上模具部件124中界定凹部128的表面及下模具部件126中可支撐載體襯底116的表面。釋放材料130可實現(xiàn)從模具122的更容易后續(xù)釋放。釋放材料130可為(例如)來自賓夕法尼亞州艾克斯頓市(Exton,PA)的AGC的ETFE膜50MW 390NT或ETFE膜50HK 390NT。在一些實施例中，上模具部件124上的釋放材料130可不同于下模具部件126上的釋放材料130。在其它實施例中，上模具部件124上的釋放材料130可與下模具部件126上的釋放材料130相同。

圖3是具有囊封材料132的圖2的晶片100的橫截面視圖。舉例來說，囊封材料132可定位在模具122中遍及晶片100的經(jīng)暴露表面、晶片100的有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108的經(jīng)暴露表面及粘合材料120的經(jīng)暴露表面。更具體來說，呈可流動狀態(tài)的囊封材料132可圍繞晶片100的有效表面102及每一側(cè)表面106、至少部分包圍半導(dǎo)體裝置108、圍繞粘合材料120的每一側(cè)表面134及至少部分沿載體襯底116的每一側(cè)表面136施配到模具122中。作為具體非限制性實例，流體囊封材料132可在真空下流動到模具122的凹部128中以接觸及覆蓋晶片100的有效表面102及每一側(cè)表面106，包圍半導(dǎo)體裝置108的經(jīng)暴露側(cè)表面及(視情況)頂部表面，接觸及覆蓋粘合材料120的每一側(cè)表面134，且接觸及覆蓋載體襯底116的每一側(cè)表面136。隨后可使囊封材料132固化到至少基本上固態(tài)。

接近晶片100的外圍的囊封材料132的寬度W₁可(例如)在晶片100的外徑OD的約0.001％與約10％之間。更具體來說，接近晶片100的外圍的囊封材料132的寬度W₁可(例如)在晶片100的外徑OD的約0.002％與約5％之間。作為具體非限制性實例，接近晶片100的外圍的囊封材料132的寬度W₁可在晶片100的外徑OD的約0.003％與約1％之間(例如，約0.05％)。接近晶片100的外圍的囊封材料132的寬度W₁可(例如)約30mm或更小。更具體來說，接近晶片100的外圍的囊封材料132的寬度W₁可(例如)約10mm或更小。作為具體非限制性實例，接近晶片100的外圍的囊封材料132的寬度W₁可約5mm或更小(例如，約1mm)。

接近載體襯底116的外圍的囊封材料132的寬度W₂可(例如)在載體襯底116的直徑D的約0.001％與約9％之間。更具體來說，接近載體襯底116的外圍的囊封材料132的寬度W₂可(例如)在載體襯底116的直徑D的約0.002％與約4％之間。作為具體非限制性實例，接近載體襯底116的外圍的囊封材料132的寬度W₂可在載體襯底116的直徑D的約0.003％與約0.09％之間(例如，約0.09％)。接近載體襯底116的外圍的囊封材料132的寬度W₂可(例如)約10mm或更小。更具體來說，接近載體襯底116的外圍的囊封材料132的寬度W₂可(例如)約5mm或更小。作為具體非限制性實例，接近載體襯底116的外圍的囊封材料132的寬度W₂可約2.5mm或更小(例如，約1mm)。

圖4是在移除囊封材料132的一部分之后的圖3的晶片100的橫截面視圖。舉例來說，可從囊封模具122內(nèi)移除晶片100、半導(dǎo)體裝置108、粘合材料120、載體襯底116及囊封材料132，且可移除覆蓋粘合材料120的外圍的囊封材料132的一部分，以在外圍處暴露粘合材料120的至少一部分。更具體來說，可移除覆蓋晶片100的外圍及粘合材料120的外圍的囊封材料132的一部分，以在外圍處暴露晶片100的每一側(cè)表面106及粘合材料120的一部分。作為具體非限制性實例，可使用晶片修整裝置(例如，鋸刀)來從囊封材料132的外圍開始且朝向晶片100及粘合材料120徑向向內(nèi)行進來移除覆蓋晶片100的外圍及粘合材料120的外圍的囊封材料132的一部分，以暴露晶片100的每一側(cè)表面106及粘合材料120的側(cè)表面134的一部分。暴露粘合材料120的至少一部分可促進晶片100從載體襯底116的后續(xù)卸離。

囊封材料132的至少一個側(cè)表面138可與晶片100的至少一個對應(yīng)側(cè)表面106至少基本上齊平。舉例來說，囊封材料132的每一側(cè)表面138可與晶片100的對應(yīng)側(cè)表面106至少基本上齊平。更具體來說，由囊封材料132界定的單個環(huán)形側(cè)表面138(其可展現(xiàn)圓形橫截面形狀)可與晶片100的對應(yīng)環(huán)形側(cè)表面106(其可類似地展現(xiàn)圓形橫截面形狀)至少基本上齊平。換句話來說，由囊封材料132界定的側(cè)表面138及由晶片100界定的側(cè)表面106可協(xié)作地界定連續(xù)不間斷側(cè)表面。更具體來說，可能不存在由晶片100的外圍界定的凸緣，所述凸緣可能未橫向突出超過囊封材料132的側(cè)表面138。

在粘合材料120的邊緣的僅一部分暴露時，粘合材料120可暴露到(例如)粘合材料120的厚度T_A的約1％與約80％之間的深度D。更具體來說，粘合材料120可暴露到(例如)粘合材料120的厚度T_A的約25％與約65％之間的深度D。作為具體非限制性實例，粘合材料120可暴露到(例如)粘合材料120的厚度T_A的約40％與約60％之間(例如，約50％)的深度D。粘合材料120可暴露到(例如)如從晶片100的背側(cè)表面104測量的約0.2微米與約160微米之間的深度D。更具體來說，粘合材料120可暴露到(例如)約20微米與約80微米之間的深度D。作為具體非限制性實例，粘合材料120可暴露到(例如)約40微米與約60微米之間(例如，約50微米)的深度D。

在一些實施例中，粘合材料120的一部分可經(jīng)移除以暴露粘合材料120的下層部分。舉例來說，隨著移除裝置徑向向內(nèi)移動且遇到粘合材料120的側(cè)表面134，移除裝置可開始移除外圍處的一些粘合材料120且界定新側(cè)表面134。更具體來說，移除裝置可在粘合材料120的外圍處在粘合材料120中留下凸緣(例如，凹口)。

在一些實施例中，可在暴露粘合材料120時移除晶片100的半導(dǎo)體材料的一部分。舉例來說，隨著移除裝置徑向向內(nèi)移動且遇到晶片100的側(cè)表面106，移除裝置可開始移除晶片100的外圍處的一些半導(dǎo)體材料且界定新側(cè)表面106。更具體來說，隨著移除裝置暴露粘合材料120且使囊封材料132與晶片100的側(cè)表面106至少基本上齊平，移除裝置可減小晶片100的外徑OD。晶片100的外徑OD可減小(例如)達約0.01％與約10％之間。更具體來說，晶片100的外徑OD可減小(例如)達約0.05％與約5％之間。作為具體非限制性實例，晶片100的外徑OD可減小達約0.1％與約2.5％之間(例如，約1％)。晶片100的外徑OD可減小(例如)達約20mm或更少。更具體來說，晶片100的外徑OD可減小(例如)達約10mm或更少。作為具體非限制性實例，晶片100的外徑OD可減小達約5mm或更少之間(例如，約4mm)。

在一些實施例中，囊封材料132可保持在載體襯底116的側(cè)表面136的至少一部分上。舉例來說，囊封材料132可從外圍向內(nèi)移除僅到粘合材料120的厚度T_A內(nèi)的位置，從而使低于所述位置的囊封材料132保留在原位。更具體來說，囊封材料132、晶片100的任何半導(dǎo)體材料及任何粘合材料120可從外圍向內(nèi)移除到粘合材料120的厚度T_A內(nèi)的位置，從而使囊封材料132保留在載體襯底116的上表面118及側(cè)表面136上。在一些實施例中，然后可在晶片100的解除接合之后從載體襯底116移除囊封材料132，且載體襯底116可結(jié)合另一晶片再用。

圖5是在使載體襯底116與晶片100解除接合之后的圖4的晶片100的橫截面視圖。更具體來說，可從粘合材料120及載體襯底116移除晶片100、晶片100的有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108及覆蓋晶片100的有效表面102的囊封材料132。舉例來說，粘合材料120可經(jīng)加熱以減弱其到晶片100的附接。然后可通過使晶片100及載體襯底116中的一者或兩者相對于彼此橫向滑動直到其不再彼此緊固為止而使晶片100及載體襯底116從彼此卸離。

換句話來說，處理半導(dǎo)體晶片的方法可涉及(例如)將下列各項囊封在囊封材料中：半導(dǎo)體材料的晶片的有效表面及每一側(cè)表面；定位在晶片的有效表面上的多個半導(dǎo)體裝置；定位在晶片的背側(cè)表面上的粘合材料的經(jīng)暴露側(cè)表面；及通過粘合材料緊固到晶片的載體襯底的側(cè)表面的至少一部分?？赏ㄟ^移除囊封材料的至少一部分而暴露粘合材料的側(cè)表面的至少一部分?？墒馆d體襯底從晶片卸離。在一些實施例中，晶片、多個半導(dǎo)體裝置、粘合材料及載體襯底的至少一部分可定位在展現(xiàn)大于載體襯底的直徑的內(nèi)徑的模具凹部內(nèi)。

通過此類方法產(chǎn)生的制造中半導(dǎo)體晶片可包含(例如)半導(dǎo)體材料的晶片及定位在晶片的有效表面上的多個半導(dǎo)體裝置。囊封材料可定位在晶片的有效表面上且可至少包圍多個半導(dǎo)體裝置中的每一半導(dǎo)體裝置的側(cè)表面。囊封材料的側(cè)表面可與晶片的側(cè)表面至少基本上齊平。

用于處理半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)可包含(例如)半導(dǎo)體材料的晶片及定位在晶片的有效表面上的多個半導(dǎo)體裝置。模具部件可包含延伸到模具部件中的凹部，所述凹部經(jīng)定大小且經(jīng)塑形以將晶片至少部分接納到凹部中。界定凹部的模具部件的內(nèi)徑可大于晶片的外徑。在一些實施例中，可通過定位在晶片與載體襯底之間的粘合材料而在晶片中與有效表面對立的一側(cè)上將載體襯底緊固到晶片，且界定凹部的模具部件的內(nèi)徑可大于載體襯底的直徑。

圖6是囊封模具140的另一實施例中的圖1的晶片100的橫截面視圖。由上模具部件148界定的凹部146的內(nèi)徑ID可比圖3的上模具部件124的凹部的內(nèi)徑更接近于晶片100的外徑OD，同時仍保持大于晶片100的外徑OD。另外，載體襯底116的直徑D可至少基本上等于晶片100的外徑OD。舉例來說，凹部146的內(nèi)徑ID可大于載體襯底116的直徑D且可大于晶片100的外徑OD達約0.0001％與約1％之間。更具體來說，凹部146的內(nèi)徑ID可(例如)大于晶片100的外徑OD達約0.0002％與約0.5％之間。作為具體非限制性實例，凹部146的內(nèi)徑ID可大于晶片100的外徑OD達約0.0003％與約0.1％之間(例如，約0.005％)。凹部146的內(nèi)徑ID可(例如)大于晶片100的外徑OD達約300微米或更少。更具體來說，凹部146的內(nèi)徑ID可(例如)大于晶片100的外徑OD達約100微米或更少。作為具體非限制性實例，凹部146的內(nèi)徑ID可大于晶片100的外徑OD達約50微米或更少(例如，約10微米)。

囊封材料132可定位在模具140中遍及晶片100的經(jīng)暴露表面及有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108的經(jīng)暴露表面。更具體來說，呈可流動狀態(tài)的囊封材料132可在有效表面102上施配到模具140中以包圍半導(dǎo)體裝置108、晶片100的每一側(cè)表面106、粘合材料120的每一側(cè)表面134，且載體襯底116保持不與囊封材料132接觸。作為具體非限制性實例，囊封材料132可在真空下流動到模具140的凹部146中以接觸及覆蓋晶片100的有效表面102且包圍半導(dǎo)體裝置108的經(jīng)暴露側(cè)表面及(任選地)頂部表面、晶片100的每一側(cè)表面106、粘合材料120的每一側(cè)表面134，且載體襯底116保持不與囊封材料132接觸。隨后可使囊封材料132固化到至少基本上固態(tài)。

囊封材料132可保持與晶片100的至少一個側(cè)表面106至少基本上齊平。舉例來說，囊封材料132的每一側(cè)表面138可與晶片100的對應(yīng)側(cè)表面106至少基本上齊平。更具體來說，由囊封材料132界定的單個環(huán)形側(cè)表面138(其可展現(xiàn)圓形橫截面形狀)可與晶片100的對應(yīng)環(huán)形側(cè)表面106(其可類似地展現(xiàn)圓形橫截面形狀)至少基本上齊平。換句話來說，由囊封材料132界定的側(cè)表面138及由晶片100界定的側(cè)表面106可協(xié)作界定連續(xù)不間斷側(cè)表面。更具體來說，可不存在通過晶片100的外圍界定的凸緣，所述凸緣可能未從囊封材料132的側(cè)表面138突出。通過在將囊封材料132定位在有效表面102上時將囊封材料132限定為保持與晶片100的側(cè)表面106齊平，無需在使晶片100與載體襯底116解除接合之前移除任何囊封材料132。

可從粘合材料120及載體襯底116移除晶片100、晶片100的有效表面102上的半導(dǎo)體裝置108及覆蓋晶片100的有效表面102的囊封材料132。舉例來說，粘合材料120可經(jīng)加熱以減弱其到晶片100的附接。接著，可通過使晶片100及載體襯底116中的一者或兩者相對于彼此橫向滑動直到其不再彼此緊固為止而使晶片100及載體襯底116從彼此卸離。

換句話來說，處理半導(dǎo)體晶片的方法可涉及(例如)將有效表面及定位在晶片的有效表面上的多個半導(dǎo)體裝置囊封在囊封材料中以致使由囊封材料界定的側(cè)表面與晶片的側(cè)表面至少基本上齊平?？赏ㄟ^定位在晶片與載體襯底之間的粘合材料而在晶片的與有效表面對立的一側(cè)上將晶片緊固到載體襯底。隨后可使載體襯底從晶片卸離。在一些實施例中，晶片及多個半導(dǎo)體裝置可定位在展現(xiàn)大于晶片的外徑且小于載體襯底的直徑的內(nèi)徑的模具凹部內(nèi)。

用于處理半導(dǎo)體晶片的系統(tǒng)可包含(例如)半導(dǎo)體材料的晶片及定位在晶片的有效表面上的多個半導(dǎo)體裝置。模具部件可包含延伸到模具部件中的凹部，所述凹部經(jīng)定大小且經(jīng)塑形以將晶片至少部分接納到凹部中。界定凹部的模具部件的內(nèi)徑可大于晶片的外徑。在一些實施例中，可通過定位在晶片與載體襯底之間的粘合材料而在晶片中與有效表面對立的一側(cè)上將載體襯底緊固到晶片，且界定凹部的模具部件的內(nèi)徑可小于載體襯底的直徑。

雖然已結(jié)合圖描述特定說明性實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到且明白，本發(fā)明的范圍不限于本發(fā)明中明確展示及描述的所述實施例。而是，可對本發(fā)明中描述的實施例作出許多添加、刪除及修改以產(chǎn)生在本發(fā)明的范圍內(nèi)的實施例，例如特別主張的實施例，包含合法等效物。另外，如由發(fā)明者所預(yù)期，在仍處于本發(fā)明的范圍內(nèi)的同時，來自一個所揭示實施例的特征可與另一所揭示實施例的特征組合。