技術(shù)總結(jié)
用于通過低溫加壓燒結(jié)生產(chǎn)電子組件的方法，該方法包括以下步驟：將電子部件安排在具有導(dǎo)體軌道的電路載體上，并且通過低溫加壓燒結(jié)接合材料將該電子部件連接到該電路載體上，其中，為了避免該電子部件或該導(dǎo)體軌道的氧化，該低溫加壓燒結(jié)在包含具有0.005％至0.3％的相對氧含量的低氧氣氛的可氣密封閉的燒結(jié)室(10)中進(jìn)行。燒結(jié)操作可以在幾乎無氧的氣氛中進(jìn)行，只要存在含有足夠的氧并且在壓力下釋放其的含氧材料，如特氟隆分隔膜(68)，使得在處理氣氛中的最小氧濃度可以通過施加壓力和溫度在燒結(jié)位置直接實現(xiàn)。在封閉該燒結(jié)室(10)并且建立該低氧氣氛之后，在進(jìn)行該燒結(jié)之前可以經(jīng)過一段時間以允許該室(10)內(nèi)的材料與該低氧氣氛的平衡。如果該電子組件在該低溫加壓燒結(jié)之后被部分氧化，則該電子組件可以用還原劑噴射或蒸發(fā)涂覆。

技術(shù)研發(fā)人員：羅納德·艾西爾;霍爾格·烏爾里奇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：丹佛斯硅動力有限責(zé)任公司
文檔號碼：201580053121
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.21
技術(shù)公布日：2017.05.31