技術(shù)總結(jié)
對光電轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生的電荷在雪崩區(qū)域進行倍增的光電二極管(1)具備：具有界面(S1)與界面(S2)的P?型半導(dǎo)體層(11)；在P?型半導(dǎo)體層(11)的內(nèi)部且與界面(S1)相接的N+型半導(dǎo)體區(qū)域(12)；在P?型半導(dǎo)體層(11)的內(nèi)部且與N+型半導(dǎo)體區(qū)域(12)連接的N+型半導(dǎo)體區(qū)域(13)；以及被配置在N+型半導(dǎo)體區(qū)域(13)與界面(S2)之間的P型半導(dǎo)體區(qū)域(14)，N+型半導(dǎo)體區(qū)域(12)、N+型半導(dǎo)體區(qū)域(13)、以及P型半導(dǎo)體區(qū)域(14)的雜質(zhì)濃度比P?型半導(dǎo)體層(11)的雜質(zhì)濃度高，雪崩區(qū)域是在P?型半導(dǎo)體層(11)的內(nèi)部由N+型半導(dǎo)體區(qū)域(13)與P型半導(dǎo)體區(qū)域(14)夾著的區(qū)域，N+型半導(dǎo)體區(qū)域(12)在平面視中，其面積比N+型半導(dǎo)體區(qū)域(13)小。

技術(shù)研發(fā)人員：坂田祐輔;薄田學(xué);森三佳;廣瀨裕;加藤剛久
受保護的技術(shù)使用者：松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
文檔號碼：201580040471
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.09
技術(shù)公布日：2017.03.22