1.一種光電二極管，將通過光電轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生的電荷在雪崩區(qū)域進行倍增，
該光電二極管具有：
半導(dǎo)體層，具有第一面、以及與所述第一面相對的第二面；
第一半導(dǎo)體區(qū)域，被配置在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部，與所述第一面相接；
第二半導(dǎo)體區(qū)域，被配置在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部，與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域連接；以及
第三半導(dǎo)體區(qū)域，被配置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第二面之間，
所述半導(dǎo)體層以及所述第三半導(dǎo)體區(qū)域是第一導(dǎo)電型，
所述第一半導(dǎo)體區(qū)域以及所述第二半導(dǎo)體區(qū)域是與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型，
所述第一半導(dǎo)體區(qū)域、所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度分別比所述半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高，
所述雪崩區(qū)域是在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部，由所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域夾著的區(qū)域，
在平面視的情況下，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域比所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的面積小。
2.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，
所述光電二極管進一步具有第四半導(dǎo)體區(qū)域，
該第四半導(dǎo)體區(qū)域為所述第二導(dǎo)電型，被配置在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部，與所述第一面相接，并且在平面視的情況下，圍在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的周圍。
3.如權(quán)利要求2所述的光電二極管，
所述光電二極管進一步具有第五半導(dǎo)體區(qū)域，
該第五半導(dǎo)體區(qū)域為所述第一導(dǎo)電型，被配置在所述第四半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間，
所述第五半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述半導(dǎo)體層的所述雜質(zhì)濃度高。
4.如權(quán)利要求3所述的光電二極管，
所述第五半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的區(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述第五半導(dǎo)體區(qū)域的所述雜質(zhì)濃度低。
5.如權(quán)利要求2至4的任一項所述的光電二極管，
所述光電二極管進一步具有第六半導(dǎo)體區(qū)域，
該第六半導(dǎo)體區(qū)域為所述第一導(dǎo)電型，被配置在所述第四半導(dǎo)體區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間，
所述第六半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述半導(dǎo)體層的所述雜質(zhì)濃度高。
6.如權(quán)利要求5所述的光電二極管，
所述第六半導(dǎo)體區(qū)域比所述第二半導(dǎo)體區(qū)域，被配置在離所述第四半導(dǎo)體區(qū)域更近的位置。
7.如權(quán)利要求2至6的任一項所述的光電二極管，
在所述第四半導(dǎo)體區(qū)域與所述半導(dǎo)體層之間，被施加反向偏壓的第一電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的光電二極管，
在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述半導(dǎo)體層之間被施加反向偏壓的第二電壓，
所述第一電壓比所述第二電壓高。
9.如權(quán)利要求1至8的任一項所述的光電二極管，
所述第三半導(dǎo)體區(qū)域被配置在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部，在平面視的情況下具有比所述第二半導(dǎo)體區(qū)域大的面積。
10.如權(quán)利要求1至9的任一項所述的光電二極管，
所述第三半導(dǎo)體區(qū)域通過生長結(jié)晶法，而被形成為連續(xù)于所述半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求1至10的任一項所述的光電二極管，
所述第二半導(dǎo)體區(qū)域通過生長結(jié)晶法，而被形成為連續(xù)于所述半導(dǎo)體層。
12.如權(quán)利要求1至11的任一項所述的光電二極管，
光從所述第一面以及所述第二面之中的所述第二面一側(cè)照射。
13.如權(quán)利要求1至12的任一項所述的光電二極管，
所述第三半導(dǎo)體區(qū)域被配置在所述半導(dǎo)體層的內(nèi)部，且不在所述第二面露出，
所述光電二極管進一步具備第七半導(dǎo)體區(qū)域，該第七半導(dǎo)體區(qū)域為所述第一導(dǎo)電型，被配置在所述第二面上，
所述第七半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述半導(dǎo)體層的所述雜質(zhì)濃度高。
14.如權(quán)利要求1至13的任一項所述的光電二極管，
所述光電二極管進一步具有：
與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域電連接的電阻；以及
信號線，經(jīng)由所述電阻與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域連接。
15.一種光電二極管陣列，具備多個像素，該多個像素的每一個具有權(quán)利要求1至14的任一項所述的光電二極管。
16.如權(quán)利要求15所述的光電二極管陣列，
所述第三半導(dǎo)體區(qū)域被配置成由多個所述像素共享。
17.一種光電二極管陣列，具備多個像素，該多個像素的每一個具有權(quán)利要求2至8的任一項所述的光電二極管，
所述第四半導(dǎo)體區(qū)域被配置成由多個所述像素共享。
18.如權(quán)利要求15至17的任一項所述的光電二極管陣列，
通過進行所述第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的離子注入，從而所述第二半導(dǎo)體區(qū)域按每個所述像素而分離。
19.一種固體攝像元件，具備：
權(quán)利要求1至14的任一項所述的光電二極管、或者權(quán)利要求15至18的任一項所述的光電二極管陣列；
電荷蓄積部，與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域電連接，對在所述雪崩區(qū)域被倍增的所述電荷進行蓄積；以及
檢測電路，對被蓄積在所述電荷蓄積部的所述電荷進行檢測。