1.一種陶瓷電路基板，其特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金屬電路板，在另一面接合有金屬散熱板，所述金屬電路板的結(jié)晶粒徑為20μm以上且70μm以下。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板，其中，陶瓷基板由氮化鋁形成。
3.一種陶瓷電路基板的制造方法，其特征在于，
是權(quán)利要求1或2所述的陶瓷電路基板的制造方法，
分別在陶瓷基板的一面配置金屬電路板、在另一面配置金屬散熱板，以真空度為1×10-3Pa以下、接合溫度為780℃以上且850℃以下、保持時(shí)間為10分鐘以上且60分鐘以下，將所述金屬電路板及所述金屬散熱板接合于陶瓷基板。