1.一種用于將半導(dǎo)體裝置組裝于目的地襯底的接收表面上的方法，所述方法包括：
提供形成于原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置；
使所述半導(dǎo)體裝置的頂部表面與具有接觸表面的服貼式轉(zhuǎn)貼裝置接觸，其中所述接觸表面與所述半導(dǎo)體裝置的所述頂部表面之間的接觸至少暫時(shí)地將所述半導(dǎo)體裝置結(jié)合到所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置；
使所述半導(dǎo)體裝置與所述原生襯底分離，使得所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面在所述半導(dǎo)體裝置從所述原生襯底釋放的情況下使所述半導(dǎo)體裝置安置于其上；
在使所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸之前，將所述半導(dǎo)體裝置的背側(cè)表面在與所述原生襯底分離之后暴露于等離子體(例如，大氣等離子體)；
使安置于所述接觸表面上的所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸；以及
使所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面與所述半導(dǎo)體裝置分離，借此將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使所述背側(cè)表面暴露于等離子體改進(jìn)所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收襯底之間的結(jié)合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中使所述背側(cè)表面暴露于等離子體清潔所述半導(dǎo)體裝置的所述背側(cè)表面。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中使所述背側(cè)表面暴露于等離子體從所述半導(dǎo)體裝置的所述背側(cè)表面移除薄氧化物層。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底是選自由聚合物、塑料、樹脂、聚酰亞胺、PEN、PET、金屬、金屬箔、玻璃、半導(dǎo)體及藍(lán)寶石組成的群組的部件。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底具有對(duì)于可見光的大于或等于50％、80％、90％或95％的透明度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述原生襯底包括選自由無機(jī)半導(dǎo)體材料、單晶硅晶片、絕緣體上硅晶片、多晶硅晶片、GaAs晶片、Si(111)、InAlP、InP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP組成的群組的部件。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述等離子體包括還原氣體。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括控制工作循環(huán)、滯留時(shí)間、所述等離子體的功率及所述等離子體到所述半導(dǎo)體裝置的距離中的至少一者，以防止所述半導(dǎo)體裝置從所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面的剪切及剝層。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置的所述背側(cè)表面包括金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述金屬是銅、錫、鋁及其混合物中的至少一者。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述目的地襯底的所述接收表面至少部分地包括金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述金屬是銅、錫、鋁及其混合物中的至少一者。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中服貼式轉(zhuǎn)貼裝置包括粘彈性壓印器及彈性壓印器中的至少一者。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括：在使安置于所述接觸表面上的所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸之前，使所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置與所述原生襯底分離，借此從所述原生襯底拾取所述半導(dǎo)體裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中使用不小于5g(例如5到100g)的初始加速度來執(zhí)行使所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置與所述原生襯底分離。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中使所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置與所述原生襯底的所述分離包括下列中的一或兩者：
(i)移動(dòng)所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置遠(yuǎn)離所述原生襯底；以及
(ii)移動(dòng)所述原生襯底遠(yuǎn)離所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置包括圓柱形支柱、三角形支柱、矩形支柱、五邊形支柱、六邊形支柱、七邊形支柱及八邊形支柱中的至少一者。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置包括具有多個(gè)支柱的轉(zhuǎn)貼裝置層，所述支柱中的每一者經(jīng)成形以接觸來自所述原生襯底的個(gè)別半導(dǎo)體裝置，借此將半導(dǎo)體裝置陣列組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置包括定位于所述多個(gè)支柱的兩個(gè)相鄰支柱之間的一或多個(gè)抗下垂支柱。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述抗下垂支柱的高度小于所述支柱中的一或多者的高度。
22.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱之間的所述轉(zhuǎn)貼裝置的表面是粗糙化表面。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)貼裝置的塊體容積包括第一材料且所述多個(gè)支柱包括第二材料，其中所述多個(gè)支柱安置于所述塊體容積上。
24.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括：在使安置于所述接觸表面上的所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸之后，通過加熱元件加熱聚合物層。
25.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括：
在提供形成于原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置之后，蝕刻形成于所述半導(dǎo)體裝置與所述原生襯底之間的釋放層的至少一部分。
26.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置包括單式無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
27.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底包括Si。
28.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置包括囊封聚合物層。
29.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置包括具有相同于所述多個(gè)支柱的高度的一或多個(gè)抗下垂支柱，每一抗下垂支柱定位于所述多個(gè)支柱的至少兩個(gè)支柱之間。
30.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上，使得所述半導(dǎo)體裝置的金屬背側(cè)表面至少部分地接觸所述目的地襯底上的助焊劑層。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其包括：在將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上之后，熱處理所述助焊劑層，借此使所述金屬背側(cè)表面固定到所述金屬墊。
32.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置具有安置于所述半導(dǎo)體裝置的頂部表面上的聚合物層。
33.一種用于將半導(dǎo)體裝置組裝于目的地襯底的接收表面上的方法，所述方法包括：
將安置于所述半導(dǎo)體裝置的頂部表面上的聚合物層提供給形成于原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置；
使所述半導(dǎo)體裝置的所述聚合物層與具有接觸表面的服貼式轉(zhuǎn)貼裝置接觸，其中所述接觸表面與所述半導(dǎo)體裝置之間的接觸使所述半導(dǎo)體裝置至少暫時(shí)地結(jié)合到所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置；
使所述半導(dǎo)體裝置與所述原生襯底分離，使得所述半導(dǎo)體裝置安置于所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面上且從所述原生襯底釋放；
使安置于所述接觸表面上的所述半導(dǎo)體裝置接觸到所述目的地襯底的所述接收表面；
通過加熱元件加熱所述聚合物層；以及
使所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面與所述半導(dǎo)體裝置分離，使得將所述半導(dǎo)體裝置轉(zhuǎn)貼到所述接收表面上，借此將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述加熱元件是熱板。
35.根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的方法，其中所述加熱元件安置于所述目的地襯底的與所述半導(dǎo)體裝置相對(duì)的側(cè)上。
36.根據(jù)權(quán)利要求33到35中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底對(duì)所述半導(dǎo)體裝置來說是非原生的。
37.根據(jù)權(quán)利要求33到36中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括：在加熱所述聚合物層之后，至少部分地移除所述聚合物。
38.根據(jù)權(quán)利要求33到37中任一權(quán)利要求所述的方法，其中來自所述加熱元件的熱減小所述聚合物層的粘度且致使所述聚合物層流動(dòng)。
39.根據(jù)權(quán)利要求33到38中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述聚合物層安置于所述半導(dǎo)體裝置的所述頂部表面上及所述半導(dǎo)體裝置的一或多側(cè)上。
40.根據(jù)權(quán)利要求33到39中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述聚合物層將所述可印刷半導(dǎo)體的至少一部分囊封于所述原生襯底上。
41.根據(jù)權(quán)利要求33到40中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底的所述接收表面包括非平面形貌表面。
42.根據(jù)權(quán)利要求33到41中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底是選自由聚合物、塑料、樹脂、聚酰亞胺、PEN、PET、金屬、金屬箔、玻璃、半導(dǎo)體及藍(lán)寶石組成的群組的部件。
43.根據(jù)權(quán)利要求33到42中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底具有對(duì)于可見光的大于或等于50％、80％、90％或95％的透明度。
44.根據(jù)權(quán)利要求33到43中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述原生襯底包括選自由無機(jī)半導(dǎo)體材料、單晶硅晶片、絕緣體上硅晶片、多晶硅晶片、GaAs晶片、Si(111)、InAlP、InP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP組成的群組的部件。
45.根據(jù)權(quán)利要求33到44中任一權(quán)利要求所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上，使得所述半導(dǎo)體裝置的金屬背側(cè)表面至少部分地接觸所述目的地襯底上的助焊劑層。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其包括：在將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上之后，熱處理所述助焊劑層，借此使所述金屬背側(cè)表面固定到所述金屬墊。
47.根據(jù)權(quán)利要求33到46中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括：在使所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸之前，將與所述半導(dǎo)體裝置的所述頂部表面相對(duì)的所述半導(dǎo)體裝置的背側(cè)表面在與所述原生襯底分離之后暴露于等離子體。
48.一種用于將半導(dǎo)體裝置組裝于目的地襯底的接收表面上的方法，所述方法包括：
提供形成于原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括金屬背側(cè)表面；
使所述半導(dǎo)體裝置的頂部表面與具有接觸表面的服貼式轉(zhuǎn)貼裝置接觸，其中所述接觸表面與所述半導(dǎo)體裝置之間的接觸使所述半導(dǎo)體裝置至少暫時(shí)地結(jié)合到所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置；
使所述半導(dǎo)體裝置與所述原生襯底分離，使得所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面在所述半導(dǎo)體裝置從所述原生襯底釋放的情況下使所述半導(dǎo)體裝置安置于其上；
使安置于所述接觸表面上的所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸，其中所述接收表面包括安置于所述目的地襯底上的金屬墊上的助焊劑層；
使所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置的所述接觸表面與所述半導(dǎo)體裝置分離，借此將所述半導(dǎo)體裝置組裝于所述目的地襯底的所述接收表面上，使得所述半導(dǎo)體裝置的所述金屬背側(cè)表面至少部分地接觸所述助焊劑層；及
使所述助焊劑層暴露于熱，借此使所述金屬背側(cè)表面固定到所述金屬墊。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中熱處理所述助焊劑層包括使所述助焊劑層暴露于熱。
50.根據(jù)權(quán)利要求48或49所述的方法，其中使用加熱元件而使所述助焊劑層暴露于熱。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中所述加熱元件是熱板。
52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中所述加熱元件安置于所述目的地襯底的與所述可印刷半導(dǎo)體裝置相對(duì)的側(cè)上。
53.根據(jù)權(quán)利要求48到52中任一權(quán)利要求所述的方法，其中提供形成于所述原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置包括：將安置于所述半導(dǎo)體裝置的頂部表面上的聚合物層提供給形成于所述原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置。
54.根據(jù)權(quán)利要求48到53中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底是選自由聚合物、塑料、樹脂、聚酰亞胺、PEN、PET、金屬、金屬箔、玻璃、半導(dǎo)體及藍(lán)寶石組成的群組的部件。
55.根據(jù)權(quán)利要求48到54中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底具有對(duì)于可見光的大于或等于50％、80％、90％或95％的透明度。
56.根據(jù)權(quán)利要求48到55中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述原生襯底包括選自由無機(jī)半導(dǎo)體材料、單晶硅晶片、絕緣體上硅晶片、多晶硅晶片、GaAs晶片、Si(111)、InAlP、InP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP組成的群組的部件。
57.根據(jù)權(quán)利要求48到56中任一權(quán)利要求所述的方法，其中提供形成于所述原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置包括：
在所述原生襯底上形成所述半導(dǎo)體裝置；以及
使用聚合物層來至少部分地囊封所述可印刷半導(dǎo)體。
58.根據(jù)權(quán)利要求48到57中任一權(quán)利要求所述的方法，其中使用聚合物層來囊封形成于所述原生襯底上的所述半導(dǎo)體裝置。
59.根據(jù)權(quán)利要求48到58中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述目的地襯底的所述接收表面包括一或多個(gè)非平面形貌特征。
60.根據(jù)權(quán)利要求48到59中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述一或多個(gè)非平面形貌特征包括選自由臺(tái)面、v形通道及溝槽組成的群組的至少一個(gè)部件。
61.根據(jù)權(quán)利要求48到60中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置具有安置于所述半導(dǎo)體裝置的頂部表面上的聚合物層。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其包括：在使安置于所述接觸表面上的所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸之后，通過加熱元件加熱所述聚合物層。
63.根據(jù)權(quán)利要求48到62中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括：在與所述原生襯底分離之后且在使所述半導(dǎo)體裝置與所述目的地襯底的所述接收表面接觸之前，將與所述半導(dǎo)體裝置的所述頂部表面相對(duì)的所述半導(dǎo)體裝置的背側(cè)表面暴露于等離子體。
64.一種具有經(jīng)減小凸起的服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)，其中塊體區(qū)域包括使所述側(cè)連接到所述第一表面的錐形表面；及
多個(gè)印刷支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上用于拾取可印刷材料，其中所述多個(gè)印刷支柱及所述塊體容積經(jīng)布置使得將施加到所述塊體容積的所述第二表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)印刷支柱。
65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
66.根據(jù)權(quán)利要求64或65所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱中的每一支柱包括在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在相同平面上。
67.根據(jù)權(quán)利要求64到66中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中多個(gè)印刷支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
68.根據(jù)權(quán)利要求64到67中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
69.根據(jù)權(quán)利要求64到68中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱的所述厚度與所述塊體容積的所述厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
70.根據(jù)權(quán)利要求64到69中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
71.根據(jù)權(quán)利要求64到70中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
72.根據(jù)權(quán)利要求64到71中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱具有第一楊氏模量，且所述基底具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
73.根據(jù)權(quán)利要求64到72中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
74.根據(jù)權(quán)利要求64到73中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱占據(jù)選自10cm2到260cm2(例如，從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
75.根據(jù)權(quán)利要求64到74中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱中的每一印刷支柱具有從50納米到10微米(例如，50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
76.根據(jù)權(quán)利要求64到75中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱形成于連續(xù)單式層中。
77.根據(jù)權(quán)利要求64到76中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱包括聚合物。
78.根據(jù)權(quán)利要求64到77中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積是聚二甲基硅氧烷PDMS。
79.根據(jù)權(quán)利要求64到78中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積及所述多個(gè)印刷支柱由單一材料形成。
80.根據(jù)權(quán)利要求64到79中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
81.根據(jù)權(quán)利要求64到80中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
82.根據(jù)權(quán)利要求81所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
83.根據(jù)權(quán)利要求81所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
84.根據(jù)權(quán)利要求81所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
85.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，其包括彈性體(例如，PDMS)板(例如，塊體容積)，所述彈性體板具有臺(tái)面配置，所述臺(tái)面配置具備多個(gè)(例如，陣列的)支柱安置于其上的表面，其中下列中的一或多者成立[(i)、(ii)及/或(iii)中的任何者]：
(i)所述臺(tái)面的邊緣具有斜面及/或圓化邊緣以便減小所述表面的變形且允許所述多個(gè)支柱的準(zhǔn)確間距；
(ii)所述多個(gè)支柱布置于所述表面上，遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)至少1mm(例如，遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到20mm)；以及
(iii)所述臺(tái)面具有不大于10mm(例如從1到5mm)的厚度。
86.根據(jù)權(quán)利要求85所述的裝置，其中所述臺(tái)面的所述邊緣具有與水平面(平行于所述表面)形成不大于75°(例如，不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
87.根據(jù)權(quán)利要求85或86所述的裝置，其中所述臺(tái)面的所述邊緣具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
88.根據(jù)權(quán)利要求85到87中任一權(quán)利要求所述的裝置，其包括所述彈性體板安置于其上的襯底(例如，玻璃)。
89.根據(jù)權(quán)利要求85到88中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
90.根據(jù)權(quán)利要求85到89中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱中的每一支柱在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上包括接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
91.根據(jù)權(quán)利要求85到90中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
92.根據(jù)權(quán)利要求85到91中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述臺(tái)面的所述厚度是從.5mm到5mm(例如，從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
93.根據(jù)權(quán)利要求85到92中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱的所述厚度與所述臺(tái)面的所述厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
94.根據(jù)權(quán)利要求85到93中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述臺(tái)面具有從1GPa到10GPa(例如從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
95.根據(jù)權(quán)利要求85到94中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到10MPa(例如從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
96.根據(jù)權(quán)利要求85到95中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有第一楊氏模量且所述臺(tái)面具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
97.根據(jù)權(quán)利要求85到96中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到5MPa的楊氏模量。
98.根據(jù)權(quán)利要求85到97中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述臺(tái)面包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
99.根據(jù)權(quán)利要求85到98中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
100.根據(jù)權(quán)利要求85到99中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱中的每一支柱具有從50納米到10微米(例如，50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
101.根據(jù)權(quán)利要求85到100中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱形成于連續(xù)單式層中。
102.根據(jù)權(quán)利要求85到101中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱包括聚合物。
103.根據(jù)權(quán)利要求85到102中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述臺(tái)面是聚二甲基硅氧烷PDMS。
104.根據(jù)權(quán)利要求85到103中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述臺(tái)面及所述支柱由單一材料形成。
105.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
臺(tái)面，其安置于所述塊體容積上；
層，其包括與所述塊體容積相對(duì)地安置于所述臺(tái)面上的用于拾取可印刷材料的多個(gè)支柱(例如，支柱陣列)，其中所述多個(gè)支柱、所述臺(tái)面及所述塊體容積經(jīng)布置使得將施加到所述塊體容積的所述第二表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)支柱。
106.根據(jù)權(quán)利要求105所述的裝置，其中所述臺(tái)面的厚度大于所述支柱的厚度。
107.根據(jù)權(quán)利要求105或106所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
108.根據(jù)權(quán)利要求105到107中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱的每一支柱包括在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的所述端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
109.根據(jù)權(quán)利要求105到108中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度是從1微米到100微米(例如從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
110.根據(jù)權(quán)利要求105到109中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如，從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
111.根據(jù)權(quán)利要求105到110中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
112.根據(jù)權(quán)利要求105到111中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
113.根據(jù)權(quán)利要求105到112中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
114.根據(jù)權(quán)利要求105到113中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有第一楊氏模量且所述塊體容積具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
115.根據(jù)權(quán)利要求114所述的裝置，其中所述臺(tái)面具有所述第一楊氏模量。
116.根據(jù)權(quán)利要求114所述的裝置，其中所述臺(tái)面具有所述第二楊氏模量。
117.根據(jù)權(quán)利要求105到116中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
118.根據(jù)權(quán)利要求105到117中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
119.根據(jù)權(quán)利要求105到118中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱具有從50納米到10微米(例如，從50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
120.根據(jù)權(quán)利要求105到119中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱形成于連續(xù)單式層中。
121.根據(jù)權(quán)利要求105到120中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱包括聚合物。
122.根據(jù)權(quán)利要求105到121中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積是聚二甲基硅氧烷PDMS。
123.根據(jù)權(quán)利要求105到123中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積及所述支柱由單一材料形成。
124.根據(jù)權(quán)利要求105到123中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
125.根據(jù)權(quán)利要求105到124中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
126.根據(jù)權(quán)利要求125所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
127.根據(jù)權(quán)利要求125所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
128.根據(jù)權(quán)利要求125所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
129.一種修改服貼式轉(zhuǎn)貼裝置以減小凸起的方法，所述方法包括：
提供轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及所述第一表面與所述第二表面之間的一或多側(cè)；
多個(gè)印刷支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上以用于拾取可印刷材料，其中所述多個(gè)印刷支柱及所述塊體容積經(jīng)布置使得將施加到所述塊體容積的所述第二表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)印刷支柱；以及
以相對(duì)于所述第一表面的非零角度剪切塊體襯底的所述第一表面的邊緣，借此減小所述邊緣處的凸起。
130.根據(jù)權(quán)利要求129所述的方法，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如從2:1到4:1)。
131.根據(jù)權(quán)利要求129或130所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱中的每一支柱包括所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
132.根據(jù)權(quán)利要求129到131中任一權(quán)利要求所述的方法，其中多個(gè)印刷支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
133.根據(jù)權(quán)利要求129到132中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如從0.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
134.根據(jù)權(quán)利要求129到133中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
135.根據(jù)權(quán)利要求129到134中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
136.根據(jù)權(quán)利要求129到135中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
137.根據(jù)權(quán)利要求129到136中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱具有第一楊氏模量且所述塊體容積具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
138.根據(jù)權(quán)利要求129到137中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
139.根據(jù)權(quán)利要求129到138中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
140.根據(jù)權(quán)利要求129到139中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱中的每一印刷支柱具有從50納米到10微米(例如，從50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
141.根據(jù)權(quán)利要求129到140中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱形成于連續(xù)單式層中。
142.根據(jù)權(quán)利要求129到141中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)印刷支柱包括聚合物。
143.根據(jù)權(quán)利要求129到142中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述塊體容積是聚二甲基硅氧烷PDMS。
144.根據(jù)權(quán)利要求129到143中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述塊體容積及所述多個(gè)印刷支柱由單一材料形成。
145.根據(jù)權(quán)利要求129到144中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
146.根據(jù)權(quán)利要求129到145中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
147.根據(jù)權(quán)利要求146所述的方法，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
148.根據(jù)權(quán)利要求146所述的方法，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
149.根據(jù)權(quán)利要求148所述的方法，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
150.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；及
多個(gè)支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上以用于拾取可印刷材料，其中每一支柱包括基底區(qū)段及頂部區(qū)段，其中所述頂部區(qū)段具有小于所述基底區(qū)段的橫截面積的橫截面積(例如小于所述基底區(qū)段的所述橫截面積的50％、30％、25％、10％)。
151.根據(jù)權(quán)利要求150所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一者包括在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
152.根據(jù)權(quán)利要求150或151所述的裝置，其中支柱的厚度范圍從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
153.根據(jù)權(quán)利要求150到152中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5到5mm(例如，從.5mm到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
154.根據(jù)權(quán)利要求150到153中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
155.根據(jù)權(quán)利要求150到154中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
156.根據(jù)權(quán)利要求150到155中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
157.根據(jù)權(quán)利要求150到156中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有第一楊氏模量且基底具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
158.根據(jù)權(quán)利要求150到157中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
159.根據(jù)權(quán)利要求150到158中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如，從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
160.根據(jù)權(quán)利要求150到159中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱具有從50納米到10微米(例如，50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
161.根據(jù)權(quán)利要求150到160中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱形成于連續(xù)單式層中。
162.根據(jù)權(quán)利要求150到161中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱包括聚合物。
163.根據(jù)權(quán)利要求150到162中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積是聚二甲基硅氧烷PDMS。
164.根據(jù)權(quán)利要求150到163中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積及所述支柱由單一材料形成。
165.根據(jù)權(quán)利要求150到164中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
166.根據(jù)權(quán)利要求150到165中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
167.根據(jù)權(quán)利要求165所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
168.根據(jù)權(quán)利要求165所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
169.根據(jù)權(quán)利要求165所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
170.根據(jù)權(quán)利要求150到169中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
171.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
多個(gè)印刷支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上以用于拾取可印刷材料；
多個(gè)抗下垂支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上以用于防止所述塊體容積的所述第一表面下垂且防止在通過所述多個(gè)印刷支柱拾取可印刷材料時(shí)非故意地拾取可印刷材料，其中所述多個(gè)印刷支柱及所述塊體容積經(jīng)布置使得將施加到所述塊體容積的所述第二表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)印刷支柱。
172.根據(jù)權(quán)利要求171所述的裝置，其中所述多個(gè)印刷支柱及所述多個(gè)抗下垂支柱安置于定位于所述多個(gè)印刷支柱與所述多個(gè)抗下垂支柱之間的連接層上。
173.根據(jù)權(quán)利要求172所述的裝置，其中所述連接層包括薄金屬層。
174.根據(jù)權(quán)利要求171到173中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一者包括在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
175.根據(jù)權(quán)利要求171到174中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
176.根據(jù)權(quán)利要求171到175中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如，從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
177.根據(jù)權(quán)利要求171到176中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
178.根據(jù)權(quán)利要求171到177中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
179.根據(jù)權(quán)利要求171到178中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
180.根據(jù)權(quán)利要求171到179中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱具有第一楊氏模量且所述塊體容積具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
181.根據(jù)權(quán)利要求171到180中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
182.根據(jù)權(quán)利要求171到181中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如，從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
183.根據(jù)權(quán)利要求171到182中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱中的每一者具有從50納米到10微米(例如，50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
184.根據(jù)權(quán)利要求171到183中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱形成于連續(xù)單式層中。
185.根據(jù)權(quán)利要求171到184中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述印刷支柱包括聚合物。
186.根據(jù)權(quán)利要求171到185中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積是聚二甲基硅氧烷PDMS。
187.根據(jù)權(quán)利要求171到186中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積及所述印刷支柱由單一材料形成。
188.根據(jù)權(quán)利要求171到187中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述抗下垂支柱穿插于所述印刷支柱之間。
189.根據(jù)權(quán)利要求171到188中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)抗下垂支柱具有大于所述印刷支柱的模量。
190.根據(jù)權(quán)利要求171到189中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
191.根據(jù)權(quán)利要求171到190中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如，遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
192.根據(jù)權(quán)利要求171到191中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
193.根據(jù)權(quán)利要求192所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
194.根據(jù)權(quán)利要求192所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
195.根據(jù)權(quán)利要求192所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如，不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
196.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；及
多個(gè)支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上以用于拾取可印刷材料，其中所述多個(gè)支柱及所述塊體容積經(jīng)布置使得將施加到所述塊體容積的所述第二表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)支柱，其中未由所述多個(gè)支柱占據(jù)的所述第一表面的區(qū)域的部分包括粗糙化區(qū)域(例如，借此抗下垂)。
197.根據(jù)權(quán)利要求196所述的裝置，其中所述粗糙化區(qū)域包括多個(gè)特征，每一特征具有小于每一支柱的寬度的寬度及小于每一支柱的高度的高度。
198.根據(jù)權(quán)利要求196或197所述的裝置，其中所述粗糙化區(qū)域定位于所述支柱之間的所述第一表面上。
199.根據(jù)權(quán)利要求196到198中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述粗糙化區(qū)域包括圖案化特征陣列。
200.根據(jù)權(quán)利要求196到199中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述粗糙化區(qū)域包括隨機(jī)特征陣列。
201.根據(jù)權(quán)利要求196到200中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一者包括在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
202.根據(jù)權(quán)利要求196到201中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
203.根據(jù)權(quán)利要求196到202中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如，從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
204.根據(jù)權(quán)利要求196到203中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
205.根據(jù)權(quán)利要求196到204中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
206.根據(jù)權(quán)利要求196到205中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
207.根據(jù)權(quán)利要求196到206中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有第一楊氏模量且所述塊體容積具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
208.根據(jù)權(quán)利要求196到207中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
209.根據(jù)權(quán)利要求196到208中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
210.根據(jù)權(quán)利要求196到209中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱中的每一者具有從50納米到10微米的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
211.根據(jù)權(quán)利要求196到210中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱形成于連續(xù)單式層中。
212.根據(jù)權(quán)利要求196到211中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱包括聚合物。
213.根據(jù)權(quán)利要求196到212中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積是PDMS。
214.根據(jù)權(quán)利要求196到213中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積及所述支柱由單一材料形成。
215.根據(jù)權(quán)利要求196到214中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置是粘彈性壓印器。
216.根據(jù)權(quán)利要求196到215中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述服貼式轉(zhuǎn)貼裝置是彈性壓印器。
217.根據(jù)權(quán)利要求216所述的裝置，其中所述彈性壓印器由聚二甲基硅氧烷PDMS制成。
218.根據(jù)權(quán)利要求196到217中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
219.根據(jù)權(quán)利要求196到218中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如，遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
220.根據(jù)權(quán)利要求196到219中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
221.根據(jù)權(quán)利要求220所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
222.根據(jù)權(quán)利要求220所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
223.根據(jù)權(quán)利要求220所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如，不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
224.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
基底，其包括第一材料；
子基底，其包括第二材料且安置于所述基底上(例如，其中所述子基底具有小于所述基底的橫截面積)；
塊體容積，其包括不同于所述基底及所述子基底的材料且至少部分地安置于所述子基底上(例如，且也至少部分在所述基底處)，其中安置于所述子基底上的所述塊體容積的部分的厚度小于所述子基底的厚度；及
多個(gè)支柱，其與所述子基底相對(duì)且在所述子基底上方安置于所述塊體容積上以用于拾取可印刷材料，其中所述多個(gè)支柱、所述基底、所述子基底及所述塊體容積經(jīng)布置使得將施加到所述基底的與所述子基底相對(duì)的表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)支柱。
225.根據(jù)權(quán)利要求224所述的裝置，其中所述第一材料包括玻璃。
226.根據(jù)權(quán)利要求224或225所述的裝置，其中所述第一材料及所述第二材料是相同的。
227.根據(jù)權(quán)利要求224到226中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積及所述多個(gè)支柱由單一材料形成。
228.根據(jù)權(quán)利要求224到227中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括聚合物。
229.根據(jù)權(quán)利要求224到228中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第一材料是透明的。
230.根據(jù)權(quán)利要求224到229中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第二材料是透明的。
231.根據(jù)權(quán)利要求224到230中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一者包括在所述支柱的與所述塊體容積相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
232.根據(jù)權(quán)利要求224到231中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
233.根據(jù)權(quán)利要求224到232中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
234.根據(jù)權(quán)利要求224到233中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
235.根據(jù)權(quán)利要求224到234中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如，從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
236.根據(jù)權(quán)利要求224到235中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
237.根據(jù)權(quán)利要求1到236中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有第一楊氏模量，且所述基底具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
238.根據(jù)權(quán)利要求224到237中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
239.根據(jù)權(quán)利要求224到238中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如，從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
240.根據(jù)權(quán)利要求224到239中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱具有從50納米到10微米(例如，50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
241.根據(jù)權(quán)利要求224到240中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱形成于連續(xù)單式層中。
242.根據(jù)權(quán)利要求224到241中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱包括聚合物。
243.根據(jù)權(quán)利要求224到242中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積是聚二甲基硅氧烷PDMS。
244.根據(jù)權(quán)利要求224到243中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有大于所述支柱的模量。
245.根據(jù)權(quán)利要求224到244中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如，從2:1到4:1)。
246.根據(jù)權(quán)利要求224到245中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如，遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
247.根據(jù)權(quán)利要求224到246中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
248.根據(jù)權(quán)利要求247所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
249.根據(jù)權(quán)利要求247所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
250.根據(jù)權(quán)利要求247所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如，不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。
251.一種服貼式轉(zhuǎn)貼裝置，所述轉(zhuǎn)貼裝置包括：
塊體容積，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面，其中所述塊體容積具有第一組合物；及
多個(gè)支柱，其安置于所述塊體容積的所述第一表面上以用于拾取可印刷材料，其中所述多個(gè)支柱及所述塊體容積經(jīng)布置使得將通過所述基底而施加到所述基底的所述第二表面的力傳輸?shù)剿龆鄠€(gè)支柱，其中每一支柱的至少部分(例如，每一支柱的全部或每一支柱的頂部部分)具有不同于所述第一組合物的第二組合物。
252.根據(jù)權(quán)利要求251所述的裝置，其中每一支柱的至少部分具有所述第二組合物。
253.根據(jù)權(quán)利要求251或252所述的裝置，其中最接近所述塊體容積的每一支柱的底部部分具有所述第二組合物。
254.根據(jù)權(quán)利要求251到253中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第一組合物包括聚合物。
255.根據(jù)權(quán)利要求251到254中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第二組合物包括聚合物。
256.根據(jù)權(quán)利要求251到255中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第一組合物包括硬化劑。
257.根據(jù)權(quán)利要求251到256中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述第二組合物包括硬化劑。
258.根據(jù)權(quán)利要求251到257中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述基底是玻璃。
259.根據(jù)權(quán)利要求251到258中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱包括在所述支柱的與所述第一表面相對(duì)的端上的接觸表面，其中所述多個(gè)支柱的所述接觸表面大體上在同一平面上。
260.根據(jù)權(quán)利要求251到259中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度是從1微米到100微米(例如，從1到5微米、5到10微米、10到15微米、50到25微米、25到40微米、40到60微米、60到80微米或80到100微米)。
261.根據(jù)權(quán)利要求251到260中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積的厚度是從.5mm到5mm(例如，從.5到1mm、1到2mm、2到3mm、3到4mm或4到5mm)。
262.根據(jù)權(quán)利要求251到261中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的厚度與所述塊體容積的厚度的比率是從1:1到1:10(例如，從1:1到1:2、1:2到1:4、1:4到1:6、1:6到1:8或1:8到1:10)。
263.根據(jù)權(quán)利要求251到262中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有從1GPa到10GPa(例如從1到4GPa、4到7GPa、7到10GPa)的楊氏模量。
264.根據(jù)權(quán)利要求251到263中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有從1MPa到10MPa(例如，從1到4MPa、4到7MPa、7到10MPa)的楊氏模量。
265.根據(jù)權(quán)利要求251到264中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱具有第一楊氏模量，且所述基底具有大于所述第一楊氏模量的第二楊氏模量。
266.根據(jù)權(quán)利要求251到265中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積包括具有小于或等于14.5ppm的熱膨脹系數(shù)的聚合物。
267.根據(jù)權(quán)利要求251到266中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱占據(jù)選自從10cm2到260cm2(例如從10cm2到40cm2、40cm2到80cm2、120cm2到160cm2、160cm2到200cm2、200cm2到240cm2或240cm2到260cm2)的面積。
268.根據(jù)權(quán)利要求251到267中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱具有從50納米到10微米(例如，50nm到100nm、100nm到200nm、200nm到400nm、400nm到600nm、600nm到800nm、800nm到1微米、1微米到5微米或5微米到10微米)的寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者。
269.根據(jù)權(quán)利要求251到268中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱形成于連續(xù)單式層中。
270.根據(jù)權(quán)利要求251到269中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述多個(gè)支柱中的每一支柱的縱橫比(高度相對(duì)寬度)小于或等于4:1(例如從2:1到4:1)。
271.根據(jù)權(quán)利要求251到270中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述支柱的至少一部分布置于所述第一表面上，遠(yuǎn)離所述第一表面的邊緣達(dá)從1mm到15mm(例如，遠(yuǎn)離所述邊緣達(dá)從1mm到5mm或5mm到10mm、10mm到15mm)。
272.根據(jù)權(quán)利要求251到271中任一權(quán)利要求所述的裝置，其中所述塊體容積具有所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)表面。
273.根據(jù)權(quán)利要求272所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有斜面及/或圓化邊緣。
274.根據(jù)權(quán)利要求272所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有圓化輪廓(例如，凸面或凹面)。
275.根據(jù)權(quán)利要求272所述的裝置，其中所述側(cè)表面具有與水平面(平行于所述第一表面)形成不大于75°(例如，不大于60°、不大于45°、不大于30°或不大于15°)的角度的斜面邊緣。