技術總結
能夠抑制向包含氧的氣氛中照射了真空紫外光(VUV光)時的臭氧產生量。光照射裝置(100)在包含氧的氣氛中，經由形成有規(guī)定的圖案的掩模(M)將包含VUV光的光照射到形成在工件(W)上的自組裝單分子膜(SAM膜)，由此對上述SAM膜進行圖案化處理。照射到SAM膜的包含VUV光的光為脈沖光，且發(fā)光的占空比為0.00001以上且0.01以下。

技術研發(fā)人員：大和田樹志;鈴木信二
受保護的技術使用者：優(yōu)志旺電機株式會社
文檔號碼：201580038998
技術研發(fā)日：2015.07.09
技術公布日：2017.03.22