1.一種保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具有：
粘合片，該粘合片是粘合劑層疊層于基材的一面?zhèn)榷纬傻?；以?/p>
疊層于所述粘合片的所述粘合劑層側(cè)的保護(hù)膜形成膜，
其中，
在對所述基材施加0.1g/mm的載荷并在130℃下加熱2小時(shí)再冷卻至23℃的情況下，所述基材在所述加熱后相對于所述加熱前在MD方向及CD方向的伸縮率均為95～103％，
所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸彈性模量均為100～700MPa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述基材為聚丙烯膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述基材的厚度為50～200μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片具備夾具用粘合劑層，該夾具用粘合劑層疊層于所述保護(hù)膜形成膜的與所述粘合片側(cè)相反側(cè)的邊緣部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具備剝離片，該剝離片疊層于所述保護(hù)膜形成膜上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形成膜是在半導(dǎo)體晶片上或者在切割半導(dǎo)體晶片而得到的半導(dǎo)體芯片上形成保護(hù)膜的層。