本發(fā)明涉及發(fā)光裝置，特別是涉及一種具有提高的強(qiáng)度的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管作為發(fā)出因電子和空穴的復(fù)合而發(fā)生的光的無機(jī)半導(dǎo)體元件，最近使用在顯示器、汽車燈、普通照明等多個領(lǐng)域。發(fā)光二極管壽命長、耗電低、響應(yīng)速度快，諸如包含發(fā)光二極管的發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光裝置有望替代以往的光源。

包含發(fā)光二極管的發(fā)光裝置根據(jù)用途而可以制造成多樣的形態(tài)，其結(jié)構(gòu)考慮發(fā)光效率及耐久性等而決定。圖1(a)及圖1(b)圖示了以往包含發(fā)光二極管的發(fā)光裝置的一個示例。

如果參照圖1(a)及圖1(b)，發(fā)光裝置包括：主體部20，其包括基底21和反射器23以及被反射器23環(huán)繞的空腔25；第1引線11及第2引線13，其被主體部20固定，其一部分在主體部20的空腔25及主體部20的下面露出；及發(fā)光二極管30，其配置于引線11、13中至少一個的上面，電氣連接于引線11、13。所述發(fā)光裝置的第1引線11及第2引線13相互隔開地配置，兩引線11、13隔開的空間(C-C'線周邊區(qū)域)被填充有基底21。

一般而言，為了提高所述發(fā)光裝置的發(fā)光效率，較大地形成空腔25在全體基底21面積中所占的面積。即，如圖1(a)所示，應(yīng)用以下結(jié)構(gòu)，即，較薄地形成反射器23的側(cè)面方向厚度，使空腔25的面積更大，從而提高發(fā)光裝置的發(fā)光效率。另外，考慮到連接導(dǎo)線31的結(jié)構(gòu)性特征及散熱效率，一般而言，如圖所示，也較大地形成引線11、13所占的面積。

在具有如上所述結(jié)構(gòu)的以往發(fā)光裝置中，如果外部的沖擊或壓力施加于所述發(fā)光裝置，則發(fā)生第1引線11與第2引線13之間的隔開空間(C-C'線周邊區(qū)域)的基底21被破損的問題。特別是當(dāng)?shù)?引線11與第2引線13之間區(qū)域的基底21破損時，導(dǎo)線31發(fā)生斷線的可能性大，發(fā)光裝置發(fā)生不良的可能性很高?？墒牵?dāng)考慮到發(fā)光效率和散熱效率時，在減小空腔25面積或增加引線11、13的隔開寬度方面存在界限。因此，要求一種能夠在把發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度保持在同等水平的同時制造可靠性高的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的課題是提供一種對抗外部沖擊或壓力的強(qiáng)度高的發(fā)光裝置。

本發(fā)明要解決的另一課題是提供一種在具有提高的強(qiáng)度的同時，能夠保持與以往發(fā)光裝置同等水平的發(fā)光強(qiáng)度的發(fā)光裝置。

技術(shù)方案

本發(fā)明一種樣態(tài)的發(fā)光裝置包括：相互隔開配置的第1引線及第2引線；主體部，其包括基底、反射器及空腔，所述基底至少部分地包圍所述第1及第2引線的側(cè)面，填充所述第1及第2引線的隔開區(qū)域，所述反射器位于所述基底上，所述空腔被所述反射器環(huán)繞，且上部形成開口；及配置于所述空腔內(nèi)的發(fā)光二極管，所述第1引線包括下部第1引線及位于所述下部第1引線上的上部第1引線，所述第2引線包括下部第2引線及位于所述下部第2引線上的上部第2引線，所述上部第1引線和所述上部第2引線的隔開區(qū)域的形態(tài)不同于所述下部第1引線和所述下部第2引線的隔開區(qū)域的形態(tài)，所述上部第1引線和所述上部第2引線的隔開區(qū)域具有至少一次以上的彎曲的形態(tài)。

根據(jù)所述發(fā)光裝置，位于引線的隔開區(qū)域的基底部的強(qiáng)度增加，使得發(fā)光裝置的可靠性提高。

進(jìn)而，所述上部第1引線可以包括在與所述上部第2引線相向的側(cè)面形成的第1凸出部及第1凹陷部，所述上部第2引線包括在與所述上部第1引線相向的側(cè)面形成的第2凸出部及第2凹陷部。

另外，所述第1凸出部的位置可以對應(yīng)于形成所述第2凹陷部的部分，所述第2凸出部的位置可以對應(yīng)于形成所述第1凹陷部的部分。

所述第1凸出部可以形成得對應(yīng)嚙合于所述第2凹陷部，所述第2凸出部可以形成得對應(yīng)嚙合于所述第1凹陷部。

在其它實(shí)施例中，所述第1凸出部及所述第1凹陷部可以分別位于所述上部第1引線和所述上部第2引線相向的側(cè)面的兩末端，所述第2凸出部及所述第2凹陷部可以分別位于所述上部第2引線和所述上部第1引線相向的側(cè)面的兩末端。

另外，所述第1凸出部和所述第1凹陷部之間的相向側(cè)面可以具有直線形態(tài)。

所述第1凸出部和所述第2凹陷部的隔開區(qū)域及所述第2凸出部和所述第1凹陷部的隔開區(qū)域可以位于所述反射器下方。

在一些實(shí)施例中，所述下部第1引線和所述下部第2引線可以分別包括在所述下部第1引線和所述下部第2引線相向的側(cè)面的棱上形成的第1倒角部及第2倒角部。

進(jìn)而，所述下部第1引線或所述下部第2引線可以不位于所述第1凸出部的下方區(qū)域和所述第2凸出部的下方區(qū)域。

在其它實(shí)施例中，所述下部第1引線及下部第2引線中至少一個可以包括在所述下部第1引線和所述下部第2引線相向的側(cè)面的棱上形成的倒角部。

所述發(fā)光裝置的一側(cè)面的寬度(W2)與所述倒角部的倒角程度(R)的比率R/W2可以為超過0.052且在0.25以下。

所述下部第1引線及下部第2引線可以分別位于所述上部第1引線及上部第2引線的區(qū)域內(nèi)。

所述發(fā)光裝置的一側(cè)面的寬度(W2)和與平行于所述一側(cè)面的剖面對應(yīng)的所述空腔的寬度(W1)的比率W1/W2可以為0.8以上且不足0.92。

所述發(fā)光裝置可以還包括配置于所述空腔內(nèi)的發(fā)光二極管。

本發(fā)明另一種樣態(tài)的引線包括相互隔開配置的第1引線及第2引線，所述第1引線包括下部第1引線及位于所述下部第1引線上的上部第1引線，所述第2引線包括下部第2引線及位于所述下部第2引線上的上部第2引線，所述上部第1引線和所述上部第2引線的隔開區(qū)域的形態(tài)不同于所述下部第1引線和所述下部第2引線的隔開區(qū)域的形態(tài)，所述上部第1引線和所述上部第2引線的隔開區(qū)域具有至少一次以上的彎曲的形態(tài)。

所述上部第1引線可以包括在與所述上部第2引線相向的側(cè)面形成的第1凸出部及第1凹陷部，所述上部第2引線可以包括在與所述上部第1引線相向的側(cè)面形成的第2凸出部及第2凹陷部。

所述第1凸出部的位置可以對應(yīng)于形成所述第2凹陷部的部分，所述第2凸出部的位置可以對應(yīng)于形成所述第1凹陷部的部分。

所述第1凸出部可以形成得對應(yīng)嚙合于所述第2凹陷部，所述第2凸出部可以形成得對應(yīng)嚙合于所述第1凹陷部。

所述第1凸出部及所述第1凹陷部可以分別位于所述上部第1引線和所述上部第2引線相向的側(cè)面的兩末端，所述第2凸出部及所述第2凹陷部可以分別位于所述上部第2引線和所述上部第1引線相向的側(cè)面的兩末端。

另外，所述第1凸出部與所述第1凹陷部之間的相向側(cè)面可以具有直線形態(tài)。

所述下部第1引線和所述下部第2引線可以分別包括在所述下部第1引線和所述下部第2引線相向的側(cè)面的棱上形成的第1倒角部及第2倒角部。

所述下部第1引線或所述下部第2引線可以不位于所述第1凸出部的下方區(qū)域和所述第2凸出部的下方區(qū)域。

所述下部第1引線及下部第2引線中至少一個可以包括在所述下部第1引線和所述下部第2引線相向的側(cè)面的棱上形成的倒角部。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，引線在相向的側(cè)面形成有凸出部和凹陷部和/或倒角部，可以提供引線之間區(qū)域的強(qiáng)度增加的發(fā)光裝置。根據(jù)此，本發(fā)明的發(fā)光裝置的可靠性可以提高。

另外，可以提供在使反射器的水平方向厚度更厚的同時能夠保持發(fā)光強(qiáng)度的發(fā)光裝置，因而可以提供具有相同發(fā)光強(qiáng)度并具有提高的強(qiáng)度的發(fā)光裝置。

附圖說明

圖1(a)及圖1(b)是用于說明以往的發(fā)光裝置的俯視圖及剖面圖。

圖2至圖4是用于說明本發(fā)明一個實(shí)施例的發(fā)光裝置的俯視圖、仰視圖及剖面圖。

圖5(a)及圖5(b)是用于說明本發(fā)明一個實(shí)施例的引線的形狀的仰視圖及仰視立體圖。

圖6至圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置的強(qiáng)度改善效果的實(shí)驗(yàn)例的俯視圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。以下介紹的實(shí)施例是為了能夠向本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員充分傳遞本發(fā)明的思想而作為示例提供的。因此，本發(fā)明不限定于以下說明的實(shí)施例，也可以以其它形態(tài)而具體化。而且，就附圖而言，為了便利，可以夸張表現(xiàn)構(gòu)成要素的寬度、長度、厚度等。另外，當(dāng)記載一個構(gòu)成要素在另一構(gòu)成要素的“上部”或“上面”時，不僅是各部分直接在另一部分的“上部”或“上面”的情形，還包括在各構(gòu)成要素與另一構(gòu)成要素之間有其它構(gòu)成要素的情形。在通篇說明書中，相同的參照符號代表相同的構(gòu)成要素。

多個實(shí)施例

圖2至圖4是用于說明本發(fā)明一個實(shí)施例的發(fā)光裝置的俯視圖、仰視圖及剖面圖。另外，圖5(a)及圖5(b)是用于說明本發(fā)明一個實(shí)施例的引線的形狀的仰視圖及仰視立體圖。

如果參照圖2至圖4，所述發(fā)光裝置包括第1引線100和第2引線200、主體部300及發(fā)光二極管30。另外，所述發(fā)光裝置可以還包括導(dǎo)線31及成型部40。

第1引線100和第2引線200可以相互隔開地配置，可以配置于所述發(fā)光裝置的下部，形成發(fā)光裝置下部區(qū)域的一部分。特別是第1引線100和第2引線200的隔開空間可以被填充有基底310，基底310的下面和第1及第2引線100、200的下面可以配置于同一平面，使發(fā)光裝置的下面平坦。

第1引線100可以包括上部第1引線110及下部第1引線120，第2引線200可以包括上部第2引線210及下部第2引線220。上部及下部第1引線110、120可以一體形成，上部及下部第2引線210、220也可以一體形成。第1引線100及第2引線200可以包括導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性高的物質(zhì)，例如，可以包括金屬或金屬合金。

另外，上部第1引線110和上部第2引線210間的隔開區(qū)域的形態(tài)，不同于下部第1引線120和下部第2引線220間的隔開區(qū)域的形態(tài)。進(jìn)而，上部第1引線110和上部第2引線210間的隔開區(qū)域如圖所示，具有至少一次以上的彎曲的形態(tài)。

下面在圖2至圖4基礎(chǔ)上，參照圖5(a)及圖5(b)，對本發(fā)明一個實(shí)施例的第1及第2引線100、200進(jìn)行更詳細(xì)說明。

首先，第1引線100包括上部第1引線110及下部第1引線120。上部第1引線110位于下部第1引線120上，上部第1引線110的面積大于下部第1引線120，下部第1引線120可以位于上部第1引線110所占的區(qū)域內(nèi)。因此，如果從上方觀察第1引線100，則在上面只露出上部第1引線110。另外，借助于上部及下部第1引線110、120的面積差異，如圖4所示，在第1引線100的側(cè)面可以形成有端部130。這種端部130被填充有基底310，從而第1引線100和主體部300可以更堅(jiān)固地得到固定。

第2引線200也包括上部第2引線210及下部第2引線220。上部第2引線210位于下部第2引線220上，上部第2引線210的面積大于下部第2引線220，下部第2引線220可以位于上部第2引線210所占的區(qū)域內(nèi)。因此，如果從上方觀察第2引線200，則在上面只露出上部第2引線210。另外，借助于上部及下部第2引線210、220的面積差異，如圖4所示，在第2引線200的側(cè)面，可以形成有端部230。這種端部230被填充有基底310，從而第2引線200和主體部300可以更堅(jiān)固地得到固定。

上部第1引線110位于與上部第2引線210相向的側(cè)面，可以包括向上部第2引線210的方向凸出的第1凸出部111及向朝向上部第2引線210的方向的相反方向凹入的第1凹陷部113。與此對應(yīng)地，上部第2引線210也可以包括位于與上部第1引線110相向的側(cè)面的第2凸出部211及第2凹陷部213。

在第1凸出部111形成的區(qū)域，可以配置有與其對應(yīng)形成的第2凹陷部213，在第2凸出部211形成的區(qū)域，可以配置有與其對應(yīng)形成的第1凹陷部113。即，如圖2、圖5(a)及圖5(b)所示，第1凸出部111和第2凹陷部213在相互對應(yīng)的區(qū)域形成，相互嚙合地配置，第2凸出部211和第1凹陷部113可以在相互對應(yīng)的區(qū)域形成，相互嚙合地配置。

第1凸出部111和第1凹陷部113可以分別位于第1引線100和第2引線200相向的側(cè)面的兩末端。另外，第2凸出部211和第2凹陷部213可以分別位于第2引線200和第1引線100相向的側(cè)面的兩末端。根據(jù)此，在所述相向的側(cè)面中，第1凸出部111和第1凹陷部113之間區(qū)域的側(cè)面，可以與第2引線200的第2凸出部211和第2凹陷部213之間區(qū)域的側(cè)面相互構(gòu)成直線且并排配置。不過，本發(fā)明并非限定于此，第1引線100和第2引線200隔開區(qū)域的形狀可以多樣地形成。即，根據(jù)本發(fā)明，上部第1引線110和上部第2引線210間的隔開區(qū)域可以為并非直線的形狀。

本發(fā)明的發(fā)光裝置具有包括凹陷部和凸出部的多個引線，可以包括多個引線，其呈以所述凹陷部和凸出部相互嚙合的方式對應(yīng)形成的形狀。因此，即使在第1引線100和第2引線200之間區(qū)域的末端發(fā)生裂紋，由于在引線之間的區(qū)域存在被折的部分，能夠切斷裂紋的傳播(propagation)。即，借助于以相互嚙合在引線的相向側(cè)面末端的方式形成的多個凹陷部和多個凸出部，能夠有效防止裂紋的發(fā)生及傳播。因此，可以提高發(fā)光裝置的強(qiáng)度，使發(fā)光裝置的可靠性變得優(yōu)秀。特別是能夠在引線的相向的側(cè)面形成凹陷部和凸出部，從而提高發(fā)光裝置的強(qiáng)度，因而即使不增加引線間的隔開距離或不對發(fā)光裝置的其它構(gòu)成進(jìn)行變形，也能夠提高發(fā)光裝置的強(qiáng)度。

另一方面，上部第1引線110及上部第2引線120可以包括細(xì)微凸出部140、240，所述細(xì)微凸出部140、240部分地位于相互相向的側(cè)面之外的其它多個側(cè)面。細(xì)微凸出部140、240之間的空間可以被填充有基底310。在上部第1及上部第2引線110、120還形成有細(xì)微凸出部140、240，從而能夠有效防止引線100、200從基底310脫離或隔開。

其次，下部第1引線120及下部第2引線220分別位于上部第1引線110及上部第2引線210下方。

下部第1引線120可以包括位于與下部第2引線220相向的側(cè)面的第1倒角部121。另外，下部第2引線220也可以包括位于與下部第1引線120相向的側(cè)面的第2倒角部221。

如圖所示，第1倒角部121和第2倒角部221可以分別形成在下部第1引線120和下部第2引線220相互相向的側(cè)面的兩末端棱部分。因此，下部第1引線120和下部第2引線220間的隔開距離可以從相向側(cè)面中心部分越向棱部分越增大。

另外，借助于第1倒角部121和第2倒角部221，以去除了下部第1引線120和下部第2引線220的棱部分的形態(tài)形成，因此，下部引線120、220可以不位于第1凸出部111及第2凸出部211下方。因此，填充引線100、120隔開區(qū)域兩末端的部分的基底310的強(qiáng)度可以被進(jìn)一步提高。

第1倒角部121及第2倒角部221的倒角程度可以根據(jù)需要而多樣地調(diào)節(jié)，可以考慮發(fā)光裝置的強(qiáng)度和引線的散熱效率等而決定。如圖3所示，在本說明書中，把從未倒角的相向側(cè)面至形成在因倒角而被折的部分的頂點(diǎn)部分的距離定義為倒角程度(R)。此時，倒角程度(R)可以根據(jù)發(fā)光裝置的大小而多樣地調(diào)節(jié)。例如，當(dāng)把平行于代表倒角程度(R)的線段的發(fā)光裝置一側(cè)面的寬度定義為W2時，倒角程度R與W2之間比率R/W2可以為超過0.052且在0.25以下。例如，在發(fā)光裝置的一側(cè)面寬度W2為5mm的發(fā)光裝置的情況下，倒角程度(R)可以為超過0.26mm且在1.25mm以下。

這種倒角程度(R)可以均適用于下部第1引線120及下部第2引線220。另外，如圖所示，在相向的側(cè)面的所有棱上可以形成具有相同倒角程度(R)的多個倒角部，但不同于此，也可以形成具有互不相同倒角程度(R)的多個倒角部。

在引線的隔開區(qū)域發(fā)生破損的機(jī)制之一是在引線隔開區(qū)域的兩末端發(fā)生裂紋，而發(fā)生的裂紋沿著引線之間區(qū)域得到傳播。但是，根據(jù)本實(shí)施例，通過在多個下部引線相向的側(cè)面形成多個倒角部，從而可以有效防止在引線隔開區(qū)域的兩末端的基底310發(fā)生裂紋。因此，發(fā)光裝置的強(qiáng)度可以提高。

如果再參照圖2至圖5(b)，第1引線100及第2引線200中至少一個可以包括上下貫通其的至少一個以上的貫通孔115、215。貫通孔115、215中可以被填充有基底310，根據(jù)此，基底310和引線100、200可以更堅(jiān)固地得到固定。

另一方面，貫通孔115、215的側(cè)面既可以具有傾斜，也可以具有端部。此時，貫通孔115、215的上部開口的面積和下部開口的面積可以互不相同。

如果再參照圖2至圖4，主體部300可以包括基底310、反射器320及空腔330。

基底310至少部分地包圍第1及第2引線100、200的側(cè)面，特別是填充第1引線100和第2引線200的隔開空間。第1引線100和第2引線200的上面及下面可以露出，根據(jù)此，基底310的上面和引線100、200的上面可以大致在同一平面上以相同高度形成，基底310的下面和引線100、200的下面可以大致在同一平面上以相同的高度形成。不過，本發(fā)明并非限定于此。另一方面，在基底210的側(cè)面，細(xì)微凸出部140、240也可以被露出。基底310可以與引線100、200一同發(fā)揮與發(fā)光裝置基板相同的功能。

基底310可以包括陶瓷或高分子物質(zhì)，例如，可以包括硅、聚酰胺或環(huán)氧等。進(jìn)而，基底310還可以包括諸如TiO2的填充劑。

反射器320可以沿著由基底310及引線100、200構(gòu)成的發(fā)光裝置的下部區(qū)域的外廓邊緣配置，因此，空腔300可以形成在被反射器320環(huán)繞的區(qū)域。在空腔300的下面，第1及第2引線100、200的一部分及基底310的一部分可以被露出。

反射器320可以發(fā)揮把從發(fā)光二極管30釋放的光反射到上部的作用，為了使反射功能更有效，內(nèi)部側(cè)面可以傾斜。

反射器320的水平方向厚度可以考慮發(fā)光裝置的強(qiáng)度及發(fā)光裝置的光度而根據(jù)需要多樣地形成。當(dāng)加厚反射器320的水平方向厚度時，雖然可以提高發(fā)光裝置的強(qiáng)度，但由于使所述厚度變厚，從而越使空腔300的面積減小，有可能越會使發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度減小。

為了在提高發(fā)光裝置強(qiáng)度的同時保持發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度，反射器320的水平方向厚度可以按如下決定。如果參照圖4，在貫通發(fā)光裝置中央，并沿著平行于發(fā)光裝置一側(cè)面的線段而切斷的剖面中，把整體寬度定義為W2，把空腔330上部的寬度定義為W1。此時，W1/W2可以為0.8以上且不足0.92。例如，在W1為5mm的發(fā)光裝置的情況下，空腔330的寬度W2可以為4.0mm以上且不足4.6mm。這種情況下，可以在提高發(fā)光裝置的強(qiáng)度的同時保持發(fā)光強(qiáng)度，可以提高發(fā)光裝置的可靠性。

另一方面，反射器320可以覆蓋第1引線100及第2引線200的凸出部111、211及凹陷部113、213。根據(jù)此，在空腔330的下面，上部第1引線110和上部第2引線210的隔開區(qū)域中，只有具有直線形態(tài)的部分可以被露出。根據(jù)此，可以更有效地防止在第1引線100和第2引線200的隔開區(qū)域的兩末端發(fā)生裂紋。不過，本發(fā)明并非限定于此。

反射器320可以包括陶瓷或高分子物質(zhì)，例如，可以包括硅、聚酰胺或環(huán)氧等。進(jìn)而，反射器320可以還包括諸如TiO2的填充劑。

反射器320和基底310可以一體形成。另外，不同于此，也可以以相互獨(dú)立的構(gòu)成形成。當(dāng)反射器320和基底310以一體形成時，可以經(jīng)過1次的成型工序等而同時形成。

發(fā)光二極管30可以位于第1引線100和第2引線200中至少一個的引線上。發(fā)光二極管30可以為通常技術(shù)人員周知的多樣的發(fā)光二極管。發(fā)光二極管30可以為水平型、垂直型或倒裝芯片型等發(fā)光二極管，可以根據(jù)其形態(tài)而決定電氣連接形態(tài)。例如，如圖所示，發(fā)光二極管30可以為垂直型發(fā)光二極管，發(fā)光二極管30配置于第2引線200上，通過其下面而與第2引線200電氣連接，通過導(dǎo)線31而與第1引線100電氣連接。

另外，在本實(shí)施例中，圖示了發(fā)光裝置包括一個發(fā)光二極管30，但本發(fā)明不限定于此，也可以包括多個發(fā)光二極管30。

對于與發(fā)光二極管30相關(guān)的公知技術(shù)內(nèi)容，下面省略詳細(xì)說明。

進(jìn)而，所述發(fā)光裝置可以還包括成型部40，其填充空腔300，密封發(fā)光二極管30。成型部40可以具有透光性，例如，可以包括硅或高分子物質(zhì)。

多個實(shí)驗(yàn)例

圖6至圖8是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置的強(qiáng)度改善效果的實(shí)驗(yàn)例的俯視圖。本實(shí)驗(yàn)例用于說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的強(qiáng)度改善效果及防止發(fā)光強(qiáng)度下降。本實(shí)驗(yàn)例中利用的發(fā)光裝置具有5×5mm²的大小。另外，各發(fā)光裝置包括的發(fā)光二極管應(yīng)用(株)首爾半導(dǎo)體公司的具有650×1300μm²大小的發(fā)光二極管。

(第1實(shí)驗(yàn)例)

第1實(shí)驗(yàn)例顯示出根據(jù)反射器的水平方向的厚度的發(fā)光強(qiáng)度的影響。如果參照圖6，在樣本1至3中，W2為5mm，W1分別為4.6mm、4.2mm及4.0mm。下表1顯示出發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光裝置的光束(luminous flux)及代表發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光裝置的光束間比率的k-factor。此時，k-factor如下。

【表1】

根據(jù)所述實(shí)驗(yàn)例可知，即使使反射器的水平方向厚度增加，空腔的寬度從4.6mm減小為4.0mm，k-factor也顯示出幾乎同等的水平。即，可知即使把空腔的寬度相對于發(fā)光裝置一側(cè)面減小至0.8水平，使發(fā)光裝置的強(qiáng)度增加，發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度也大致保持既定。

(第2實(shí)驗(yàn)例)

第2實(shí)驗(yàn)例顯示了根據(jù)第1引線和第2引線上是否存在凸出部及凹陷部的發(fā)光裝置強(qiáng)度測試結(jié)果。強(qiáng)度測試結(jié)果利用自動荷重測量裝置(push-pull gauge system)導(dǎo)出。施加荷重的部分如圖7所示，為A點(diǎn)及B點(diǎn)。下表2圖示了根據(jù)空腔的寬度和凸出部及凹陷部的存在與否的強(qiáng)度測試結(jié)果。

【表2】

根據(jù)第2實(shí)驗(yàn)例可知，當(dāng)引線上存在凸出部及凹陷部時，在引線的隔開區(qū)域的中央部分或外廓部分，強(qiáng)度均增加。另外可知，在同時包括使反射器水平方向厚度增加的構(gòu)成、凸出部及凹陷部構(gòu)成的發(fā)光裝置的情況下，其強(qiáng)度增加率最高。

(第3實(shí)驗(yàn)例)

第3實(shí)驗(yàn)例顯示了根據(jù)第1引線和第2引線的倒角部的倒角程度的發(fā)光裝置強(qiáng)度測試結(jié)果。強(qiáng)度測試結(jié)果利用自動荷重測量裝置(push-pull gauge system)導(dǎo)出。施加荷重的部分如圖8所示，為A點(diǎn)及B點(diǎn)。下表3及表4圖示了根據(jù)空腔的寬度和倒角部的倒角程度的強(qiáng)度測試結(jié)果。

【表3】

【表4】

根據(jù)第3實(shí)驗(yàn)例可知，當(dāng)引線包括倒角部時，引線的隔開區(qū)域的中央部分或外廓部分，其強(qiáng)度均增加。

本發(fā)明并非限定于以上詳細(xì)說明的多樣實(shí)施例及實(shí)驗(yàn)例，在不超出本發(fā)明的專利權(quán)利要求書的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行多樣的變形和變更。