在許多照明應(yīng)用中，期望將LED與反射表面組合，以便產(chǎn)生高效率的光源。雖然具有安裝的LED的典型電路板可涂覆有反射材料，諸如白色墨水、環(huán)氧樹脂或油漆，但是這些表面通常僅具有在70％至90％范圍內(nèi)的反射率值。此外，這些類型的表面通常是漫反射的，并且在一些照明系統(tǒng)中散射光可實(shí)際上降低效率。鏡面反射表面(諸如金屬)可幫助在互補(bǔ)方向上引導(dǎo)反射光，并由此提高效率。然而，將反射金屬涂層施加至電路板的表面可能是有問題的，因?yàn)榻饘倏墒闺娐钒鍖?dǎo)體短路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開描述了用于在非導(dǎo)電多層反射器基板上產(chǎn)生電路的材料和方法，所述非導(dǎo)電多層反射器基板可承受低溫焊膏的回流溫度，而不在反射基板中產(chǎn)生變形。材料和方法包括使用基于有機(jī)硅聚乙二酰胺聚合物或共聚物的新型反光鏡膜，其可在這些溫度下保持反射率而不損害反射或其它膜特性。在一個(gè)方面，本公開提供了柔性電路，該柔性電路包括：具有第一聚合物材料和第二聚合物材料的交替層的可見光反射膜，每種聚合物材料具有不同的折射率，并且其中第一聚合物材料和第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包括聚二有機(jī)硅氧烷聚乙二酰胺嵌段共聚物；以及設(shè)置在可見光反射膜上的電路圖案中的導(dǎo)電金屬。

在另一方面，本公開提供了方法，該方法包括：將導(dǎo)電金屬沉積在膜的主表面上，所述膜具有第一聚合物材料和第二聚合物材料的交替層，每種聚合物材料具有不同的折射率，并且其中第一聚合物材料和第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包括聚二有機(jī)硅氧烷聚乙二酰胺嵌段共聚物；以及將導(dǎo)電金屬圖案化以形成電路。

上述發(fā)明內(nèi)容并非旨在描述本公開的每個(gè)公開實(shí)施方案或每種實(shí)施方式。以下附圖和具體實(shí)施方式更具體地舉例說明例示性實(shí)施方案。

附圖說明

在整個(gè)說明書中均參考附圖，其中類似的附圖標(biāo)號(hào)表示類似的元件，并且其中：

圖1A示出了反射基板上的柔性電路的透視圖；以及

圖1B示出了通過圖1A的截面A-A’的橫截面示意圖。

附圖未必按比例繪制。附圖中使用的類似的標(biāo)號(hào)是指類似的部件。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在給定附圖中使用指代部件的標(biāo)號(hào)并非旨在限制另一附圖中用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)記的部件。

具體實(shí)施方式

本公開描述了用于在非導(dǎo)電多層反射器基板上產(chǎn)生電路的材料和方法，所述非導(dǎo)電多層反射器基板可承受低溫焊膏的回流溫度，而不在反射基板中產(chǎn)生變形。電子電路可在多種非導(dǎo)電基板諸如聚合物膜、板和復(fù)合電路板上制造。對(duì)于一些應(yīng)用，可特別期望在高度反射基板上制造電路。

諸如3M增強(qiáng)鏡面反射器(ESR)的非金屬聚合物多層干涉鏡可用作支撐電路而不使導(dǎo)體短接的表面。然而，通常在電路制造之后施加ESR膜，以避免可損壞ESR膜的焊接回流溫度。在低至約130℃的溫度下可發(fā)生對(duì)ESR膜的損壞，該溫度通常比焊接回流溫度低得多。此外，作為第二操作的切割和施加ESR膜可顯著增加電路組件的成本。

在以下說明中參考附圖，這些附圖形成說明的一部分，并且其中通過例證的方式示出。應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本公開的范圍或?qū)嵸|(zhì)的情況下，可設(shè)想并進(jìn)行其它實(shí)施方案。因此，以下的詳細(xì)說明不應(yīng)被視為具有限制意義。

除非另外指明，否則本文中使用的所有的科學(xué)和技術(shù)術(shù)語具有在本領(lǐng)域中所普遍使用的含義。本文提供的定義旨在有利于理解本文頻繁使用的一些術(shù)語，并無限制本公開范圍之意。

除非另外指明，否則說明書和權(quán)利要求書中使用的表示特征尺寸、數(shù)量和物理特性的所有數(shù)字應(yīng)該理解為在所有情況下均被術(shù)語“約”修飾。因此，除非有相反的說明，否則在上述說明書和所附權(quán)利要求書中列出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，這些近似值可根據(jù)本領(lǐng)域的技術(shù)人員利用本文所公開的教導(dǎo)內(nèi)容來尋求獲得的期望特性而變化。

除非本文內(nèi)容以其他方式明確指定，否則如本說明書和所附權(quán)利要求書中所用，單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“所述”涵蓋了具有多個(gè)指代物的實(shí)施方案。除非本文內(nèi)容以其他方式明確指定，否則如本說明書和所附權(quán)利要求中所用，術(shù)語“或”一般以包括“和/或”的意義使用。

如果在本文中使用空間相關(guān)的術(shù)語，包括但不限于“下部”、“上部”、“下面”、“下方”、“上方”、和“在頂部上”，那么用于便于描述一個(gè)或多個(gè)元件相對(duì)于另一元件的空間關(guān)系。除了附圖中示出的或本文所述的具體取向之外，此類空間相關(guān)的術(shù)語還涵蓋裝置在使用或操作時(shí)的不同取向。例如，如果附圖中所描繪的對(duì)象翻轉(zhuǎn)或倒轉(zhuǎn)，那么先前描述為在其它元件下方或下面的部分應(yīng)當(dāng)在那些其它元件上方。

如本文所用，例如當(dāng)元件、部件或?qū)用枋鰹榕c另一元件、部件或?qū)有纬伞耙恢陆缑妗?、或在“其上”、“連接到其”、“與其耦接”或“與其接觸”，則可為直接在其上、直接連接到其、直接與其耦接或直接與其接觸，或例如居間的元件、部件或?qū)涌赡茉谔囟ㄔ?、部件或?qū)由希蜻B接到、耦接到或接觸特定元件、部件或?qū)印＠绠?dāng)元件、部件或?qū)颖环Q為“直接在另一元件上”、“直接連接到另一元件”、“直接與另一元件耦接”或“直接與另一元件接觸”時(shí)，則沒有例如居間的元件、部件或?qū)印?/p>

如本文所用，“具有”、“包括”、“包含”等等均以其開放性意義使用，并且通常是指“包括但不限于”。應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語“由...組成”和“基本上由...組成”包含在術(shù)語“包括”等等之中。

本公開提供下述制造技術(shù)：通過使用可承受回流溫度的材料制造新型多層光學(xué)膜，將柔性電子電路直接制造到非金屬聚合物多層干涉鏡膜(即可見光反射膜)上，所述回流溫度對(duì)于許多低溫焊膏可為約135℃。代表性的焊膏示例包括具有138℃的回流溫度的比率為約58/42的鉍和錫的合金，如由俄亥俄州韋斯特萊克的諾信EFD公司(Nordson EFD Corporation,Westlake OH)所提供的并且還可購自紐約州尤蒂卡的美國銦公司(Indium Corporation of America,Utica,NY)。在一些情況下，新型多層光學(xué)膜可承受不大于150℃的回流溫度，所述新型多層光學(xué)膜可包括若干種無鉛焊膏，諸如，例如：比率為52/48(回流131℃)的Sn/In；比率為58/42(回流145℃)的Sn/In；比率為99.3/0.7(回流150℃)的In/Ga；比率為95/5(回流150℃)的In/Bi；比率為57/42/1(回流140℃)的Bi/Sn/Ag；和比率為97/3(回流143℃)的In/Ag；以及可購自紐約州尤蒂卡的美國銦公司(Indium Corporation of America,Utica,NY)的其它物質(zhì)。

在一個(gè)具體實(shí)施方案中，技術(shù)包括使用基于有機(jī)硅聚乙二酰胺聚合物或共聚物的新型反光鏡膜，該膜可在這些溫度下保持反射率而不損害反射或其它膜特性、以及在反射基板上制造柔性電路所必需的條件。有機(jī)硅聚乙二酰胺聚合物或共聚物包括膜，諸如在例如名稱為聚二有機(jī)硅氧烷聚乙二酰胺共聚物(POLYDIORGANOSILOXANE POLYOXAMIDE COPOLYMERS)的美國專利7,501,184；名稱為包括熱塑性有機(jī)硅嵌段共聚物的多層膜(MULTILAYER FILMS INCLUDING THERMOPLASTIC SILICONE BLOCK COPOLYMERS)的美國專利7,820,297；以及名稱為包括熱塑性有機(jī)硅嵌段共聚物的膜(FILMS INCLUDING THERMOPLASTIC SILICONE BLOCK COPOLYMERS)的美國專利8,067,094中所描述的那些膜。

在電子工業(yè)中，具有反射表面的LED電路可充當(dāng)從手持式和移動(dòng)設(shè)備到膝上型計(jì)算機(jī)、監(jiān)視器、TV和照明設(shè)備的各種LCD顯示器應(yīng)用中的有效光引擎。通過使光引擎更有效，制造商可提高系統(tǒng)效率、降低成本和改善亮度。在用于普通光照的照明系統(tǒng)中，組合電子電路和反射器可減少零件數(shù)量并且還可改善效率。反射基板上的柔性電路的附加應(yīng)用可包括例如太陽能和其它傳感器應(yīng)用，因?yàn)楸景l(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)可在單個(gè)膜中提供反射功能和電功能兩者的片材。

圖1A示出了根據(jù)本公開一個(gè)方面的在反射基板100上的柔性電路的透視圖。在反射基板100上的柔性電路包括具有第一主表面112和相對(duì)第二主表面114的聚合物多層干涉反射器110。導(dǎo)電金屬120設(shè)置在第一主表面112上的電路圖案中(在本文中，由導(dǎo)電金屬120中的斷裂表示)。例如使用焊接接頭140將包括LED 135的電子部件130電連接到導(dǎo)電金屬120。在反射基板100內(nèi)的局部受熱區(qū)域115由在焊接接頭140處焊接連接部而產(chǎn)生，并且在一些情況下可延伸遍及整個(gè)聚合物多層干涉反射器110，例如在回流焊接過程期間。

圖1B示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的通過圖1A的截面A-A’的橫截面示意圖。在圖1B中，橫截面示出直接沉積在聚合物多層干涉反射器110的第一主表面112上的電路圖案的導(dǎo)電金屬120。在一些情況下，接合層(未示出)可沉積在聚合物干涉反射器110的第一主表面112上，以有助于導(dǎo)電金屬120的粘合，如在別處所述。在一些情況下，粘合劑層(未示出)可設(shè)置在導(dǎo)電金屬120與聚合物干涉反射器110的第一主表面112之間，以將兩者粘附在一起，如在別處所述。

局部受熱區(qū)域115通常延伸穿過聚合物多層干涉反射器110的厚度，并且可導(dǎo)致包括聚合物多層干涉反射器110的數(shù)十至數(shù)百交替聚合物層的變形，這可導(dǎo)致反射率、特別是鏡面反射率的降低。本公開涉及構(gòu)成聚合物多層干涉反射器110的耐熱材料，由此使得對(duì)于所設(shè)想的焊接回流溫度，不發(fā)生性能的劣化。

用于在反射基板上制造柔性電路的工藝步驟包括在本領(lǐng)域中是已知的用于制備所謂的“粘性附接的撓性電路”和/或“無粘合劑撓性電路”的步驟。在一些情況下，例如粘性附接的撓性電路可包括具有粘合劑背襯的導(dǎo)電金屬跡線，所述粘合劑背襯可共同地被圖案化并粘接性地附接到反射基板的主表面，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的。

在一些情況下，粘性附接的撓性電路和無粘合劑撓性電路可包括通過使用多種技術(shù)中的一種而沉積到反射基板上的任選的導(dǎo)電粘合促進(jìn)“接合”層，所述技術(shù)包括例如濺鍍、氣相沉積、等離子體沉積或電子束蒸鍍。在一些情況下，“接合”層可包括良好地粘附到反射基板的外表面的易于沉積的金屬，諸如例如鉻、鎳-鉻等等，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，“接合”層可沉積的厚度為在約5nm至約30nm、或約5nm至約20nm、或約10nm至約15nm范圍內(nèi)。

在一些情況下，無粘合劑撓性電路可為優(yōu)選的，并且可包括金屬“種子”層，該層然后可任選地通過任何類似技術(shù)沉積在“接合”層上；“種子”層通?？捎米饔糜阱兏踩嵝噪娐返膶?dǎo)體的導(dǎo)電基底，并且可為與柔性電路相同的金屬或不同的金屬。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，“種子”層可沉積的厚度為在約50nm至約500nm、或約50nm至約200nm、或約100nm至約150nm范圍內(nèi)。在一些情況下，種子層可沉積到低至15nm的厚度，并且仍然導(dǎo)致合格的鍍覆。在一些情況下，柔性電路和/或“種子”層的導(dǎo)電金屬可包括銅、銀、鋁、錫、金，或它們的合金或組合。在一些情況下，導(dǎo)電金屬可包括至少兩種金屬(例如銀和銅)的層合體。

可通過任何已知技術(shù)(例如通過使用電鍍或無電鍍覆)通過將至少一種金屬鍍覆在粘合促進(jìn)“接合”層和/或“種子”層上來沉積導(dǎo)電金屬。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬可沉積的厚度為在約2微米至約50微米、或約2微米至約25微米、或約10微米至約20微米范圍內(nèi)。

然后，可通過任何常用的圖案化技術(shù)來將導(dǎo)電金屬圖案化以形成電路，所述圖案化技術(shù)諸如包括施加光致抗蝕劑、將光致抗蝕劑圖案化、蝕刻導(dǎo)電金屬以及移除光致抗蝕劑的步驟。然后，可將至少一個(gè)電子部件焊接到在反射基板上的導(dǎo)電金屬電路。

實(shí)施例

比較例

進(jìn)行了若干次嘗試以在購自3M公司(3M Company)的ESR膜聚合物反射器上產(chǎn)生電子電路。工藝步驟類似于用于制備所謂的“無粘合劑撓性電路”的那些工藝步驟，例如，在聚合物基板上的銅通過將金屬鍍覆在聚合物基板上而產(chǎn)生，而不是通過金屬膜的粘合層合。在工藝中的第一步驟是使用將結(jié)合到基板聚合物的金屬和工藝將導(dǎo)電“接合”層濺鍍涂覆到ESR膜上，如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。通過以下步驟來制造導(dǎo)電ESR鏡膜：將約10nm的鉻濺鍍涂覆到表面上，然后將銅濺鍍至約100nm厚度，最后用銅鍍覆至約12微米-20微米厚度。然后使用常規(guī)電路圖案工藝，將所得的“光學(xué)撓性”圖案化并進(jìn)行蝕刻。所得的電路保持其支撐圖案化導(dǎo)電跡線的鏡面。

然后測試這些ESR基板電路的可焊性，并且發(fā)現(xiàn)，使用比率為63/37的錫/鉛焊料用設(shè)定為約550℉(288℃)的焊鐵可進(jìn)行手焊。然而，用更高溫度的無鉛焊料(諸如，比率為96.5/3/0.5的錫/銀/銅焊料)進(jìn)行測試更加困難，因?yàn)橹挥惺褂镁?xì)點(diǎn)焊烙鐵并且只有當(dāng)鐵的頂端僅接觸銅鍍覆時(shí)才可進(jìn)行焊接。與ESR膜基板的任何接觸導(dǎo)致即時(shí)的孔或缺陷。

在回流過程中使用低溫錫/鉍焊膏的測試導(dǎo)致鏡面嚴(yán)重起皺，從而降低反射特性。進(jìn)行了若干次嘗試以修改工藝，但是起皺的ESR膜比138℃的焊膏回流溫度低約10℃。所使用的焊膏是回流溫度為138℃的具有58/42的比率的鉍和錫(Bi/Sn)焊膏組合物的合金(購自俄亥俄州韋斯特萊克的諾信EFD公司(Nordson EFD Corporation,Westlake OH))。

實(shí)施例1

使用根據(jù)U.S.7,820,297中描述的工序制備的基于有機(jī)硅聚乙二酰胺的鏡子作為可見光反射膜，所述基于有機(jī)硅聚乙二酰胺的鏡子具有聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)作為高折射率材料和表皮以及聚二有機(jī)硅氧烷-聚乙二酰胺熱塑性有機(jī)硅彈性體作為低折射率材料的275個(gè)交替層。在基于有機(jī)硅聚乙二酰胺的鏡子上沉積約5nm鉻的“接合”層，并且然后在“接合”層上沉積約250nm銅的“種子”層，兩者均使用具有電子束蒸鍍?cè)吹姆峙坎紮C(jī)。然后，使用電鍍工藝將銅鍍覆至約18微米至20微米銅的厚度。將LED電路圖案化到銅表面和膜上。電路約230mm長，其具有約1mm寬并間隔開約10mm的兩條電源總線連接在總線之間運(yùn)行的LED電路。在氯化鐵浴中蝕刻膜以移除未圖案化的銅，并且然后在高錳酸鉀和氫氧化鉀的混合物中蝕刻膜以移除鉻層并在反射基板上顯示出柔性電路，這適用于LED的附接。

然后，使用購自3M公司(3M Company)的TC 2810導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂將在反射基板上的柔性電路層合至鋁片材。將回流溫度為138℃的具有58/42比率的Bi/Sn焊膏組合物(購自俄亥俄州韋斯特萊克的諾信EFD公司(Nordson EFD Corporation,Westlake OH))沉積在電路的部件墊上。LED電路組裝有串聯(lián)的6個(gè)Osram Oslon LED。將LED放置在糊劑中并加熱至150℃的溫度。冷卻并測試電路，并且LED能夠被供電和照明。鏡膜的表面看起來未損壞并且仍然示出鏡面反射率。

以下為本公開的實(shí)施方案的列表。

項(xiàng)目1是一種柔性電路，包括：具有第一聚合物材料和第二聚合物材料的交替層的可見光反射膜，每種聚合物材料具有不同的折射率，并且其中第一聚合物材料和第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包含聚二有機(jī)硅氧烷聚乙二酰胺嵌段共聚物；以及設(shè)置在可見光反射膜上的電路圖案中的導(dǎo)電金屬。

項(xiàng)目2是根據(jù)項(xiàng)目1所述的柔性電路，其中第一聚合物材料與第二聚合物材料之間的折射率的差值大于約0.05。

項(xiàng)目3是根據(jù)項(xiàng)目1或項(xiàng)目2所述的柔性電路，其中第一聚合物材料和第二聚合物材料中的每種聚合物材料包含有機(jī)硅聚乙二酰胺嵌段共聚物。

項(xiàng)目4是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目3所述的柔性電路，其中第一聚合物材料和第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包含聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、PET/有機(jī)硅聚乙二酰胺嵌段共聚物、PEN/有機(jī)硅聚乙二酰胺嵌段共聚物、PMMA/有機(jī)硅聚乙二酰胺嵌段共聚物或它們的組合。

項(xiàng)目5是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目4所述的柔性電路，其中導(dǎo)電金屬包含銅、銀、鋁、錫、金、或它們的合金或組合。

項(xiàng)目6是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目5所述的柔性電路，其中導(dǎo)電金屬包括至少兩種金屬的層合體。

項(xiàng)目7是根據(jù)項(xiàng)目6所述的柔性電路，其中至少兩種金屬的層合體包含銀和銅。

項(xiàng)目8是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目7所述的柔性電路，其中可見光反射膜是非導(dǎo)電的。

項(xiàng)目9是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目8所述的柔性電路，還包括焊接到導(dǎo)電金屬的至少一個(gè)電子部件。

項(xiàng)目10是根據(jù)項(xiàng)目9所述的柔性電路，其中至少一個(gè)電子部件包括發(fā)光二極管(LED)。

項(xiàng)目11是根據(jù)項(xiàng)目9或項(xiàng)目10所述的柔性電路，其中焊料是熔點(diǎn)不大于約150℃的低溫焊料。

項(xiàng)目12是根據(jù)項(xiàng)目9至項(xiàng)目11所述的柔性電路，其中焊料是熔點(diǎn)不大于約138℃的低溫焊料。

項(xiàng)目13是根據(jù)項(xiàng)目9至項(xiàng)目12所述的柔性電路，其中焊料包含錫和鉍的混合物。

項(xiàng)目14是根據(jù)項(xiàng)目9至項(xiàng)目13所述的柔性電路，其中圍繞焊接的電子部件的可見光反射膜未可見地變形。

項(xiàng)目15是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目14所述的柔性電路，還包括設(shè)置在可見光反射膜與導(dǎo)電金屬之間的粘合促進(jìn)接合層。

項(xiàng)目16是根據(jù)項(xiàng)目15所述的柔性電路，其中粘合促進(jìn)接合層包含鉻。

項(xiàng)目17是根據(jù)項(xiàng)目1至項(xiàng)目16所述的柔性電路，還包括設(shè)置在可見光反射膜與導(dǎo)電金屬之間的粘合劑。

項(xiàng)目18是一種方法，包括：將導(dǎo)電金屬沉積在膜的主表面上，所述膜包括第一聚合物材料和第二聚合物材料的交替層，每種聚合物材料具有不同的折射率，并且其中第一聚合物材料和第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包含聚二有機(jī)硅氧烷聚乙二酰胺嵌段共聚物；以及將導(dǎo)電金屬圖案化以形成電路。

項(xiàng)目19是根據(jù)項(xiàng)目18所述的方法，還包括在沉積導(dǎo)電金屬之前將粘合促進(jìn)接合層沉積在膜的主表面上。

項(xiàng)目20是根據(jù)項(xiàng)目19所述的方法，其中沉積粘合促進(jìn)接合層包括濺鍍、氣相沉積、等離子體沉積或電子束蒸鍍。

項(xiàng)目21是根據(jù)項(xiàng)目18所述的方法，其中導(dǎo)電金屬包括將導(dǎo)電金屬粘附到膜的主表面的粘合劑層。

項(xiàng)目22是根據(jù)項(xiàng)目18至項(xiàng)目21所述的方法，其中沉積導(dǎo)電金屬包括將至少一種金屬鍍覆在粘合促進(jìn)接合層上。

項(xiàng)目23是根據(jù)項(xiàng)目22所述的方法，其中鍍覆包括電鍍。

項(xiàng)目24是根據(jù)項(xiàng)目18至項(xiàng)目23所述的方法，其中將導(dǎo)電金屬圖案化包括施加光致抗蝕劑、將光致抗蝕劑圖案化、蝕刻導(dǎo)電金屬以及移除光致抗蝕劑的步驟。

項(xiàng)目25是根據(jù)項(xiàng)目18至項(xiàng)目24所述的方法，還包括將至少一個(gè)電子部件焊接到電路。

除非另外指明，否則說明書和權(quán)利要求書中使用的表示特征尺寸、數(shù)量和物理特性的所有數(shù)字應(yīng)當(dāng)被理解為由術(shù)語“約”來修飾。因此，除非有相反的說明，否則在上述說明書和所附權(quán)利要求書中列出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，這些近似值可根據(jù)本領(lǐng)域的技術(shù)人員利用本文所公開的教導(dǎo)內(nèi)容來尋求獲得的期望性能而變化。

本文中引用的所有參考文獻(xiàn)及出版物全文以引用方式明確地并入本文中，但可與本公開直接沖突的部分除外。雖然本文已經(jīng)舉例說明并描述了具體實(shí)施方案，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)知道，在不脫離本公開的范圍的情況下，多種另選和/或等同的具體實(shí)施可代替所示出的和所描述的具體實(shí)施方案。本專利申請(qǐng)旨在涵蓋本文所討論的具體實(shí)施方案的任何調(diào)整或變型。因此，本公開旨在僅受權(quán)利要求書及其等同形式的限制。