1.一種柔性電路，包括：
可見光反射膜，所述可見光反射膜具有第一聚合物材料和第二聚合物材料的交替層，每種聚合物材料具有不同的折射率，并且其中所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包含聚二有機硅氧烷聚乙二酰胺嵌段共聚物；和
導電金屬，所述導電金屬設(shè)置在所述可見光反射膜上的電路圖案中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，其中所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料之間的折射率的差值大于約0.05。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，其中所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料中的每種聚合物材料包含有機硅聚乙二酰胺嵌段共聚物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，其中所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、PET/有機硅聚乙二酰胺嵌段共聚物、PEN/有機硅聚乙二酰胺嵌段共聚物、PMMA/有機硅聚乙二酰胺嵌段共聚物或它們的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，其中所述導電金屬包含銅、銀、鋁、錫、金或它們的合金或組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，其中所述導電金屬包括至少兩種金屬的層合體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性電路，其中所述至少兩種金屬的層合體包含銀和銅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，其中所述可見光反射膜是非導電的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，還包括焊接到所述導電金屬的至少一個電子部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性電路，其中所述至少一個電子部件包括發(fā)光二極管(LED)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性電路，其中焊料是熔點不大于約150℃的低溫焊料。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性電路，其中所述焊料是熔點不大于約138℃的低溫焊料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的柔性電路，其中所述焊料包含錫和鉍的混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的柔性電路，其中圍繞所述焊接的電子部件的所述可見光反射膜不可見地變形。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，還包括設(shè)置在所述可見光反射膜與所述導電金屬之間的粘合促進接合層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的柔性電路，其中所述粘合促進接合層包含鉻。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電路，還包括設(shè)置在所述可見光反射膜與所述導電金屬之間的粘合劑。
18.一種方法，包括：
將導電金屬沉積在膜的主表面上，所述膜包括：
第一聚合物材料和第二聚合物材料的交替層，每種聚合物材料具有不同的折射率，并且其中所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料中的至少一種聚合物材料包含聚二有機硅氧烷聚乙二酰胺嵌段共聚物；以及
將所述導電金屬圖案化以形成電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在沉積所述導電金屬之前，將粘合促進接合層沉積在所述膜的所述主表面上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中沉積所述粘合促進接合層包括濺鍍、氣相沉積、等離子體沉積或電子束蒸鍍。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述導電金屬包括將所述導電金屬粘附到所述膜的所述主表面的粘合劑層。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中沉積所述導電金屬包括鍍覆至少一種金屬。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中鍍覆包括電鍍。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中將所述導電金屬圖案化包括施加光致抗蝕劑、將所述光致抗蝕劑圖案化、蝕刻所述導電金屬以及移除所述光致抗蝕劑的步驟。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括將至少一個電子部件焊接到所述電路。