技術(shù)總結(jié)
該制造方法包括：薄切含有硼作為受體的單晶硅以得到未熱處理硅晶片的工序；對(duì)于未熱處理硅晶片求出硼濃度的工序；對(duì)于未熱處理硅晶片求出氧供體濃度的工序；和基于求出硼濃度的工序中求出的硼濃度和求出氧供體濃度的工序中求出的氧供體濃度，判斷是否對(duì)未熱處理硅晶片實(shí)施在300℃以上的溫度下的熱處理。由此，可得到晶片上的偏在LPD減少的晶片。

技術(shù)研發(fā)人員：工藤智司;中村浩三;村中壽行;松田脩平;金大基;平木敬一郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：勝高股份有限公司
文檔號(hào)碼：201580029564
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.10
技術(shù)公布日：2017.02.22