本發(fā)明大體上涉及用于晶片邊緣檢測(cè)及檢驗(yàn)的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

以下描述及實(shí)例并未因其包含于此段落中而被承認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)。

在半導(dǎo)體制造工藝期間的各個(gè)步驟處使用檢驗(yàn)過(guò)程以檢測(cè)晶片上的缺陷以促進(jìn)所述制造工藝中的較高良率及因此實(shí)現(xiàn)較高收益。檢驗(yàn)始終是制造半導(dǎo)體裝置的重要部分。然而，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸減小，檢驗(yàn)對(duì)于可接受半導(dǎo)體裝置的成功制造變得更加重要，這是因?yàn)檩^小缺陷可引起所述裝置出現(xiàn)故障。

在檢驗(yàn)過(guò)程期間常常不產(chǎn)生超出簡(jiǎn)單缺陷檢測(cè)的信息。舉例來(lái)說(shuō)，可基于通過(guò)晶片檢驗(yàn)產(chǎn)生的信息確定缺陷特性，例如大小、量值及位置。然而，此信息通常并不足以確定缺陷分類(lèi)。因此，在晶片檢驗(yàn)之后，可使用缺陷重檢工具產(chǎn)生針對(duì)通過(guò)檢驗(yàn)檢測(cè)的缺陷的額外信息且接著基于所述額外信息確定缺陷特性。在一些此類(lèi)例子中，可使用高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)重檢工具重檢通過(guò)光學(xué)缺陷尋找設(shè)備尋找的缺陷。

為使缺陷重檢成功，必需知道通過(guò)檢驗(yàn)以相對(duì)較高準(zhǔn)確度檢測(cè)的缺陷相對(duì)于晶片上的某固定位置的位置。舉例來(lái)說(shuō)，在晶片檢驗(yàn)期間，可相對(duì)于晶片上的固定位置確定缺陷坐標(biāo)。因此，一旦將晶片從晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)傳送到缺陷重檢工具，即可通過(guò)所述缺陷重檢工具基于通過(guò)所述晶片重檢系統(tǒng)報(bào)告的坐標(biāo)及通過(guò)所述缺陷重檢工具識(shí)別的固定位置尋找缺陷。所述晶片上的所述固定位置可為所述晶片的中心及/或形成于所述晶片的邊緣中的凹口。因而，在檢驗(yàn)期間以大體上高精確度確定此類(lèi)固定位置的坐標(biāo)可大體上減小在缺陷重檢期間尋找缺陷的難度。

晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)用來(lái)檢測(cè)晶片的邊緣及凹口的一些方法是基于多次掃描且與使光點(diǎn)以螺旋方式掃描遍及晶片的晶片檢驗(yàn)工具架構(gòu)兼容。在所述架構(gòu)中，晶片可每秒自旋高達(dá)100轉(zhuǎn)。所述晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)可利用具有從幾微米到幾十微米的大小的照明光點(diǎn)。此類(lèi)系統(tǒng)的光學(xué)集光子系統(tǒng)可收集由晶片表面散射的光且基于散射信號(hào)的變化檢測(cè)晶片上的所關(guān)注缺陷(DOI)的存在。為實(shí)現(xiàn)最小檢驗(yàn)時(shí)間，晶片上的光點(diǎn)路徑是具有通過(guò)光點(diǎn)大小定義的螺旋的節(jié)距的螺旋軌道。

螺旋軌道的相對(duì)較小節(jié)距允許邊緣檢測(cè)系統(tǒng)在不影響工具處理量的情況下在多個(gè)旋轉(zhuǎn)內(nèi)收集數(shù)據(jù)。相同考慮使單個(gè)相對(duì)高速光敏元件成為當(dāng)前使用的邊緣檢測(cè)方法的自然選擇。

用于一些其它晶片檢驗(yàn)及度量工具中的替代方法依靠用于拍攝晶片邊緣的有限數(shù)目個(gè)(例如，3個(gè)到4個(gè))圖片或圖像的成像傳感器。在所述圖像中的每一者中尋找邊緣坐標(biāo)且接著將其用于計(jì)算晶片中心的坐標(biāo)。凹口檢測(cè)可需要整體晶片邊緣掃描或(例如，來(lái)自預(yù)對(duì)準(zhǔn)器的)關(guān)于凹口位置的初步信息。此類(lèi)方法通常并不與螺旋掃描晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)集成。

具有邊緣檢驗(yàn)?zāi)芰Φ倪吘墮z測(cè)系統(tǒng)可對(duì)用戶(hù)提供額外價(jià)值。然而，當(dāng)前使用的單檢測(cè)器系統(tǒng)依靠檢測(cè)器信號(hào)在多個(gè)軌道上的逐漸變化且因此可能具有有限分辨率(尤其在與直接成像系統(tǒng)比較時(shí))，這限制了其邊緣檢驗(yàn)?zāi)芰?。舉例來(lái)說(shuō)，缺陷可使自身表現(xiàn)為單個(gè)檢測(cè)器的信號(hào)的相對(duì)較小變化且因此在依靠邊緣檢測(cè)器信號(hào)的軌道到軌道逐漸變化時(shí)將難以檢測(cè)。

因此，開(kāi)發(fā)并不具有上述缺點(diǎn)中的一或多者的用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的方法及系統(tǒng)將為有利的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各種實(shí)施例的以下描述不應(yīng)以任何方式理解為限制所附權(quán)利要求書(shū)的標(biāo)的物。

一個(gè)實(shí)施例涉及一種經(jīng)配置以確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含光源及形成經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)的照明子系統(tǒng)的至少一個(gè)光學(xué)元件。所述光點(diǎn)延伸超出所述晶片的所述邊緣使得所述光點(diǎn)的第一部分照射于所述晶片及所述晶片的所述邊緣上且所述光點(diǎn)的第二部分未照射于所述晶片或所述晶片的所述邊緣上。所述系統(tǒng)還包含載臺(tái)，所述載臺(tái)經(jīng)配置以使所述晶片旋轉(zhuǎn)由此使所述光點(diǎn)掃描遍及所述晶片的所述邊緣。在所述光點(diǎn)掃描遍及所述邊緣時(shí)，使所述晶片旋轉(zhuǎn)少于兩次。此外，所述系統(tǒng)包含檢測(cè)器，所述檢測(cè)器經(jīng)配置以在所述光點(diǎn)掃描遍及所述邊緣時(shí)檢測(cè)來(lái)自所述光點(diǎn)的光且響應(yīng)于所述經(jīng)檢測(cè)光產(chǎn)生輸出。所述系統(tǒng)進(jìn)一步包含計(jì)算機(jī)處理器，所述計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于所述輸出確定所述晶片的所述邊緣上的兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)且基于所述邊緣上的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)確定所述晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。所述系統(tǒng)可如本文中所描述那樣進(jìn)一步配置。

另一實(shí)施例涉及一種用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的方法。所述方法包含將光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)。所述光點(diǎn)延伸超出所述晶片的所述邊緣使得所述光點(diǎn)的第一部分照射于所述晶片及所述晶片的所述邊緣上且所述光點(diǎn)的第二部分未照射于所述晶片或所述晶片的所述邊緣上。所述方法還包含使所述晶片旋轉(zhuǎn)由此使所述光點(diǎn)掃描遍及所述晶片的所述邊緣。在所述光點(diǎn)掃描遍及所述邊緣時(shí)，使所述晶片旋轉(zhuǎn)少于兩次。此外，所述方法包含在所述光點(diǎn)掃描遍及所述邊緣時(shí)檢測(cè)來(lái)自所述光點(diǎn)的光以由此響應(yīng)于所述經(jīng)檢測(cè)光產(chǎn)生輸出。所述方法進(jìn)一步包含基于所述輸出確定所述晶片的所述邊緣上的兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)且基于所述邊緣上的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)確定所述晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。所述確定步驟由計(jì)算機(jī)處理器執(zhí)行。

上文所描述的方法的步驟中的每一者可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。上文所描述的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。上文所描述的方法可使用本文中所描述的系統(tǒng)中的任何者執(zhí)行。

附圖說(shuō)明

在閱讀以下詳細(xì)描述并參考附圖之后將明白本發(fā)明的其它目的及優(yōu)點(diǎn)，其中：

圖1到2是說(shuō)明如本文中所描述那樣配置的系統(tǒng)的實(shí)施例的側(cè)視圖的示意圖；

圖3到5是可通過(guò)本文中所描述的一或多個(gè)系統(tǒng)實(shí)施例產(chǎn)生的圖像的實(shí)例；及

圖6是說(shuō)明包含可執(zhí)行于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上以執(zhí)行本文中所描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法實(shí)施例中的一或多者的程序指令的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體的實(shí)施例的框圖。

雖然本發(fā)明易于以各種修改及替代形式呈現(xiàn)，但本發(fā)明的特定實(shí)施例是通過(guò)圖式中的實(shí)例展示且將在本文中詳細(xì)描述。然而，應(yīng)理解，所述圖式及對(duì)其詳細(xì)描述并非希望將本發(fā)明限于所揭示的特定形式，相反，希望將涵蓋落于如由所附權(quán)利要求書(shū)所定義的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的全部修改、等效物及替代物。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)參考圖式，應(yīng)注意，所述圖并未按比例繪制。特定來(lái)說(shuō)，極大地放大所述圖的一些元件的比例以強(qiáng)調(diào)所述元件的特性。還應(yīng)注意，所述圖并不按相同比例繪制。已使用相同元件標(biāo)號(hào)指示在一個(gè)以上圖中展示的可類(lèi)似地配置的元件。除非本文中另有提及，否則所描述及展示的元件中的任何者可包含任何合適市售元件。

本文中所描述的實(shí)施例大體上涉及晶片邊緣檢測(cè)及可能檢驗(yàn)。本文中所描述的實(shí)施例可因此稱(chēng)為邊緣及凹口檢測(cè)模塊(或ENDM)。

一個(gè)實(shí)施例涉及一種經(jīng)配置以確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含光源及形成經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)的照明子系統(tǒng)的至少一個(gè)光學(xué)元件。此系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例展示于圖1中。此系統(tǒng)實(shí)施例包含光源100及形成經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到晶片108的邊緣106上的光點(diǎn)104的照明子系統(tǒng)的光學(xué)元件102。在一個(gè)實(shí)施例中，所述光源可為產(chǎn)生具有(例如)405nm或525nm的波長(zhǎng)的單波長(zhǎng)光的發(fā)光二極管(LED)。適于用在本文中所描述的實(shí)施例中的LED商業(yè)上可購(gòu)自新澤西州牛頓的Thorlabs公司(Thorlabs,Inc.,Newton,New Jersey)。然而，所述光源可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何其它合適光源，包含單色、多色及寬帶光源。適于用于本文中所描述的實(shí)施例中的光的波長(zhǎng)包含(但不限于)光的可見(jiàn)波長(zhǎng)。用于所述系統(tǒng)中的光源的類(lèi)型可如本文中進(jìn)一步描述且基于待通過(guò)所述系統(tǒng)產(chǎn)生的關(guān)于晶片的信息及/或晶片特性進(jìn)行選擇。舉例來(lái)說(shuō)，在一些例子中，寬帶照明優(yōu)選最小化對(duì)于晶片上的反射變化及光斑效應(yīng)的敏感度。

所述光點(diǎn)延伸超出所述晶片的邊緣使得所述光點(diǎn)的第一部分照射于所述晶片及所述晶片的所述邊緣上且所述光點(diǎn)的第二部分未照射于所述晶片或所述晶片的所述邊緣上。以此方式，所述光點(diǎn)可基于所述邊緣在所述光點(diǎn)內(nèi)所處的位置分離成兩個(gè)不同部分。因而，所述光點(diǎn)可基本上由所述邊緣平分。因此，如本文中進(jìn)一步描述，將由所述系統(tǒng)的檢測(cè)器檢測(cè)僅來(lái)自所述光點(diǎn)的一個(gè)部分的光。因此，將損失照明功率中的一些，但此功率損耗在散粒噪聲限制系統(tǒng)上將是可接受的。

光點(diǎn)可定位于晶片上(例如，經(jīng)由所述晶片在所述光點(diǎn)下方的移動(dòng))使得所述光點(diǎn)的中心大致對(duì)應(yīng)于所述晶片的邊緣(從此配置的變化是可接受的，但所述光點(diǎn)的絕大部分優(yōu)選定位于所述晶片的所述邊緣的任一側(cè)上使得可如本文中進(jìn)一步描述那樣以相對(duì)較高置信度確定所述邊緣在所述光點(diǎn)內(nèi)的位置)。因此，本文中所描述的配置與大多數(shù)邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)不同之處在于，不同于其中照明的可忽略部分可延伸超出晶片的邊緣(僅為確保檢驗(yàn)整個(gè)邊緣)的邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)，本文中所描述的實(shí)施例經(jīng)配置使得光點(diǎn)的不可忽略部分延伸超出晶片的邊緣使得可如本文中進(jìn)一步描述那樣以相對(duì)較高置信度確定所述邊緣的坐標(biāo)。相反，如在大多數(shù)邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)中，使晶片的邊緣定位于照明的外邊緣附近可導(dǎo)致難以辨別晶片的邊緣與所述晶片上的照明的邊緣，由此降低可以其檢測(cè)邊緣的準(zhǔn)確度(如果有)。

在一個(gè)實(shí)施例中，光點(diǎn)具有大于2mm的至少一個(gè)尺寸。舉例來(lái)說(shuō)，本文中所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置以照明具有相對(duì)較大面積(例如，至少一個(gè)尺寸為2mm到10mm)“泛光(flood)”或“線”照明光點(diǎn)的晶片的邊緣。“泛光”照明光點(diǎn)在本文中是定義為在兩個(gè)相反方向上具有大體上大尺寸且因此可看似在物體平面中具有圓形或橢圓(相對(duì)較寬橢圓)形狀的光點(diǎn)。相反，“線”照明光點(diǎn)在本文中是定義為在兩個(gè)相反方向上具有大體上不同尺寸且因此可看似在物體平面中具有線性型形狀的光點(diǎn)。在一個(gè)特定實(shí)例中，照明于晶片的邊緣上的光點(diǎn)可具有圓形形狀及約10mm的直徑。

在一個(gè)實(shí)施例中，引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)的光包含大體上準(zhǔn)直光。以此方式，本文中所描述的光源可為經(jīng)配置以將平行(或大體上平行)的光射線發(fā)送到晶片的一側(cè)(上表面或下表面)的準(zhǔn)直光源，其中所述光源定位于晶片的相同側(cè)上。例如，在圖1中所展示的實(shí)施例中，光源100定位于晶片下方且照明子系統(tǒng)經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到所述晶片的背面。晶片的“上表面”或“正面”在本文中是定義為晶片的其上形成或?qū)⑿纬裳b置的表面或側(cè)。晶片的“下表面”或“背面”在本文中是定義為晶片的其上未形成或不會(huì)形成裝置的表面或側(cè)。

然而，在本文中所描述的其它實(shí)施例中，光源可定位于晶片上方且照明子系統(tǒng)經(jīng)配置以將準(zhǔn)直或大體上準(zhǔn)直光引導(dǎo)到晶片的正面。舉例來(lái)說(shuō)，系統(tǒng)的另一實(shí)施例展示于圖2中。在此實(shí)施例中，光源200定位于晶片上方且照明子系統(tǒng)經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到所述晶片的正面。光源200可包含本文中所描述的光源中的任何者，例如LED或所屬領(lǐng)域中已知的任何其它合適光源。盡管來(lái)自光源200的引導(dǎo)到晶片上的光點(diǎn)的光在圖2中并未展示為準(zhǔn)直光，但所述光源可產(chǎn)生準(zhǔn)直或大體上準(zhǔn)直光及/或可耦合到經(jīng)配置以將來(lái)自所述光源的光作為平行或大體上平行射線引導(dǎo)到所述晶片的一或多個(gè)光學(xué)元件(未展示)。如圖2中所展示，所述系統(tǒng)可包含兩個(gè)不同光源，一個(gè)光源將光引導(dǎo)到晶片的背面且另一光源將光引導(dǎo)到所述晶片的正面。然而，所述系統(tǒng)可僅包含如圖1中所展示的光源100或僅包含圖2中所展示的光源200。此外，所述系統(tǒng)可包含兩個(gè)或兩個(gè)以上光源的其它組合。因此，本文中所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置以具有經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到晶片的一或多個(gè)側(cè)的一或多個(gè)光源。

在一些實(shí)施例中，以法線入射角將光引導(dǎo)到光點(diǎn)。例如，如圖1及2中所展示，光源100經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到光學(xué)元件102，光學(xué)元件102以法線入射角將光引導(dǎo)到光點(diǎn)。在另一實(shí)施例中，以?xún)A斜入射角將光引導(dǎo)到光點(diǎn)。例如，如圖2中所展示，來(lái)自光源200的光經(jīng)配置以按大體上低入射角(即，非法線照明但可能相對(duì)接近法線照明)將光引導(dǎo)到光點(diǎn)。

圖2也展示可包含于系統(tǒng)中的光源的額外實(shí)例。舉例來(lái)說(shuō)，所述系統(tǒng)可包含光源202及/或光源204。這些光源可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何合適光源。光源202可如圖2中所展示那樣定位使得將由此光源產(chǎn)生的光引導(dǎo)到光束分離器206。光束分離器206可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何合適光束分離器，例如50/50光束分離器。所述光束分離器可經(jīng)配置以按法線或大體上法線入射角將來(lái)自光源202的光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)104。光束分離器206可如本文中進(jìn)一步描述那樣配置。此外，光源204可如圖2中所展示那樣定位使得以可包含任何合適傾斜角的傾斜入射角將由此光源產(chǎn)生的光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)。

如果本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例包含一個(gè)以上光源，那么所述光源可經(jīng)不同配置或可具有大體上相同配置。舉例來(lái)說(shuō)，所述光源中的兩者或兩者以上可具有不同作用及模式。此外，所述光源中的兩者或兩者以上可經(jīng)配置以產(chǎn)生不同波長(zhǎng)的光。舉例來(lái)說(shuō)，光源(例如，光源100)可經(jīng)配置以產(chǎn)生405nm或525nm的波長(zhǎng)的光，而另一光源(例如，光源200、202及204)可經(jīng)配置以產(chǎn)生不同波長(zhǎng)(例如，530nm)的光。此外，所述光源中的一或多者可經(jīng)配置以產(chǎn)生具有不同于由其它光源產(chǎn)生的光的偏光的偏光的光。在任何情況中，可基于光經(jīng)引導(dǎo)到的晶片的側(cè)(例如，正面或背面)的特性以及待使用所述光執(zhí)行的功能(例如，邊緣檢測(cè)對(duì)邊緣檢驗(yàn))來(lái)選擇由本文中所描述的光源中的任何者產(chǎn)生的光的特性。

圖1中所展示的光學(xué)元件102可經(jīng)配置以將光以任何合適方式(舉例來(lái)說(shuō)，作為準(zhǔn)直光)引導(dǎo)到邊緣上的光點(diǎn)。盡管所述光學(xué)元件在圖1中展示為單折射元件，但所述光學(xué)元件可包含一或多個(gè)折射光學(xué)元件及/或一或多個(gè)反射光學(xué)元件。此外，所述光學(xué)元件可包含用于將來(lái)自光源的光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)的任何合適光學(xué)元件，例如具有漫射體的非球面聚光透鏡。用于本文中所描述的照明子系統(tǒng)中的合適光學(xué)元件商業(yè)上可從例如Thorlabs的供應(yīng)商獲得。

照明子系統(tǒng)可包含定位于由光源中的一或多者產(chǎn)生的光的路徑中的任何其它合適光學(xué)元件(未展示)。此類(lèi)光學(xué)元件的實(shí)例包含(但不限于)：偏光組件、光譜濾波器、空間濾波器、反射光學(xué)元件、變跡器、光束分離器、光圈及類(lèi)似者，其可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何此類(lèi)合適光學(xué)元件。此外，所述系統(tǒng)可經(jīng)配置以基于待使用的照明類(lèi)型變更所述元件中的一或多者。舉例來(lái)說(shuō)，所述系統(tǒng)可經(jīng)配置以變更照明子系統(tǒng)的一或多個(gè)特性以變更用于檢驗(yàn)的入射角、偏光、波長(zhǎng)等等。

本文中所描述的實(shí)施例提供改進(jìn)的晶片邊緣及凹口檢測(cè)方法及螺旋掃描晶片檢驗(yàn)工具的性能。特定來(lái)說(shuō)，所述系統(tǒng)包含經(jīng)配置以使晶片旋轉(zhuǎn)由此使所述光點(diǎn)掃描遍及所述晶片的邊緣的載臺(tái)。例如，如圖1中所展示，所述系統(tǒng)可包含耦合到軸件112的載臺(tái)110。所述軸件可耦合到經(jīng)配置以使所述軸件如由箭頭114所展示那樣旋轉(zhuǎn)由此使晶片在相同方向上旋轉(zhuǎn)的一或多個(gè)機(jī)械及/或機(jī)器人組件。所述載臺(tái)、軸件及耦合到其的任何其它組件可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何合適此類(lèi)組件。

在光點(diǎn)掃描遍及邊緣時(shí)，使晶片旋轉(zhuǎn)少于兩次。例如，在一些情況中，歸因于系統(tǒng)架構(gòu)約束，可期望在單個(gè)晶片旋轉(zhuǎn)內(nèi)執(zhí)行邊緣及凹口檢測(cè)。更明確來(lái)說(shuō)，依靠多像素傳感器及成像集光光學(xué)器件以改進(jìn)分辨率的下一代晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)可具有介于掃描軌道之間的比上一代工具大若干數(shù)量級(jí)的節(jié)距。舉例來(lái)說(shuō)，與上一代系統(tǒng)上的20um單個(gè)光點(diǎn)大小相比，在一個(gè)尺寸上具有1000個(gè)像素且在晶片上具有經(jīng)投影的0.5um像素大小的傳感器將要求約500um的節(jié)距。這意味晶片檢驗(yàn)掃描僅具有邊緣附近的1到2個(gè)軌道且邊緣檢測(cè)系統(tǒng)必須經(jīng)由單軌道或冒著無(wú)法與主檢驗(yàn)系統(tǒng)同時(shí)操作由此影響系統(tǒng)處理量的危險(xiǎn)執(zhí)行其功能。因此，具有從多個(gè)晶片位置的并行信號(hào)獲取的相對(duì)較慢多通道邊緣檢驗(yàn)檢測(cè)器變得有利。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置以在單次掃描中檢測(cè)晶片的邊緣及/或凹口。

應(yīng)注意，晶片的單個(gè)旋轉(zhuǎn)或在邊緣上方的單次掃描可實(shí)際上僅略大于晶片的一個(gè)旋轉(zhuǎn)或邊緣上方的一次掃描。舉例來(lái)說(shuō)，為確保取樣晶片的整個(gè)邊緣，單次掃描或旋轉(zhuǎn)可包含在取樣結(jié)束時(shí)再次取樣所述掃描或旋轉(zhuǎn)的起始位置。因此，在本文中描述為在1個(gè)旋轉(zhuǎn)中執(zhí)行邊緣/凹口檢測(cè)或其它操作的系統(tǒng)可(事實(shí)上)實(shí)際上在晶片的1.01個(gè)旋轉(zhuǎn)中執(zhí)行所述功能。在任何情況中，本文中所描述的實(shí)施例經(jīng)配置以在小于2個(gè)旋轉(zhuǎn)或掃描(其遠(yuǎn)少于當(dāng)前用于邊緣/凹口檢測(cè)的系統(tǒng)所需的旋轉(zhuǎn)或掃描)中執(zhí)行邊緣/凹口檢測(cè)及可能其它功能。

所述系統(tǒng)還包含檢測(cè)器，所述檢測(cè)器經(jīng)配置以在光點(diǎn)掃描遍及邊緣時(shí)檢測(cè)來(lái)自所述光點(diǎn)的光且響應(yīng)于所述經(jīng)檢測(cè)光產(chǎn)生輸出。舉例來(lái)說(shuō)，如圖1中所展示，所述系統(tǒng)包含經(jīng)配置以在光點(diǎn)掃描遍及邊緣時(shí)檢測(cè)來(lái)自所述光點(diǎn)的光的檢測(cè)器116。如本文中進(jìn)一步描述，由本文中所描述的系統(tǒng)照明的晶片的邊緣上的光點(diǎn)延伸超出所述晶片的所述邊緣。此外，本文中所描述的檢測(cè)器(及任何其它檢測(cè)器)可經(jīng)配置使得其物體平面在經(jīng)照明光點(diǎn)上居中(或至少完全定位于所述經(jīng)照明光點(diǎn)內(nèi))。舉例來(lái)說(shuō)，如圖1中所展示，檢測(cè)器116可經(jīng)配置使得將來(lái)自物體平面118的光成像到所述檢測(cè)器上。如圖1中進(jìn)一步展示，物體平面118可完全定位于光點(diǎn)104內(nèi)且可具有不同于所述光點(diǎn)的特性，例如尺寸及形狀。例如，所述物體平面可具有線形而所述光點(diǎn)可具有圓形或橢圓形。此外，所述物體平面的兩個(gè)尺寸可小于經(jīng)照明光點(diǎn)的對(duì)應(yīng)尺寸。因而，所述物體平面可不與經(jīng)照明光點(diǎn)在所述光點(diǎn)的邊緣附近(其中照明強(qiáng)度可略微改變)重疊。在任何情況中，在本文中所描述的實(shí)施例中，檢測(cè)器的物體平面優(yōu)選應(yīng)如經(jīng)照明光點(diǎn)延伸超出晶片的邊緣使得所述晶片的所述邊緣對(duì)應(yīng)于通過(guò)所述檢測(cè)器(例如，在暗區(qū)域與亮區(qū)域之間)產(chǎn)生的可用于如本文中進(jìn)一步描述那樣確定所述邊緣的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的輸出中的邊界。

本文中所描述的實(shí)施例的檢測(cè)器可為將能夠在單次獲取中檢測(cè)邊緣及凹口位置的本文中所描述的多通道檢測(cè)器中的一者。舉例來(lái)說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)器是多像素檢測(cè)器。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可使用多像素傳感器進(jìn)行邊緣及凹口檢測(cè)。

在另一實(shí)施例中，檢測(cè)器是線性檢測(cè)器。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可包含線傳感器。例如，在優(yōu)選實(shí)施例中，檢測(cè)器可為包含匹配集光光學(xué)器件的分辨率的數(shù)個(gè)像素的線傳感器，例如電荷耦合裝置(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)檢測(cè)器。在一個(gè)實(shí)例中，檢測(cè)器可為包含1536個(gè)像素x1個(gè)像素的線陣列。所述檢測(cè)器可包含不同數(shù)目個(gè)像素(例如，2048個(gè)像素)且可基于系統(tǒng)的其它參數(shù)(例如用于處理像素的輸出的電子器件的帶寬)確定所使用的像素的實(shí)際數(shù)目。適用于本文中所描述的實(shí)施例中的線掃描相機(jī)商業(yè)上可從例如加拿大安大略省滑鐵盧的Teledyne DALSA公司(Teledyne DALSA Inc.,Waterloo,Ontario,Canada)的供應(yīng)商購(gòu)得。

在一些實(shí)施例中，檢測(cè)器包含二維像素陣列。在一個(gè)此實(shí)施例中，檢測(cè)器經(jīng)配置以在時(shí)間延遲積分(TDI)模式中操作。舉例來(lái)說(shuō)，檢測(cè)器可為經(jīng)配置以在TDI模式中操作的CCD陣列。在另一此實(shí)施例中，檢測(cè)器經(jīng)配置以在幀模式中操作。例如，檢測(cè)器可為經(jīng)配置以在幀模式中操作的CCD陣列。

在進(jìn)一步實(shí)施例中，檢測(cè)器是經(jīng)配置以基于落在所述檢測(cè)器上的光的空間分布產(chǎn)生輸出的位置敏感檢測(cè)器(PSD)。舉例來(lái)說(shuō)，所述檢測(cè)器可為PSD，其不一定具有多像素輸出但對(duì)落在傳感器上的光的空間分布敏感且能夠提供信息以在單次掃描中尋找“亮”照明區(qū)域與“暗”照明區(qū)域之間的邊界。

在上文所描述的其中引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)的光包含大體上準(zhǔn)直光的一個(gè)實(shí)施例中，所述晶片及所述晶片的所述邊緣防止來(lái)自所述光點(diǎn)的第一部分的光被檢測(cè)器檢測(cè)到，且所述檢測(cè)器經(jīng)配置使得來(lái)自所述光點(diǎn)的第二部分的光被所述檢測(cè)器檢測(cè)到。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置用于晶片表面的“光束穿透”照明。舉例來(lái)說(shuō)，光束穿透照明可大體上是定義為從晶片下方/后面(或上方/前面)發(fā)送平行或大體上平行的光射線的準(zhǔn)直光源。由所述晶片阻斷的射線并未到達(dá)檢測(cè)器。穿過(guò)到檢測(cè)器的射線照明所述檢測(cè)器上的區(qū)域。以此方式，在“穿透光束”照明配置中，將歸因于晶片部分阻斷照明到達(dá)檢測(cè)器。因此，檢測(cè)器上的“暗”像素或區(qū)域與“亮”像素或區(qū)域之間的邊界將對(duì)應(yīng)于晶片的邊界(例如，晶片邊緣或凹口)。

圖1中所展示的實(shí)施例經(jīng)配置用于此照明及檢測(cè)。例如，如圖1中所展示，光源100經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到晶片的一側(cè)且檢測(cè)器116定位于所述晶片的另一側(cè)上。以此方式，將通過(guò)晶片及邊緣防止入射于所述晶片及所述晶片的所述邊緣上的光點(diǎn)的部分到達(dá)檢測(cè)器。相反，延伸超出晶片的邊緣且因此并未入射于所述晶片及所述邊緣上的光點(diǎn)的部分將不會(huì)由所述晶片阻斷且因此將由檢測(cè)器檢測(cè)。

在一些實(shí)施例中，由檢測(cè)器檢測(cè)的來(lái)自光點(diǎn)的光包含鏡面反射光。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置用于從晶片表面的反射。舉例來(lái)說(shuō)，照明子系統(tǒng)及檢測(cè)器可經(jīng)配置以用于使用與集光(反射)光束路徑共線的法線或大體上法線照明光束的從表面的反射。以此方式，照明光束可經(jīng)由光束分離器與集光光束在空間上合并。例如，如圖2中所展示，來(lái)自光源202的光可通過(guò)光束分離器206與來(lái)自光點(diǎn)104的光在空間上合并。替代性地，照明光束可以?xún)A斜入射角落在表面上使得照明及集光光束在空間上分離且無(wú)需光束分離器。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2中所展示，光源200及204可經(jīng)配置以按傾斜入射角將光引導(dǎo)到光點(diǎn)且可以在空間上與入射角分離的不同角度收集通過(guò)檢測(cè)器116檢測(cè)的來(lái)自所述光點(diǎn)的光。在此類(lèi)配置中，照明光束的入射角可接近于(但并不一定接近于)法線。一個(gè)此配置在圖2中展示為光源200的配置。在另一替代例中，照明子系統(tǒng)及檢測(cè)器可經(jīng)配置用于暗場(chǎng)(DF)配置，其中照明光束具有相對(duì)較大入射角但集光系統(tǒng)使用散射信號(hào)且因此不一定為鏡面(直接反射)級(jí)。此配置在圖2中由光源204展示，光源204經(jīng)展示以在來(lái)自光點(diǎn)的光通過(guò)集光器120收集且以非鏡面角引導(dǎo)到檢測(cè)器116時(shí)以相對(duì)較大入射角將光引導(dǎo)到光點(diǎn)。

在另一實(shí)施例中，由檢測(cè)器檢測(cè)的來(lái)自光點(diǎn)的光包含散射光。舉例來(lái)說(shuō)，照明子系統(tǒng)及檢測(cè)器配置可經(jīng)配置以使用具有相對(duì)較低數(shù)值孔徑(NA)光束(即，“筆形”光束)的法線或大體上法線照明及收集以相對(duì)于法線成非零角散射的非鏡面光的集光系統(tǒng)。在一個(gè)此實(shí)例中，光源200可經(jīng)配置以在相對(duì)較低NA情況下以法線或大體上法線照明角將光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)，且集光器120可經(jīng)配置以收集從光點(diǎn)散射的非鏡面反射光。

在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)可包含成像集光光學(xué)器件。舉例來(lái)說(shuō)，如圖1中所展示，系統(tǒng)可包含經(jīng)配置以從晶片上的光點(diǎn)收集光且將所述經(jīng)收集光引導(dǎo)(聚焦)到檢測(cè)器116的集光器120。盡管所述集光器在圖1中展示為一個(gè)折射光學(xué)元件，但所述集光器可包含經(jīng)配置以從光點(diǎn)收集光的一或多個(gè)折射及/或一或多個(gè)反射光學(xué)元件。用于本文中所描述的實(shí)施例中的合適集光器的實(shí)例商業(yè)上可從例如新澤西州巴林頓的埃德蒙光學(xué)器件公司(Edmund Optics Inc.,Barrington,New Jersey)的供應(yīng)商購(gòu)得。成像集光光學(xué)器件可包含定位于來(lái)自晶片的光的路徑中的任何適當(dāng)位置中的一或多個(gè)其它光學(xué)元件，例如光束分離器、光譜濾波器、空間濾波器、偏光組件、光圈及類(lèi)似者。

在任何情況中，需要邊緣及凹口檢測(cè)系統(tǒng)(例如本文中所描述的邊緣及凹口檢測(cè)系統(tǒng))來(lái)支持非零厚度的樣本(歸因于在晶片的邊緣上方的照明且因此照明相對(duì)于所述系統(tǒng)的光學(xué)器件具有不同位置的表面(例如邊緣的上表面、斜面及頂點(diǎn)))。因此，光學(xué)器件的焦深(DOF)優(yōu)選足夠大以支持邊緣附近的晶片樣本曲率。同時(shí)，集光光學(xué)器件優(yōu)選提供足夠高分辨率以分辨邊緣及凹口。DOF與NA的平方反比及波長(zhǎng)成比例。換句話說(shuō)，DOF＝±λ/(NA^2)。分辨率與NA反比及波長(zhǎng)成比例。換句話說(shuō)，分辨率＝0.61λ/(NA)。因而，歸因于NA的沖突要求(對(duì)于最佳分辨率為大，對(duì)于DOF為小)，一般來(lái)說(shuō)，成像集光光學(xué)器件將具有與經(jīng)選擇以匹配DOF及分辨率要求的NA實(shí)際一樣短的波長(zhǎng)。換句話說(shuō)，用于邊緣檢測(cè)的波長(zhǎng)可經(jīng)選擇為最低實(shí)際波長(zhǎng)且接著可基于針對(duì)最大DOF及最高分辨率的選定波長(zhǎng)選擇NA。例如，為在405nm的波長(zhǎng)的情況下實(shí)現(xiàn)大于±160um的DOF，可選擇0.05的且所述配置還提供的分辨率。以此方式，用于成像的約0.05的NA可經(jīng)選擇以使針對(duì)給定波長(zhǎng)的DOF及分辨率平衡。然而，適于本文中所描述的實(shí)施例的NA可從約0.04到0.07。本文中所描述的實(shí)施例可因此包含相對(duì)較低NA成像光學(xué)器件。此外，本文中所描述的系統(tǒng)經(jīng)配置所用于的DOF可從100um改變到300um。用于本文中所描述的實(shí)施例的合適分辨率還可從4um改變到7um。本文中所描述的實(shí)施例也可或可不經(jīng)配置用于晶片對(duì)檢測(cè)器上的不同放大率及像素大小。在一個(gè)實(shí)例中，系統(tǒng)可經(jīng)配置用于2x放大率。因此，如果晶片上的像素大小是約5um，那么檢測(cè)器上的像素大小將為約10um。然而，明顯地，檢測(cè)器及晶片處的其它像素大小是可能的。

在一些實(shí)施例中，不存在定位于檢測(cè)器與晶片之間的光學(xué)元件。舉例來(lái)說(shuō)，在極低NA準(zhǔn)直照明穿透光束且其中檢測(cè)器放置成足夠接近于晶片表面的情況中，可通過(guò)直接照明傳感器表面的穿透光束完全避免成像光學(xué)器件。

重要的是應(yīng)注意，盡管圖1及2中展示兩個(gè)特定配置，但這些圖中所展示的光學(xué)元件可以許多不同布置進(jìn)行配置以提供本文中所描述的相同能力。例如，在圖1中所展示的配置的情況中，可反轉(zhuǎn)光源100及檢測(cè)器116(及其相關(guān)聯(lián)光學(xué)元件)所處的晶片的側(cè)。換句話說(shuō)，照明子系統(tǒng)可經(jīng)配置使得將光從晶片上方引導(dǎo)到所述晶片的邊緣上的光點(diǎn)，而檢測(cè)器可定位于所述晶片之下以檢測(cè)未由所述晶片阻斷的光。

在另一配置中，系統(tǒng)可在晶片的兩側(cè)上包含檢測(cè)器(未展示)且所述檢測(cè)器可經(jīng)配置以歸因于使用不同光源的照明檢測(cè)來(lái)自光點(diǎn)的不同種類(lèi)的光。舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)檢測(cè)器可經(jīng)配置以檢測(cè)未通過(guò)晶片阻斷的(用于邊緣/凹口檢測(cè)的)光，而另一檢測(cè)器可經(jīng)配置以檢測(cè)(用于可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行的邊緣/凹口檢測(cè)及/或檢驗(yàn)的)散射或非鏡面反射光。

本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例還可經(jīng)配置以具有許多不同光源及/或檢測(cè)器，且用于任一晶片的特定光源/檢測(cè)器組合可基于所述晶片來(lái)確定。因而，并非包含于系統(tǒng)中的全部光源及/或檢測(cè)器可用于針對(duì)任一晶片的邊緣/凹口檢測(cè)及/或邊緣檢驗(yàn)。以此方式，所述系統(tǒng)的配置的“靈活性”可在于，用于任一晶片的配置可在逐晶片基礎(chǔ)上改變，在晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)將用于檢驗(yàn)在晶片的邊緣處或附近具有不同反射率(其可由晶片上的拋光過(guò)程的效應(yīng)所引起)的晶片的情況下，其可是有利的。

圖3到5是由根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)施例配置的原型系統(tǒng)產(chǎn)生的圖像。這些圖中所展示的圖像并不希望將本文中所描述的實(shí)施例限于由系統(tǒng)產(chǎn)生的任何特定圖像或可由所述系統(tǒng)產(chǎn)生的所述圖像的任何特定圖像特性。而是，這些圖像是包含于本文中以大體上說(shuō)明可由系統(tǒng)的各種實(shí)施例產(chǎn)生的圖像的類(lèi)型以由此進(jìn)一步理解本文中所描述的實(shí)施例。

圖3中所展示的圖像是通過(guò)如本文中所描述那樣配置的邊緣檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)的圖像。在此配置中，如本文中所描述那樣將準(zhǔn)直光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)使得所述光點(diǎn)延伸超出所述晶片的所述邊緣。為產(chǎn)生此圖像，將光從晶片下方引導(dǎo)到光點(diǎn)。此外，檢測(cè)器定位于晶片的相對(duì)側(cè)上。以此方式，將光引導(dǎo)到晶片的一個(gè)表面且檢測(cè)來(lái)自晶片的另一相對(duì)表面的光。因而，通過(guò)檢測(cè)器檢測(cè)未由晶片阻斷的光。因此，在此圖像中，較亮部分對(duì)應(yīng)于來(lái)自延伸超出晶片的邊緣且經(jīng)檢測(cè)的光點(diǎn)的部分的光且較暗部分對(duì)應(yīng)于由晶片及所述晶片的邊緣阻斷的光點(diǎn)的部分。以此方式，展示于圖3中的圖像的亮部分與暗部分之間的邊界對(duì)應(yīng)于晶片的邊緣。圖1中所展示的系統(tǒng)配置可因此用于產(chǎn)生例如圖3中所展示的圖像的圖像。

相比之下，圖4中所展示的圖像是由如本文中所描述那樣配置的不同邊緣檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)到的圖像。在此配置中，以法線及傾斜入射角兩者將光從晶片上方引導(dǎo)到所述晶片的表面上的光點(diǎn)。此光點(diǎn)也延伸超出晶片的邊緣。以此方式，照明將入射于晶片的正面、邊緣及所述邊緣的頂部斜面上。形成此圖像的檢測(cè)器定位于晶片的照明經(jīng)引導(dǎo)到的側(cè)上。因此，所述檢測(cè)器檢測(cè)從晶片上的光點(diǎn)反射的光(其可包含鏡面反射光、非鏡面反射光及散射光)。因而，在此圖像中，亮部分對(duì)應(yīng)于晶片的上表面及包含頂部斜面的晶片的邊緣。圖像的從所述圖像的右手側(cè)向內(nèi)延伸的暗區(qū)段對(duì)應(yīng)于延伸超出晶片的邊緣且因此并未從晶片的任何部分返回的光點(diǎn)的部分。以此方式，展示于圖4中的圖像的亮部分與暗部分之間的邊界對(duì)應(yīng)于晶片的邊緣。此外，因?yàn)榇藞D像包含來(lái)自晶片的頂部表面及包含頂部斜面的晶片的邊緣的光，所以此圖像可用于可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行的頂部表面、邊緣及頂部斜面的檢驗(yàn)?？墒褂冒?例如)如圖2中所展示的光源202及204及檢測(cè)器116以及圖2中所展示的可能其它元件的系統(tǒng)配置以產(chǎn)生此圖像。

本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例也可經(jīng)配置以按不同視角同時(shí)產(chǎn)生圖像由此產(chǎn)生一種“合成圖像”。此圖像的一個(gè)實(shí)例展示于圖5中。此圖像是使用上文所描述的用于產(chǎn)生圖3到4中所展示的圖像的系統(tǒng)配置的兩者來(lái)產(chǎn)生。以此方式，使用光點(diǎn)的從晶片下方的照明、法線或大體上法線入射角照明及傾斜入射角照明產(chǎn)生所述圖像。一個(gè)檢測(cè)器用于同時(shí)檢測(cè)來(lái)自晶片下方未由晶片阻斷的光以及反射(鏡面及非鏡面)光及散射光。

因此，在此圖像中，所述圖像在暗邊界的左側(cè)上的較亮部分對(duì)應(yīng)于晶片的頂部表面且所述圖像在所述暗邊界的右側(cè)上的較亮部分對(duì)應(yīng)于來(lái)自晶片下方未由晶片或邊緣阻斷的光。所述暗邊界的左側(cè)對(duì)應(yīng)于晶片的頂部邊緣且所述暗邊界的右側(cè)對(duì)應(yīng)于頂部斜面的底部邊緣。包含在所述暗邊界內(nèi)的任何亮部分對(duì)應(yīng)于邊緣的頂部斜面。因此，可產(chǎn)生此圖像的系統(tǒng)配置可包含(例如)如圖2中所展示的光源100、202及204以及檢測(cè)器116及圖2中所展示的可能其它元件。

因?yàn)閳D5中所展示的圖像清楚地展示晶片的邊緣，所以此圖像可用于如本文中進(jìn)一步描述的邊緣檢測(cè)。此外，因?yàn)閳D5中展示的圖像是響應(yīng)于來(lái)自晶片的頂部表面、邊緣及斜面的光，所以此圖像還可用于可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行的頂部表面、邊緣及斜面的檢驗(yàn)。以此方式，本文中所描述的經(jīng)配置用于邊緣檢測(cè)的實(shí)施例還可經(jīng)配置以在執(zhí)行邊緣檢測(cè)時(shí)僅通過(guò)添加法線及傾斜照明進(jìn)行頂部表面及斜面檢驗(yàn)。

系統(tǒng)還包含計(jì)算機(jī)處理器。例如，如圖1中所展示，系統(tǒng)包含計(jì)算機(jī)處理器122。此處理器還可包含于圖2中所展示的系統(tǒng)中。計(jì)算機(jī)處理器122經(jīng)配置以獲取由系統(tǒng)的檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出。舉例來(lái)說(shuō)，在掃描期間由所述檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出可提供到計(jì)算機(jī)處理器122。特定來(lái)說(shuō)，所述計(jì)算機(jī)處理器可(例如，通過(guò)在圖1中以虛線展示的一或多個(gè)傳輸媒體，所述傳輸媒體可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何合適傳輸媒體)耦合到所述檢測(cè)器中的每一者使得所述計(jì)算機(jī)處理器可接收由所述檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出。所述計(jì)算機(jī)處理器可以任何其它合適方式耦合到檢測(cè)器中的每一者。所述計(jì)算機(jī)處理器可如本文中所描述那樣進(jìn)一步配置(例如，作為包含于計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)或系統(tǒng)中的處理器)。

在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于輸出檢測(cè)形成于晶片的邊緣中的凹口，且檢測(cè)器的一或多個(gè)參數(shù)是基于檢測(cè)所述凹口所需的取樣進(jìn)行配置?？捎捎?jì)算機(jī)子系統(tǒng)以許多不同方式檢測(cè)所述凹口。舉例來(lái)說(shuō)，基于關(guān)于所述凹口的信息(例如預(yù)期尺寸及/或形狀)，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可針對(duì)匹配或大體上匹配所述凹口的特性的圖像中的邊界(所述邊界對(duì)應(yīng)于晶片的邊緣)的變化搜索圖像，例如圖3到5中所展示的圖像。在一個(gè)此實(shí)例中，基于關(guān)于凹口進(jìn)入晶片中的深度的信息，具有類(lèi)似尺寸的邊界變化可由計(jì)算機(jī)處理器識(shí)別為對(duì)應(yīng)于所述凹口。計(jì)算機(jī)處理器可使用任何合適方法及/或算法以在本文中所描述的檢測(cè)器的輸出中或以任何其它合適方式檢測(cè)凹口。

本文中所描述的檢測(cè)器的線速率可經(jīng)選擇以提供充分取樣以檢測(cè)凹口。特定來(lái)說(shuō)，可如上文所描述那樣基于包含于系統(tǒng)中的光學(xué)器件的參數(shù)(例如波長(zhǎng)及像素大小)確定所述系統(tǒng)在晶片的徑向方向上的分辨率，而檢測(cè)器的線速率可確定所述系統(tǒng)在切向方向(即，大體上垂直于晶片的半徑的方向)上的分辨率。換句話說(shuō)，線速率可確定在邊緣上的位置處產(chǎn)生輸出的頻率(即，取樣頻率)。更明確來(lái)說(shuō)，較高線速率允許較高取樣頻率及因此較高切向分辨率。在一個(gè)此實(shí)例中，檢測(cè)器的線速率在8位下可為約100kHZ。

還可通過(guò)改變晶片旋轉(zhuǎn)速率來(lái)變更系統(tǒng)在切向方向上的分辨率。例如，可通過(guò)較慢旋轉(zhuǎn)速率實(shí)現(xiàn)在切向方向上的較高分辨率。為給出線速率及旋轉(zhuǎn)速度可如何影響分辨率的實(shí)例，300mm晶片具有約942mm的圓周。晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)可經(jīng)配置以使晶片以不同速度(針對(duì)較高靈敏度(HS)以較低速度且針對(duì)較高處理量(HT)以較高速度)旋轉(zhuǎn)。因而，對(duì)于兩個(gè)旋轉(zhuǎn)速度具有相同線速率的檢測(cè)器針對(duì)HS旋轉(zhuǎn)速率將跨晶片的整個(gè)圓周產(chǎn)生的每um(或其它單位尺寸)樣本多于針對(duì)HT旋轉(zhuǎn)速率將跨晶片的整個(gè)圓周產(chǎn)生的每um樣本。因此，針對(duì)HS旋轉(zhuǎn)速度，將圓周劃分成多于針對(duì)HT旋轉(zhuǎn)速度的樣本意味著與HT旋轉(zhuǎn)速度相比，針對(duì)HS旋轉(zhuǎn)速度所述樣本將具有更小尺寸。

在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于檢測(cè)器的輸出確定形成于晶片的邊緣中的凹口的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。例如，一旦已如上文所描述那樣檢測(cè)所述凹口，即可基于關(guān)于在掃描中產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所述凹口的輸出的位置的信息以及關(guān)于所述掃描本身的信息(例如，在掃描晶片期間由例如包含本文中所描述的載臺(tái)的掃描子系統(tǒng)產(chǎn)生的位置坐標(biāo))來(lái)確定所述凹口的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)”是指通過(guò)晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)確定的任何坐標(biāo)?？赏ㄟ^(guò)晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)相對(duì)于不同參考點(diǎn)確定所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。此外，不同晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)可確定不同系統(tǒng)中的坐標(biāo)(例如，極坐標(biāo)系對(duì)笛卡爾(Cartesian)坐標(biāo)系，但因?yàn)楸疚闹兴枋龅膶?shí)施例尤其可用于螺旋掃描類(lèi)型系統(tǒng)，所以用于本文中所描述的實(shí)施例中的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)更有可能以極坐標(biāo)系表達(dá))。在任何情況中，術(shù)語(yǔ)“晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)”是指可通過(guò)晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)或包含于其中的子系統(tǒng)產(chǎn)生的任何坐標(biāo)。

計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于輸出確定晶片的邊緣上的兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)且基于所述邊緣上的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)確定所述晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。舉例來(lái)說(shuō)，因?yàn)楸疚闹兴枋龅膶?shí)施例經(jīng)配置以產(chǎn)生晶片邊緣區(qū)域的圖像，所以計(jì)算機(jī)處理器可經(jīng)配置以使用適當(dāng)算法及/或方法分析檢測(cè)器的輸出以確定來(lái)自晶片及周?chē)鷧^(qū)域的信號(hào)差。特定來(lái)說(shuō)，因?yàn)榫倪吘墝?duì)應(yīng)于通過(guò)檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出的暗部分與亮部分之間的邊界，所以關(guān)于所述邊界的信息可用于檢測(cè)邊緣及確定關(guān)于晶片邊緣的信息(例如晶片檢驗(yàn)坐標(biāo))。以此方式，計(jì)算機(jī)處理器可經(jīng)配置以使用算法及/或軟件處理來(lái)自檢測(cè)器的數(shù)據(jù)，使其與物理樣本定向同步并提供在所關(guān)注坐標(biāo)系中的邊緣及凹口位置信息。此算法及/或軟件可具有所屬領(lǐng)域中已知的任何合適配置。

在一些例子中，本文中所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置以確定邊緣上與通過(guò)本文中所描述的實(shí)施例獲取的樣本一樣多的位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。以此方式，所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)可針對(duì)晶片的邊緣上的遠(yuǎn)多于兩個(gè)位置來(lái)確定且所述位置可跨越晶片的整個(gè)或?qū)⒔麄€(gè)邊緣。然而，在一些例子中，可針對(duì)邊緣確定少很多的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)同時(shí)仍提供足夠信息用于本文中所描述的額外功能(例如，確定晶片的中心)。舉例來(lái)說(shuō)，如果可確定晶片的邊緣上已知為對(duì)徑地對(duì)置(即，在經(jīng)繪制穿過(guò)晶片的中心的假想線的相對(duì)端上)的兩個(gè)位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)，那么所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)可如本文中進(jìn)一步描述那樣用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述一或多個(gè)固定位置包含晶片的中心。舉例來(lái)說(shuō)，一旦已確定晶片的邊緣上的至少兩個(gè)位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)，即可確定關(guān)于晶片的額外信息，例如晶片圓周的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)或晶片直徑的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。接著可使用所述信息以基于1)圓的圓周與所述圓的中心之間的關(guān)系；或2)圓的直徑與所述圓的中心之間的關(guān)系以任何合適方式確定晶片中心的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。

在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于所述一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)確定在晶片的上表面上檢測(cè)的缺陷的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)本文中所描述的系統(tǒng)執(zhí)行的晶片邊緣/凹口檢測(cè)可為對(duì)晶片執(zhí)行的晶片檢驗(yàn)過(guò)程的部分。在一些此類(lèi)例子中，可在針對(duì)缺陷檢驗(yàn)上表面之前執(zhí)行晶片邊緣/凹口檢測(cè)，但也可以相反順序執(zhí)行掃描。

對(duì)于在晶片檢驗(yàn)之前執(zhí)行的邊緣檢測(cè)，一旦將晶片裝載到晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)中，所述系統(tǒng)即可開(kāi)始使晶片自旋到可為如上所述的HS或HT掃描速度的邊緣掃描速度。在系統(tǒng)開(kāi)始使晶片旋轉(zhuǎn)時(shí)，本文中所描述的載臺(tái)可使晶片在x及/或y方向上移動(dòng)以將晶片邊緣定位于光點(diǎn)之下及光點(diǎn)內(nèi)。一旦晶片邊緣經(jīng)如此定位且晶片以邊緣掃描速度自旋，即可如本文中所描述那樣將光引導(dǎo)到光點(diǎn)且從所述光點(diǎn)檢測(cè)光以用于使用晶片的1.01轉(zhuǎn)以邊緣檢測(cè)速度執(zhí)行的邊緣檢測(cè)。

接著，可將邊緣檢測(cè)掃描期間產(chǎn)生的輸出(例如，邊緣檢測(cè)圖像數(shù)據(jù))傳送到計(jì)算機(jī)處理器或耦合到所述計(jì)算機(jī)處理器的存儲(chǔ)媒體。當(dāng)所述數(shù)據(jù)傳送結(jié)束時(shí)，計(jì)算機(jī)處理器可如本文中所描述那樣基于邊緣檢測(cè)數(shù)據(jù)計(jì)算晶片中心的坐標(biāo)。

一旦已完成針對(duì)1.01轉(zhuǎn)的邊緣檢測(cè)及數(shù)據(jù)傳送，晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)即可開(kāi)始以晶片檢驗(yàn)速度(其可與用于邊緣檢測(cè)的邊緣掃描速度相同)掃描晶片的上表面?？蓪⒂纱藪呙璁a(chǎn)生的數(shù)據(jù)(例如，缺陷數(shù)據(jù))存儲(chǔ)到緩沖器中。一旦已計(jì)算出晶片的中心，存儲(chǔ)于所述緩沖器中的傾斜掃描數(shù)據(jù)即可與晶片中心信息一起使用以使用所述晶片中心信息及x/y校準(zhǔn)數(shù)據(jù)執(zhí)行所報(bào)告的缺陷坐標(biāo)的映射。換句話說(shuō)，通過(guò)檢驗(yàn)系統(tǒng)報(bào)告的晶片的中心的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)與通過(guò)本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例確定的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)之間的映射、偏移、轉(zhuǎn)換或其它關(guān)系可經(jīng)確定且接著用于基于通過(guò)本文中所描述的實(shí)施例確定的所述映射、偏移、轉(zhuǎn)換或其它關(guān)系將通過(guò)檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)缺陷報(bào)告的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)轉(zhuǎn)譯成經(jīng)校正的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。此外，可相對(duì)于晶片的中心或晶片上的另一固定位置(例如凹口)確定所述經(jīng)校正坐標(biāo)。換句話說(shuō)，晶片的中心或凹口可用作所述經(jīng)校正坐標(biāo)的原點(diǎn)。在任何情況中，優(yōu)選相對(duì)于晶片上的固定位置確定經(jīng)校正坐標(biāo)使得所述坐標(biāo)及通過(guò)另一系統(tǒng)(例如缺陷重檢系統(tǒng))確定的晶片上的所述固定位置的坐標(biāo)可用于在例如缺陷重檢的另一過(guò)程中重新定位缺陷。

在另一實(shí)施例中，光源、至少一個(gè)光學(xué)元件及檢測(cè)器經(jīng)配置使得以等于或小于1um的精確度確定兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可歸因于其小于1um的邊緣及凹口檢測(cè)精確度及小于1秒的總檢測(cè)時(shí)間而用于下一代工具。通常，通過(guò)例如商業(yè)上可從加利福尼亞州苗必達(dá)市的科磊公司(KLA-Tencor,Milpitas,Calif.)購(gòu)得的eDR系列工具的重檢工具的需要驅(qū)動(dòng)精確度要求。晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)的較高精確度允許重檢系統(tǒng)大幅降低搜索由晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)報(bào)告的所關(guān)注缺陷(DOI)所花費(fèi)的時(shí)間。

因此，本文中所描述的實(shí)施例提供不同于可通過(guò)晶片檢驗(yàn)工具的晶片對(duì)準(zhǔn)子系統(tǒng)提供的信息的信息。舉例來(lái)說(shuō)，物理樣本定向通?？赏ㄟ^(guò)對(duì)準(zhǔn)過(guò)程、對(duì)準(zhǔn)硬件(例如晶片預(yù)對(duì)準(zhǔn)器及載臺(tái))定義。因此，對(duì)準(zhǔn)過(guò)程及硬件可提供關(guān)于凹口位置的信息且需要用于其自身操作的關(guān)于晶片邊緣位置的特定信息。舉例來(lái)說(shuō)，晶片中心必須在百或數(shù)百微米內(nèi)與載臺(tái)中心重合。相反，本文中所描述的實(shí)施例經(jīng)配置以提供關(guān)于邊緣及凹口位置的更準(zhǔn)確信息，即，大致1um的檢測(cè)精確度。因此，本文中所描述的實(shí)施例提供改進(jìn)的分辨率，由此允許邊緣/凹口檢測(cè)的改進(jìn)精確度及準(zhǔn)確度。

在一些實(shí)施例中，檢測(cè)器經(jīng)配置以檢測(cè)從光點(diǎn)反射或散射的光且計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于輸出檢測(cè)晶片的邊緣上的缺陷。舉例來(lái)說(shuō)，除了邊緣及凹口檢測(cè)之外，還可通過(guò)本文中所描述的實(shí)施例提供某種邊緣檢驗(yàn)?zāi)芰ΑＬ囟▉?lái)說(shuō)，本文中所描述的實(shí)施例歸因于其相對(duì)較高分辨率成像光學(xué)器件及多通道檢測(cè)器而提供邊緣檢驗(yàn)?zāi)芰ΑＴ谝粋€(gè)此實(shí)例中，對(duì)于本文中所描述的光學(xué)配置，切向方向上(即，沿著晶片的圓周)的較高分辨率可具有較慢旋轉(zhuǎn)速率，例如，與本文中所描述的HT操作相比，在HS操作中要慢多達(dá)4x。此較慢旋轉(zhuǎn)可提供相對(duì)較高分辨率(例如，5um)，由此使系統(tǒng)適于晶片的邊緣檢驗(yàn)。檢測(cè)從光點(diǎn)反射或散射的光的全部配置可用于所述目的。

計(jì)算機(jī)處理器可經(jīng)配置以使用任何合適缺陷檢測(cè)方法及/或算法以任何合適方式檢測(cè)晶片的邊緣上的缺陷。舉例來(lái)說(shuō)，可比較通過(guò)檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出與閾值且可將具有高于所述閾值的值的輸出中的任何者識(shí)別為潛在缺陷，而不將不具有高于所述閾值的值的輸出識(shí)別為對(duì)應(yīng)于潛在缺陷。與閾值比較的輸出的值可包含(例如)強(qiáng)度?？梢匀魏魏线m方式確定所述閾值的適當(dāng)值(例如，作為晶片邊緣上的預(yù)期噪聲的某個(gè)倍數(shù))。然而，許多其它缺陷檢測(cè)方法及/或算法是可能的且可基于輸出的特性可能結(jié)合晶片的特性及/或所述晶片上的所關(guān)注缺陷來(lái)選擇及/或確定與所述輸出一起使用的方法及/或算法。一旦已在晶片的邊緣上檢測(cè)缺陷，即可如本文中進(jìn)一步描述那樣確定且可能校正邊緣缺陷的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)。

在一些此類(lèi)例子中，一旦將晶片裝載到晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)中，所述系統(tǒng)即可開(kāi)始使所述晶片自旋到邊緣掃描速度(其可為如上所述的HS或HT掃描速度)。在系統(tǒng)開(kāi)始使晶片旋轉(zhuǎn)時(shí)，本文中所描述的載臺(tái)可如本文中所描述那樣使晶片在x及/或y方向上移動(dòng)以將晶片邊緣定位于光點(diǎn)之下及光點(diǎn)內(nèi)。一旦晶片邊緣經(jīng)如此定位且晶片以邊緣掃描速度自旋，即可如本文中所描述那樣將光引導(dǎo)到光點(diǎn)且從所述光點(diǎn)檢測(cè)光以用于使用1.01轉(zhuǎn)以邊緣掃描速度執(zhí)行的邊緣檢驗(yàn)。

接著，可將邊緣檢驗(yàn)掃描期間產(chǎn)生的輸出(例如，邊緣檢驗(yàn)圖像數(shù)據(jù))傳送到計(jì)算機(jī)處理器或耦合到所述計(jì)算機(jī)處理器的存儲(chǔ)媒體。當(dāng)所述邊緣檢驗(yàn)數(shù)據(jù)傳送結(jié)束時(shí)，計(jì)算機(jī)處理器可處理所述數(shù)據(jù)以檢測(cè)晶片邊緣上的缺陷，這可如本文中所描述那樣執(zhí)行。系統(tǒng)還可取邊緣檢驗(yàn)數(shù)據(jù)的十分之一以識(shí)別且接著僅傳送邊緣缺陷圖像或數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)處理器。一旦邊緣數(shù)據(jù)傳送結(jié)束，計(jì)算機(jī)處理器即可基于邊緣檢測(cè)數(shù)據(jù)計(jì)算晶片中心的坐標(biāo)。

一旦針對(duì)1.01轉(zhuǎn)的邊緣檢測(cè)及數(shù)據(jù)傳送已完成，晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)即可增加晶片邊緣掃描速度以匹配晶片檢驗(yàn)速度且接著開(kāi)始以所述晶片檢驗(yàn)速度掃描晶片的上表面。可將由此掃描產(chǎn)生的數(shù)據(jù)(例如，缺陷數(shù)據(jù))存儲(chǔ)到緩沖器中。一旦已計(jì)算晶片的中心，存儲(chǔ)于所述緩沖器中的傾斜掃描數(shù)據(jù)即可與晶片中心信息一起使用以使用所述晶片中心信息及x/y校準(zhǔn)數(shù)據(jù)執(zhí)行所報(bào)告的缺陷坐標(biāo)的映射，這可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。

在另一實(shí)施例中，系統(tǒng)包含經(jīng)配置以檢測(cè)從光點(diǎn)反射或散射的光且響應(yīng)于所述經(jīng)檢測(cè)的反射或散射光產(chǎn)生輸出的額外檢測(cè)器，且計(jì)算機(jī)處理器經(jīng)配置以基于由所述額外檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出檢測(cè)晶片上的缺陷。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)引入多個(gè)檢測(cè)器及集光光學(xué)器件布置來(lái)增強(qiáng)檢驗(yàn)?zāi)芰ΑＴ谝粋€(gè)實(shí)例中，圖2中所展示的光源200、202及204中的一者或兩者可經(jīng)配置為額外檢測(cè)器，其經(jīng)配置以檢測(cè)歸因于通過(guò)所述光源中的至少一者的照明而從晶片邊緣反射及/或散射的光。然而，圖2中所展示的全部光源可仍為光源且系統(tǒng)可包含經(jīng)配置以檢測(cè)歸因于通過(guò)光源200、202及204中的一或多者的光點(diǎn)的照明而從所述光點(diǎn)散射及/或反射的光的額外檢測(cè)器(未展示)。在一些例子中，所述額外檢測(cè)器可定位于入射平面中(作為散射光的例子中的“頂部”、“前面”或“背面”集光器)以用于檢測(cè)反射及/或散射光或定位于入射平面外(作為“側(cè)”集光器)以用于檢測(cè)非鏡面光。所述額外檢測(cè)器可如本文中關(guān)于檢測(cè)器116所描述那樣進(jìn)一步配置。檢測(cè)器116及所述額外檢測(cè)器可具有大體上相同配置或不同配置。舉例來(lái)說(shuō)，檢測(cè)器116可經(jīng)配置為線性傳感器而所述額外檢測(cè)器可經(jīng)配置為二維(2D)陣列傳感器。所述檢測(cè)器中的每一者也可耦合到其自身集光器，或所述檢測(cè)器可共享一或多個(gè)集光器。本文中所描述的其它光學(xué)元件中的任何者也可耦合到所述額外檢測(cè)器(定位于所述額外檢測(cè)器的光學(xué)路徑中)。計(jì)算機(jī)處理器可經(jīng)配置以如本文中進(jìn)一步描述那樣基于由額外檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出檢測(cè)晶片上的缺陷。

在一個(gè)此實(shí)施例中，額外檢測(cè)器可經(jīng)配置使得其物體平面相對(duì)于晶片的上表面傾斜。舉例來(lái)說(shuō)，如果通過(guò)額外檢測(cè)器及集光光學(xué)器件布置提供檢驗(yàn)?zāi)芰?，那么?jīng)配置用于此目的的個(gè)別檢測(cè)器的物體平面可相對(duì)于樣本頂部表面傾斜，包含檢測(cè)器“看”向晶片斜面的側(cè)及底部。以此方式，如果系統(tǒng)包含多個(gè)檢測(cè)器，那么所述檢測(cè)器中的一或多者可具有不同于其它檢測(cè)器的物體平面。使經(jīng)配置以檢測(cè)來(lái)自邊緣的斜面或側(cè)的光的檢測(cè)器中的一者的物體平面傾斜對(duì)于其輸出將用于檢測(cè)所述斜面或側(cè)上的缺陷的檢測(cè)器來(lái)說(shuō)可為有利的。舉例來(lái)說(shuō)，如果檢測(cè)器的物體平面可經(jīng)傾斜使得其大體上平行于邊緣的上斜面，那么由所述檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出可更響應(yīng)于所述上斜面上的缺陷，由此以較高靈敏度實(shí)現(xiàn)此類(lèi)缺陷的檢測(cè)。

本文中所描述的實(shí)施例還可包含經(jīng)配置以用于晶片的邊緣上的缺陷的檢測(cè)的完全不同的光學(xué)子系統(tǒng)。此合適光學(xué)子系統(tǒng)的實(shí)例描述于在2007年10月9日頒予羅森高斯(Rosengaus)的第7,280,197號(hào)美國(guó)專(zhuān)利中，所述專(zhuān)利以宛如全文闡述引用的方式并入本文中。本文中所描述的實(shí)施例可如此專(zhuān)利中所描述那樣進(jìn)一步配置以用于邊緣檢驗(yàn)。

然而，邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)(例如由羅森高斯描述的邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng))并不一定適于以邊緣檢測(cè)可用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置(例如，晶片的中心)的方式進(jìn)行晶片的邊緣檢測(cè)。舉例來(lái)說(shuō)，邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)并不一定照明晶片上的延伸超出所述晶片的光點(diǎn)，識(shí)別(由所述系統(tǒng)產(chǎn)生的)輸出中的對(duì)應(yīng)于所述晶片的邊緣的邊界且確定所述邊緣的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)(其可接著用于確定所述晶片的中心或所述晶片上的另一固定位置)。此外，為如本文中所描述那樣大體上準(zhǔn)確地計(jì)算晶片的中心，檢測(cè)器需要在旋轉(zhuǎn)期間基于晶片角位置產(chǎn)生輸出。然而，邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)一般并不包含此能力。此外，通常用于邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)中的照明方案大體上不同于本文中所描述的照明方案且與邊緣檢驗(yàn)系統(tǒng)相比，在本文中所描述的實(shí)施例中可更簡(jiǎn)化。

本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例中的每一者可根據(jù)本文中所描述的任何其它實(shí)施例進(jìn)一步配置。此外，本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例中的每一者可經(jīng)配置以執(zhí)行本文中所描述的方法實(shí)施例中的一或多者。

另一實(shí)施例涉及一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，其存儲(chǔ)可執(zhí)行于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上以執(zhí)行本文中所描述的用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令。一個(gè)此實(shí)施例展示于圖6中。舉例來(lái)說(shuō)，如圖6中所展示，計(jì)算機(jī)可讀媒體600存儲(chǔ)可執(zhí)行于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)604上以執(zhí)行本文中所描述的方法的一或多個(gè)步驟的程序指令602。

實(shí)施例如本文中所描述的方法的方法的程序指令602可存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體600上。所述計(jì)算機(jī)可讀媒體可為存儲(chǔ)媒體，例如磁盤(pán)或光盤(pán)或磁帶或所屬領(lǐng)域中已知的任何其它合適非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體。

所述程序指令可以各種方法中的任何者實(shí)施，包含基于過(guò)程的技術(shù)、基于組件的技術(shù)及/或面向?qū)ο蟮募夹g(shù)等。舉例來(lái)說(shuō)，程序指令可視需要使用Matlab、Visual Basic、ActiveX controls、C、C++objects、C#、JavaBeans、微軟基礎(chǔ)類(lèi)別(“MFC”)或其它技術(shù)或方法實(shí)施。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)604可采取各種形式，包含個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、系統(tǒng)計(jì)算機(jī)、圖像計(jì)算機(jī)、可編程圖像計(jì)算機(jī)、平行處理器或所屬領(lǐng)域中已知的任何其它裝置。一般來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可經(jīng)廣泛定義以包含具有執(zhí)行來(lái)自存儲(chǔ)器媒體的指令的一或多個(gè)處理器的任何裝置。

額外實(shí)施例涉及一種用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的方法。所述方法包含將光引導(dǎo)到晶片的邊緣上的光點(diǎn)，這可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任何者使用本文中所描述的照明子系統(tǒng)中的任何者來(lái)執(zhí)行。所述光點(diǎn)可如本文中所描述那樣配置。所述方法還包含使晶片旋轉(zhuǎn)由此使所述光點(diǎn)掃描遍及所述晶片的邊緣，這可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任何者使用本文中所描述的載臺(tái)中的任何者來(lái)執(zhí)行。如本文中進(jìn)一步描述，在所述光點(diǎn)掃描遍及所述邊緣時(shí)，使所述晶片旋轉(zhuǎn)少于兩次。此外，所述方法包含在所述光點(diǎn)掃描遍及所述邊緣時(shí)檢測(cè)來(lái)自所述光點(diǎn)的光以由此響應(yīng)于所述經(jīng)檢測(cè)光產(chǎn)生輸出，這可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任何者使用本文中所描述的檢測(cè)器中的任何者來(lái)執(zhí)行。

所述方法進(jìn)一步包含基于所述輸出確定所述晶片的所述邊緣上的兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)，這可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任何者使用本文中所描述的計(jì)算機(jī)處理器中的任何者來(lái)執(zhí)行。所述方法還包含基于所述邊緣上的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上位置的所述晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)確定所述晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)，這可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任何者使用本文中所描述的計(jì)算機(jī)處理器中的任何者來(lái)執(zhí)行。同一計(jì)算機(jī)處理器可執(zhí)行上文所描述的確定步驟中的兩者。

上文所描述的方法的步驟中的每一者可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。上文所描述的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。上文所描述的方法可使用本文中所描述的系統(tǒng)中的任何者來(lái)執(zhí)行。

本文中所描述的方法還可包含將所述方法中的任何者的步驟中的任何者的結(jié)果存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體中。所述結(jié)果可包含本文中所描述的結(jié)果中的任何者且可以所屬領(lǐng)域中已知的任何方式存儲(chǔ)。所述存儲(chǔ)媒體可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何合適存儲(chǔ)媒體。在已存儲(chǔ)所述結(jié)果之后，所述結(jié)果可在存儲(chǔ)媒體中存取且如本文中所描述那樣加以使用、經(jīng)格式化以對(duì)用戶(hù)顯示、通過(guò)另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)使用等等。

鑒于此描述，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白本發(fā)明的各種方面的進(jìn)一步修改及替代實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，提供用于確定晶片上的一或多個(gè)固定位置的晶片檢驗(yàn)坐標(biāo)的方法及系統(tǒng)。因此，此描述應(yīng)僅理解為說(shuō)明性且是出于教示所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)行本發(fā)明的一般方式的目的。應(yīng)理解，本文中所展示及描述的本發(fā)明的形式應(yīng)視為當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在受益于本發(fā)明的此描述之后將明白，元件及材料可替換本文中所說(shuō)明及描述的元件及材料，可反轉(zhuǎn)零件及過(guò)程且可獨(dú)立利用本發(fā)明的某些特征。在不脫離如所附權(quán)利要求書(shū)中所描述的本發(fā)明的精神及范圍的情況下，可對(duì)本文中所描述的元件作出改變。