本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及用于使用近場(chǎng)恢復(fù)進(jìn)行光罩檢驗(yàn)的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

以下說(shuō)明及實(shí)例并非由于其包含于此章節(jié)中而被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。

制作例如邏輯及存儲(chǔ)器裝置的半導(dǎo)體裝置通常包含使用大量半導(dǎo)體制作工藝來(lái)處理例如半導(dǎo)體晶片的襯底以形成半導(dǎo)體裝置的各種特征及多個(gè)層級(jí)。舉例來(lái)說(shuō)，光刻是涉及將圖案從光罩轉(zhuǎn)印到布置于半導(dǎo)體晶片上的抗蝕劑的半導(dǎo)體制作工藝。半導(dǎo)體制作工藝的額外實(shí)例包含但不限于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、蝕刻、沉積及離子植入?？蓪⒍鄠€(gè)半導(dǎo)體裝置制作于單個(gè)半導(dǎo)體晶片上的布置中且接著將其分離成若干個(gè)別半導(dǎo)體裝置。

在半導(dǎo)體制造工藝期間在各種步驟處使用檢驗(yàn)工藝來(lái)檢測(cè)光罩上的缺陷以促成在制造工藝中的較高合格率及(因此)較高利潤(rùn)。檢驗(yàn)始終是制作例如IC的半導(dǎo)體裝置的重要部分。然而，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸減小，檢驗(yàn)變得對(duì)半導(dǎo)體裝置的成功制造甚至更重要。

現(xiàn)有光罩檢驗(yàn)方法利用若干個(gè)成像模式中的一者來(lái)檢驗(yàn)掩模。稱作光罩平面檢驗(yàn)(RPI)的最常見檢驗(yàn)?zāi)Ｊ缴婕安东@光罩的高分辨率經(jīng)透射及經(jīng)反射圖像且一起處理所述兩個(gè)圖像。稱為低數(shù)值孔徑(NA)檢驗(yàn)(LNI)的另一檢驗(yàn)方法涉及以下模式：模仿晶片掃描儀光學(xué)條件，從而在近似掃描儀的照明條件下以比RPI低的NA在經(jīng)透射光中捕獲一個(gè)圖像。稱為SL的另一污染檢驗(yàn)方法涉及分析經(jīng)RPI透射及反射的兩個(gè)圖像，以找到從背景圖案突出的缺陷。

許多光罩檢驗(yàn)方法使用裸片到數(shù)據(jù)庫(kù)類型比較而檢測(cè)光罩上的缺陷。此檢驗(yàn)通常涉及獲取光罩的顯微鏡圖像。依據(jù)描述光罩上的既定圖案的數(shù)據(jù)庫(kù)，可計(jì)算或模擬預(yù)期檢驗(yàn)顯微鏡將觀察的所述光罩的圖像。接著可將所獲取光學(xué)圖像與經(jīng)計(jì)算或經(jīng)模擬圖像進(jìn)行比較以檢測(cè)光罩上的缺陷。

如上文所描述計(jì)算光罩圖像可包含計(jì)算光罩所致的光衍射。麥克斯韋(Maxwell)方程式完整且準(zhǔn)確地描述光罩所致的電磁波的衍射。然而，不存在針對(duì)整個(gè)光罩在所需要檢驗(yàn)時(shí)間(其為一到兩個(gè)小時(shí))內(nèi)對(duì)麥克斯韋方程式準(zhǔn)確地求解的實(shí)際方法。一些當(dāng)前使用的方法使用例如基爾霍夫(Kirchhoff)近似法的近似法來(lái)估計(jì)衍射場(chǎng)。然而，此限制經(jīng)計(jì)算圖像的準(zhǔn)確性且因此限制可檢測(cè)到的最小缺陷。

光學(xué)接近校正(OPC)的進(jìn)步導(dǎo)致寫入于光掩?；蚬庹稚系膱D案的不斷增加的復(fù)雜性。通常使用高端光學(xué)顯微鏡(例如上文所描述的那些光學(xué)顯微鏡)利用高級(jí)算法來(lái)鑒定所寫入圖案而執(zhí)行光罩檢驗(yàn)。由于OPC復(fù)雜性，分離致命(印刷)缺陷與非致命(擾害)缺陷變得越來(lái)越困難。解決此問(wèn)題的傳統(tǒng)方法是：(a)利用基于缺陷的形狀及大小的經(jīng)驗(yàn)規(guī)則來(lái)進(jìn)行人工處置，(b)建立經(jīng)驗(yàn)規(guī)則及自動(dòng)缺陷分類(ADC)軟件以自動(dòng)地處置大量缺陷，及(c)在恰當(dāng)光刻條件下使用空中成像工具來(lái)獲取光學(xué)圖像以處置缺陷。

然而，此些當(dāng)前使用的方法及系統(tǒng)存在若干個(gè)缺點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)前使用的方法需要用戶進(jìn)行人工缺陷處置以逐一地再檢驗(yàn)缺陷。增加的OPC復(fù)雜性意味著用戶時(shí)常難以利用幾條經(jīng)驗(yàn)規(guī)則來(lái)分離印刷缺陷與非印刷缺陷。另外，潛在大量缺陷可使用戶超負(fù)荷且妨礙在合理時(shí)間周期內(nèi)完成缺陷處置?；谝?guī)則的方法并不與缺陷的可印刷性直接有關(guān)。增加的OPC復(fù)雜性與反向光刻技術(shù)(ILT)可限制所述方法的有用性。另外，空中成像工具利用硬件及算法的組合來(lái)模仿掃描儀向量成像效應(yīng)。然而，從未完全獨(dú)立地驗(yàn)證此些工具的準(zhǔn)確性。更關(guān)鍵地是，此些方法不考慮在于掃描儀上完成成像之后的復(fù)雜光致抗蝕劑顯影或蝕刻工藝。研究已表明，在空中成像工具上所測(cè)量的缺陷大小與晶片上所測(cè)量的缺陷大小之間存在不良相關(guān)。

因此，開發(fā)不具有上文所描述的缺點(diǎn)中的一或多者的用于光罩檢驗(yàn)的方法及/或系統(tǒng)將是有利的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各種實(shí)施例的以下說(shuō)明不應(yīng)以任何方式解釋為限制所附權(quán)利要求書的標(biāo)的物。

一個(gè)實(shí)施例涉及一種用于檢測(cè)光罩上的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法。所述方法包含：將所述光罩上的檢驗(yàn)區(qū)中所包含的圖案分離成兩個(gè)或兩個(gè)以上分段；及將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段分別與數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中所包含的預(yù)定分段進(jìn)行比較。所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)包含光罩圖案的成對(duì)的所述預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)近場(chǎng)數(shù)據(jù)。所述方法還包含：基于所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少一者最類似于的所述預(yù)定分段中的一者而將近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者。另外，所述方法包含：基于所述所指派近場(chǎng)數(shù)據(jù)而產(chǎn)生所述檢驗(yàn)區(qū)的近場(chǎng)數(shù)據(jù)；及基于所述所產(chǎn)生近場(chǎng)數(shù)據(jù)而模擬所述檢驗(yàn)區(qū)的將由光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)的檢測(cè)器形成的圖像。所述方法進(jìn)一步包含：獲取所述光罩的物理版本上的所述檢驗(yàn)區(qū)的由所述檢測(cè)器產(chǎn)生的實(shí)際圖像；及通過(guò)將所述經(jīng)模擬圖像與所述實(shí)際圖像進(jìn)行比較而檢測(cè)所述光罩上的缺陷。利用一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)而執(zhí)行所述分離、分別比較、指派、產(chǎn)生、模擬、獲取及檢測(cè)步驟。

可如本文中所描述來(lái)進(jìn)一步執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的步驟中的每一者。另外，所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可由本文中所描述的所述系統(tǒng)中的任一者來(lái)執(zhí)行。

另一實(shí)施例涉及一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以執(zhí)行用于檢測(cè)光罩上的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令。所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法包含上文所描述的所述方法的步驟?？扇绫疚闹兴枋鰜?lái)進(jìn)一步配置所述計(jì)算機(jī)可讀媒體?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步所描述來(lái)執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的步驟。另外，可為其執(zhí)行所述程序指令的所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。

額外實(shí)施例涉及一種經(jīng)配置以檢測(cè)光罩上的缺陷的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)，所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)包含經(jīng)配置以產(chǎn)生所述光罩的物理版本上的檢驗(yàn)區(qū)的實(shí)際圖像的檢測(cè)器。所述系統(tǒng)還包含經(jīng)配置以執(zhí)行上文所描述的所述方法的分離、分別比較、指派、產(chǎn)生、模擬、獲取及檢測(cè)步驟的一或多個(gè)計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可如本文中所描述來(lái)進(jìn)一步配置。

又一實(shí)施例涉及一種用于設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法。所述方法包含將光罩的圖案信息分離成若干預(yù)定分段。所述方法還包含基于所述光罩的由光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)的檢測(cè)器獲取的一或多個(gè)實(shí)際圖像而確定所述預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)?；谒龉庹值乃鲆换蚨鄠€(gè)實(shí)際圖像通過(guò)回歸來(lái)確定所述預(yù)定分段的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)。另外，所述方法包含產(chǎn)生包含成對(duì)的所述預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)于所述預(yù)定分段的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。所述方法進(jìn)一步包含通過(guò)將所述所產(chǎn)生數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的信息并入于用于所述光罩檢驗(yàn)工藝的處方中而設(shè)置所述光罩檢驗(yàn)工藝，使得在所述光罩檢驗(yàn)工藝期間，將所述光罩或另一光罩上的檢驗(yàn)區(qū)中的兩個(gè)或兩個(gè)以上分段與所述預(yù)定分段進(jìn)行比較，且將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少一者最類似于的所述預(yù)定分段中的一者的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者。通過(guò)一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行所述分離、確定、產(chǎn)生及設(shè)置步驟。

可如本文中所描述來(lái)進(jìn)一步執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的步驟中的每一者。另外，所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可由本文中所描述的所述系統(tǒng)中的任一者來(lái)執(zhí)行。

再一實(shí)施例涉及另一種用于設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法。所述方法包含將光罩的圖案信息分離成若干預(yù)定分段。所述方法還包含通過(guò)對(duì)管控所述預(yù)定分段的電磁場(chǎng)的方程式進(jìn)行數(shù)值求解而確定所述預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)。另外，所述方法包含產(chǎn)生包含成對(duì)的所述預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)于所述預(yù)定分段的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。所述方法進(jìn)一步包含通過(guò)將所述所產(chǎn)生數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的信息并入于用于所述光罩檢驗(yàn)工藝的處方中而設(shè)置所述光罩檢驗(yàn)工藝，使得在所述光罩檢驗(yàn)工藝期間，將所述光罩或另一光罩上的檢驗(yàn)區(qū)中的兩個(gè)或兩個(gè)以上分段與所述預(yù)定分段進(jìn)行比較，且將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少一者最類似于的所述預(yù)定分段中的一者的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者。通過(guò)一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行所述分離、確定、產(chǎn)生及設(shè)置步驟。

可如本文中所描述來(lái)進(jìn)一步執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的步驟中的每一者。另外，所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可由本文中所描述的所述系統(tǒng)中的任一者來(lái)執(zhí)行。

附圖說(shuō)明

在受益于對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的以下詳細(xì)說(shuō)明的情況下且在參考所附圖式之后，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)，在所附圖式中：

圖1是圖解說(shuō)明用于設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的實(shí)施例及用于檢測(cè)光罩上的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的實(shí)施例的流程圖；

圖2是圖解說(shuō)明非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體的一個(gè)實(shí)施例的框圖，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)用于致使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行本文中所描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法中的一或多者的程序指令；及

圖3是圖解說(shuō)明經(jīng)配置以檢測(cè)光罩上的缺陷的系統(tǒng)的實(shí)施例的側(cè)視圖的示意圖。

雖然易于對(duì)本發(fā)明做出各種修改及替代形式，但本發(fā)明的特定實(shí)施例是借助于實(shí)例展示于圖式中且將在本文中詳細(xì)地描述。所述圖式可未按比例。然而，應(yīng)理解，所述圖式及對(duì)其的詳細(xì)說(shuō)明并非打算將本發(fā)明限制于所揭示的特定形式，而是相反，本發(fā)明打算涵蓋歸屬于如由所附權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的所有修改、等效形式及替代形式。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖式，應(yīng)注意各圖并未按比例繪制。特定來(lái)說(shuō)，所述圖的元件中的一些元件的比例被大為放大以強(qiáng)調(diào)所述元件的特性。還應(yīng)注意，所述圖并未按相同比例繪制。已使用相同元件符號(hào)來(lái)指示可類似地配置的在多個(gè)圖中展示的元件。除非本文中另外提及，否則所描述及所展示的元件中的任何元件可包含任何適合可商業(yè)購(gòu)得的元件。

本文中所描述的實(shí)施例一般來(lái)說(shuō)涉及通過(guò)利用描述光罩圖案的數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)檢驗(yàn)光罩。舉例來(lái)說(shuō)，如本文中進(jìn)一步所描述，所述實(shí)施例可用于使用近場(chǎng)恢復(fù)對(duì)光罩進(jìn)行裸片到數(shù)據(jù)庫(kù)檢驗(yàn)。本文中所描述的實(shí)施例可用于針對(duì)圖案缺陷及污染檢驗(yàn)光罩。

術(shù)語(yǔ)“光罩”、“掩?！奔啊肮庋谀！痹诒疚闹谢Q使用且打算意指此項(xiàng)技術(shù)中已知的用以將圖案轉(zhuǎn)印到例如晶片的另一襯底的任何光罩或掩模。

“大體上高分辨率圖像”(如所述術(shù)語(yǔ)常用于光罩檢驗(yàn)領(lǐng)域中)是指光罩的圖像，其中印刷于光罩上的特征大體上呈現(xiàn)為其形成于光罩上那樣(在用以產(chǎn)生圖像的光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)的光學(xué)限制內(nèi))。舉例來(lái)說(shuō)，光罩的“大體上高分辨率圖像”是通過(guò)利用大體上高分辨率光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)(例如，能夠以大體上高數(shù)值孔徑(例如，大于0.8的數(shù)值孔徑(NA))產(chǎn)生圖像的光罩檢驗(yàn)系統(tǒng))使物理光罩在光罩平面處成像而產(chǎn)生的圖像。相比來(lái)說(shuō)，用以產(chǎn)生光罩的圖像的“大體上低NA”可為小于0.5的NA。另外，用以產(chǎn)生光罩圖像的“大體上低NA”可與光罩側(cè)上的由曝光系統(tǒng)用以將光罩的圖像投影到晶片上借此將光罩上的特征轉(zhuǎn)印到晶片上的NA大體上相同。因此，在大體上低NA圖像(或LNI)中，光罩特征可大體上呈現(xiàn)為不同于其形成于光罩上那樣。舉例來(lái)說(shuō)，在LNI中，光罩特征可呈現(xiàn)為具有比形成于光罩上的拐角更圓的拐角。

如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“設(shè)計(jì)”及“設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)”通常是指IC的物理設(shè)計(jì)(布局)以及通過(guò)復(fù)雜模擬或簡(jiǎn)單幾何及布爾(Boolean)運(yùn)算從物理設(shè)計(jì)導(dǎo)出的數(shù)據(jù)。所述設(shè)計(jì)可存儲(chǔ)于例如GDS文件、任何其它標(biāo)準(zhǔn)機(jī)器可讀文件、此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它適合文件的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中。一GDSII文件是用于設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)的表示的一類文件中的一者。此些文件的其它實(shí)例包含GL1及OASIS文件。本文中所描述的實(shí)施例中所使用的設(shè)計(jì)可存儲(chǔ)于此整個(gè)類別的文件中的任一者中，而不管數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)配置、存儲(chǔ)格式或存儲(chǔ)機(jī)制如何。另外，本文中進(jìn)一步所描述的光罩的圖案信息可存儲(chǔ)于描述光罩圖案的數(shù)據(jù)庫(kù)中。此光罩圖案是在掩模寫入操作無(wú)瑕疵時(shí)可預(yù)期在光罩上的圖案。所述數(shù)據(jù)庫(kù)可含有多邊形的頂點(diǎn)坐標(biāo)或可為灰度級(jí)圖像。

所述設(shè)計(jì)可包含在共同擁有的薩法爾(Zafar)等人于2009年8月4日頒布的第7,570,796號(hào)美國(guó)專利及庫(kù)爾卡尼(Kulkarni)等人于2010年3月9日頒布的第7,676,077號(hào)美國(guó)專利中所描述的任何其它設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)或設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)代理，所述兩個(gè)美國(guó)專利如同完整陳述一般以引用方式并入本文中。另外，本文中所描述的“設(shè)計(jì)”及“設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)”是指由半導(dǎo)體裝置設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)工藝中產(chǎn)生且因此在將設(shè)計(jì)印刷于任何物理光罩及/或晶片上之前可良好地用于本文中所描述的實(shí)施例中的信息及數(shù)據(jù)。

一個(gè)實(shí)施例涉及用于設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法。如圖1的步驟100中所展示，所述方法包含將光罩的圖案信息分離成若干預(yù)定分段。術(shù)語(yǔ)光罩的“部分”、“區(qū)段”及“分段”全部是指所述光罩的二維(2D)平面圖中的一組點(diǎn)。盡管這些術(shù)語(yǔ)可經(jīng)定義以具有相同意義，但每一術(shù)語(yǔ)在此文檔中均針對(duì)概念不同的對(duì)象有所保留。

在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定分段的直徑大于光罩的光學(xué)接近距離。舉例來(lái)說(shuō)，如上文所描述，可將圖案信息分離成若干相對(duì)小分段或區(qū)段。接著，如本文中進(jìn)一步所描述，可在預(yù)定分段當(dāng)中搜索正被檢驗(yàn)的光罩的數(shù)據(jù)庫(kù)的分段的匹配項(xiàng)。為增加找到匹配項(xiàng)的概率，可選擇預(yù)定分段作為數(shù)據(jù)庫(kù)的相對(duì)小區(qū)段。然而，預(yù)定分段的直徑應(yīng)大于光學(xué)接近距離以確保預(yù)定分段包含足夠圖案信息使得可以合理可信度找到匹配項(xiàng)。

在一個(gè)實(shí)施例中，從光罩的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)獲取圖案信息。光罩的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)于例如上文所描述的數(shù)據(jù)庫(kù)的數(shù)據(jù)庫(kù)中。在一些此類實(shí)施例中，所述方法可包含獲取光罩的圖案的數(shù)據(jù)庫(kù)。可以任何適合方式從任何適合存儲(chǔ)媒體獲取數(shù)據(jù)庫(kù)。

在另一實(shí)施例中，所述方法包含基于在光罩的圖案的整體中預(yù)定分段的實(shí)例的數(shù)目而依據(jù)圖案信息選擇預(yù)定分段。舉例來(lái)說(shuō)，使用數(shù)據(jù)庫(kù)，可選擇表示所述光罩或另一光罩的其余部分上的圖案的所述光罩的一部分。

如圖1的步驟102中所展示，所述方法還包含基于所述光罩的由光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)的檢測(cè)器獲取的一或多個(gè)實(shí)際圖像而確定預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，所述方法可包含以電子方式獲取光罩的選定部分的一或多個(gè)光學(xué)顯微鏡圖像。獲取一或多個(gè)實(shí)際圖像的檢測(cè)器及光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)可如本文中進(jìn)一步所描述而配置。所述圖像可為光罩的光學(xué)LNI圖像。將使用光罩的一或多個(gè)實(shí)際圖像來(lái)確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)。以此方式，可從光學(xué)LNI圖像恢復(fù)近場(chǎng)。光罩的近場(chǎng)通?？啥x為接近所述光罩的任意平面處的電場(chǎng)。如此，本文中所描述的實(shí)施例可包含依據(jù)利用顯微鏡所獲取的圖像恢復(fù)掩模近場(chǎng)。

如本文中進(jìn)一步所描述，接著近場(chǎng)數(shù)據(jù)將用于所述光罩或另一光罩以模擬所述光罩或所述另一光罩的檢測(cè)器圖像，所述檢測(cè)器圖像將用于對(duì)所述光罩或所述另一光罩的缺陷檢測(cè)。因此，近場(chǎng)數(shù)據(jù)可基于其得以確定的光罩的一或多個(gè)實(shí)際圖像是優(yōu)選地利用光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)(其將用于對(duì)所述光罩或所述另一光罩的檢驗(yàn))的檢測(cè)器或經(jīng)類似配置光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)(例如，具有與將用于檢驗(yàn)的光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)相同的式樣及模型的不同光罩檢驗(yàn)系統(tǒng))的經(jīng)類似配置檢測(cè)器而獲取。換句話說(shuō)，如本文中進(jìn)一步所描述，由于近場(chǎng)數(shù)據(jù)將用以模擬檢測(cè)器圖像，因此優(yōu)選地在如將用于檢驗(yàn)的相同光學(xué)條件下獲取可用以確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)的實(shí)際圖像。以此方式，可使用實(shí)際光罩或另一光罩盡可能直接地測(cè)量光罩與照明電磁波的交互。然而，如果將用于光罩檢驗(yàn)的光學(xué)條件無(wú)法用以獲取用以確定近場(chǎng)的實(shí)際圖像，那么可以某種方式修改實(shí)際圖像以模擬光罩的針對(duì)具有檢驗(yàn)光學(xué)條件的光罩所獲取的實(shí)際圖像。接著可使用那些經(jīng)修改圖像來(lái)確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)。

如果使用除了將被檢驗(yàn)的所述光罩以外的光罩來(lái)獲取依據(jù)其確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)的圖像，那么所述另一光罩應(yīng)具有大體上類似于待檢驗(yàn)的光罩的特性。舉例來(lái)說(shuō)，所述光罩及所述另一光罩優(yōu)選地由具有大體上相同厚度及組成的大體上相同材料構(gòu)成。另外，所述兩個(gè)光罩可已使用相同工藝形成。所述兩個(gè)光罩上可未必印刷有相同圖案，只要光罩上的圖案可分割成若干大體上相同的分段(例如，具有類似寬度的線等)即可。另外，將被檢驗(yàn)的光罩及用以獲取圖像的光罩可為同一個(gè)光罩。

可基于光罩的一或多個(gè)實(shí)際圖像通過(guò)回歸來(lái)確定預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，光罩的選定部分的近場(chǎng)可從其所獲取光學(xué)圖像或檢測(cè)器平面處所記錄的圖像強(qiáng)度而恢復(fù)(回歸)。特定來(lái)說(shuō)，從光罩的強(qiáng)度圖像恢復(fù)光罩的近場(chǎng)是反問(wèn)題或回歸問(wèn)題。如在大多數(shù)反問(wèn)題中，可通過(guò)最小化成本函數(shù)(例如，能量或懲罰函數(shù))而迭代地恢復(fù)近場(chǎng)。被最小化的量可為檢測(cè)器處的光學(xué)圖像與從近場(chǎng)所計(jì)算的強(qiáng)度圖像之間的平方差的和。另外，可使用任何其它適合回歸方法及/或算法來(lái)依據(jù)一或多個(gè)實(shí)際圖像確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)。

在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)所述檢測(cè)器或另一檢測(cè)器以多個(gè)焦點(diǎn)設(shè)定獲取所述光罩或另一光罩的一或多個(gè)實(shí)際圖像。以此方式，在優(yōu)選實(shí)施方案中，可以多個(gè)焦點(diǎn)設(shè)定(即，多個(gè)焦點(diǎn)設(shè)定)獲取圖像。如果使用多個(gè)焦點(diǎn)設(shè)定下的圖像，那么對(duì)近場(chǎng)的恢復(fù)是穩(wěn)健的。可使用如本文中進(jìn)一步所描述的系統(tǒng)以如本文中進(jìn)一步所描述的檢測(cè)器的多個(gè)焦點(diǎn)設(shè)定獲取光罩的圖像。

在一個(gè)實(shí)施例中，回歸包含霍普金(Hopkins)相位近似法。在另一實(shí)施例中，回歸不包含薄掩模近似法。在額外實(shí)施例中，回歸不包含基爾霍夫近似法。舉例來(lái)說(shuō)，光罩的近場(chǎng)是在所述光罩被法向入射平面波照明時(shí)所述光罩的表面處存在的電磁場(chǎng)。在光刻及檢驗(yàn)中，光罩被從許多方向入射的平面波照明。根據(jù)霍普金近似法，當(dāng)入射方向改變時(shí)，衍射級(jí)方向改變，而其振幅及相位保持大致上不變。本文中所描述的實(shí)施例可使用霍普金相位近似法，但不進(jìn)行所謂的薄掩?；蚧鶢柣舴蚪品?。

如圖1的步驟104中所展示，所述方法進(jìn)一步包含產(chǎn)生包含成對(duì)的預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)于所述預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，可將數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)配置為庫(kù)。以此方式，所述方法可包含形成含有數(shù)據(jù)庫(kù)的成對(duì)的分段及光罩的對(duì)應(yīng)分段上的近場(chǎng)的庫(kù)。換句話說(shuō)，庫(kù)可含有光罩圖案的相對(duì)小剪輯(clip)及相關(guān)聯(lián)光罩近場(chǎng)。如此，光罩圖案剪輯及近場(chǎng)可作為成對(duì)的對(duì)象保存于庫(kù)中。然而，數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可具有此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它適合文件格式。另外，盡管數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可在本文中所提供的說(shuō)明中稱為“庫(kù)”，但將理解，本文中所描述的實(shí)施例不需要將數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)配置為庫(kù)。因此可在檢驗(yàn)光罩(或第二光罩)之前產(chǎn)生庫(kù)。

如圖1的步驟106中所展示，所述方法還包含通過(guò)將所述所產(chǎn)生數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的信息并入于用于所述光罩檢驗(yàn)工藝的處方中而設(shè)置所述光罩檢驗(yàn)工藝，使得在所述光罩檢驗(yàn)工藝期間將所述光罩或另一光罩上的檢驗(yàn)區(qū)中的兩個(gè)或兩個(gè)以上分段與所述預(yù)定分段進(jìn)行比較，且將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少一者最類似于的所述預(yù)定分段中的一者的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者。換句話說(shuō)，當(dāng)檢驗(yàn)光罩時(shí)，可將其圖案信息分離成若干分段，與庫(kù)中的預(yù)定分段相比較，且可將庫(kù)中的預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到其匹配的分段?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步所描述來(lái)執(zhí)行這些步驟。

以此方式，如本文中所描述的設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝可包含產(chǎn)生將用于光罩檢驗(yàn)工藝中的庫(kù)且至少使所述庫(kù)可用于所述光罩檢驗(yàn)工藝中。然而，本文中所描述的實(shí)施例可或可不包含設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝的其它參數(shù)(例如，光學(xué)參數(shù)、缺陷檢測(cè)參數(shù)等)。舉例來(lái)說(shuō)，可以某種其它方法或利用某種其它系統(tǒng)來(lái)確定其它參數(shù)，且可將庫(kù)的信息(例如，到庫(kù)的鏈接及/或庫(kù)的ID)并入到所述工藝中。如此，本文中所描述的實(shí)施例可包含僅設(shè)置整個(gè)光罩檢驗(yàn)工藝的一個(gè)元素(庫(kù))。光罩檢驗(yàn)工藝的處方可為可由光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)用以執(zhí)行所述光罩檢驗(yàn)工藝的任何指令集。此些指令可具有任何適合格式且可存儲(chǔ)于任何適合數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中。

通過(guò)一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行所述分離、確定、產(chǎn)生及設(shè)置步驟，所述一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任一者來(lái)配置。

上文所描述的方法的實(shí)施例中的每一者可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，可通過(guò)本文中所描述的系統(tǒng)中的任一者執(zhí)行上文所描述的方法的實(shí)施例中的每一者。

用于設(shè)置光罩檢驗(yàn)工藝的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的額外實(shí)施例包含上文所描述的分離、產(chǎn)生及設(shè)置步驟。然而，此實(shí)施例未必包含上文所描述的確定步驟。相反，在此實(shí)施例中，所述方法包含通過(guò)對(duì)管控預(yù)定分段的電磁場(chǎng)的方程式進(jìn)行數(shù)值求解而確定所述預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)。換句話說(shuō)，所述實(shí)施例可使用麥克斯韋方程式來(lái)確定不同預(yù)定分段的近場(chǎng)。接著可將從麥克斯韋方程式確定的近場(chǎng)及其對(duì)應(yīng)預(yù)定分段存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)(例如，庫(kù))中，如本文中進(jìn)一步所描述。接著可在光罩檢驗(yàn)工藝期間使用那些近場(chǎng)與預(yù)定分段對(duì)，如本文中進(jìn)一步所描述?？梢匀魏芜m合方式使用任何適合方法及/或算法對(duì)管控預(yù)定分段的電磁場(chǎng)的方程式(或麥克斯韋方程式)求解。

通過(guò)一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行所述分離、確定、產(chǎn)生及設(shè)置步驟，所述一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任一者來(lái)配置。

上文所描述的方法的實(shí)施例中的每一者可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，可通過(guò)本文中所描述的系統(tǒng)中的任一者執(zhí)行上文所描述的方法的實(shí)施例中的每一者。

另一實(shí)施例涉及用于檢測(cè)光罩上的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法。換句話說(shuō)，此實(shí)施例可包含檢驗(yàn)光罩或?qū)庹謭?zhí)行光罩檢驗(yàn)工藝。在本文中進(jìn)一步所描述的實(shí)施例中執(zhí)行的所述光罩檢驗(yàn)工藝可(至少部分)如上文所描述而設(shè)置。

如圖1的步驟108中所展示，此方法包含將所述光罩上的檢驗(yàn)區(qū)中所包含的圖案分離成兩個(gè)或兩個(gè)以上分段。舉例來(lái)說(shuō)，給出光罩的檢驗(yàn)區(qū)，可將所述檢驗(yàn)區(qū)的數(shù)據(jù)庫(kù)劃分或分割成若干相對(duì)小分段。所述方法可或可不包含選擇光罩上的檢驗(yàn)區(qū)。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)另一方法或系統(tǒng)來(lái)確定光罩上的檢驗(yàn)區(qū)，且所述檢驗(yàn)區(qū)的信息可包含于用于光罩檢驗(yàn)工藝的處方中。所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段可如本文中進(jìn)一步所描述而配置。

如圖1的步驟110中所展示，所述方法還包含將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段分別與數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中所包含的預(yù)定分段進(jìn)行比較。所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)包含光罩圖案的成對(duì)的預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)近場(chǎng)數(shù)據(jù)。以此方式，可在庫(kù)中查詢數(shù)據(jù)庫(kù)的每一分段。特定來(lái)說(shuō)，分別比較步驟可包含在庫(kù)的數(shù)據(jù)庫(kù)分段中尋找被檢驗(yàn)的光罩的數(shù)據(jù)庫(kù)的區(qū)段的匹配項(xiàng)。換句話說(shuō)，此步驟可包含在庫(kù)中找到匹配圖案。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段的直徑大于所述光罩的光學(xué)接近距離。舉例來(lái)說(shuō)，如上文所描述，可將光罩圖案分離成若干相對(duì)小分段或區(qū)段。接著，可在庫(kù)中的數(shù)據(jù)庫(kù)分段當(dāng)中搜索所述數(shù)據(jù)庫(kù)的此區(qū)段的匹配項(xiàng)。為增加找到匹配項(xiàng)的概率，可一次處理數(shù)據(jù)庫(kù)的一相對(duì)小區(qū)段。然而，所述區(qū)段的直徑應(yīng)大于光學(xué)接近距離。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包含通過(guò)將所述光罩或另一光罩的圖案信息分離成若干預(yù)定分段而確定成對(duì)的所述預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)近場(chǎng)數(shù)據(jù)；及基于所述光罩或所述另一光罩的由所述檢測(cè)器或另一檢測(cè)器獲取的一或多個(gè)實(shí)際圖像而確定所述預(yù)定分段的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)。可如本文中進(jìn)一步所描述來(lái)執(zhí)行這些步驟。舉例來(lái)說(shuō)，用于本文中所描述的實(shí)施例的庫(kù)可如上文所描述而創(chuàng)建。

在一個(gè)此實(shí)施例中，基于所述光罩或所述另一光罩的一或多個(gè)實(shí)際圖像通過(guò)回歸來(lái)確定所述預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)。所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)可以此方式確定，如本文中進(jìn)一步詳細(xì)地描述。

在額外實(shí)施例中，所述方法包含：通過(guò)將所述光罩或另一光罩的圖案信息分離成若干預(yù)定分段而確定成對(duì)的所述預(yù)定分段及對(duì)應(yīng)近場(chǎng)數(shù)據(jù)；及通過(guò)對(duì)管控所述光罩圖案的所述預(yù)定分段的電磁場(chǎng)的方程式進(jìn)行數(shù)值求解而確定所述預(yù)定分段的近場(chǎng)數(shù)據(jù)?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步所描述來(lái)執(zhí)行這些步驟。舉例來(lái)說(shuō)，用于本文中所描述的實(shí)施例的庫(kù)可如上文所描述而創(chuàng)建。

在另一實(shí)施例中，將兩個(gè)或兩個(gè)以上分段分別與預(yù)定分段進(jìn)行比較包含將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段的灰度級(jí)圖像與所述預(yù)定分段的灰度級(jí)圖像進(jìn)行比較。舉例來(lái)說(shuō)，在庫(kù)中找到匹配項(xiàng)可涉及評(píng)估灰度級(jí)光柵化數(shù)據(jù)庫(kù)圖像的相關(guān)性。在額外實(shí)施例中，將兩個(gè)或兩個(gè)以上分段分別與預(yù)定分段進(jìn)行比較包含將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的一者中的多邊形的頂點(diǎn)坐標(biāo)與所述預(yù)定分段中的多邊形的頂點(diǎn)坐標(biāo)進(jìn)行比較，且在分別比較期間不將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的一者及所述預(yù)定分段中的頂點(diǎn)坐標(biāo)的立體平移視為差異。舉例來(lái)說(shuō)，如果數(shù)據(jù)庫(kù)含有多邊形的頂點(diǎn)坐標(biāo)，那么頂點(diǎn)坐標(biāo)可在任意平移內(nèi)匹配?？梢匀魏芜m合方式使用任何適合方法及/或算法來(lái)執(zhí)行此些分別比較步驟。

如圖1的步驟112中所展示，所述方法進(jìn)一步包含基于兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少一者最類似于的預(yù)定分段中的一者將近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者。將近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到至少一個(gè)分段可包含從庫(kù)檢索對(duì)應(yīng)于所述至少一個(gè)分段最類似于的預(yù)定分段的近場(chǎng)。接著可將所檢索近場(chǎng)指派到檢驗(yàn)區(qū)中的點(diǎn)?？梢匀魏芜m合方式使用任何適合算法及/或方法執(zhí)行：確定被檢驗(yàn)的光罩的分段與庫(kù)中的預(yù)定分段的類似程度。以此方式，在檢驗(yàn)期間可通過(guò)在庫(kù)中查詢光罩的近場(chǎng)而計(jì)算所述近場(chǎng)。

在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少一者最類似于的預(yù)定分段中的一者不是所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者的確切匹配項(xiàng)時(shí)：將近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者包含：確定所述預(yù)定分段中的所述一者到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者的映射，將所述映射應(yīng)用于對(duì)應(yīng)于所述預(yù)定分段中的所述一者的所述近場(chǎng)數(shù)據(jù)以產(chǎn)生經(jīng)修改近場(chǎng)數(shù)據(jù)，及將所述經(jīng)修改近場(chǎng)數(shù)據(jù)指派到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少一者。以此方式，如果未找到確切匹配項(xiàng)，那么可選擇庫(kù)中的最接近匹配項(xiàng)。在一個(gè)此實(shí)施方案中，可發(fā)現(xiàn)將庫(kù)數(shù)據(jù)庫(kù)分段映射到檢驗(yàn)區(qū)域的數(shù)據(jù)庫(kù)區(qū)段的形態(tài)學(xué)運(yùn)算。接著可將相同形態(tài)學(xué)運(yùn)算應(yīng)用于庫(kù)近場(chǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，假定在明場(chǎng)中尋找54nm寬線的近場(chǎng)，而庫(kù)中的最接近匹配項(xiàng)為50nm寬線?？蛇x擇50nm寬線的近場(chǎng)的映射且將其延展以涵蓋54nm寬線。

在另一實(shí)施例中，當(dāng)針對(duì)兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的至少另一者無(wú)法找到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少另一者最類似于的所述預(yù)定分段中的一者時(shí)，所述方法包含：基于由檢測(cè)器產(chǎn)生的實(shí)際圖像而確定所述兩個(gè)或兩個(gè)以上分段中的所述至少另一者的近場(chǎng)數(shù)據(jù)；及將所確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)添加到數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，如果可未發(fā)現(xiàn)匹配項(xiàng)，那么可如本文中所描述執(zhí)行近場(chǎng)恢復(fù)且其結(jié)果可包含于庫(kù)中。

如圖1的步驟114中所展示，所述方法包含基于所指派近場(chǎng)數(shù)據(jù)而產(chǎn)生所述檢驗(yàn)區(qū)的近場(chǎng)數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生檢驗(yàn)區(qū)的近場(chǎng)數(shù)據(jù)可包含制成所檢索近場(chǎng)的拼貼(collage)使得單個(gè)近場(chǎng)值被指派到所述檢驗(yàn)區(qū)的每一點(diǎn)。以此方式，可從所指派近場(chǎng)計(jì)算圖像。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包含基于所產(chǎn)生近場(chǎng)數(shù)據(jù)而模擬所述檢驗(yàn)區(qū)的將由光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)的檢測(cè)器形成的圖像。舉例來(lái)說(shuō)，可使用霍普金或加莫-伽博(Gamo-Gabor)理論將所指派近場(chǎng)值傳播到檢測(cè)器陣列，且可確定圖像強(qiáng)度。

如圖1的步驟116中所展示，所述方法進(jìn)一步包含獲取光罩的物理版本上的檢驗(yàn)區(qū)的由檢測(cè)器產(chǎn)生的實(shí)際圖像。以此方式，可獲取待檢驗(yàn)的區(qū)域的光學(xué)圖像?？墒褂帽疚闹兴枋龅娜魏蜗到y(tǒng)的任何檢測(cè)器如本文中進(jìn)一步所描述而產(chǎn)生所述光罩的物理版本上的檢驗(yàn)區(qū)的實(shí)際圖像。

如圖1的步驟118中所展示，所述方法還包含通過(guò)將經(jīng)模擬圖像與實(shí)際圖像進(jìn)行比較而檢測(cè)光罩上的缺陷。舉例來(lái)說(shuō)，可將所獲取光學(xué)圖像與經(jīng)計(jì)算圖像強(qiáng)度進(jìn)行比較，且可檢測(cè)并報(bào)告檢驗(yàn)區(qū)的經(jīng)計(jì)算圖像與所獲取光學(xué)圖像之間的顯著差異。然而，可以任何其它適合方式使用任何其它適合方法及/或算法來(lái)執(zhí)行：基于將經(jīng)模擬圖像與實(shí)際圖像進(jìn)行比較的結(jié)果而檢測(cè)光罩上的缺陷。

因此，本文中所描述的實(shí)施例具有優(yōu)于其它當(dāng)前使用的光罩檢驗(yàn)方法的若干個(gè)優(yōu)點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，如本文中進(jìn)一步所描述從其光學(xué)圖像恢復(fù)光罩的近場(chǎng)比對(duì)麥克斯韋方程式求解快。另外，創(chuàng)建經(jīng)恢復(fù)近場(chǎng)的庫(kù)且拼貼從所述庫(kù)檢索的近場(chǎng)減少近場(chǎng)恢復(fù)計(jì)算的數(shù)目。

在又一實(shí)施例中，所述方法包含：通過(guò)將所產(chǎn)生近場(chǎng)數(shù)據(jù)輸入到模型中而模擬將在利用所述光罩執(zhí)行的工藝中形成于晶片上的經(jīng)圖案化特征的一或多個(gè)特性；測(cè)量已在所述工藝中形成于所述晶片上的經(jīng)圖案化特征的一或多個(gè)特性；將一或多個(gè)經(jīng)模擬特性與一或多個(gè)經(jīng)測(cè)量特性進(jìn)行比較；及基于所述比較步驟的結(jié)果而更改所述模型的一或多個(gè)參數(shù)。以此方式，光刻成像模型可應(yīng)用于掩模近場(chǎng)以預(yù)測(cè)光刻圖像。如此，所述方法可包含使用所預(yù)測(cè)光刻圖像來(lái)預(yù)測(cè)晶片上的臨界尺寸或光刻的結(jié)果。另外，可使用經(jīng)恢復(fù)近場(chǎng)及晶片圖像(例如，晶片掃描電子顯微鏡(SEM)圖像)來(lái)校準(zhǔn)光刻計(jì)算模型。換句話說(shuō)，本文中所描述的實(shí)施例可在光刻工藝中校準(zhǔn)模型化參數(shù)，此對(duì)從一組LNI圖像預(yù)測(cè)晶片圖案是關(guān)鍵的。

在一些此類實(shí)施例中，其圖像用以確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)(其被輸入到模型中)的光罩可為校準(zhǔn)掩模。此校準(zhǔn)掩模可包含一組一維(1D)及2D圖案。所述掩模可為用以產(chǎn)生OPC模型的相同掩模?；蛘?，掩?？捎衫缂永Ｄ醽喼菝绫冗_(dá)市的科磊公司(KLA-Tencor)的光罩檢驗(yàn)工具供應(yīng)商來(lái)設(shè)計(jì)。

可針對(duì)校準(zhǔn)掩模獲取一組LNI圖像，如本文中所描述。用以獲取這些圖像的成像條件是優(yōu)選的，使得照明源形狀及物鏡側(cè)上的NA與掃描儀上的照明源形狀及NA相同或幾乎相同。出于更好調(diào)節(jié)后續(xù)計(jì)算的目的，LNI圖像可為離焦的。替代方法是以幾乎相干照明條件但以不同入射角獲取一組LNI圖像。

接著可如本文中進(jìn)一步所描述而恢復(fù)掩模近場(chǎng)(或MNR)。舉例來(lái)說(shuō)，關(guān)于具有已知照明及成像條件的一組LNI圖像，可通過(guò)將所獲取LNI圖像與從掩模近場(chǎng)計(jì)算的圖像之間的差異最小化的目標(biāo)函數(shù)而迭代地重新構(gòu)造掩模平面振幅及相位信息。

接著可模型化光刻工藝。舉例來(lái)說(shuō)，可將掩模近場(chǎng)饋送到計(jì)算引擎以產(chǎn)生晶片級(jí)圖像。所述計(jì)算引擎優(yōu)選地包含對(duì)整個(gè)光致抗蝕劑材料的掃描儀成像工藝(其明確地考慮偏振及向量成像效應(yīng))。所述引擎還優(yōu)選地含有(舉例來(lái)說(shuō))包含酸及堿擴(kuò)散及堿淬滅的光致抗蝕劑顯影工藝。計(jì)算引擎還可任選地包含蝕刻模型化。

接著可將經(jīng)模擬晶片圖像與印刷有相同校準(zhǔn)掩模的晶片的以實(shí)驗(yàn)方式獲取的SEM圖像進(jìn)行比較?？墒褂媒?jīng)模擬晶片圖像與以實(shí)驗(yàn)方式獲取的圖像之間的任何差異來(lái)迭代地調(diào)整模型參數(shù)以借此減小圖像差異(例如，使得經(jīng)模擬晶片圖像大體上匹配以實(shí)驗(yàn)方式獲取的圖像)。此迭代工藝實(shí)現(xiàn)光刻模型參數(shù)的提取。本文中所描述的實(shí)施例因此提供用以提取光刻模型參數(shù)的校準(zhǔn)過(guò)程。另外，本文中所描述的實(shí)施例將掩模近場(chǎng)與全光刻模型及校準(zhǔn)掩模組合以提取光刻模型參數(shù)。接著可存儲(chǔ)這些模型參數(shù)且稍后在發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)檢索所述模型參數(shù)。

本文中所描述的用于校準(zhǔn)光刻模型的實(shí)施例提供優(yōu)于用于校準(zhǔn)光刻模型的當(dāng)前使用的方法及系統(tǒng)的若干個(gè)優(yōu)點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，用于校準(zhǔn)光刻模型的當(dāng)前使用的方法基于對(duì)麥克斯韋方程式求解的不準(zhǔn)確方法。另外，一些當(dāng)前使用的方法假定幾何形狀數(shù)據(jù)庫(kù)表示光罩上的實(shí)際圖案。此外，一些當(dāng)前使用的方法假定預(yù)先選定的三維(3D)輪廓表示光罩中所蝕刻的實(shí)際輪廓。此外，一些當(dāng)前使用的方法假定一組材料參數(shù)表示構(gòu)成光罩的材料。此文檔的背景章節(jié)中描述了當(dāng)前使用的方法及系統(tǒng)的額外缺點(diǎn)。

由光罩檢驗(yàn)檢測(cè)到的缺陷就其可印刷性來(lái)說(shuō)由于增加的OPC復(fù)雜性而難以處置。簡(jiǎn)單抗蝕劑閾值模型對(duì)LNI圖像或空中圖像不充分。需要對(duì)掃描成像模型的頂部的抗蝕劑模型校準(zhǔn)以在使用物理掃描儀來(lái)實(shí)際上印刷晶片之前準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)缺陷的晶片級(jí)影響。如此，構(gòu)造可用以在將光罩裝運(yùn)到晶片制造廠之前大體上準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)缺陷的晶片級(jí)行為的新方法是高度合意的。

在一個(gè)此實(shí)施例中，所述方法包含，針對(duì)在所述光罩上檢測(cè)到的缺陷中的至少一者，基于所述缺陷中的所述至少一者的實(shí)際圖像而確定所述缺陷中的所述至少一者的近場(chǎng)數(shù)據(jù)；及通過(guò)將所述缺陷中的所述至少一者的所確定近場(chǎng)數(shù)據(jù)輸入到模型中而模擬所述缺陷中的所述至少一者將如何在工藝中印刷于晶片上。以此方式，所述方法可包含利用光罩檢驗(yàn)圖像的大體上準(zhǔn)確的晶片級(jí)缺陷可印刷性。換句話說(shuō)，實(shí)施例可用以分析光罩缺陷可印刷性。舉例來(lái)說(shuō)，一旦在光罩上檢測(cè)到缺陷，即可在所述缺陷處或附近獲取一組LNI圖像，可使用這些圖像來(lái)恢復(fù)所述缺陷的掩模近場(chǎng)(其可如本文中所描述而執(zhí)行)，且可執(zhí)行光刻模型化(利用通過(guò)本文中所描述的實(shí)施例而提取的模型化參數(shù))以準(zhǔn)確地計(jì)算晶片上的缺陷行為。另外，一旦已使用如本文中所描述而校準(zhǔn)的模型獲取了說(shuō)明至少一個(gè)缺陷將如何印刷于晶片上的經(jīng)模擬圖像，即可將所述經(jīng)模擬圖像與打算如何將光罩區(qū)印刷于所述晶片上的信息(其可從光罩的預(yù)先-OPC數(shù)據(jù)庫(kù)獲取)進(jìn)行比較。如此，可使用預(yù)先-OPC數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)計(jì)算對(duì)晶片的光罩缺陷印刷影響。因此，可通過(guò)將經(jīng)計(jì)算晶片級(jí)圖像與預(yù)先-OPC數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行比較來(lái)確定光罩缺陷將如何使光罩在晶片上的印刷從其既定印刷更改以預(yù)測(cè)缺陷行為。

本文中所描述的實(shí)施例可用以在將光罩裝運(yùn)到制造廠之前及在對(duì)光罩執(zhí)行大量制造之前鑒定光罩且準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)光罩上的缺陷的晶片級(jí)影響或行為?？蓤?zhí)行后續(xù)缺陷處置以分離致命缺陷與非致命缺陷。舉例來(lái)說(shuō)，一旦已確定缺陷對(duì)光罩在晶片上的印刷的影響，即可相應(yīng)地處置所述缺陷或?qū)⑺鋈毕莘诸?例如，分類為非印刷缺陷、印刷缺陷、致命印刷缺陷(例如，將影響合格率的缺陷)、非致命印刷缺陷(例如，將印刷但不影響合格率的缺陷等)。

因此，本文中所描述的缺陷可印刷性實(shí)施例具有優(yōu)于用于預(yù)測(cè)缺陷可印刷性的其它方法及系統(tǒng)的若干個(gè)優(yōu)點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，本文中所描述的實(shí)施例可使用包含掃描成像特性及光致抗蝕劑顯影工藝的光刻模型來(lái)執(zhí)行。另外，掩模近場(chǎng)恢復(fù)與光刻模型校準(zhǔn)(例如，組合檢驗(yàn)圖像與光刻工藝步驟以校準(zhǔn)光刻模型)的組合產(chǎn)生來(lái)自檢驗(yàn)圖像的較準(zhǔn)確晶片級(jí)預(yù)測(cè)。因此，本文中所描述的實(shí)施例提供可用以大體上準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)缺陷的晶片級(jí)行為以供可印刷性分析的校準(zhǔn)結(jié)果。

本文中所描述的校準(zhǔn)步驟可在現(xiàn)有光罩檢驗(yàn)工具上實(shí)施。另外，利用經(jīng)校準(zhǔn)模型進(jìn)行的缺陷處置可在現(xiàn)有光罩檢驗(yàn)工具上實(shí)施。

利用一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)而執(zhí)行分離、分別比較、指派、產(chǎn)生、模擬、獲取及檢測(cè)步驟，所述一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可根據(jù)本文中所描述的實(shí)施例中的任一者而配置。

上文所描述的方法的實(shí)施例中的每一者可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，可通過(guò)本文中所描述的系統(tǒng)中的任一者執(zhí)行上文所描述的方法的實(shí)施例中的每一者。

本文中所描述的所有方法可包含將方法實(shí)施例的一或多個(gè)步驟的結(jié)果存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體中。所述結(jié)果可包含本文中所描述的結(jié)果中的任一者且可以此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何方式存儲(chǔ)。存儲(chǔ)媒體可包含本文中所描述的任何存儲(chǔ)媒體或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它適合存儲(chǔ)媒體。在已存儲(chǔ)所述結(jié)果之后，所述結(jié)果可在存儲(chǔ)媒體中存取且由本文中所描述的方法或系統(tǒng)實(shí)施例中的任一者使用、經(jīng)格式化以顯示給用戶、由另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)使用，等等。

另一實(shí)施例涉及非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以執(zhí)行本文中所描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法中的一或多者的程序指令。圖2中展示一個(gè)此實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，如圖2中所展示，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體200存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)204上執(zhí)行以執(zhí)行本文中所描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法中的一或多者的程序指令202。計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中所描述的任何方法的任何步驟。

實(shí)施例如本文中所描述的方法的方法的程序指令202可存儲(chǔ)于非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體200上。所述計(jì)算機(jī)可讀媒體可為例如磁盤或光盤、磁帶的存儲(chǔ)媒體，或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它適合非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體。

可以包含基于過(guò)程的技術(shù)、基于組件的技術(shù)及/或?qū)ο髮?dǎo)向的技術(shù)以及其它技術(shù)的各種方式中的任一者來(lái)實(shí)施程序指令。舉例來(lái)說(shuō)，可視需要使用Matlab、Visual Basic、ActiveX控制項(xiàng)、C、C++對(duì)象、C#、JavaBeans、Microsoft基礎(chǔ)類別(“MFC”)或者其它技術(shù)或方法來(lái)實(shí)施所述程序指令。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)204可呈現(xiàn)各種形式，包含個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、主機(jī)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、系統(tǒng)計(jì)算機(jī)、圖像計(jì)算機(jī)、可編程圖像計(jì)算機(jī)、并行處理器或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它裝置。一般來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可經(jīng)廣泛定義以涵蓋具有執(zhí)行來(lái)自存儲(chǔ)器媒體的指令的一或多個(gè)處理器的任何裝置。

在一個(gè)實(shí)施例中，上文所描述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可包含是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具(未展示)的一部分的一或多個(gè)計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，且本文中進(jìn)一步所描述的光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)并非EDA工具的一部分。包含于此工具中的EDA工具及計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可包含可經(jīng)配置以執(zhí)行上文所描述的步驟中的一或多者的任何可商業(yè)購(gòu)得的EDA工具。例如，經(jīng)配置以將光罩上的檢驗(yàn)區(qū)中所包含的圖案分離成若干分段的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可為EDA工具的一部分。以此方式，光罩的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)可由EDA工具處理以將圖案分離成將由如本文中所描述的另一不同系統(tǒng)或工具使用的若干分段。

計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)還可不是EDA工具的一部分且可包含于另一系統(tǒng)或工具中或簡(jiǎn)單地配置為獨(dú)立計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。此外，所述工具或計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)(其將圖案分離成若干分段、產(chǎn)生數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及/或設(shè)置如本文中所描述的光罩檢驗(yàn)工藝)可經(jīng)配置以通過(guò)以下操作而將所述信息提供到另一工具或計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)：將通過(guò)此些步驟產(chǎn)生的信息存儲(chǔ)或傳送到例如制造數(shù)據(jù)庫(kù)的共享計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體或?qū)⑺鲂畔⒅苯觽鬏數(shù)綄⑹褂盟鲂畔⒌墓ぞ摺?/p>

另一實(shí)施例涉及經(jīng)配置以檢測(cè)光罩上的缺陷的系統(tǒng)。圖3中展示此系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。所述系統(tǒng)包含光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)，所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)包含檢測(cè)器，所述檢測(cè)器經(jīng)配置以產(chǎn)生所述光罩的物理版本上的檢驗(yàn)區(qū)的實(shí)際圖像。所述實(shí)際圖像可為本文中進(jìn)一步所描述的此類圖像中的任一者。如圖3中所展示，所述系統(tǒng)包含光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)300。

如圖3中進(jìn)一步所展示，光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)300包含如本文中更詳細(xì)地描述的照明子系統(tǒng)及收集子系統(tǒng)。所述照明子系統(tǒng)包含光源302。光源302可為相干光源，例如，激光器。所述光源可經(jīng)配置以發(fā)射具有約248nm、約193nm、約157nm的波長(zhǎng)或另一紫外波長(zhǎng)的單色光。或者，所述光源可經(jīng)配置以發(fā)射具有一定波長(zhǎng)范圍的光且可耦合到光譜濾光器(未展示)。寬帶光源的實(shí)例包含但不限于產(chǎn)生深紫外波長(zhǎng)型態(tài)中的光的He-Xe弧光燈。以此方式，所述光源及所述濾光器可發(fā)射具有如上文所描述的波長(zhǎng)的單色光。所述光源及所述濾光器可經(jīng)配置使得可取決于(舉例來(lái)說(shuō))正檢驗(yàn)的光罩的類型或正執(zhí)行的檢驗(yàn)或測(cè)量的類型而從所述光源及所述濾光器發(fā)射不同波長(zhǎng)的光。所述光源還可經(jīng)配置以發(fā)射除紫外光以外的光。另外，所述光源可經(jīng)配置以連續(xù)地或以脈沖形式按各種時(shí)間間隔發(fā)射光。

所述照明子系統(tǒng)還可包含耦合到所述光源的若干個(gè)光學(xué)組件。舉例來(lái)說(shuō)，來(lái)自光源302的光可首先通過(guò)均光器304。均光器304可經(jīng)配置以減少來(lái)自光源的光的斑點(diǎn)。所述照明子系統(tǒng)還可包含光圈306。光圈306可具有可調(diào)整NA。舉例來(lái)說(shuō)，所述光圈可耦合到控制機(jī)構(gòu)，所述控制機(jī)構(gòu)可經(jīng)配置以取決于從用戶接收的控制信號(hào)或依據(jù)從在系統(tǒng)上運(yùn)行的程序處方接收的程序指令而以機(jī)械方式更改所述光圈。以此方式，光可具有各種部分相干因子σ。舉例來(lái)說(shuō)，光圈306可經(jīng)更改以調(diào)整聚光透鏡308的光瞳。聚光透鏡的光瞳控制所述系統(tǒng)的NA。由于聚光器的光瞳減小，因此照明相干增加，借此減小σ值。σ值可表達(dá)為聚光透鏡的NA與物鏡的NA的比率。曝光系統(tǒng)可具有在約0.3到約0.9之間的范圍內(nèi)的σ值。因此，光圈306可經(jīng)更改使得光學(xué)子系統(tǒng)具有在約0.3與約0.9之間的σ值?？扇Q于光罩上的特征而更改σ值。舉例來(lái)說(shuō)，如果光罩包含線及空間而非如果光罩包含接觸孔，那么可使用較高σ值。所述控制機(jī)構(gòu)還可經(jīng)配置以更改光圈以提供環(huán)形或離軸照明。所述光圈還可經(jīng)配置以提供例如四極子或雙極照明的其它類型的照明。所述光圈可進(jìn)一步經(jīng)配置以更改光束的形狀。舉例來(lái)說(shuō)，所述光圈可為衍射光學(xué)元件或切趾光圈。

所述照明子系統(tǒng)還可包含若干個(gè)額外光學(xué)組件(未展示)。舉例來(lái)說(shuō)，所述照明子系統(tǒng)還可包含經(jīng)配置以更改光的光束直徑的望遠(yuǎn)鏡。另外，所述照明子系統(tǒng)可包含一或多個(gè)中繼透鏡、例如場(chǎng)透鏡的額外透鏡、折疊鏡、額外光圈及分束器。

所述照明子系統(tǒng)還可包含聚光透鏡308。聚光透鏡308可經(jīng)配置以將對(duì)象(光罩)平面中的光的直徑更改為近似或大于所述系統(tǒng)的視場(chǎng)。退出聚光透鏡的光可照明支撐在載臺(tái)312上的光罩310。所述載臺(tái)經(jīng)配置以通過(guò)接近光罩的外橫向邊緣接觸所述光罩而支撐所述光罩。提供載臺(tái)中的開口以允許來(lái)自照明子系統(tǒng)的光照明光罩。載臺(tái)312可經(jīng)配置以移動(dòng)光罩使得可更改光罩的對(duì)準(zhǔn)且使得可使光跨越光罩掃描。或者，所述照明子系統(tǒng)可包含例如聲光偏轉(zhuǎn)器或機(jī)械掃描總成的掃描元件(未展示)，使得在使光跨越光罩掃描時(shí)光罩可保持大體上穩(wěn)定。載臺(tái)312還可經(jīng)配置以通過(guò)焦點(diǎn)移動(dòng)光罩，借此更改光學(xué)子系統(tǒng)的焦點(diǎn)設(shè)定。所述載臺(tái)還可耦合到自動(dòng)聚焦裝置(未展示)，所述自動(dòng)聚焦裝置經(jīng)配置以更改所述載臺(tái)的位置，借此更改所述光罩的位置以在檢驗(yàn)期間維持光學(xué)子系統(tǒng)的焦點(diǎn)設(shè)定?；蛘?，自動(dòng)聚焦裝置可耦合到物鏡以更改物鏡的位置以在檢驗(yàn)期間維持焦點(diǎn)設(shè)定。

所述光學(xué)子系統(tǒng)還可包含經(jīng)布置以形成收集子系統(tǒng)的若干個(gè)光學(xué)組件。舉例來(lái)說(shuō)，所述收集子系統(tǒng)包含物鏡314。通過(guò)物鏡314收集由所述光罩透射的光。所述收集子系統(tǒng)還包含具有可調(diào)整NA的光圈316。光圈316的NA還可經(jīng)選擇使得退出光圈的光具有選定放大率。光圈316定位于物鏡314與可配置為鏡筒透鏡的透鏡318之間。來(lái)自透鏡318的光可被引導(dǎo)到分束器320。分束器320可經(jīng)配置以將光引導(dǎo)到三個(gè)檢測(cè)器322a、322b及322c。所述收集子系統(tǒng)還可包含若干個(gè)額外光學(xué)組件(未展示)，例如，放大透鏡。所述放大透鏡可定位于透鏡318與分束器之間。

檢測(cè)器322a、322b及322c可經(jīng)配置以形成由光罩的經(jīng)照明部分透射的光的圖像。此圖像可稱為“空中圖像”。所述檢測(cè)器還應(yīng)對(duì)上文所描述的光波長(zhǎng)中的至少一者是敏感的。然而，除其它型態(tài)中的波長(zhǎng)外，所述檢測(cè)器還可對(duì)深紫外型態(tài)中的一定波長(zhǎng)范圍是敏感的。舉例來(lái)說(shuō)，所述檢測(cè)器可包含電荷耦合裝置(CCD)或時(shí)間延遲積分(TDI)相機(jī)。所述檢測(cè)器還可具有一維或二維像素陣列。所述三個(gè)檢測(cè)器中的每一者可具有不同焦點(diǎn)設(shè)定。以此方式，所述三個(gè)檢測(cè)器可大體上同時(shí)以三個(gè)不同焦點(diǎn)設(shè)定形成光罩的圖像。舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)檢測(cè)器可大體上為對(duì)焦，且其它兩個(gè)檢測(cè)器可在相對(duì)于對(duì)焦條件的相反方向上為不對(duì)焦。另外，所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)可取決于所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)的機(jī)械或物理約束而包含任何數(shù)目個(gè)此些檢測(cè)器。

或者，所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)可僅包含經(jīng)配置以產(chǎn)生光罩的實(shí)際圖像的一個(gè)檢測(cè)器。所述檢測(cè)器可具有近似地等于曝光系統(tǒng)的焦點(diǎn)設(shè)定的焦點(diǎn)設(shè)定。可通過(guò)形成光罩的多個(gè)圖像及在形成每一圖像之后更改檢測(cè)器的焦點(diǎn)設(shè)定而形成在不同焦點(diǎn)設(shè)定下的光罩的圖像。在此實(shí)施例中，分束器320將不必將光分裂到多個(gè)檢測(cè)器。

光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)可包含未在圖3中展示的若干個(gè)其它組件。舉例來(lái)說(shuō)，所述系統(tǒng)可包含加載模塊、對(duì)準(zhǔn)模塊、例如機(jī)器人傳送臂的搬運(yùn)器及環(huán)境控制模塊且可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何此些組件。

如上文所描述，所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)可經(jīng)配置以使用一組曝光條件形成光罩的空中圖像。所述曝光條件包含但不限于照明波長(zhǎng)、照明相干、照明光束的形狀、NA及焦點(diǎn)設(shè)定。所述組曝光條件可經(jīng)選擇以大體上等效于由曝光系統(tǒng)用以將光罩的圖像印刷到晶片上的曝光條件。因此，由光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)300形成的空中圖像可大體上光學(xué)地等效于將在所述組曝光條件下由所述曝光系統(tǒng)印刷于晶片上的光罩的圖像。

所述系統(tǒng)還包含經(jīng)配置以執(zhí)行本文中所描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法中的一或多者的一或多個(gè)步驟的一或多個(gè)計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3中所展示，所述系統(tǒng)包含計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)324。在圖3中所展示的實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)324耦合到光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)300。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可耦合到光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)的檢測(cè)器。在一個(gè)此實(shí)例中，如圖3中所展示，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)324耦合到光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)300的檢測(cè)器322a、322b及322c(例如，通過(guò)在圖3中由虛線展示的一或多個(gè)傳輸媒體，其可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何適合傳輸媒體)。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以任何適合方式耦合到所述檢測(cè)器。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以任何其它適合方式耦合到光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)使得由所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)產(chǎn)生的光罩的圖像及任何其它信息可發(fā)送到所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，且任選地使得所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可將指令發(fā)送到所述光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)以執(zhí)行本文中所描述的一或多個(gè)步驟。包含于所述系統(tǒng)中的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)還可如本文中所描述而進(jìn)一步配置。

應(yīng)注意，本文中提供圖3以大體上圖解說(shuō)明可包含于本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例中的光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)的一個(gè)配置。顯然地，可更改本文中所描述的光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)的配置以優(yōu)化所述系統(tǒng)的性能，如在設(shè)計(jì)商業(yè)檢驗(yàn)系統(tǒng)時(shí)通常所執(zhí)行。另外，本文中所描述的系統(tǒng)可使用現(xiàn)有光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)來(lái)實(shí)施(例如，通過(guò)將本文中所描述的功能性添加到現(xiàn)有檢驗(yàn)系統(tǒng))，所述現(xiàn)有光罩檢驗(yàn)子系統(tǒng)是例如可從科磊公司商業(yè)購(gòu)得的光罩檢驗(yàn)工具。針對(duì)一些此類系統(tǒng)，本文中所描述的方法可提供為所述系統(tǒng)的任選功能性(例如，除所述系統(tǒng)的其它功能性以外)。或者，可“從頭”設(shè)計(jì)本文中所描述的光罩檢驗(yàn)系統(tǒng)以提供全新系統(tǒng)。

鑒于此說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了本發(fā)明的各種方面的其它修改及替代實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，提供用于檢測(cè)光罩上的缺陷的系統(tǒng)及方法。相應(yīng)地，此說(shuō)明應(yīng)解釋為僅是說(shuō)明性的，且是出于教示所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施本發(fā)明的一般方式的目的。應(yīng)理解，本文中所展示及所描述的本發(fā)明的形式應(yīng)視為目前優(yōu)選的實(shí)施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在受益于本發(fā)明的此說(shuō)明之后均將明了，元件及材料可替代本文中所說(shuō)明及所描述的那些元件及材料，部件及工藝可顛倒，且本發(fā)明的某些特征可獨(dú)立地利用。可在不背離如所附權(quán)利要求書中所描述的本發(fā)明的精神及范圍的情況下對(duì)本文中所描述的元件做出改變。