本申請要求共同擁有的于2014年5月23日提交的美國非臨時(shí)專利申請No.14/286,518的優(yōu)先權(quán)，該非臨時(shí)專利申請的內(nèi)容通過援引全部明確納入于此。

II.技術(shù)領(lǐng)域

本公開一般涉及器件制造，諸如磁性隧道結(jié)器件制造。

III.相關(guān)技術(shù)描述

技術(shù)進(jìn)步已產(chǎn)生越來越小且越來越強(qiáng)大的計(jì)算設(shè)備。例如，當(dāng)前存在各種各樣的便攜式個(gè)人計(jì)算設(shè)備，包括較小、輕量且易于由用戶攜帶的無線計(jì)算設(shè)備，諸如便攜式無線電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)以及尋呼設(shè)備。更具體地，便攜式無線電話(諸如蜂窩電話和網(wǎng)際協(xié)議(IP)電話)可通過無線網(wǎng)絡(luò)傳達(dá)語音和數(shù)據(jù)分組。此外，許多此類無線電話包括被納入于其中的其他類型的設(shè)備。例如，無線電話還可包括數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)字記錄器以及音頻文件播放器。同樣，此類無線電話可處理可執(zhí)行指令，包括可被用于訪問因特網(wǎng)的軟件應(yīng)用，諸如web瀏覽器應(yīng)用?？蓤?zhí)行指令可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(諸如磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM))中。

MRAM可包括磁性隧道結(jié)(MTJ)器件。兩步驟或多步驟蝕刻工藝可被用于形成MTJ器件以達(dá)成一些有利的器件屬性，包括但不限于防止重沉積材料(例如，非易失性蝕刻副產(chǎn)品)在MTJ器件的各部分之間(例如，在有效隧道勢壘區(qū)與導(dǎo)電硬掩模之間)創(chuàng)建分流路徑。應(yīng)用第一蝕刻工藝以限定(或“蝕刻出”)導(dǎo)電硬掩模以及MTJ器件的頂部電極。隨后執(zhí)行掩模工藝，包括在MTJ器件的暴露側(cè)壁上形成分隔件(例如，介電材料)。分隔件限定的多步驟蝕刻常被用于達(dá)成MTJ陣列內(nèi)的高裝填密度和/或小型位單元。應(yīng)用第二蝕刻工藝以形成MTJ器件的隧道勢壘區(qū)和底部電極。

分隔件通常包括不抵抗用于限定MTJ器件的蝕刻工藝的材料，諸如氮化硅或氧化硅。如此，分隔件可以隨著執(zhí)行第二蝕刻工藝而部分地磨損。經(jīng)磨損的分隔件可使得重沉積材料變得緊鄰或接觸MTJ器件的有效隧道勢壘、導(dǎo)電硬掩模和/或另一部分，由此形成第二分流路徑，這可能導(dǎo)致MTJ器件的較差性能或不可操作性。

IV.概述

在形成磁性隧道結(jié)(MTJ)器件期間，可在該MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。例如，可在執(zhí)行使側(cè)部暴露的蝕刻工藝之后在所暴露的側(cè)部上形成分隔件。該分隔件可在形成MTJ器件的其他部分期間保護(hù)該MTJ器件免受因后續(xù)蝕刻而導(dǎo)致的重沉積副產(chǎn)品影響?？尚纬膳c該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。例如，可通過形成保護(hù)冠和/或通過在分隔件上形成保護(hù)層來在該分隔件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層，或者可將材料注入分隔件以形成抗蝕刻保護(hù)涂層。抗蝕刻保護(hù)涂層提供比分隔件更大的對后續(xù)蝕刻的抗蝕性。

在一特定實(shí)施例中，一種形成磁性隧道結(jié)(MTJ)器件的方法包括在形成MTJ器件期間在該MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。該方法進(jìn)一步包括在形成MTJ器件期間形成與該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。

在另一特定實(shí)施例中，一種裝置包括磁性隧道結(jié)(MTJ)器件的電極以及該MTJ器件的存儲(chǔ)層。該MTJ器件是使用一過程來形成的。該過程包括在該電極的暴露部分上以及在該存儲(chǔ)層的暴露側(cè)部上形成分隔件。該過程進(jìn)一步包括形成與該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。

在另一特定實(shí)施例中，一種非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括指令，這些指令在由處理器執(zhí)行時(shí)使該處理器發(fā)起操作。這些操作包括在形成磁性隧道結(jié)(MTJ)器件期間在該MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。這些操作進(jìn)一步包括在形成MTJ器件期間形成與該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。

在另一特定實(shí)施例中，一種方法包括接收數(shù)據(jù)文件。該數(shù)據(jù)文件包括對應(yīng)于半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)信息。該方法還包括根據(jù)該設(shè)計(jì)信息制造半導(dǎo)體器件。制造該半導(dǎo)體器件包括在形成磁性隧道結(jié)(MTJ)器件期間在該MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。制造該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在形成MTJ器件期間形成與該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。

由至少一個(gè)所公開的實(shí)施例提供的一個(gè)特定優(yōu)點(diǎn)在于保護(hù)分隔件免受因蝕刻導(dǎo)致的磨損。在其中分隔件阻止重沉積材料變得緊鄰MTJ器件的層的實(shí)施例中，保護(hù)分隔件免受磨損可防止在該MTJ器件的一個(gè)或多個(gè)層之間形成分流路徑。由此，與不使用抗蝕刻保護(hù)涂層的過程相比，可以減少缺陷MTJ器件的制造。

本公開的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將在閱讀了整個(gè)申請后變得明了，整個(gè)申請包括下述章節(jié)：附圖簡述、詳細(xì)描述以及權(quán)利要求書。

V.附圖簡述

圖1A是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第一實(shí)施例的第一階段期間的器件的解說性示圖；

圖1B是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第一實(shí)施例的第二階段期間的器件的解說性示圖；

圖1C是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第一實(shí)施例的第三階段期間的器件的解說性示圖；

圖2A是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第二實(shí)施例的第一階段期間的器件的解說性示圖；

圖2B是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第二實(shí)施例的第二階段期間的器件的解說性示圖；

圖2C是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第二實(shí)施例的第三階段期間的器件的解說性示圖；

圖2D是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第二實(shí)施例的第四階段期間的器件的解說性示圖；

圖3A是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第三實(shí)施例的第一階段期間的器件的解說性示圖；

圖3B是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第三實(shí)施例的第二階段期間的器件的解說性示圖；

圖3C是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第三實(shí)施例的第三階段期間的器件的解說性示圖；

圖3D是處于在器件上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第三實(shí)施例的第四階段期間的器件的解說性示圖；

圖4是形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的一實(shí)施例的流程圖；

圖5是包括根據(jù)使用抗蝕刻保護(hù)涂層的過程所形成的器件的電子設(shè)備的框圖；以及

圖6是用于根據(jù)使用抗蝕刻保護(hù)涂層的過程來制造電子設(shè)備的制造過程的一實(shí)施例的數(shù)據(jù)流圖。

VI.詳細(xì)描述

參照圖1A-圖1C，描繪了處于在器件100上形成抗蝕刻保護(hù)涂層的方法的第一實(shí)施例的多個(gè)階段的器件100。器件100可對應(yīng)于磁性隧道結(jié)(MTJ)陣列。

器件100可包括基板102、底部電極層104、基準(zhǔn)層106、隧道勢壘層108、存儲(chǔ)層110、頂部電極層112、以及導(dǎo)電硬掩模層114。器件100可包括第一MTJ器件118和第二MTJ器件120。分隔件116可被形成在第一MTJ器件118的側(cè)部。如圖1A-圖1C所描繪的，抗蝕刻保護(hù)涂層可包括保護(hù)冠130(例如，金屬冠)。保護(hù)冠130可在器件100處的蝕刻工藝期間保護(hù)分隔件116免受磨損，由此使得分隔件116能夠防止重沉積材料變得與第一MTJ器件118的側(cè)壁接觸。

參照圖1A，在該多個(gè)階段中的第一階段期間，存儲(chǔ)層110、頂部電極層112和導(dǎo)電硬掩模層114可被蝕刻以限定(或“蝕刻出”)第一MTJ器件118的第一部分。第一MTJ器件118的第一部分可包括存儲(chǔ)層110、頂部電極層112和導(dǎo)電硬掩模層114。第一MTJ器件118的第二部分可包括底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108。第一MTJ器件118的第二部分可在制造器件100的稍后階段被限定(例如，使用蝕刻工藝來“蝕刻出”)，如參照圖1C所描述的。第二MTJ器件120可按與參照第一MTJ器件118所描述的類似方式形成并且可包括與第一MTJ器件118的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。在特定實(shí)施例中，器件100包括MTJ陣列(例如，高密度MTJ陣列)，其包括器件100區(qū)域內(nèi)的許多MTJ器件。例如，該MTJ陣列的高度空間比可以大于或等于1.0。

在限定第一MTJ器件118的第一部分之后，分隔件116可被形成在第一MTJ器件118的暴露側(cè)壁124上。暴露側(cè)壁124可包括存儲(chǔ)層110的暴露部分、頂部電極層112的暴露部分、導(dǎo)電硬掩模層114的暴露部分、或其任何組合。分隔件116可包括電介質(zhì)。例如，分隔件116可包括氮化硅、氧化硅、另一類型的電介質(zhì)、或其任何組合。為了解說，在該過程的第一階段期間，可在器件100上共形地沉積介電層。該介電層可被蝕刻(例如，有高各向異性)以限定分隔件116。分隔件116可以防止重沉積材料變得緊鄰或變得接觸第一MTJ器件118的暴露側(cè)壁124，由此防止在第一MTJ器件118處形成分流路徑。

在形成分隔件116之后，可向分隔件116敷設(shè)抗蝕刻保護(hù)涂層。例如，可在器件100的重新定位期間向器件100應(yīng)用定向沉積工藝134。定向沉積工藝134可包括可用于在器件100上沉積抗蝕刻材料(例如，金屬)的任何定向沉積工藝。例如，該定向沉積工藝可包括離子束沉積工藝、蒸鍍工藝、另一類型的定向沉積工藝、或其任何組合。

該重新定位可包括在使器件100傾斜的同時(shí)使用旋轉(zhuǎn)操作136來旋轉(zhuǎn)器件100。在一特定實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)操作136包括旋轉(zhuǎn)包括器件100的晶片。器件100在定向沉積工藝134期間的重新定位導(dǎo)致在分隔件116的頂表面126上以及在分隔件116的側(cè)壁122的上部上形成保護(hù)冠130。為了解說，定向沉積工藝134可被用于在器件100上沉積金屬。由于第一MTJ器件118和第二MTJ器件120位于特定距離內(nèi)，“遮蔽”效應(yīng)可能導(dǎo)致金屬累積在第一MTJ器件118和第二MTJ器件120的頂部區(qū)域附近而非第一MTJ器件118與第二MTJ器件120之間。例如，第二MTJ器件120的“遮蔽”可抑制定向沉積工藝134在分隔件116的側(cè)壁122的下部上沉積金屬。相反，金屬可累積在側(cè)壁122的上部上，如所解說的。結(jié)果，可形成保護(hù)冠130。類似地，可在MTJ陣列的每個(gè)MTJ器件上形成保護(hù)冠。例如，可在第二MTJ器件120上形成第二保護(hù)冠132。

保護(hù)冠130和第二保護(hù)冠132可包括適用于在如本文所描述的蝕刻期間保護(hù)分隔件116的任何金屬。例如，保護(hù)冠130可包括鉭、鋁、另一抗蝕刻金屬、或其任何組合。在MTJ陣列的每個(gè)MTJ器件處形成保護(hù)冠可保護(hù)分隔件在每個(gè)MTJ器件處免受磨損。由此，分隔件可減少或防止重沉積材料到達(dá)第一MTJ器件118和第二MTJ器件120。

圖1B描繪了處于該過程的第二階段期間的器件100。在該過程的第二階段期間，保護(hù)冠130可被化學(xué)改性以進(jìn)一步提高保護(hù)冠130的抗蝕性。例如，可使用氧化工藝來氧化保護(hù)冠130。提高的抗蝕性可使得保護(hù)冠130能夠抵抗原本將導(dǎo)致分隔件116磨損的蝕刻工藝。例如，該蝕刻工藝可包括基于惰性氣體的蝕刻工藝(例如，基于氬的工藝、基于氪的工藝等)、基于有機(jī)化合物的蝕刻工藝、基于氯的蝕刻工藝、保護(hù)冠130可抵抗的另一蝕刻工藝、或其任何組合。由此，在第一階段和第二階段期間，保護(hù)冠130可被形成在分隔件116上并且被氧化。在被氧化之后，保護(hù)冠130可提供比分隔件116更強(qiáng)的抗蝕性。類似地，經(jīng)氧化的保護(hù)冠可被形成在MTJ陣列的每個(gè)MTJ器件處。例如，第二保護(hù)冠132可被形成并氧化以提高第二保護(hù)冠132的抗蝕性。

圖1C描繪了處于第三階段期間的器件100，其中底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108可被蝕刻以完成第一MTJ器件118的形成以及完成第二MTJ器件120的形成。保護(hù)冠130可以比分隔件116的側(cè)壁122更能抵抗蝕刻，由此在蝕刻期間保護(hù)分隔件116。MTJ陣列的每個(gè)MTJ器件可按與第一MTJ器件118和第二MTJ器件120類似的方式被限定和完成。在蝕刻底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108時(shí)，重沉積材料可形成在分隔件116上。可通過分隔件116來防止重沉積材料變得與第一MTJ器件118的側(cè)壁124接觸。

在形成第一MTJ器件118期間，保護(hù)冠130可提供抗蝕性并且可防止分隔件116磨損。為了解說，由于保護(hù)冠130被附連至頂表面126以及分隔件116的側(cè)壁122的上部，因此該保護(hù)冠可在第一MTJ器件118的其他部分的形成期間防止分隔件116磨損。在形成第一MTJ器件118之后，可移除保護(hù)冠130和第二保護(hù)冠132。例如，可在器件100處執(zhí)行平坦化工藝來平坦化第一MTJ器件118和第二MTJ器件120以移除保護(hù)冠130和第二保護(hù)冠132。通過防止分隔件116楔形化，保護(hù)冠130可防止重沉積材料在第一MTJ器件118處形成可能降低第一MTJ器件118處的性能的分流路徑。

參照圖2A–圖2D，描繪了處于形成抗蝕刻保護(hù)涂層的過程的第二實(shí)施例的多個(gè)階段的器件200。器件200可對應(yīng)于圖1A-圖1C的器件100。如同圖1A-圖1C的保護(hù)冠130，抗蝕刻保護(hù)涂層可在器件100處的蝕刻工藝期間保護(hù)分隔件116免受磨損。然而，在圖2A-圖2D的實(shí)施例中，可在不使用定向沉積工藝并且不重新定位器件200的情況下形成抗蝕刻保護(hù)涂層。

參照圖2A，金屬層230可被共形地沉積在隧道勢壘層108、分隔件116的側(cè)壁122、分隔件116的頂表面126、以及導(dǎo)電硬掩模層114上。金屬層230可包括實(shí)現(xiàn)抗蝕性的任何金屬。例如，金屬層230可包括鉭、鋁、實(shí)現(xiàn)抗蝕性的另一金屬、或其任何組合。

參照圖2B，金屬層230可被化學(xué)改性(例如，氧化)以提高對蝕刻工藝的抵抗。例如，可使用氧化工藝來氧化金屬層230以形成氧化鉭(例如，Ta2O5)、氧化鋁、另一經(jīng)氧化金屬、或其任何組合。經(jīng)氧化金屬可提高對用于形成第一MTJ器件118的第一蝕刻工藝的抵抗。例如，第一蝕刻工藝可包括基于惰性氣體的蝕刻工藝(例如，基于氬的工藝、基于氪的工藝等)、基于有機(jī)化合物的蝕刻工藝、基于氯的蝕刻工藝、金屬層230可抵抗的另一蝕刻工藝、或其任何組合。

參照圖2C，金屬層230可被蝕刻以在分隔件116上形成保護(hù)涂層232。例如，可使用第二蝕刻工藝來蝕刻金屬層230。金屬層230可以不抵抗第二蝕刻工藝，但是可抵抗用于蝕刻第一MTJ器件118的第一蝕刻工藝。在一示例性實(shí)施例中，第二蝕刻工藝可包括基于氟的蝕刻工藝(例如，使用NF3或CF4的工藝)。由此，雖然金屬層230抵抗第一蝕刻工藝，但是可使用第二蝕刻工藝來蝕刻金屬層230。第二蝕刻工藝可導(dǎo)致保護(hù)涂層232形成在分隔件116的側(cè)壁(諸如側(cè)壁122)上。第二保護(hù)涂層234可形成在第二MTJ器件上。在一示例性實(shí)施例中，在MTJ陣列的每個(gè)MTJ器件處形成保護(hù)涂層。由此，氧化金屬層230并且蝕刻金屬層230可形成抗蝕刻保護(hù)涂層(例如，保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234)。

在一替換實(shí)施例中，參照圖2B描述的氧化工藝可在參照圖2C描述的蝕刻工藝之后執(zhí)行。由此，保護(hù)涂層232可在被氧化之前形成。

參照圖2D，在該過程的第四階段期間，底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108可被蝕刻(例如，使用第一蝕刻工藝)以完成第一MTJ器件118和第二MTJ器件120。保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234可比分隔件116的側(cè)壁122更能抵抗蝕刻，由此在第一蝕刻工藝期間保護(hù)分隔件116。在形成第一MTJ器件118之后，可移除保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234。例如，可使用第二蝕刻工藝來執(zhí)行另一蝕刻以移除保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234。為了解說，第二蝕刻工藝可包括基于氟的等離子體蝕刻工藝(例如，使用NF3或CF4的工藝)。蝕刻各向異性、或從水平表面以及從垂直表面進(jìn)行材料移除的比率可被調(diào)諧(例如，通過腔體壓力、基板偏置功率和/或氣體化學(xué))以將保護(hù)涂層232從分隔件116的側(cè)壁122移除。取決于特定實(shí)現(xiàn)，保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234可保留在器件200中(即，可不被移除)。

通過形成保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234，分隔件116在蝕刻底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108期間免受磨損。此外，可在不使用旋轉(zhuǎn)工藝并且不使器件200傾斜的情況下形成保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234，從而導(dǎo)致制造器件200的較低成本。

參照圖3A-圖3D，描繪了形成抗蝕刻保護(hù)涂層的過程的另一實(shí)施例。參照圖3A–圖3D，描繪了處于形成抗蝕刻保護(hù)涂層的過程的第三實(shí)施例的多個(gè)階段的器件300。器件300可對應(yīng)于圖1A-圖1C的器件100以及圖2A-圖2D的器件200。例如，器件300可包括基板102、底部電極層104、基準(zhǔn)層106、隧道勢壘層108、存儲(chǔ)層110、頂部電極層112、和導(dǎo)電硬掩模層114、第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、以及分隔件116。在參照圖3A-圖3D描述的特定實(shí)施例中，可使用應(yīng)用于硅基層的離子(例如，碳)注入工藝來形成抗蝕刻保護(hù)涂層。替換地或附加地，可直接向分隔件116應(yīng)用離子注入工藝以形成抗蝕刻保護(hù)涂層。通過使用硅基層或者通過向分隔件應(yīng)用離子注入工藝來形成抗蝕刻保護(hù)涂層，無需如參考圖2A-圖2D描繪的那樣來沉積金屬層。

參照圖3A，在該過程的第一階段，硅基層330可共形地沉積在器件300上。例如，硅基層330可敷設(shè)于隧道勢壘層108、分隔件116和導(dǎo)電硬掩模層114。硅基層330可包括適用于抵抗如本文描述的蝕刻工藝的任何非金屬材料。例如，硅基層可包括氮化硅、氧化硅、另一非金屬、或其任何組合。

參照圖3B，可在旋轉(zhuǎn)工藝334期間向硅基層330應(yīng)用離子(例如，碳)注入工藝332。碳注入工藝332可提高硅基層330對第一蝕刻工藝的抗蝕性。例如，用碳注入硅基層330可提高硅基層330的內(nèi)聚力，從而使硅基層330更結(jié)實(shí)并且更能抵抗第一蝕刻工藝。在高密度MTJ陣列中，由于鄰器件的“遮蔽”，硅基層330的僅頂表面和最上面部分可接收實(shí)質(zhì)上的注入，如參照圖1A的定向沉積工藝134描述的。例如，第二MTJ器件120的“遮蔽”可抑制碳注入工藝332在分隔件116的側(cè)壁122下部處注入材料。此外，用碳注入硅基層330可降低硅基層330對在第一蝕刻工藝期間使用的材料的反應(yīng)性。第一蝕刻工藝可包括可用于限定(或“蝕刻出”)器件300的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域的任何蝕刻工藝。例如，第一蝕刻工藝可包括基于惰性氣體的等離子體蝕刻工藝、基于有機(jī)化合物的蝕刻工藝、基于氯的蝕刻工藝、另一蝕刻工藝、或其任何組合。

參照圖3C，可使用第二蝕刻工藝來蝕刻硅基層330。例如，第二蝕刻工藝可包括基于氟的等離子體蝕刻工藝。硅基層330對第二蝕刻工藝可以不是抗蝕刻的(或者對第二蝕刻工藝可具有比對第一蝕刻工藝更少的抗蝕性)。在該過程的第三階段期間，可使用第二蝕刻工藝來蝕刻硅基層330以限定保護(hù)涂層336。保護(hù)涂層336可形成在分隔件116的側(cè)壁122上。保護(hù)涂層336可在形成第一MTJ器件118期間保護(hù)分隔件116免受磨損。第二保護(hù)涂層338可形成在第二MTJ器件120上。在一實(shí)施例中，在MTJ器件陣列的每個(gè)MTJ器件處形成保護(hù)涂層。

在一替換實(shí)施例中，參照圖3B描述的碳注入工藝332可在參照圖3C描述的蝕刻工藝之后執(zhí)行。由此，保護(hù)涂層336可在被碳注入之前形成。在另一實(shí)施例中，分隔件116可通過直接在分隔件116上執(zhí)行參照圖3B描述的注入工藝332而被修改以增強(qiáng)對蝕刻工藝的抵抗。例如，通過將碳注入工藝332應(yīng)用于分隔件116，可形成抗蝕刻保護(hù)涂層。抗蝕刻保護(hù)涂層可相對于分隔件116具有更大的抗蝕性(在將碳注入工藝332應(yīng)用于分隔件116之前)。

參照圖3D，可使用第一蝕刻工藝來蝕刻底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108以完成第一MTJ器件118。保護(hù)涂層336和第二保護(hù)涂層338可比分隔件116的側(cè)壁122更能抵抗第二蝕刻工藝，由此在蝕刻工藝期間保護(hù)分隔件116。類似地，可完成第二MTJ器件120的形成。在形成第一MTJ器件118之后，可移除保護(hù)涂層336和第二保護(hù)涂層338(例如，使用蝕刻工藝)。

通過形成保護(hù)涂層336和第二保護(hù)涂層338，分隔件116可在蝕刻底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108期間免受磨損。此外，可在不在器件300上沉積附加金屬的情況下形成保護(hù)涂層232。

圖1A-圖3D描述了形成與MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層的示例，其中抗蝕刻保護(hù)涂層比分隔件更能對蝕刻工藝抗蝕刻。例如，圖1A-圖1C的保護(hù)冠130和第二保護(hù)冠132的抗蝕性以及圖2A-圖2D的保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234的抗蝕性可通過氧化來提高。氧化可降低保護(hù)冠130、第二保護(hù)冠132、保護(hù)涂層232和第二保護(hù)涂層234對在蝕刻工藝(諸如基于惰性氣體的等離子體蝕刻工藝、基于有機(jī)化合物的蝕刻工藝、基于氯的蝕刻工藝、另一蝕刻工藝、或其任何組合)期間使用的材料的反應(yīng)性。作為附加示例，圖3B的碳注入工藝332可提高圖3C和圖3D的保護(hù)涂層336和保護(hù)涂層338的內(nèi)聚力，從而使保護(hù)涂層336和保護(hù)涂層338更能抵抗蝕刻工藝。此外，用碳注入硅基層330可降低硅基層330對在蝕刻工藝期間使用的材料的反應(yīng)性。作為另一示例，碳注入工藝332可被直接應(yīng)用于分隔件116以提高分隔件116的內(nèi)聚力和/或降低分隔件116對在蝕刻工藝期間使用的材料的反應(yīng)性。

雖然參照圖1A-圖3D描繪了不同實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)注意，這些實(shí)施例可被組合以形成抗蝕刻保護(hù)涂層的組合。例如，在形成如參照圖2C描述的保護(hù)涂層232之后，可在分隔件116上和保護(hù)涂層232上形成如參照圖1A描述的保護(hù)冠。該保護(hù)冠和保護(hù)涂層232兩者可被氧化以產(chǎn)生完成的抗蝕刻保護(hù)涂層。

參照圖4，公開了形成磁性隧道結(jié)(MTJ)器件的方法并將其一般地指定為400。方法400可包括在402使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第一部分。例如，參照圖1A-圖3D，可使用第一工藝來蝕刻存儲(chǔ)層110、頂部電極層112和導(dǎo)電硬掩模層114以形成第一MTJ器件118的第一部分。

方法400可進(jìn)一步包括在404在MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。例如，可如圖1A-圖3D中描繪的那樣在第一MTJ器件118的側(cè)壁124上形成分隔件116。

方法400還可包括在406形成與MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層，該抗蝕刻保護(hù)涂層提供比分隔件更大的抗蝕性。例如，可如圖1A-圖1C中描繪的那樣在頂表面126上以及在分隔件116的側(cè)壁122上部上形成保護(hù)冠130。在另一實(shí)施例中，保護(hù)涂層232可被形成在分隔件116的側(cè)壁上，如圖2A-圖2D描述的。在另一實(shí)施例中，基于硅的保護(hù)涂層336可被形成在分隔件116上。基于硅的保護(hù)涂層336可經(jīng)受碳注入工藝332以提高基于硅的保護(hù)涂層336對第一蝕刻工藝的抗蝕性。在另一實(shí)施例中，碳注入工藝332可被直接應(yīng)用于分隔件116以形成抗蝕刻保護(hù)涂層。

方法400包括在408使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第二部分。例如，可使用第一蝕刻工藝來形成第一MTJ器件118的完成部分。此完成部分可包括底部電極層104、基準(zhǔn)層106和隧道勢壘層108。

在其中抗蝕刻保護(hù)涂層形成在分隔件上的實(shí)施例中，方法400可任選地包括在形成MTJ器件的第二部分之后從分隔件移除抗蝕刻保護(hù)涂層。例如，在完成第一MTJ器件118的形成之后，可使用蝕刻工藝來移除抗蝕刻保護(hù)涂層(例如，圖2A-2D、圖1A-1C、圖3A-3D的抗蝕刻保護(hù)涂層)。替換地，取決于特定制造過程和/或器件特性，可以不從分隔件移除抗蝕刻保護(hù)涂層。在此情形中，MTJ器件可包括(或可連接至)抗蝕刻保護(hù)涂層。

通過形成提供比分隔件更大的抗蝕性的抗蝕刻保護(hù)涂層，能夠以對分隔件的較少磨損來執(zhí)行蝕刻工藝。由此，MTJ器件能夠以對連接至該MTJ器件的分隔件的較少磨損來制造。如此，減小了重沉積材料由于分隔件磨損而在MTJ器件上形成分流路徑的風(fēng)險(xiǎn)。方法400的一個(gè)或多個(gè)操作可基于MTJ器件的器件結(jié)構(gòu)和/或基于用于形成MTJ器件的一種或多種材料來重復(fù)一次或多次。例如，蝕刻工藝可被重復(fù)以進(jìn)一步限定MTJ器件的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。在此情形中，作為解說性示例，一個(gè)或多個(gè)附加抗蝕刻保護(hù)涂層可被敷設(shè)于MTJ器件以在蝕刻工藝期間保護(hù)該MTJ器件的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域。

使用方法400所制造的存儲(chǔ)器可被包括在電子設(shè)備中，如參照圖5進(jìn)一步描述的。

參照圖5，描繪了電子設(shè)備(諸如無線通信設(shè)備)的特定解說性實(shí)施例的框圖并將其一般地指定為500。電子設(shè)備500包括耦合至存儲(chǔ)器532的處理器，諸如數(shù)字信號處理器(DSP)510。存儲(chǔ)器532可包括包含多個(gè)MTJ器件的高密度MTJ陣列560。該多個(gè)MTJ器件中的每個(gè)器件可使用圖4的方法400來形成。

例如，該多個(gè)MTJ器件可包括使用與MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層來形成的MTJ器件。為了解說，MTJ器件可包括電極，諸如圖1A-圖3D的頂部電極層112。MTJ器件可進(jìn)一步包括存儲(chǔ)層，諸如圖1A-圖3D的存儲(chǔ)層110。可使用包括在電極的暴露側(cè)部上以及在存儲(chǔ)層的暴露側(cè)部上形成分隔件(諸如圖1A-圖3D的分隔件116)的過程來形成MTJ器件。該過程可進(jìn)一步包括形成與MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。例如，抗蝕刻保護(hù)涂層可被形成在分隔件上?？刮g刻保護(hù)涂層可包括圖1A-圖1C的保護(hù)冠130、圖2A-圖2D的保護(hù)涂層232、和/或圖3A-圖3D的保護(hù)涂層336。取決于特定實(shí)現(xiàn)，可在高密度MTJ陣列560的制造期間(例如，使用蝕刻工藝)從高密度MTJ器件560移除(或基本移除)抗蝕刻保護(hù)涂層。在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)現(xiàn)中，不從高密度MTJ陣列560移除抗蝕刻保護(hù)涂層。在此情形中，高密度MTJ陣列560可包括抗蝕刻保護(hù)涂層。作為解說性示例，離子注入工藝332可被應(yīng)用于分隔件116以形成抗蝕刻保護(hù)涂層，并且高密度MTJ陣列560可包括抗蝕刻保護(hù)涂層(由于在該示例中不從高密度MTJ陣列560移除抗蝕刻保護(hù)涂層)。

圖5還示出了耦合至數(shù)字信號處理器510和顯示器528的顯示器控制器526。編碼器/解碼器(CODEC)534也可耦合至數(shù)字信號處理器510。揚(yáng)聲器536和話筒538可耦合至CODEC 534。

圖5還指示無線控制器540可耦合至數(shù)字信號處理器510和天線542。在一特定實(shí)施例中，DSP 510、顯示器控制器526、存儲(chǔ)器532、CODEC 534、以及無線控制器540可被包括在系統(tǒng)級封裝或片上系統(tǒng)設(shè)備522中。在一特定實(shí)施例中，輸入設(shè)備530和電源544耦合至片上系統(tǒng)設(shè)備522。此外，在一特定實(shí)施例中，如圖5中所解說的，顯示器528、輸入設(shè)備530、揚(yáng)聲器536、話筒538、天線542和電源544在片上系統(tǒng)設(shè)備522外部。然而，顯示器528、輸入設(shè)備530、揚(yáng)聲器536、話筒538、天線542和電源544中的每一者可耦合至片上系統(tǒng)設(shè)備522的組件，諸如接口或控制器。

結(jié)合所描述的實(shí)施例，公開了一種系統(tǒng)，其可包括用于防止重沉積材料變得緊鄰或接觸MTJ器件的暴露側(cè)壁的裝置，諸如圖1A-圖3D的分隔件116、配置成防止重沉積材料變得緊鄰或接觸MTJ器件的暴露側(cè)壁的一個(gè)或多個(gè)其他器件或電路、或其任何組合。該系統(tǒng)還可包括用于在蝕刻工藝期間保護(hù)該用于防止重沉積材料變得緊鄰或接觸MTJ器件的暴露側(cè)壁的裝置免受磨損的裝置。該用于保護(hù)的裝置可包括圖1C的保護(hù)冠130、圖2D的保護(hù)涂層232、圖3D的保護(hù)涂層336、配置成在蝕刻工藝期間保護(hù)該用于防止重沉積材料變得緊鄰或接觸MTJ器件的暴露側(cè)壁的裝置免受磨損的一個(gè)或多個(gè)其他結(jié)構(gòu)或?qū)?、或其任何組合。

上文公開的設(shè)備和功能性可被設(shè)計(jì)和配置在存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)中。一些或全部此類文件可被提供給基于此類文件來制造設(shè)備的制造處理人員。結(jié)果得到的產(chǎn)品包括半導(dǎo)體晶片，其隨后被切割為半導(dǎo)體管芯并被封裝成半導(dǎo)體芯片。這些芯片隨后被用在以上描述的設(shè)備中。圖6描繪了電子設(shè)備制造過程600的特定說明性實(shí)施例。

物理器件信息602在制造過程600處(諸如在研究計(jì)算機(jī)606處)被接收。物理器件信息602可包括表示半導(dǎo)體器件(諸如圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合)的至少一個(gè)物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)信息。例如，物理器件信息602可包括經(jīng)由耦合至研究計(jì)算機(jī)606的用戶接口604輸入的物理參數(shù)、材料特性、以及結(jié)構(gòu)信息。研究計(jì)算機(jī)606包括耦合至計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如存儲(chǔ)器610)的處理器608，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。存儲(chǔ)器610可存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀指令，其可被執(zhí)行以使處理器608將物理器件信息602轉(zhuǎn)換成遵循某一文件格式并生成庫文件612。

在一特定實(shí)施例中，庫文件612包括至少一個(gè)包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件。例如，庫文件612可包括被提供以供與電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具620一起使用的包含器件的半導(dǎo)體器件庫，該器件包括圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合。

庫文件612可在設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614處與EDA工具620協(xié)同使用，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614包括耦合至存儲(chǔ)器618的處理器616，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。EDA工具620可被存儲(chǔ)為存儲(chǔ)器618處的處理器可執(zhí)行指令，以使得設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614的用戶能夠設(shè)計(jì)包括圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合的電路。例如，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614的用戶可經(jīng)由耦合至設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614的用戶接口624來輸入電路設(shè)計(jì)信息622。電路設(shè)計(jì)信息622可包括表示半導(dǎo)體器件(諸如圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合)的至少一個(gè)物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)信息。為了解說，電路設(shè)計(jì)屬性可包括特定電路的標(biāo)識(shí)以及與電路設(shè)計(jì)中其他元件的關(guān)系、定位信息、特征尺寸信息、互連信息、或表示半導(dǎo)體器件的物理屬性的其他信息。

設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614可被配置成轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)信息(包括電路設(shè)計(jì)信息622)以遵循某一文件格式。為了解說，該文件格式化可包括以分層格式表示關(guān)于電路布局的平面幾何形狀、文本標(biāo)記、及其他信息的數(shù)據(jù)庫二進(jìn)制文件格式，諸如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式。設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614可被配置成生成包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件，諸如包括描述圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合的信息以及其他電路或信息的GDSII文件626。為了解說，數(shù)據(jù)文件可包括對應(yīng)于包括圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其組合的片上系統(tǒng)(SOC)且還包括SOC內(nèi)的附加電子電路和組件的信息。

GDSII文件626可在制造過程628被接收以根據(jù)GDSII文件626中的經(jīng)轉(zhuǎn)換信息來制造圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合。例如，設(shè)備制造過程可包括將GDSII文件626提供給掩模制造商630以創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)掩模，諸如用于與光刻處理聯(lián)用的掩模，其被解說為代表性掩模632。掩模632可在制造過程期間被用于生成一個(gè)或多個(gè)晶片634。圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其組合可使用參照圖1A-圖3D描述的一種或多種方法和/或過程來形成在該一個(gè)或多個(gè)晶片634上。例如，該一個(gè)或多個(gè)晶片634可包括圖1A-圖1C的器件100、圖2A-圖2D的器件200、或圖3A-圖3D的器件300。該一個(gè)或多個(gè)晶片634可包括MTJ器件。

制造過程628可由全自動(dòng)化或部分自動(dòng)化的制造系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)。例如，制造過程628可以根據(jù)調(diào)度來自動(dòng)化。制造系統(tǒng)可包括用于執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作以形成半導(dǎo)體器件的制造裝備(例如，處理工具)。例如，該制造裝備可被配置成執(zhí)行定向沉積工藝、重新定位(例如，旋轉(zhuǎn))晶片634、沉積一種或多種材料、應(yīng)用基于惰性氣體的蝕刻工藝、應(yīng)用基于有機(jī)化合物的蝕刻工藝、應(yīng)用基于氯的蝕刻工藝、應(yīng)用基于氟的蝕刻工藝等。

制造系統(tǒng)(例如，執(zhí)行制造過程626的自動(dòng)化系統(tǒng))可具有分布式架構(gòu)(例如，分層結(jié)構(gòu))。例如，制造計(jì)算機(jī)670可在制造過程628期間被使用。制造計(jì)算機(jī)670可包括根據(jù)該分布式架構(gòu)分布的一個(gè)或多個(gè)處理器(諸如處理器672)、一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器(諸如存儲(chǔ)器674)、和/或控制器。該分布式架構(gòu)可包括控制或發(fā)起一個(gè)或多個(gè)低級系統(tǒng)的操作的高級處理器。例如，制造過程628的高級部分可由一個(gè)或多個(gè)處理器(諸如處理器672)發(fā)起，并且低級系統(tǒng)可各自包括一個(gè)或多個(gè)相應(yīng)控制器或可受其控制。特定低級系統(tǒng)的特定控制器可從特定高級系統(tǒng)接收一個(gè)或多個(gè)指令(例如，命令)，可向下級模塊或處理工具發(fā)布子命令，以及可反過來向該特定高級系統(tǒng)傳達(dá)狀態(tài)數(shù)據(jù)。一個(gè)或多個(gè)低級系統(tǒng)中的每個(gè)低級系統(tǒng)可與一件或多件相應(yīng)制造裝備(例如，處理工具)相關(guān)聯(lián)。在一特定實(shí)施例中，該制造系統(tǒng)可包括分布在該制造系統(tǒng)中的多個(gè)處理器。

替換地，制造計(jì)算機(jī)670可在該制造系統(tǒng)的高級系統(tǒng)、子系統(tǒng)、或組件處發(fā)起操作。在另一實(shí)施例中，制造計(jì)算機(jī)670執(zhí)行制造系統(tǒng)的各種等級和組件處的分布式處理。

存儲(chǔ)器674可包括處理器可執(zhí)行指令，其在由處理器672執(zhí)行時(shí)使得處理器672在形成MTJ器件(例如，第一MTJ器件118)期間發(fā)起操作。該操作可包括在第一MTJ器件118的暴露側(cè)部上形成分隔件。該操作可進(jìn)一步包括形成與該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層(例如，圖1A-圖1C的保護(hù)冠130、圖2A-圖2D的保護(hù)涂層232、和/或圖3A-圖3D的保護(hù)涂層336)。

在一特定實(shí)施例中，存儲(chǔ)器674是存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令可由處理器672執(zhí)行以使處理器672在形成第一MTJ器件118期間發(fā)起操作。該操作可包括在第一MTJ器件118的暴露側(cè)部上形成分隔件。該操作可進(jìn)一步包括形成與該MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層(例如，圖1A-圖1C的保護(hù)冠130、圖2A-圖2D的保護(hù)涂層232、圖3A-圖3D的保護(hù)涂層336)。

作為解說性示例，處理器672可發(fā)起或控制(例如，使用第一步驟)使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第一部分。例如，處理器672可耦合至一個(gè)或多個(gè)控制器，這一個(gè)或多個(gè)控制器控制一件或多件制造裝備以執(zhí)行用于使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第一部分的第一步驟。處理器672可如圖4的方法400中在402描述的那樣控制使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第一部分的第一步驟。

處理器672還可發(fā)起或控制(例如，使用第二步驟)在MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。例如，處理器672可耦合至一個(gè)或多個(gè)控制器，這一個(gè)或多個(gè)控制器控制一件或多件制造裝備以執(zhí)行用于在MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件的第二步驟。處理器672可通過控制如圖4的方法400中在404描述的一個(gè)或多個(gè)過程來控制在MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件。

處理器672還可發(fā)起或控制(例如，使用第三步驟)形成與MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層。例如，處理器672可耦合至一個(gè)或多個(gè)控制器，這一個(gè)或多個(gè)控制器控制一件或多件制造裝備以執(zhí)行用于形成抗蝕刻保護(hù)涂層的第三步驟。處理器672可通過控制如圖4的方法400中在406描述的一個(gè)或多個(gè)過程來形成抗蝕刻保護(hù)涂層。

處理器672還可發(fā)起或控制(例如，使用第四步驟)使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第二部分。例如，處理器672可耦合至一個(gè)或多個(gè)控制器，這一個(gè)或多個(gè)控制器控制一件或多件制造裝備以執(zhí)行用于使用第一蝕刻工藝來形成MTJ器件的第二部分的第四步驟。處理器672可通過控制如圖4的方法400中在408描述的一個(gè)或多個(gè)過程來控制使用第一蝕刻工藝形成MTJ器件的第二部分。

處理器672還可發(fā)起或控制(例如，使用第五步驟)從分隔件移除抗蝕刻保護(hù)涂層。例如，處理器672可耦合至一個(gè)或多個(gè)控制器，這一個(gè)或多個(gè)控制器控制一件或多件制造裝備以執(zhí)行用于從分隔件移除抗蝕刻保護(hù)涂層的第五步驟。處理器672可通過控制如圖4的方法400中在410描述的一個(gè)或多個(gè)過程來發(fā)起或控制從分隔件移除抗蝕刻保護(hù)涂層。

該一個(gè)或多個(gè)晶片634可被測試并分為多個(gè)管芯，諸如代表性管芯636。管芯636包括電路，該電路包括包含圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合的器件。

管芯636可被提供給封裝過程638，其中管芯636被納入到代表性封裝640中。例如，封裝640可包括單個(gè)管芯636或多個(gè)管芯，諸如系統(tǒng)級封裝(SiP)安排。封裝640可被配置成遵循一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，諸如電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)于封裝640的信息可被分發(fā)給各產(chǎn)品設(shè)計(jì)者(諸如經(jīng)由存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)646處的組件庫)。計(jì)算機(jī)646可包括耦合至存儲(chǔ)器650的處理器648，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器650處以處理經(jīng)由用戶接口644從計(jì)算機(jī)646的用戶接收的PCB設(shè)計(jì)信息642。PCB設(shè)計(jì)信息642可包括經(jīng)封裝半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息，該經(jīng)封裝半導(dǎo)體器件對應(yīng)于包括圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合的封裝640。

計(jì)算機(jī)646可被配置成轉(zhuǎn)換PCB設(shè)計(jì)信息642以生成數(shù)據(jù)文件，諸如具有包括經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息、以及電連接(諸如跡線和通孔)的布局的數(shù)據(jù)的GERBER文件652，其中經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件對應(yīng)于包括圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合的封裝640。在其他實(shí)施例中，由經(jīng)轉(zhuǎn)換的PCB設(shè)計(jì)信息生成的數(shù)據(jù)文件可具有GERBER格式以外的其他格式。

GERBER文件652可在板組裝過程654處被接收并且被用于創(chuàng)建根據(jù)GERBER文件652內(nèi)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)信息來制造的PCB，諸如代表性PCB 656。例如，GERBER文件652可被上傳到一個(gè)或多個(gè)機(jī)器以執(zhí)行PCB生產(chǎn)過程的各個(gè)步驟。PCB 656可填充有電子組件(包括封裝640)以形成代表性印刷電路組裝件(PCA)658。

PCA 658可在產(chǎn)品制造過程660處被接收，并被集成到一個(gè)或多個(gè)電子設(shè)備中，諸如第一代表性電子設(shè)備662和第二代表性電子設(shè)備664。作為解說性而非限定性示例，第一代表性電子設(shè)備662、第二代表性電子設(shè)備664、或這兩者可選自包括以下各項(xiàng)的組：其中集成有圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120的機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計(jì)算機(jī)。作為另一解說性而非限定性示例，電子設(shè)備662和664中的一者或多者可以是遠(yuǎn)程單元(諸如移動(dòng)電話)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理)、啟用全球定位系統(tǒng)(GPS)的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、位置固定的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或者存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其他設(shè)備、或其任何組合。盡管圖6解說了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的遠(yuǎn)程單元，但本公開并不限于這些所解說的單元。本公開的實(shí)施例可合適地用在包括具有存儲(chǔ)器和片上電路系統(tǒng)的有源集成電路系統(tǒng)的任何設(shè)備中。

包括圖1A-圖3D的第一MTJ器件118、第二MTJ器件120、或其任何組合的設(shè)備可以如在解說性過程600中所描述的那樣被制造、處理、并納入到電子設(shè)備中。關(guān)于圖1–5所公開的實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面可在各個(gè)處理階段處被包括，諸如被包括在庫文件612、GDSII文件626、以及GERBER文件652內(nèi)，以及被存儲(chǔ)在研究計(jì)算機(jī)606的存儲(chǔ)器610、設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)614的存儲(chǔ)器618、計(jì)算機(jī)646的存儲(chǔ)器650、制造計(jì)算機(jī)670的存儲(chǔ)器674、在各個(gè)階段(諸如在板組裝過程654)處使用的一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算機(jī)或處理器(未示出)的存儲(chǔ)器處，并且還被納入到一個(gè)或多個(gè)其他物理實(shí)施例(諸如掩模632、管芯636、封裝640、PCA 658、其他產(chǎn)品(諸如原型電路或設(shè)備(未示出)))中、或其任何組合。盡管描繪了從物理器件設(shè)計(jì)到最終產(chǎn)品的各個(gè)代表性生產(chǎn)階段，然而在其他實(shí)施例中可使用較少的階段或可包括附加階段。類似地，過程600可由單個(gè)實(shí)體或由執(zhí)行過程600的各個(gè)階段的一個(gè)或多個(gè)實(shí)體來執(zhí)行。

結(jié)合所描述的實(shí)施例，公開了一種系統(tǒng)，其可包括用于在MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件的裝置，諸如制造計(jì)算機(jī)670、制造過程628、配置成在MTJ器件的暴露側(cè)部上形成分隔件的一個(gè)或多個(gè)其他器件或電路、或其任何組合。該系統(tǒng)還可包括用于形成與MTJ器件相關(guān)聯(lián)的抗蝕刻保護(hù)涂層的裝置，諸如制造計(jì)算機(jī)670、制造過程628、配置成形成抗蝕刻保護(hù)涂層的一個(gè)或多個(gè)其他器件或電路、或其任何組合。

技術(shù)人員將進(jìn)一步領(lǐng)會(huì)，結(jié)合本文所公開的實(shí)施例來描述的各種解說性邏輯框、配置、模塊、電路、和算法步驟可實(shí)現(xiàn)為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)軟件、或這兩者的組合。各種解說性組件、框、配置、模塊、電路、和步驟已經(jīng)在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此類功能性是被實(shí)現(xiàn)為硬件還是處理器可執(zhí)行指令取決于具體應(yīng)用和加諸于整體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。技術(shù)人員可針對每種特定應(yīng)用以不同方式來實(shí)現(xiàn)所描述的功能性，但此類實(shí)現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀為致使脫離本公開的范圍。

結(jié)合本文所公開的實(shí)施例描述的方法或算法的各個(gè)步驟可直接用硬件、由處理器執(zhí)行的軟件模塊或這兩者的組合來實(shí)現(xiàn)。軟件模塊可駐留在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、閃存、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、寄存器、硬盤、可移動(dòng)盤、壓縮盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、或本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的非瞬態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)。示例性存儲(chǔ)介質(zhì)被耦合到處理器，以使得處理器能從/向該存儲(chǔ)介質(zhì)讀取/寫入信息。在替換方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以被整合到處理器。處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可駐留在專用集成電路(ASIC)中。ASIC可駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶終端中。在替換方案中，處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可作為分立組件駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶終端中。

提供前面對所公開的實(shí)施例的描述是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員皆能制作或使用所公開的實(shí)施例。對這些實(shí)施例的各種修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，并且本文中定義的原理可被應(yīng)用于其他實(shí)施例而不會(huì)脫離本公開的范圍。因此，本公開并非旨在被限定于本文中示出的實(shí)施例，而是應(yīng)被授予與如由所附權(quán)利要求定義的原理和新穎性特征一致的最廣的可能范圍。