本發(fā)明涉及利用置換液置換基板上的處理液的基板處理裝置、基板處理方法以及記錄有基板處理程序的計算機可讀取的記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)：

以往以來，在制造半導(dǎo)體零部件、平板顯示器等之際，使用基板處理裝置來對半導(dǎo)體晶圓、液晶基板等基板實施了清洗、蝕刻等各種液處理。

例如在進行基板的清洗的基板處理裝置中，朝向旋轉(zhuǎn)的基板供給清洗用的化學(xué)溶液，利用化學(xué)溶液對基板的表面進行清洗處理。之后，向基板的中央部供給沖洗液，利用沖洗液對基板的表面進行沖洗處理。在該沖洗處理中，將用于對基板的表面進行沖洗處理的處理液(例如純水)向基板供給，而在基板的表面形成處理液的液膜。之后，停止處理液的供給，將揮發(fā)性比處理液的揮發(fā)性高的干燥用液(例如IPA(異丙醇))向基板的中央部供給，進行將在基板的表面形成的處理液的液膜置換成干燥用液的置換處理。在該置換處理中，處理液逐漸從基板的中央部朝向外周側(cè)依次被置換成干燥用液，在基板的表面形成干燥用液的液膜。之后，朝向干燥用液吹送非活性氣體(例如氮氣)、并且利用由基板的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力將干燥用液從基板的表面向外側(cè)方甩開，從而使基板的表面干燥。

這樣，在以往的基板處理裝置中，在進行基板的干燥之際，預(yù)先向基板的表面供給處理液而形成處理液的液膜，在停止處理液的供給后開始干燥用液的供給，從而將在基板的表面形成的處理液的液膜置換成干燥用液(例如參照日本特開2010－45389號公報。)。

由基板的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力作用于在基板的表面形成的處理液的液膜。該離心力在基板的外周部比在基板的中央部大。因此，在停止處理液的供給后，在開始干燥用液的供給到在基板的整個表面形成干燥用液的液膜之前，有時形成于基板的外周部的處理液的液膜被向基板的外側(cè)方甩開，在該外周部液膜成為間斷的狀態(tài)。這樣的液膜的間斷尤其是易于在基板的表面被疏水化的情況下產(chǎn)生。

也就是說，如圖13的示意圖所示，在基板的中央部(單點虛線所示的與基板同心的圓形區(qū)域內(nèi))，干燥用液的液膜不間斷地形成，但在基板的外周部，干燥用液的液膜間斷，作為其結(jié)果，就在基板的外周部形成干燥用液的液滴。若在氣氛中的物質(zhì)(例如氨)溶入到液滴的狀態(tài)下干燥，則在基板的表面有可能產(chǎn)生水痕和微粒。

也想到：在供給置換液之際，通過降低基板的旋轉(zhuǎn)速度來減小離心力，從而保持處理液的液膜。不過，那樣的話，就產(chǎn)生如下問題：處理時間就變長，基板處理裝置的生產(chǎn)率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明提供一種能夠抑制源自液膜的間斷的水痕和微粒等缺陷的產(chǎn)生、良好地進行基板的處理的技術(shù)。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的一技術(shù)方案的基板處理裝置包括：基板旋轉(zhuǎn)部，其一邊保持基板一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)；處理液供給部，其用于向所述基板供給處理液；置換液供給部，其用于將與從所述處理液供給部供給來的所述處理液置換的置換液向所述基板供給，在所述置換液供給部向所述基板供給所述置換液時，所述處理液供給部向比從所述置換液供給部供給的所述置換液的所述基板上的供給位置靠所述基板的外周側(cè)的位置供給所述處理液而形成所述處理液的液膜。

上述技術(shù)方案的基板處理裝置也可以具有以下所列舉的特征中的一個或多個。

所述處理液供給部和所述置換液供給部以所述基板的整個表面被所述處理液、所述置換液或所述處理液與所述置換液的混合液的液膜覆蓋的方式供給所述處理液和所述置換液，所述處理液供給部向由所述置換液供給部形成的所述置換液的外側(cè)以能夠維持由所述處理液供給部供給來的所述處理液的液膜的方式供給所述處理液。

所述置換液供給部向所述基板的中央部供給所述置換液，所述處理液供給部一邊朝向所述基板的外周方向移動一邊供給所述處理液。

所述處理液供給部一移動到所述基板的周緣部就停止所述處理液的供給。

所述處理液供給部具有：處理液主供給噴嘴，其用于朝向所述基板的中央部供給所述處理液；處理液輔助供給噴嘴，其用于向比所述置換液的所述基板上的供給位置靠所述基板的外周側(cè)的位置供給所述處理液。

所述處理液供給部在所述處理液主供給噴嘴和所述處理液輔助供給噴嘴同時供給所述處理液時使來自所述處理液輔助供給噴嘴的所述處理液的供給流量小于來自所述處理液主供給噴嘴的所述處理液的供給流量。

所述處理液供給部在從所述置換液供給部開始向所述基板供給所述置換液之前開始向比所述置換液的所述基板上的供給位置靠所述基板的外周側(cè)的位置供給所述處理液。

所述處理液供給部在向所述基板上供給所述置換液且沒有向所述基板的外周側(cè)的位置供給所述處理液的情況下，向與由所述置換液覆蓋整體的所述基板同心的圓形區(qū)域內(nèi)供給所述處理液。

本發(fā)明的另一技術(shù)方案的基板處理方法包括如下工序：向旋轉(zhuǎn)的基板供給處理液的處理液主供給工序；置換液供給工序，在該置換液供給工序中，向所述基板供給用于將在所述處理液主供給工序中供給到所述基板的所述處理液置換的置換液，而在所述基板上形成置換液的液膜；處理液輔助供給工序，在該處理液輔助供給工序中，在向所述基板供給所述置換液時，向比所述基板上的所述置換液的供給位置靠所述基板的外周側(cè)的位置供給所述處理液，而在所述基板上形成所述處理液的液膜。

上述技術(shù)方案的基板處理方法也可以具有以下所列舉的特征中的一個或多個。

在所述處理液主供給工序中，在所述基板的整個表面形成所述處理液的液膜，在所述處理液輔助供給工序中，在所述基板的表面上的比由所述置換液覆蓋的區(qū)域靠外周側(cè)的區(qū)域形成所述處理液的液膜。

在所述置換液供給工序中，朝向所述基板的中央部供給所述置換液，

在所述處理液輔助供給工序中，一邊使所述處理液的供給位置朝向所述基板的外周側(cè)移動一邊供給所述處理液。

在所述處理液輔助供給工序中，以比在所述處理液主供給工序中供給的所述處理液的供給流量少的供給流量供給所述處理液。

在所述處理液輔助供給工序中，于在所述置換液供給工序中開始向所述基板供給所述置換液之前，開始所述處理液的供給。

本發(fā)明的又一技術(shù)方案的記錄有基板處理程序的計算機可讀取的記錄介質(zhì)，該基板處理程序的內(nèi)容如下：使用具有一邊保持基板一邊使基板旋轉(zhuǎn)的基板旋轉(zhuǎn)部、向所述基板供給處理液的處理液供給部以及向所述基板供給與從所述處理液供給部供給來的所述處理液置換的置換液的置換液供給部的基板處理裝置，利用所述基板旋轉(zhuǎn)部使所述基板旋轉(zhuǎn)，利用所述處理液供給部向所述基板供給所述處理液，之后，利用所述置換液供給部向所述基板供給所述置換液而形成置換液的液膜、并且利用所述處理液供給部向比所述基板上的所述置換液的供給位置靠外周側(cè)的位置供給所述處理液而形成處理液的液膜。

發(fā)明的效果

根據(jù)上述本發(fā)明的技術(shù)方案，不使基板處理裝置的生產(chǎn)率降低，就能夠抑制水痕和微粒的產(chǎn)生，能夠良好地進行基板的處理。

附圖說明

圖1是表示基板處理裝置的俯視圖。

圖2是表示基板液處理裝置的側(cè)面剖視圖。

圖3是該基板處理裝置的俯視圖。

圖4是表示基板處理程序的流程圖。

圖5是基板處理裝置的動作說明圖(基板接受工序、基板交接工序)。

圖6是基板處理裝置的動作說明圖(化學(xué)溶液供給工序)。

圖7是基板處理裝置的動作說明圖(處理液供給工序)。

圖8是基板處理裝置的動作說明圖(處理液輔助供給工序)。

圖9是基板處理裝置的動作說明圖(處理液輔助供給工序)。

圖10是基板處理裝置的動作說明圖(置換液供給工序)。

圖11是基板處理裝置的動作說明圖(非活性氣體供給工序)。

圖12是基板處理裝置的動作說明圖(非活性氣體供給工序)。

圖13是表示在基板形成的液膜的狀態(tài)的示意圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置和基板處理方法的具體的構(gòu)成進行說明。

如圖1所示，基板處理裝置1在前端部具有輸入輸出部2。在輸入輸出部2處，可進行收容有多張(例如25張)基板3(在此，是半導(dǎo)體晶圓)的承載件4的輸入輸出。多個承載件4左右排列地載置于輸入輸出部2。

基板處理裝置1在輸入輸出部2的后方具有輸送部5。在輸送部5的前側(cè)配置有基板輸送裝置6，同時在后側(cè)配置有基板交接臺7。在該輸送部5，使用基板輸送裝置6在載置到輸入輸出部2的任一承載件4與基板交接臺7之間輸送基板3。

基板處理裝置1在輸送部5的后方具有處理部8。在處理部8的中央配置有沿著前后方向延伸的基板輸送裝置9。在基板輸送裝置9的左右兩側(cè)，用于對基板3進行液處理的基板液處理裝置10沿著前后方向排列地配置。在該處理部8中，使用基板輸送裝置9在基板交接臺7與基板液處理裝置10之間輸送基板3，使用基板液處理裝置10進行基板3的液處理。

如圖2和圖3所示，基板液處理裝置10具有基板旋轉(zhuǎn)部11、化學(xué)溶液供給部12、處理液供給部(處理液主供給部)13、置換液供給部14、非活性氣體供給部15、處理液輔助供給部16以及回收部17，這些各部分由控制部18控制?；逍D(zhuǎn)部11一邊保持基板3一邊使基板3旋轉(zhuǎn)?；瘜W(xué)溶液供給部12向基板3供給清洗用的化學(xué)溶液。處理液供給部13向基板3供給沖洗用的處理液(例如純水)。置換液供給部14向基板3供給置換液(在此，是揮發(fā)性比處理液的揮發(fā)性高的干燥用液，例如IPA)。非活性氣體供給部15向基板3供給非活性氣體。處理液輔助供給部16用于向基板3的外周部輔助性地供給處理液，以在基板3的整個表面維持液膜。也就是說，處理液供給部(處理液主供給部)13和處理液輔助供給部16這兩者作為向基板3供給處理液的“處理液供給部”而發(fā)揮功能?；厥詹?7對化學(xué)溶液、處理液、置換液等進行回收。

基板旋轉(zhuǎn)部11在基板處理室19的內(nèi)部大致中央具有沿著上下延伸的旋轉(zhuǎn)自由的旋轉(zhuǎn)軸20。在旋轉(zhuǎn)軸20的上端水平地安裝有圓板狀的轉(zhuǎn)臺21。在轉(zhuǎn)臺21的外周端緣，沿著圓周方向以等間隔安裝有3個基板保持體22。

基板旋轉(zhuǎn)部11的旋轉(zhuǎn)軸20與基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)23以及基板升降機構(gòu)24連接。這些基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)23和基板升降機構(gòu)24的動作由控制部18控制。

基板旋轉(zhuǎn)部11利用轉(zhuǎn)臺21的基板保持體22水平地保持基板3。轉(zhuǎn)臺21和保持于該轉(zhuǎn)臺21的基板3通過使基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)23動作而旋轉(zhuǎn)，通過使基板升降機構(gòu)24動作而升降。

化學(xué)溶液供給部12具有在基板處理室19內(nèi)沿著左右方向水平地延伸的導(dǎo)軌25。在導(dǎo)軌25上，沿著前后方向水平地延伸的臂26安裝成左右移動自由。在臂26的頂端下部左側(cè)鉛垂向下地安裝有化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27?；瘜W(xué)溶液-處理液供給噴嘴27經(jīng)由流量調(diào)整器29與用于供給清洗用的化學(xué)溶液的化學(xué)溶液供給源28連接。該流量調(diào)整器29由控制部18控制。

另外，化學(xué)溶液供給部12的臂26與第1噴嘴移動機構(gòu)30連接。該第1噴嘴移動機構(gòu)30由控制部18控制。

化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27也包含于處理液供給部13。化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27經(jīng)由流量調(diào)整器32與用于供給作為處理液的沖洗液的處理液供給源31連接。該流量調(diào)整器32由控制部18控制。

屬于化學(xué)溶液供給部12和處理液供給部13這兩者的化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27能夠利用第1噴嘴移動機構(gòu)30在基板3的中央部的上方的位置(供給開始位置)與俯視時位于基板3的左方外側(cè)的位置(退避位置)之間移動，能夠朝向基板3的表面(上表面)噴出清洗用的化學(xué)溶液和沖洗用的處理液。此外，在此，從一個化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27選擇性地噴出化學(xué)溶液和處理液中的任一種，也可以從獨立的噴嘴分別噴出化學(xué)溶液和處理液。

置換液供給部14在臂26的頂端下部右側(cè)具有鉛垂向下地安裝的置換液供給噴嘴33。置換液供給噴嘴33經(jīng)由流量調(diào)整器35與用于供給置換液的置換液供給源34連接。該流量調(diào)整器35由控制部18控制。

置換液供給部14的置換液供給噴嘴33能夠利用第1噴嘴移動機構(gòu)30在基板3的中央部的上方的位置(供給開始位置)和俯視時位于基板3的左方外側(cè)的位置(退避位置)之間移動，能夠朝向基板3的表面(上表面)噴出置換液。

非活性氣體供給部15具有在基板處理室19內(nèi)沿著左右方向水平地延伸的導(dǎo)軌36。在導(dǎo)軌36上，沿著前后方向水平地延伸的臂37安裝成沿著左右方向移動自由。在臂37的頂端下部中央，鉛垂向下地安裝有第1非活性氣體供給噴嘴38。另外，在臂37的頂端下部左側(cè)，朝向下方右側(cè)傾斜地安裝有第2非活性氣體供給噴嘴39。第1非活性氣體供給噴嘴38和第2非活性氣體供給噴嘴39分別經(jīng)由流量調(diào)整器41、42與用于供給非活性氣體(例如氮氣)的非活性氣體供給源40連接。該流量調(diào)整器41、42由控制部18控制。

另外，非活性氣體供給部15的臂37與第2噴嘴移動機構(gòu)43連接。該第2噴嘴移動機構(gòu)43由控制部18控制。

該非活性氣體供給部1的第1非活性氣體供給噴嘴38和第2非活性氣體供給噴嘴39能夠利用第2噴嘴移動機構(gòu)43在基板3的中央部的上方的位置(開始位置)和俯視時位于基板3的右方外側(cè)的位置(退避位置)之間移動，能夠朝向基板3的表面(上表面)噴出非活性氣體。此時，從第1非活性氣體供給噴嘴38使非活性氣體向基板3的表面鉛垂向下地噴出。另一方面，從第2非活性氣體供給噴嘴39使非活性氣體朝向基板3的外周側(cè)向斜下方地向基板3的表面噴出。

處理液輔助供給部16在臂37的頂端下部右側(cè)具有鉛垂向下地安裝的處理液輔助供給噴嘴44。處理液輔助供給噴嘴44經(jīng)由流量調(diào)整器46與用于供給處理液的處理液供給源45連接。該流量調(diào)整器46由控制部18控制。此外，在此，分別使用了兩個處理液供給源45、31，但也可以從單一的處理液供給源向化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27和處理液輔助供給噴嘴44這兩者供給處理液。

該處理液輔助供給部16的處理液輔助供給噴嘴44能夠利用第2噴嘴移動機構(gòu)43在基板3的中央部的上方的位置(供給開始位置)和俯視時位于基板3的右方外側(cè)的位置(退避位置)之間移動，能夠朝向基板3的表面(上表面)噴出處理液。

回收部17具有配置于轉(zhuǎn)臺21的周圍的圓環(huán)狀的回收杯47。在回收杯47的上端部形成有尺寸比轉(zhuǎn)臺21的尺寸大的開口。另外，回收杯47的下端部與排放通路48連接。對于該回收部17，將供給到基板3的表面的處理液、置換液等用回收杯47回收，從排放通路48向外部排出。

基板處理裝置1按照設(shè)置于控制部18(計算機)的記錄介質(zhì)49所記錄的各種程序由控制部18控制，進行基板3的處理。記錄介質(zhì)49儲存有各種的設(shè)定數(shù)據(jù)、程序。記錄介質(zhì)49能夠由ROM、RAM等存儲器、硬盤、CD－ROM、DVD－ROM、軟盤等盤狀記錄介質(zhì)等公知的介質(zhì)構(gòu)成。

基板處理裝置1按照記錄于記錄介質(zhì)49的基板處理程序(參照圖4。)如以下說明那樣進行基板3的處理。

首先，如圖5所示，由基板輸送裝置9輸送來的基板3由基板液處理裝置10接受(基板接受工序)。

在該基板接受工序中，控制部18利用基板升降機構(gòu)24使轉(zhuǎn)臺21上升到預(yù)定位置。并且，基板保持體22接受利用基板輸送裝置9輸入到基板處理室19的內(nèi)部的1張基板3并水平地保持。之后，利用基板升降機構(gòu)24使轉(zhuǎn)臺21下降到預(yù)定位置。此外，在基板接受工序中，預(yù)先使化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27、置換液供給噴嘴33、第1非活性氣體供給噴嘴38、第2非活性氣體供給噴嘴39以及處理液輔助供給噴嘴44向比轉(zhuǎn)臺21的外周靠外方的退避位置退避。

接著，如圖6所示，基板處理裝置1向基板3的表面供給化學(xué)溶液而進行基板3的清洗處理(化學(xué)溶液供給工序)。

在該化學(xué)溶液供給工序中，控制部18利用第1噴嘴移動機構(gòu)30使臂26移動而將化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27配置于基板3的中心部上方的供給開始位置。另外，通過利用基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)23以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)速度使轉(zhuǎn)臺21旋轉(zhuǎn)而使基板3旋轉(zhuǎn)。之后，使由流量調(diào)整器29流量控制成預(yù)定流量的化學(xué)溶液從化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27朝向基板3的表面噴出。此外，供給到基板3的化學(xué)溶液由回收杯47回收，從排放通路48向外部排出。之后，利用流量調(diào)整器29使化學(xué)溶液的噴出停止。

接著，如圖7所示，基板處理裝置1向基板3的表面供給處理液而進行基板3的沖洗處理(處理液供給工序)。

在該處理液供給工序中，控制部18在使化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27維持在基板3的中心部上方的位置的狀態(tài)下使由流量調(diào)整器32流量控制成預(yù)定流量的處理液從化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27朝向旋轉(zhuǎn)的基板3的表面噴出。由此，在基板3的表面形成處理液的液膜。以該處理液的液膜在基板3的整個表面上繼續(xù)形成的方式調(diào)整處理液的噴出流量。此外，供給到基板3的處理液由回收杯47回收，從排放通路48向外部排出。

接著，如圖8～圖10所示，基板處理裝置1在進行向基板3的表面的外周部供給處理液的處理液輔助供給工序的同時，進行向基板3的表面的中央部供給置換液而將位于基板3上的處理液置換成置換液的置換液供給工序。

在處理液輔助供給工序開始時，如圖8所示，繼續(xù)進行從化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27向基板3的中央部的處理液的供給，同時從處理液輔助供給噴嘴44朝向基板3的外周部供給與從化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27噴出的處理液同種的處理液。即、控制部18使由流量調(diào)整器32流量控制成預(yù)定流量的處理液從化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27朝向基板3的中央部噴出。另外，利用第2噴嘴移動機構(gòu)43使臂37移動而將處理液輔助供給噴嘴44配置于比基板3的中心部靠外側(cè)的外周部上方的供給開始位置。之后，使由流量調(diào)整器46流量控制成預(yù)定流量的處理液從處理液輔助供給噴嘴44朝向基板3的表面噴出。由此，在基板3的表面形成的處理液的液膜得以保持。此時，使從處理液輔助供給噴嘴44供給的處理液的流量比從化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27供給的處理液的流量少，防止了處理液在基板3的表面飛散。此外，供給到基板3的處理液由回收杯47回收，從排放通路48向外部排出。

在開始處理液輔助供給工序后，如圖9所示，結(jié)束處理液供給工序，開始置換液供給工序。即、控制部18利用第1噴嘴移動機構(gòu)30使臂26移動而將置換液供給噴嘴33配置于基板3的中心部上方的供給開始位置。之后，利用流量調(diào)整器32使來自化學(xué)溶液-處理液供給噴嘴27的處理液的噴出停止，同時使由流量調(diào)整器35流量控制成預(yù)定流量的置換液從置換液供給噴嘴33朝向基板3的表面鉛垂向下地噴出。

在開始置換液供給工序并供給處理液預(yù)定的時間后，如圖10所示，結(jié)束處理液輔助供給工序。即、控制部18利用流量調(diào)整器46使處理液的噴出停止。置換液繼續(xù)預(yù)先從置換液供給噴嘴33向基板3噴出。由此，在基板3的整個表面形成置換液的液膜。此外，供給到基板3的的置換液由回收杯47回收，從排放通路48向外部排出。

這樣，在供給置換液之際，向基板3的處理液的供給不是全部停止，通過將處理液向比置換液的供給位置靠基板3的外周側(cè)的位置供給，不會在離心力的作用下使液膜在基板3的表面上間斷，能夠維持在基板3的整個表面形成沒有間斷的連續(xù)的液膜(置換液的液膜、或者處理液與置換液的混合液的液膜)的狀態(tài)。也就是說，在比從處理液供給輔助噴嘴44供給的處理液的供給位置(處理液供給位置)靠外周側(cè)的區(qū)域形成處理液與置換液的混合液的液膜，在比處理液供給位置靠內(nèi)周側(cè)的區(qū)域形成置換液的液膜(或者、是包括以前供給來的處理液在內(nèi)的置換液的液膜、且是具有比上述混合液中的置換液濃度高的置換液濃度的液膜)。并且，在比處理液供給位置靠外周側(cè)的位置，形成厚度比位于比處理液供給位置靠外周側(cè)的位置的液膜的厚度厚的液膜。因此，在使由處理液供給輔助噴嘴44進行的處理液的供給停止時，在處理液與置換液的混合液被從基板外周部甩開而液膜在基板外周部間斷之前，從置換液供給噴嘴33供給來的置換液到達基板外周部，在基板3的整個表面形成沒有間斷的連續(xù)的置換液的液膜。尤其是，位于比處理液供給位置靠外周側(cè)的位置的液膜由表面張力比處理液的表面張力低的處理液與置換液的混合液形成，因此，在使由處理液供給輔助噴嘴44進行的處理液的供給停止時，該液膜難以間斷。由此，能夠抑制因在基板3的表面殘留液滴狀的置換液而引起的水痕和微粒的產(chǎn)生。在如以往那樣供給置換液之際完全不供給處理液的情況下，如從圖13示意性所示的置換液的液膜的輪廓線P可知那樣，在基板3的中央部(比單點虛線靠半徑方向內(nèi)側(cè)的區(qū)域)，置換液的液膜可靠地形成，但在其外側(cè)，置換液的液膜就間斷。因此，在處理液輔助供給工序中，期望的是，從處理液輔助供給噴嘴44向這樣的區(qū)域內(nèi)(即、比圖13的單點虛線靠半徑方向內(nèi)側(cè)的區(qū)域)供給處理液：在不從處理液輔助供給噴嘴44供給處理液而從置換液供給噴嘴33向基板3的中心部供給置換液時，該區(qū)域被置換液的液膜可靠地覆蓋。由此，在基板的外周部也能夠維持液膜。此外，置換液供給工序也可以與處理液輔助供給工序同時開始。另外，也可以是，在進行置換液供給工序時，一邊利用第2噴嘴移動機構(gòu)43使處理液輔助供給噴嘴44沿著基板3朝向右外側(cè)方(半徑方向外側(cè))水平地移動一邊從處理液輔助供給噴嘴44進行處理液的噴出。由此，能夠使基板3上的置換液的液膜隨著處理液的供給位置的移動而向外周方向逐漸擴散，因此，能夠更加可靠地進行液膜的保持。

接著，基板處理裝置1向基板3吹送非活性氣體而從基板3的表面去除置換液來進行基板3的干燥處理(非活性氣體供給工序)。該非活性氣體供給工序具有：中央部干燥處理工序，在該中央部干燥處理工序中，向基板3的中央部吹送非活性氣體而僅使基板3的中央部局部地干燥；外周部干燥處理工序，在該外周部干燥處理工序中，一邊使非活性氣體的吹送位置從基板3的中央部向外周側(cè)移動，一邊使干燥區(qū)域從基板3的中央部向外周側(cè)逐漸擴大，最終使整個基板3干燥。

在中央部干燥處理工序中，如圖11所示，控制部18一邊利用第1噴嘴移動機構(gòu)30使置換液供給噴嘴33沿著基板3朝向左外側(cè)方(半徑方向外側(cè))水平地移動，一邊使由流量調(diào)整器35流量控制成預(yù)定流量的置換液從置換液供給噴嘴33朝向基板3的表面鉛垂向下地噴出。另外，利用第2噴嘴移動機構(gòu)43使臂37移動而使第1非活性氣體供給噴嘴38向基板3的中心部上方的供給開始位置移動。之后，使由流量調(diào)整器41流量控制成預(yù)定流量的非活性氣體從第1非活性氣體供給噴嘴38朝向基板3的表面鉛垂向下地噴出。此時，不驅(qū)動第2噴嘴移動機構(gòu)43，預(yù)先使第1非活性氣體供給噴嘴38在基板3的中央上方停止。在該中央部干燥處理工序中，從在基板3的中央上方停止的第1非活性氣體供給噴嘴38朝向基板3的中央部鉛垂向下地噴出非活性氣體。因此，對于在基板3的表面形成的置換液的液膜，僅基板3的中央部被向外周側(cè)去除，成為僅基板3的中央部干燥的狀態(tài)。

之后，在外周部干燥處理工序中，如圖12所示，控制部18利用流量調(diào)整器41使來自第1非活性氣體供給噴嘴38的非活性氣體的噴出停止后，利用第2噴嘴移動機構(gòu)43使臂37移動而使第2非活性氣體供給噴嘴39向基板3的中心部上方的供給開始位置移動。之后，使由流量調(diào)整器42流量控制成預(yù)定流量的非活性氣體從第2非活性氣體供給噴嘴39向基板3的表面從基板3的上方朝向外側(cè)方沿著傾斜方向噴出。此時，利用第2噴嘴移動機構(gòu)43使第2非活性氣體供給噴嘴39沿著基板3從基板3的中心朝向右側(cè)的周緣部水平地移動。另外，一邊利用第1噴嘴移動機構(gòu)30使置換液供給噴嘴33沿著基板3朝向左外側(cè)方水平地移動，一邊使由流量調(diào)整器35流量控制成預(yù)定流量的置換液從置換液供給噴嘴33朝向基板3的表面鉛垂向下地噴出。之后，利用流量調(diào)整器35、42使置換液和非活性氣體的噴出停止。在從置換液和非活性氣體的噴出停止經(jīng)過預(yù)定時間后，利用基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)23使基板3(轉(zhuǎn)臺21)的旋轉(zhuǎn)停止。在外周部干燥處理工序的最后，利用第1噴嘴移動機構(gòu)30使臂26移動而使置換液供給噴嘴33向比基板3的外周靠左方外側(cè)的退避位置移動。另外，利用第2噴嘴移動機構(gòu)43使臂37移動而使第1非活性氣體供給噴嘴38、第2非活性氣體供給噴嘴39向比基板3的外周靠右方外側(cè)的退避位置移動。

最后，如圖5所示，基板處理裝置1將基板3從基板液處理裝置10向基板輸送裝置9交接(基板交接工序)。

在該基板交接工序中，控制部18利用基板升降機構(gòu)24使轉(zhuǎn)臺21上升到預(yù)定位置。然后，將由轉(zhuǎn)臺21保持著的基板3向基板輸送裝置9交接。之后，利用基板升降機構(gòu)24使轉(zhuǎn)臺21下降到預(yù)定位置。

此外，在上述基板處理裝置1中，將處理液供給部(處理液主供給部)13和處理液輔助供給部16分別設(shè)于臂26、37，但并不限于此，也能夠?qū)⑦@些處理液供給部(處理液主供給部)13和處理液輔助供給部16設(shè)于一個臂。另外，將化學(xué)溶液供給部12和處理液供給部13設(shè)于一個臂26，但也能夠?qū)⑦@些化學(xué)溶液供給部12和處理液供給部13分別設(shè)于不同的臂。另外，非活性氣體供給部15具有第1非活性氣體供給噴嘴38和第2非活性氣體供給噴嘴39，但也可以僅有任一個。另外，基板3上的來自處理液輔助供給噴嘴44的處理液的供給位置位于比來自置換液供給噴嘴33的置換液的供給位置靠基板3的外周側(cè)的位置即可。然而，由于從處理液輔助供給噴嘴44向基板3的處理液的供給位置(處理液輔助供給噴嘴44的位置)與從置換液供給噴嘴33向基板3的置換液的供給位置(置換液供給噴嘴33的位置)之間的間隔、來自處理液輔助供給噴嘴44的處理液的供給流量以及來自置換液供給噴嘴33的置換液的供給流量、基板3的旋轉(zhuǎn)速度等條件，有可能在基板3的表面上由于處理液與置換液之間的碰撞而產(chǎn)生處理液或置換液的飛散。因此，預(yù)先通過實驗等確認處理液或置換液不產(chǎn)生飛散的條件的范圍，期望的是在該范圍內(nèi)適當設(shè)定上述的各種條件。而且，在上述實施方式中，于在基板3的沖洗處理后將作為處理液的沖洗液置換成置換液的情況下，與置換液一起供給了作為處理液的沖洗液，但并不限于此，于在基板3的疏水化處理后將作為處理液的疏水化液置換成置換液的情況下也能夠進行同樣的處理。

如以上說明那樣，在上述實施方式中，在向旋轉(zhuǎn)的基板3供給處理液而在基板3的整個表面形成處理液的液膜并進行了基板3的處理后，在向基板3供給置換液而將基板3上的處理液以置換液置換之際，通過向比基板3上的置換液的供給位置靠基板3的外周側(cè)的位置供給處理液，維持了整個基板3被液膜覆蓋的狀態(tài)。不使基板3的轉(zhuǎn)速降低就能夠維持整個基板3被液膜覆蓋的狀態(tài)，因此，不使基板處理裝置1的生產(chǎn)率降低，就能夠抑制水痕和微粒的產(chǎn)生，能夠良好地進行基板3的處理。也存在如下情況：若增加置換液的供給流量，即使不進行處理液的供給，也能夠在供給置換液后立即利用置換液的液膜覆蓋基板3的整個表面，但在該情況下，置換液的消耗量就頗為增加。與此相對，根據(jù)上述實施方式，不增加置換液的消耗量就能夠在基板3的整個表面形成液膜。

附圖標記的說明

1、基板處理裝置；11、基板旋轉(zhuǎn)部；12、化學(xué)溶液供給部；13、處理液供給部；14、置換液供給部；15、非活性氣體供給部；16、處理液輔助供給部；18、控制部。