1.一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，包括輻射片、集成有電路的接地板(1)，所述的輻射片設(shè)在接地板(1)上方，輻射片與接地板(1)形狀相同，輻射片與接地板形狀為正方形或圓形，其特征在于：
所述的輻射片包括上下平行設(shè)置的覆蓋高頻段的上輻射片(3)和覆蓋低頻段的下輻射片(2)，上輻射片(3)與下輻射片(2)之間采用耦合饋電結(jié)構(gòu)，且上輻射片(3)與下輻射片(2)之間設(shè)有粘貼用的介質(zhì)層；所述的輻射片主要包括采用蝕刻在微波介質(zhì)板上的金屬片構(gòu)成；
所述的耦合饋電結(jié)構(gòu)為包括在單點饋電探針(4)的底端連接接地板(1)，單點饋電探針(4)的頂端穿過下輻射片(2)上所設(shè)的金屬化圓孔(22)后貫穿并焊接在上輻射片(3)上，且單點饋電探針(4)的外徑小于金屬化圓孔(22)的直徑，單點饋電探針(4)的外壁與金屬化圓孔的內(nèi)壁之間不接觸；在下輻射片(2)的邊沿設(shè)有兩個開關(guān)位置切槽(21)，兩個上輻射片開關(guān)(31)的頂端分別局部連接在上輻射片(3)下表面的邊沿處，且兩個上輻射片開關(guān)(31)的底端分別穿過相應的開關(guān)位置切槽(21)，兩個下輻射片開關(guān)(23)的頂部分別連接在下輻射片(2)的底面，所述的兩個上輻射片開關(guān)(31)的底端、兩個下輻射片開關(guān)(23)的底端分別采用接線一一連接接地板(1)的電路中所設(shè)的相應的可調(diào)電容或電感的接線端。
2.如權(quán)利要求1所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：所述的兩個開關(guān)位置切槽(21)采用方形，且兩個開關(guān)位置切槽(21)的中心線相交呈直角。
3.如權(quán)利要求1所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：所述的上輻射片(3)采用圓形時，上輻射片的直徑為其諧振頻率 波長的一半；上輻射片(3)采用正方形時上輻射片的邊長為其諧振頻率波長的一半。
4.如權(quán)利要求1所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：所述的下輻射片(2)采用圓形時上輻射片的直徑為其諧振頻率波長的一半，下輻射片(2)采用正方形時上輻射片的邊長為其諧振頻率波長的一半。
5.如權(quán)利要求1所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：所述的單點饋電探針(4)采用SMA接頭探針。
6.如權(quán)利要求1所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：兩個上輻射片開關(guān)(31)、兩個下輻射片開關(guān)(23)、單點饋電探針(4)以及可調(diào)電容或電感構(gòu)成的饋電部分還與低噪聲放大器集成在一起，所述的低噪聲放大器設(shè)置在接地板(1)上。
7.如權(quán)利要求1～6任一項所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：當輻射片采用正方形時，上輻射片(3)和下輻射片的同一對角分別切角。
8.如權(quán)利要求1所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：所述的微波介質(zhì)板采用厚度為1mm的Roger 3010微波板。
9.如權(quán)利要求7所述的一種改進的低剖面雙頻高精度多模導航天線，其特征在于：輻射片采用方形時，上輻射片(3)邊長為28.8mm，下輻射片(2)邊長為37mm，接地板(1)邊長為60mm。