本發(fā)明是有關(guān)于一種GaSbGe相變化存儲器材料、基于該相變化存儲器材料的高密度存儲器裝置及該高密度存儲器裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：相變化存儲器材料，例如基于硫?qū)倩?chalcogenide)的材料和類似的材料，通過在適于實施在集成電路的程度的電流的應(yīng)用可以在非晶態(tài)和晶態(tài)之間引起相變化。一般非晶態(tài)的特征在于具有比一般晶態(tài)較高的電阻率(electricalresistivity)，如此可以較容易地被感測到以指示數(shù)據(jù)。這些性質(zhì)已經(jīng)在使用可編程電阻材料以形成非易失性存儲器電路產(chǎn)生興趣，其可以隨機存取的方式被讀取或?qū)懭搿Ｔ谙嘧兓鎯ζ髦?，?shù)據(jù)是通過在非晶態(tài)和晶態(tài)之間的相變化材料的一有源區(qū)(activeregion)造成轉(zhuǎn)變(transitions)而被儲存。對于一個位單元(bitcell)，低電阻結(jié)晶設(shè)置(set)狀態(tài)的最高電阻R1和高電阻非晶復(fù)位(reset)狀態(tài)的最低電阻R2之間的差異定義一個用以從那些在非晶復(fù)位狀態(tài)的存儲單元中區(qū)分出在結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)的存儲單元的讀取幅度(readmargin)。儲存在存儲單元的數(shù)據(jù)可以通過不論是具有對應(yīng)低電阻狀態(tài)或高電阻狀態(tài)的電阻的存儲單元被測定，例如通過測量不論存儲單元的電阻是高于或低于在讀取余量(readmargin)內(nèi)的一閾值電阻值(thresholdresistancevalue)。用于存儲器操作的相變化材料可以通過多個不同的性能規(guī)格而被特征化，性能規(guī)格包括設(shè)置和復(fù)位速度、數(shù)據(jù)保持(dataretention)、續(xù)航力(endurance)、復(fù)位電流以及儲存數(shù)據(jù)使用的材料將存活過焊接接合的機率。速度是需要引起設(shè)置和復(fù)位操作的脈沖長度的函數(shù)，如同其他因素。數(shù)據(jù)保持是一個功能，典型地，是相變化材料在非晶相至晶相隨著時間和溫度而遺失數(shù)據(jù)的傾向。續(xù)航力是一功能之當相變化存儲器材料處于 多次設(shè)置/復(fù)位周期的作用之下，此相變化存儲器材料變得更堅固以設(shè)置或復(fù)位的傾向。復(fù)位電流具有一個合意的較低的值，但必須足以在有源區(qū)加熱以造成相變化，且當設(shè)置狀態(tài)的電阻水平較低時，此值可以是較高的。焊接接合規(guī)格(solderbondingspecification)意指通過焊接接合固定相變化材料于集成電路上的困難度提升。焊接接合過程將集成電路暴露至升高的溫度，升高的溫度可以超過相變化材料的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度(crystallizationtransitiontemperature)。因此，現(xiàn)有技術(shù)的相變化設(shè)計無法在通過焊接接合被固定之前被編程。因此希望提供一種具有較高結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度的相變化存儲器材料以防止在溫度升高的操作時，從非晶復(fù)位狀態(tài)非期望地轉(zhuǎn)換至結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)。更希望的是，相變化存儲器材料在復(fù)位狀態(tài)電阻值的范圍和設(shè)置狀態(tài)電阻值的范圍之間保持一個大的差值。也希望相變化存儲器材料保持快速的設(shè)置和復(fù)位速度。也希望相變化存儲器材料在結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)相具有相對較高的電阻以減少復(fù)位電流。此外，還希望相變化存儲器材料具有足夠高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度以抵擋焊接接合而沒有遺失數(shù)據(jù)。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明是描述一種在Ga-Sb-Ge家族(鎵-Ga，銻-Sb，鍺-Ge)中的相變化存儲器材料，相較于先前技術(shù)的材料，Ga-Sb-Ge家族中的相變化存儲器材料可以具有較高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度、降低的復(fù)位電流、較快速的開關(guān)速度(switchingspeed)以及較佳的保持(retention)特性。本文所描述的材料可以具有足夠高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx以滿足焊接接合規(guī)格。相較于GST-225相變化存儲器材料，本文所描述的相變化存儲器材料能夠維持高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度，同時具有快速的設(shè)置速度(setspeed)。本文所描述的相變化存儲器材料不會形成大的空隙，且相變化存儲器材料在后段工藝(Back-End-Of-Line，BEOL)處理期間被暴露至升高的溫度之后也不會產(chǎn)生大的晶粒尺寸的變異。此外，本文所描述的相變化存儲器材料在長時間暴露至升高的溫度之后仍然維持在非晶狀態(tài)。本發(fā)明是描述一種相變化材料，包括GaxSbyGez，其中Ga原子百分比x在20％至45％的范圍內(nèi)、Sb原子百分比y在25％至40％的范圍內(nèi)，以 及Ge原子百分比z在25％至55％的范圍內(nèi)，其中此材料具有大于360℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx。添加雜質(zhì)包括一或多個選自Si、C、O以及N的元素，可以增加結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx以大于400℃，也可以降低復(fù)位電流。本發(fā)明是描述一種在Ga-Sb-Ge家族內(nèi)的相變化材料，包括一Si原子百分比在3％至12％的范圍內(nèi)，以及一N原子百分比在3％至12％的范圍內(nèi)(如下文所討論的標準化)。描述一種在Ga-Sb-Ge家族內(nèi)的相變化材料，包括一Si原子百分比在3％至12％的范圍內(nèi)，以及一O原子百分比在6％至25％的范圍內(nèi)(如下文所討論的標準化)。此外，描述一種添加包含硅和碳(Si、C)元素的組合。本發(fā)明是描述一種在Ga-Sb-Ge家族內(nèi)的相變化材料，包括有效量的氧化硅以建立大于400℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx。本發(fā)明是描述一種在Ga-Sb-Ge家族內(nèi)的相變化材料，包括有效量的氮化硅以建立大于400℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx。在升高的溫度下且在重復(fù)的操作周期之后，在Ga-Sb-Ge家族內(nèi)的相變化存儲器材料在非晶復(fù)位狀態(tài)的較高的電阻和結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)的較低的電阻之間仍維持大的電阻的差異。優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持(220℃-10年)被實現(xiàn)。此外，使用此材料的存儲器裝置能通過焊接接合熱預(yù)算測試(solderbondingthermalbudgettest)(260℃-30秒)，這表示具有新型相變化材料的PCM是適合用于嵌入式汽車的應(yīng)用(embeddedautomotiveapplications)，且適合用在其他高溫的環(huán)境。在Ga-Sb-Ge家族內(nèi)的材料通過成長主導的機制(growthdominatedmechanism)結(jié)晶，而不像在GST-225家族內(nèi)的材料是通過成核主導的機制(nucleationdominatedmechanism)結(jié)晶。存儲器裝置包括一存儲單元陣列。每個存儲單元包括一第一電極和一第二電極耦接至一存儲器元件。存儲器元件包括如本文所描述的相變化材料，且包含一有源區(qū)，其中設(shè)置和復(fù)位狀態(tài)之間的相轉(zhuǎn)變在此處發(fā)生，并且這基本上決定了存儲單元的電阻。本文描述一種使用一相變化存儲器材料制造存儲器裝置的方法。為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：附圖說明圖1是繪示可以被考慮的五種性能規(guī)格的捷思圖(heuristicdiagram)，其中性能規(guī)格包含速度、數(shù)據(jù)保持、續(xù)航力、復(fù)位電流以及焊接接合，且每個性能規(guī)格是劃分在圖表的五個角落之一。圖2是具有GaSbGe組成物的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度的一三相圖，其具有或不具有摻雜材料，在不同的原子百分比濃度。圖3是繪示GaSbGe家族的材料的電阻和GST-225家族的材料的電阻率隨著溫度的函數(shù)。圖4A是GST-225家族內(nèi)的一材料在后段工藝處理過后的穿透式電子顯微鏡(TransmissionElectronMicroscope，TEM)影像。圖4B是GaSbGe家族內(nèi)的一材料在后段工藝處理過后的TEM影像。圖5是繪示在結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)和非晶復(fù)位狀態(tài)的存儲單元電阻隨著由GaSbGe家族的材料所制成的一存儲單元的操作周期的函數(shù)。圖6是繪示由GaSbGe家族中具有最佳性能特性的一材料所制成的一存儲單元的位計數(shù)(bitcounts)隨著電阻的函數(shù)。圖7A是繪示由GaSbGe家族中具有最佳性能特性的一材料所制成的一存儲單元的位計數(shù)(bitcounts)隨著在焊接回流過程(solderingreflowprocess)之前和之后的電阻的函數(shù)。圖7B是繪示焊接回流過程的加熱剖面圖。圖8是繪示由GaSbGe家族的一材料所制成的一存儲單元的位計數(shù)(bitcounts)隨著在暴露至250℃持續(xù)300小時之前和之后的電阻的函數(shù)。圖9是繪示由GaSbGe家族的一材料所制成的一存儲單元的位計數(shù)(bitcounts)隨著在暴露至270℃持續(xù)7天之前和之后的電阻的函數(shù)。圖10A是繪示不同的烘烤時間的由GaSbGe家族的一材料所制成的一存儲單元的失敗率隨著烘烤時間的函數(shù)。圖10B是繪示不同的失敗率的由GaSbGe家族的一材料所制成的一存儲單元的生命周期隨著烘烤溫度的函數(shù)。圖11是繪示具有由GaSbGe家族的具有體化學計量的一材料所制成的存儲器元件的一存儲單元的剖面圖。圖12是繪示具有由GaSbGe家族的具有體化學計量的一材料所制成 的存儲器元件的一替代的存儲單元設(shè)計的剖面圖。圖13是繪示具有由GaSbGe家族的具有體化學計量的一材料所制成的存儲器元件的一替代的存儲單元設(shè)計的剖面圖。圖14是繪示透過噴濺以形成一GaSbGe存儲器裝置的系統(tǒng)的簡化圖。圖15是繪示透過使用于創(chuàng)造一GaSbGe存儲器裝置的方法的一替代的噴濺系統(tǒng)的簡化圖。圖16是繪示利用一噴濺系統(tǒng)以形成一層GaSbGe相變化材料的工藝流程圖。圖17是繪示用于制造GaSbGe的材料的一存儲單元的制造過程流程圖。圖18是繪示用于制造GaSbGe的材料的一存儲單元的制造過程流程圖。圖19是繪示執(zhí)行由一GaSbGe材料制成的一存儲單元陣列的一集成電路的簡化框圖?！痉栒f明】1、2、3、4、5：線102：矩形104：節(jié)線121、122、123、124：曲線131、132：樣品140、141、171、172、173、174：范圍151、152、153、154、161、162、163、164：分布300、370、400：存儲單元302、372、402：存儲器元件304、382、414：有源區(qū)306、374、404：第一電極308：介電層310、376、406：第二電極312、412：寬度320：腔室322：GaSb噴濺目標324：Ge噴濺目標326：基板328：電源供應(yīng)控制器330：真空泵332：氣體源350、352、354、356、358、360、362、450、452、454、456、480、482、484、486：方塊378、408：頂表面380、410：底表面500：集成電路502：具有GaSbGe存儲器元件的一陣列相變化存儲單元，其包含預(yù)譯碼數(shù)據(jù)504：字線譯碼器和驅(qū)動器506：字線508：位線譯碼器510：位線512：總線514：區(qū)塊516：數(shù)據(jù)總線518：數(shù)據(jù)輸入520：其他電路522：數(shù)據(jù)輸出524：控制器526：偏置電路的電壓和電流源具體實施方式以下是提供實施例，并參照附圖1～圖19圖，對本發(fā)明做更詳細的描述。圖1是繪示可以被考慮的五種性能規(guī)格的捷思圖，其中性能規(guī)格包含 速度、數(shù)據(jù)保持、續(xù)航力、復(fù)位電流以及焊接接合，且每個性能規(guī)格是劃分在圖表的五個角落之一。在圖1的圖表中，在GST-225家族的材料被劃分為兩種類型。繪制在線1的第一種類型是使用傳統(tǒng)鍍?yōu)R技術(shù)所制成。繪制在線2(線2與線1在保持(retention)、速度和焊接接合軸重疊)的第二種類型是使用先進的原子級工程(advancedatomiclevelengineering)所制成。此外，在圖1的圖表中，如Cheng的論文，Cheng，etal.，″AhighperformancephasechangememorywithfastswitchingspeedandhightemperatureretentionbyengineeringtheGexSbyTezphasechangematerial，″2011IEEEInt′lIEDM，5-7Dec2011中描述的所謂的「黃金組合(goldencomposition)」是繪制在線3上。如Cheng的論文，Chengetal.，″AthermallyrobustphasechangememorybyengineeringtheGe/Nconcentrationin(Ge，N)xSbyTezphasechangematerial″2012Int′lIEEEIEDM，10-13DEC2012中描述的所謂的「黃金組合」的氮摻雜、富含鍺的修飾是繪制在線4上。本文所描述的在「GST-225家族」的一材料是繪示于圖1的圖表的線5上。在GST-225家族內(nèi)的材料包括GeSbTe(鍺-Ge、銻-Sb、碲-Te)組成物，GeSbTe組成物是沿著如發(fā)表于“Structural，electricandkineticparametersofternaryalloysofGeSbTe”，E.Morales-Sanchez，ThinSolidFilms471(2005)243-247的Sb2Te3和GeTe節(jié)線。已經(jīng)觀察到，由GST-225家族制造的傳統(tǒng)的相變化存儲單元在升高的溫度下歷經(jīng)從非晶復(fù)位狀態(tài)非期望地轉(zhuǎn)換至結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)，限制使用這些材料的存儲單元的數(shù)據(jù)保持特性(dataretentioncharacteristics)。在溫度升高的操作下，在一陣列內(nèi)的存儲單元的有源區(qū)內(nèi)的此相變化材料的非期望的轉(zhuǎn)換會導致產(chǎn)生錯誤的數(shù)據(jù)和所需的儲存數(shù)據(jù)的遺失。努力改善的GST-225相變化存儲單元的熱穩(wěn)定性已經(jīng)造成存儲單元在較慢的設(shè)置和復(fù)位速度下操作，在較高的復(fù)位電流下且結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)的低電阻和非晶復(fù)位狀態(tài)的高電阻之間的差異降低。在美國專利申請公開號US2015/0048291A1中，標題PHASECHANGEMEMORYCELLWITHIMPROVEDPHASECHANGEMATERIAL，于2015年2月19日發(fā)表，是描述一種Ga-Sb(鎵-Ga，銻-Sb)系統(tǒng)，伴隨著加入「碲(Te)、硅(Si)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)、 銦(In)、錫(Sn)、鉍(Bi)、銀(Ag)、金(Au)以及額外的銻(Sb)」的至少其中之一到系統(tǒng)中的可能性。由于在非晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)之間的小的質(zhì)量密度變化，Ga-Sb系統(tǒng)是被描述為有益的。然而，揭露的材料具有大約265℃(參見段落[0054])的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度，以及有限的數(shù)據(jù)保持特性。圖2為一三相圖，其使用點的灰階編碼(grayscalecoding)繪示在對應(yīng)于不同原子百分比濃度的GaSbGe組成物的位置的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。在一些實施例中，本文所描述的高結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度組成通常坐落于沿著或接近Ge-Ga46Sb54節(jié)線104，包含具有相似于Ga1Sb1Ge1的組成濃度的材料，包含摻雜GaSbGe。節(jié)線104代表測試的材料，但是代表更普遍的Ge-Ga50Sb50節(jié)線，其中50-50原子百分比可能在正負10％之間變化。一組材料中，本文稱為「GaSbGe家族」的材料，沿著或接近節(jié)線104分布，是包含此組GaxSbyGez，其中鎵原子百分比濃度是在20％至45％的范圍內(nèi)、銻原子百分比濃度是在25％至40％的范圍內(nèi)、且鍺原子百分比濃度是在25％至55％的范圍內(nèi)，在組合中是有效地具有大于360℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。材料可以在GaxSby節(jié)線上，其中x和y在組合中添加至100％，且每個均落在50±10％的范圍中，且包括有效的鍺的量以提供大于360℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx。此外，本文所描述的材料是可操作于低復(fù)位電流，低復(fù)位電流可以低于典型在GST-225家族中的材料大約50％。GaSbGe家族的材料是繪示于圖2中，如同那些具有在由矩形102內(nèi)所定義的區(qū)域的組成物，其具有有效量的Ga-Sb-Ge的組成以提供大于360℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。一組材料中，本文稱為「GaSbGe家族」的材料，一些摻雜有雜質(zhì)，沿著或接近節(jié)線104分布，是包含此組GaxSbyGez，其中鎵原子百分比濃度是在20％至45％的范圍內(nèi)、銻原子百分比濃度是在25％至40％的范圍內(nèi)、且鍺原子百分比濃度是在25％至55％的范圍內(nèi)。雜質(zhì)可以被添加至包含硅原子百分比濃度在3％至12％的范圍內(nèi)、氧原子百分比濃度在6％至25％的范圍內(nèi)、或氮原子百分比濃度在3％至12％的范圍內(nèi)，包括有效的組合以提供大于400℃和高于所需用于焊接接合過程溫度的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。在GaSbGe家族內(nèi)的材料的較高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度造成改善的裝置性能和數(shù)據(jù)保持。材料可以是在GaSbGe家族中，具有添加至有效的量的硅和氧以提供大于400℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。材料可以是在 GaSbGe家族中，具有添加至有效的量的硅和氮以提供大于400℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。繪制于圖2中的GaSbGe家族的材料是列舉于下表中。GaSbGeSiONTx145.4545554.545450257222.328.848.9380329.536.434.1365421.427.950.7----372524.4612131.3577644.181032.34.9383627.1604931.874340.965213.67.3450723.2227530.5687246.208534.311.3441822.8346528.3464648.81896.717.1--462922.4557527.4336350.110622.2x1.64451030.242.827------3701133.336.230.5------3711232.2939937.0824130.6236110.2----3961331.8112637.8995430.289197.127.2--3911434.2975235.5371930.165297.6x8.85001534.6727935.820929.506313.29.7--427在上表中，且在圖2中，標準化Ga、Sb和Ge的濃度，使得Ga、Sb和Ge在組合中增加至100％，即使當額外的元素Si、O和N被添加。額外添加的元素的濃度并未被標準化，考慮到他們的原子濃度，假設(shè)Ga、Sb和Ge增加至100％，因此標準化的濃度百分比的總和是大于100％。因此，在具有添加的元素的情況下，例如是Si、O和N，因此可以通過由因子((100-添加的元素的總和)/100)縮放Ga、Sb和Ge的值來測定實際的原子百分比(添加至100％)。就材料5而言，舉例來說，Ga、Sb和Ge實際的值必須由(92.8/100)縮放，且Si和O的值也是，接著所有元素的總和在少數(shù)百分比的不確定性測量內(nèi)將會是100％。本文使用的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx是使用此材料的一預(yù)沉積薄膜(asdepositedthinfilm)來測量，而不是與存儲器裝置同步的材料，其將經(jīng)歷 后段工藝處理和一或多次熔化-冷卻周期。在一個預(yù)沉積薄膜的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度的測定中，薄膜可以是50至100納米厚的數(shù)量級，但對于此預(yù)沉積模的厚度差，電阻率的測量過程是相同的。預(yù)沉積薄膜的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx可以高于實際元件中轉(zhuǎn)移溫度Tx50至100℃，其中預(yù)沉積的形式和同步的形式之間的變化量隨著不同的材料而改變、且隨著使用相同材料的存儲單元的不同的配置而改變，以及隨著其他原因而改變。因此，為了實現(xiàn)應(yīng)用至同步存儲器元件的一給定的操作規(guī)格，本文使用的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx必須比此規(guī)格高得多。為發(fā)展新的相變化材料的一個重要因素是相變化材料的電阻。在結(jié)晶狀態(tài)的電阻是特別重要的，因為其是裝置所需的復(fù)位電流的幅度的決定性因素。就GST-225而言，在結(jié)晶狀態(tài)的電阻非常低，因此需要非常高的復(fù)位電流以復(fù)位。不同于GST-225家族，GaSbGe家族顯示Ge的濃度可以有效的增加結(jié)晶態(tài)的電阻，且因此需要較低的復(fù)位電流。相較于GST-225，GaSbGe家族是具有高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度Tx且在其熔點具有高的動態(tài)電阻(dynamicresistance)的材料，其結(jié)合以造成低的復(fù)位電流，以及好的續(xù)航力并同時保持足夠快的速度。摻雜有氧化硅的一代表性的GaSbGe材料(于上述表格中的材料7)于測試中顯示優(yōu)異的特性，其具有鎵的原子百分比濃度大約19.6％+/-1％、銻的原子百分比濃度大約25.8％+/-0.5％、鍺的原子百分比濃度大約36.6％+/-1％、硅的原子百分比濃度大約4.3％+/-0.5％、以及氧的原子百分比濃度大約11.3％+/-1％(下文中稱為「材料7」)。材料7所改善的性能特性包括一大約441℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度。提升的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度在升高的溫度下改善了數(shù)據(jù)保持和裝置性能。圖3比較GST-225的預(yù)沉積薄膜(曲線121)、Ga46Sb54(曲線122)、Ga1Sb1Ge1(曲線123)以及材料7-摻雜有氧化硅的GaSbGe組成物(曲線124)的電阻率和溫度的曲線。GST-225121的電阻率在溫度大約150℃的時候開始大幅下降。這顯示GST-225的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度大約是150℃。Ga1Sb1Ge1123的電阻率在溫度大約360℃的時候開始大幅下降，表示Ga1Sb1Ge1123的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度大約是360℃。這高于GST-225的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度近乎210℃，因此在升高的溫度下實現(xiàn)所需的性能特性和改善的數(shù)據(jù) 保持。曲線124的材料7(摻雜的GaSbGe)的電阻率在溫度441℃的時候開始大幅下降。將GaSbGe家族的材料從一結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)轉(zhuǎn)變至一非晶復(fù)位狀態(tài)所需的復(fù)位電流是低于用在GST-225家族內(nèi)的材料的復(fù)位電流大約50％。復(fù)位電流是將相變化存儲器材料從一結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)轉(zhuǎn)變至一非晶復(fù)位狀態(tài)所需的電流量。復(fù)位電流改變相變化存儲器材料的溫度至熔點溫度，因此一部分的結(jié)晶材料熔化。相變化存儲器材料的熔融部分快速冷卻，固化成一非晶復(fù)位狀態(tài)。設(shè)置電流是將相變化存儲器材料從一非晶復(fù)位狀態(tài)轉(zhuǎn)變至一結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)所需的電流量。設(shè)置電流使相變化存儲器材料的溫度升至高于玻璃轉(zhuǎn)移溫度，但低于熔點溫度，因此相變化存儲器材料從非晶復(fù)位狀態(tài)開始結(jié)晶。在GaSbGe家族內(nèi)的材料，具有或不具有摻雜材料，都比GST-225家族中的材料在熔點溫度下具有較高的動態(tài)電阻。因此，將材料從一結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)轉(zhuǎn)變至一非晶復(fù)位狀態(tài)僅需要較低的復(fù)位電流。因此在GaSbGe家族內(nèi)的材料可以具有比那些在GST-225家族內(nèi)的材料低50％的復(fù)位電流。在GaSbGe家族內(nèi)的材料不可能如同在GST-225家族內(nèi)的材料在后段工藝(BEOL)處理期間形成大量的空隙(voids)。在后段工藝處理期間所引入的空隙會引發(fā)在復(fù)位狀態(tài)的非晶材料甚至在較低的溫度結(jié)晶化，連續(xù)地穿越與典型的存儲單元裝置性能相關(guān)的設(shè)置和復(fù)位周期。因此，空隙更通過降低數(shù)據(jù)保持速度和增加儲存錯誤數(shù)據(jù)的機率來降低所需的性能特性。此外，在GaSbGe家族內(nèi)的材料在后段工藝處理期間不會如同在GST-225家族內(nèi)的材料在后段工藝處理期間產(chǎn)生大的晶粒尺寸的變異(largegrainsizevariations)。在裝置操作期間，在設(shè)置狀態(tài)和復(fù)位狀態(tài)之間重復(fù)轉(zhuǎn)換之后，晶粒尺寸的變異更在材料內(nèi)引入缺陷。如前面所提到的缺陷將引發(fā)非晶相變化材料降低性能特性。在后段工藝處理期間的空隙的形成和大晶粒尺寸的變異歸因于在后段工藝處理提升溫度下由立方晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至六方最密堆積(hexagonalclosepacked，HCP)。GST-225家族內(nèi)的材料在六方最密堆積結(jié)構(gòu)中的大柱 狀結(jié)構(gòu)促使材料內(nèi)的大空隙產(chǎn)生和大晶粒尺寸變異。時間演化的XRD數(shù)據(jù)隨著材料7的溫度的函數(shù)顯示在490℃，材料具有單閃鋅礦相(singlezincblendephase)結(jié)構(gòu)。為了方便比較，在GST-225家族內(nèi)的材料，在溫度大約380℃時從立方晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至六方最密堆積，然而GaSbGe家族內(nèi)的材料在溫度大約380℃時仍然維持在非晶狀態(tài)。由于后段工藝處理發(fā)生在溫度大約400℃，具有有效組合以提供接近或高于400℃的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度的GaSbGe家族內(nèi)的材料仍維持在非晶結(jié)構(gòu)，然而在GST-225家族內(nèi)的材料會。因此在后段工藝處理之后，空隙和晶粒尺寸的變異，即具有晶體六方最密堆積結(jié)構(gòu)的材料的特征，不會存在GaSbGe家族中的材料。圖4A是GST-225家族內(nèi)的一材料在后段工藝處理過后的穿透式電子顯微鏡影像。圖4B是材料7在后段工藝處理過后的TEM影像。圖4A顯示GST-225家族內(nèi)的材料中巨大和非均勻的晶粒。在圖4B中的代表性材料7的影像顯示了非常密集和均勻的非晶態(tài)的形貌。此外，由TEM的分析中，顯而易見的是GST-225家族內(nèi)的材料中存在著大的晶粒尺寸的變異。如此大的晶粒尺寸的變異并不存在于GaSbGe家族中的材料，其形貌維持非晶態(tài)。因此，在后段工藝處理之后，缺陷，包括空隙和大的晶粒尺寸的變異，不會存在于來自GaSbGe家族的材料7，其具有本文所述的有效的組合。亦即，相反地，改善了裝置性能且降低遺失數(shù)據(jù)和產(chǎn)生錯誤數(shù)據(jù)的機率。此外，其有助于使后續(xù)的蝕刻更加均勻且較低損害。由Kissinger法所測量的GST-225家族內(nèi)的材料的活化能是2.65eV?；罨芤庵甘菇Y(jié)晶設(shè)置狀態(tài)所需的熱能的量。因此，越高的活化能代表越高的結(jié)晶轉(zhuǎn)移溫度和較佳的數(shù)據(jù)保持。對GST-225家族內(nèi)的材料和材料7進行雷射熔融/焠火(lasermelt/quench)處理。一50ns/2.5W的激光脈沖是足以使GST-225家族內(nèi)的材料從非晶復(fù)位狀態(tài)轉(zhuǎn)變至結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)。100ns脈沖寬度可將GaSbGe家族的材料從非晶復(fù)位狀態(tài)轉(zhuǎn)變至結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)。速度上可約與快速結(jié)晶材料GST-225相比。對包括材料7的存儲單元進行Schmooplot分析。分析顯示結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)電阻在使用一方形脈沖的短短80ns脈沖寬度已達到100kΩ。GaSbGe家族內(nèi)的材料的80ns的脈沖寬度相當于從GST-225家族內(nèi)的材料所制成 的裝置的設(shè)置速度(setspeed)。圖5繪示在結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)(樣品131)和非晶復(fù)位狀態(tài)(樣品132)的存儲單元電阻的續(xù)航力隨著在GaSbGe家族內(nèi)代表性的材料7的設(shè)置/復(fù)位周期的次數(shù)(在每個周期中將存儲單元在一設(shè)置狀態(tài)和一非晶復(fù)位狀態(tài)之間做轉(zhuǎn)換)的函數(shù)。如圖5所繪示的，在正常操作溫度下，在108或更多次周期的期間，不論是設(shè)置或復(fù)位狀態(tài)，由GaSbGe家族內(nèi)的材料所制成的存儲單元的電阻值并未歷經(jīng)顯著的變化。圖6繪示位計數(shù)(bitcounts)隨著由材料7所制成的一4K存儲單元陣列的電阻的函數(shù)，其中材料7具有鎵的原子百分比濃度大約19.6％、銻的原子百分比濃度大約25.8％、鍺的原子百分比濃度大約39.0％、硅的原子百分比濃度大約4.3％、以及氧的原子百分比濃度大約11.3％。在結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)的電阻值變化被限制在大約10kΩ和50kΩ之間的一個范圍140內(nèi)。同時非結(jié)晶復(fù)位狀態(tài)的電阻值變化被限制在大約100kΩ和750kΩ之間的一個范圍141內(nèi)。在如此限制和分開的范圍內(nèi)的電阻值分布，進一步解釋了前面所提到所需的性質(zhì)特性，其中在數(shù)個操作周期過后，設(shè)置和復(fù)位狀態(tài)下的電阻值在一個范圍內(nèi)保持分開和相對恒定。由GaSbGe家族內(nèi)的材料所制成的存儲單元維持高數(shù)據(jù)保持水平，且在暴露至高溫與焊接回流過程之后仍具有低的數(shù)據(jù)遺失的實例。圖7A繪示位計數(shù)隨著由材料7所制成的一存儲單元陣列在焊接回流過程之前(分布151)和之后(分布152)的設(shè)置狀態(tài)，以及在焊接回流過程之前(分布153)和之后(分布154)的復(fù)位狀態(tài)的電阻的函數(shù)。用以產(chǎn)生圖7A的數(shù)據(jù)的存儲單元與用以產(chǎn)生圖5和圖6的數(shù)據(jù)的存儲單元相同。圖7B捷思地繪示焊接接合(或回流)過程的加熱剖面圖。如圖7B所繪示的，在焊接之后，回流過后的復(fù)位電阻分布154比回流之前的復(fù)位電阻分布153高大于一個數(shù)量級。此外，回流過后的設(shè)置電阻分布152略高于回流之前的設(shè)置電阻分布151。然而，仍然維持好的余量(margins)，避免在焊接過程期間遺失數(shù)據(jù)。本說明書為了承受焊接回流處理需要當存儲單元被暴露至260℃持續(xù)30秒的時候，數(shù)據(jù)是被維持住。圖8繪示位計數(shù)隨著在250℃下被烘烤300小時之前(設(shè)置分布161和復(fù)位分布163)和之后(設(shè)置分布162和復(fù)位分布164)的材料7所制 成的一存儲單元陣列的電阻的函數(shù)。曲線顯示數(shù)據(jù)保持是極佳的，并具有設(shè)置狀態(tài)的存儲單元的電阻范圍(分布162)良好的維持低于100千歐姆，低于復(fù)位狀態(tài)的電阻范圍的低端(分布164)。測驗顯示在270℃下被烘烤一天之后，這些存儲單元可以保持數(shù)據(jù)，且仍具有與圖7A及圖7B的復(fù)位分布相似的復(fù)位分布。圖9繪示位計數(shù)隨著在270℃下被烘烤7天之前(范圍171和173)和之后(范圍172和174)的材料7所制成的一存儲單元陣列的電阻的函數(shù)，顯示設(shè)置分布維持相當穩(wěn)定，但非晶復(fù)位狀態(tài)的再結(jié)晶在這些極端的條件下造成數(shù)據(jù)遺失(如范圍174所示)。然而，承受在270℃下被烘烤一天的能力已經(jīng)被證實，具有與圖7A及圖7B的復(fù)位分布相似的復(fù)位分布。因此，這個家族的材料，特別是摻雜有氧化硅的GaSbGe家族，證實了不可預(yù)期的，且大幅改善的使用作為一存儲器材料的特性。圖10A繪示失敗率隨著由材料7所制成的一存儲單元陣列的烘烤時間的函數(shù)，其中烘烤時間為270℃、285℃以及300℃。圖10B繪示在1％和0.01％的失敗率的生命周期隨著烘烤溫度的函數(shù)。基于在不同烘烤溫度的生命周期，材料7的活化能可以被計算為3.3eV。如在圖10B中所看到的，在0.01％的失敗率下的生命周期預(yù)計保持在220℃十年，其適合用于汽車應(yīng)用。由GaSbGe家族制造的存儲單元能夠在將存儲單元暴露至升高的溫度持續(xù)一段長的時間的重復(fù)循環(huán)操作期間維持非晶復(fù)位狀態(tài)的電阻值。相變化存儲單元可以以多種方式形成，一些形成范例是繪示于第11至13圖中，每個存儲單元包括包含如本文所述的GaSbGe材料的一存儲器元件。圖11繪示由GaSbGe材料制造的一存儲單元300的剖面圖。存儲單元300包括包含在GaSbGe家族中的存儲器材料的本體的一存儲器元件302。存儲單元300包括一有源區(qū)304。存儲單元300包括延伸通過介電層308以接觸存儲器元件302底部的一第一電極306。一第二電極310形成在存儲器元件302上以產(chǎn)生一電流介于第一電極306和第二電極310之間并通過存儲器元件302。第一電極306和第二電極310可以包括例如TiN或TaN。替代地，第一電極306和第二電極310可以各自是W、WN、TiAlN 或TaAlN，或包括更多例子，一或更多元素選自由摻雜Si、Si、C、Ge、Cr、Ti、W、Mo、Al、Ta、Cu、Pt、Ir、La、Ni、N、O以及Ru其組合所組成的群組。介電層308可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅以及任何其他合適的介電材料。所描述的存儲單元具有第一電極306，第一電極306具有一相對窄寬度312(其在一些實施例中是一直徑)。第一電極306的窄寬度312造成第一電極306和存儲器元件302之間的接觸面積小于存儲器元件302和第二電極310之間的接觸面積。因此，電流集中在存儲器元件302相鄰第一電極306的部分，導致有源區(qū)304是接觸或接近于第一電極306，如圖所示。存儲器元件302也包括有源區(qū)304以外的非有源區(qū)(inactiveregion)，非有源區(qū)在操作期間不會歷經(jīng)相轉(zhuǎn)變。即使有源區(qū)304以外的非有源區(qū)在操作期間不會歷經(jīng)相轉(zhuǎn)變，包含有源區(qū)304和非有源區(qū)的整個存儲器元件的大批化學計量是由GaSbGe相變化存儲器材料所組成。圖12繪示另一種存儲單元370的設(shè)計剖面圖。存儲單元370包含一存儲器元件372，存儲器元件372是包含由通過此存儲器元件372的一電極間電流路徑(inter-electrodecurrentpath)的GaSbGe家族的相變化材料的本體所組成。存儲器元件372是柱狀并且在頂表面378和底表面380分別接觸第一電極374和第二電極376。存儲器元件372具有實質(zhì)上與第一電極374和第二電極376的寬度相同的寬度384，以定義一個由介電質(zhì)(未繪示)圍繞的多層柱。如本文所使用的，用語「實質(zhì)上」意指容納制造的公差(manufacturingtolerances)。在操作中，當電流在第一電極374和第二電極376之間傳遞且通過存儲器元件372，有源區(qū)382比存儲器元件內(nèi)的其他區(qū)域更迅速加熱。這導致在裝置操作期間，大部分的相轉(zhuǎn)變在有源區(qū)內(nèi)發(fā)生。圖13繪示又一種存儲單元400的設(shè)計剖面圖。存儲單元400包含一存儲器元件402，存儲器元件402是包含由通過此存儲器元件402的一電極間電流路徑的GaSbGe家族的相變化材料的本體所組成。存儲器元件402被介電質(zhì)(未繪示)圍繞并且在頂表面408和底表面410分別接觸第一電極404和第二電極406。存儲器元件402具有一可變的寬度412，此寬度總是小于第一電極404和第二電極406。在操作中，當電流在第一電極404 和第二電極406之間傳遞且通過存儲器元件402，有源區(qū)414比存儲器元件其余的部分更迅速加熱。因此在有源區(qū)內(nèi)的存儲器元件402的體積是在裝置操作期間大部分相轉(zhuǎn)變發(fā)生之處。正如將要理解的是，如本文所描述的GaSbGe家族的存儲器材料可以被使用在各種存儲單元結(jié)構(gòu)，且不限于本文所述的存儲單元。圖14繪示透過一噴濺系統(tǒng)(sputteringsystem)創(chuàng)造一GaSbGe存儲器裝置的方法的簡化圖。噴濺系統(tǒng)包含一腔室320，一GaSb噴濺目標(sputtertarget)322、一Ge噴濺目標324以及一基板326被安裝在腔室320內(nèi)。GaSb噴濺目標322、Ge噴濺目標324和基板326被耦接至一電源供應(yīng)控制器328，在噴濺過程期間使用電源供應(yīng)控制器328以施加偏壓。施加的偏壓可以是直流電、脈沖式直流電、攝頻波(radiofrequency)及其組合，且通過控制器變換開啟和關(guān)閉，以作為適合一特定的噴濺過程(sputteringprocess)。噴濺腔室320配備有一真空泵330或其他用于抽真空腔室和移除廢氣的裝置。此外，腔室配備有一氣體源332。在本發(fā)明的一個實施例中，氣體源332是惰性氣體的來源，例如氬氣。另外，一些實施例中氣體源332可以包含反應(yīng)的氣體，例如是用以添加其他組成成份在本體GaSbGe上的氧氣或氮氣。系統(tǒng)具有動態(tài)地控制由氣體源332產(chǎn)生的氣體的流量的能力，以對在噴濺過程中形成的層的組成造成影響。電源供應(yīng)控制器328施加至Ge噴濺目標324的電源可以被使用以控制所述沉積的層的組成，使得組成落在GaSbGe家族的材料。在另一實施例中，為了形成摻雜有Si或SiOx的GaSbGe家族的材料，一額外的Si或SiOx噴濺目標(未繪示)是任選地包含在腔室320中。類似地，為了形成摻雜有SiNx的GaSbGe家族的材料，一額外的SiNx噴濺目標是包含在腔室320中。當噴濺一包含高度縱橫比(highaspectratio)特征的基板，可以使用一準直器(collimator)(未繪示)以改善隨著高度縱橫比特征的覆蓋范圍的均勻性，以及用于其他原因。一些噴濺系統(tǒng)具有移動準直器進入和離開噴濺腔室的能力。應(yīng)當理解的是，這是足以用于本文所描述的啟發(fā)式目的的簡化圖。噴濺腔室的標準設(shè)備在半導體制造工廠，并且可得自各種商業(yè)來源。圖15繪示透過另一種噴濺系統(tǒng)創(chuàng)造由GaSbGe內(nèi)的材料產(chǎn)生的一存儲器裝置的方法的簡化圖。圖15的噴濺系統(tǒng)與圖14的差異在于噴濺目標334包括一GaSbGe家族中的材料，并且沒有使用單獨的Ge噴濺目標。因此沉積在基板上的整個GaSbGe材料是來自一GaSbGe噴濺目標，并非來自一GaSb目標與一Ge目標的組合。替代地，可以使用一GaSbGe-Si噴濺目標與反應(yīng)性的氧氣形成摻雜有SiOx的GaSbGe家族的材料。相似地，噴濺目標可以通過引入反應(yīng)性的氮氣于腔室中以形成摻雜有SiNx的GaSbGe家族的材料。在另一實施例中，可以使用一GaSbGe-Si噴濺目標以形成摻雜有Si的GaSbGe家族的材料。在又一實施例中，可以使用一GaSbGe-Si噴濺目標與包含氧氣或氮氣的反應(yīng)性的大氣以形成摻雜有氧化硅或氧化氮的GaSbGe家族的材料。圖16繪示利用任一前述的方法以形成一層GaSbGe相變化材料的工藝流程圖。過程包括首先安裝芯片在具有鍺和GaSb相變化材料目標，或具有一GaSbGe家族的材料組成目標的一噴濺腔室中(350)。接著，將腔室抽真空以允許創(chuàng)造由目標源或氣體源所噴濺的離子流(352)。一惰性氣體例如氬氣流入腔室以建立一個適合噴濺的氣氛(354)。施加合適的偏壓在基板和目標之間，例如一個直流偏壓，以建立在噴濺腔室內(nèi)用以誘導噴濺過程所需的電場(356)。任選地，在芯片被暴露至噴濺氣氛之前，一預(yù)噴濺間隔(pre-sputteringinterval)可以被執(zhí)行以預(yù)備目標。用于噴濺的條件是維持一段足以得到理想厚度的存儲器材料于基板上的時間(358)。關(guān)掉偏壓，且清洗腔室(360)。最后，移除芯片或沉積有GaSbGe層的基板(362)。圖17繪示制造如圖11所示的結(jié)構(gòu)的包含一存儲器元件的一存儲單元的制造過程流程圖，其中存儲器元件的體化學計量(bulkstoichiometry)是GaSbGe家族的材料。在下文中對圖17的工藝的描述所使用的元件符號是取自圖11。在步驟450，具有一寬度(或直徑)312的第一電極306是形成延伸通過介電層308。第一電極306包括TiN且介電層308包括SiN。替代地，第一電極306可以具有一亞光刻(sublithographic)的寬度(或直徑)312。第一電極306被連接至一連接器，并延伸通過介電層308至下方的存 取電路(underlyingaccesscircuitry)(未繪示)。下方的存取電路可以通過本領(lǐng)域已知的標準工藝來形成，且存取電路的元件的配置取決于本文所描述的存儲單元所實現(xiàn)的陣列配置。一般而言，存取電路可以包括存取裝置(accessdevices)例如晶體管和二極管、字線和源極線、導電插塞以及摻雜區(qū)在一半導體基板內(nèi)。第一電極306和介電層308可以被形成，例如是使用如美國專利申請公開號US11/764,678，發(fā)表于2007年6月18日，標題MethodforManufacturingaPhaseChangeMemoryDevicewithPillarBottomElectrode(現(xiàn)在是美國專利號No.8,138,028)所揭露的方法、材料以及過程，其通過引用并入于本文中。舉例來說，可以形成一層電極材料于存取電路的頂表面(未繪示)，接著通過標準的光刻技術(shù)(photolithographictechniques)圖案化在電極層上的一光刻膠(photoresist)層，以形成一光刻膠掩模覆蓋第一電極306的位置。接著，修整光刻膠掩模，使用例如氧氣等離子體以形成具有覆蓋第一電極306的位置的亞光刻維度(sublithographicdimensions)的一掩模結(jié)構(gòu)。然后使用修整的光刻膠掩模蝕刻此電極材料層，從而形成具有一亞光刻的寬度312的第一電極306。接著形成介電材料并將介電材料平坦化以形成介電層308。在步驟452，相變化元件是形成具有GaSbGe家族的一相變化材料的體化學計量。接著，在步驟454，形成一第二電極454且在步驟456，執(zhí)行后段工藝處理(BEOLprocessing)以完成芯片的半導體工藝步驟，得到如圖19中所繪示的結(jié)構(gòu)。BEOL工藝可以是本領(lǐng)域已知的標準工藝，且執(zhí)行工藝取決于存儲單元所實現(xiàn)的芯片配置。一般而言，由BEOL工藝所形成的結(jié)構(gòu)可以包括接觸(contacts)、層間介電質(zhì)(inter-layerdielectrics)以及各種用于在包括電路以耦接存儲單元至外圍電路(peripherycircuitry)的芯片上互連接的金屬層。這些BEOL工藝可以包括在升高的溫度下沉積介電材料，例如是在溫度400℃沉積SiN或在溫度500℃或更高溫沉積高密度等離子體HDP氧化物。作為這些工藝的結(jié)果，如圖14所示的控制電路和偏置電路(biasingcircuits)是形成于裝置上。圖18是繪示一制造過程的簡化流程圖。簡化工藝流程開始于利用例 如是圖16和圖17所描述的方法制造具有一相變化存儲單元陣列的集成電路(480)?？梢酝ㄟ^一可編程機器(programmingmachine)儲存數(shù)據(jù)在集成電路上所有或部分的相變化存儲單元陣列，其中可編程機器是適于連接至集成電路以在封裝(packaging)之前或之后且在安裝之前儲存數(shù)據(jù)(482)。集成電路被封裝的形式可以包含焊筆(solderablepens)或其他適用于連接至一基板，例如是印刷電路板的連接器或其他用于在一系統(tǒng)中配置集成電路的固定的表面(mountingsurface)(484)。接著通過焊接接合安裝此封裝的集成電路于基板上，如前所述，在一些實施例中焊接接合是暴露封裝的集成電路至升高的溫度(例如大約270℃持續(xù)約30秒)(486)。然而，由于采用如本文所述的存儲器材料，在焊接接合過程之前所儲存的數(shù)據(jù)是被保留。圖19是包括一存儲器陣列502的一集成電路500的簡化框圖，存儲器陣列502包含GaSbGe家族的材料(例如材料7)的存儲器元件的存儲單元。在一些實施例中，數(shù)據(jù)可以預(yù)編碼(pre-coded)，即在焊接接合之前儲存在存儲器，反之或安裝集成電路在一系統(tǒng)中。具有讀取、設(shè)置和復(fù)位模式的字線譯碼器被耦接并電性連接至沿著存儲器陣列502的行排列的多條字線506。一位線譯碼器508與沿著存儲器陣列502的列排列的多條位線510電性連接以讀取、設(shè)置和復(fù)位在陣列502中的相變化存儲單元(未繪示)。于總線512上提供地址(Addresses)至字線譯碼器和驅(qū)動器504和位線譯碼器508。包含用于讀取、設(shè)置和復(fù)位模式的電壓及/或電流源的區(qū)塊514中的感測電路(感測放大器)和數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)(data-instructures)是通過數(shù)據(jù)總線516耦接至位線譯碼器508。經(jīng)由在集成電路500上的輸入/輸出端，或其他內(nèi)接或外接至集成電路500的數(shù)據(jù)源的一數(shù)據(jù)輸入線518提供數(shù)據(jù)至區(qū)塊514中的數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)。集成電路500可以包含其他電路520，例如是通用處理器或?qū)Ｓ脩?yīng)用電路，或提供被陣列502支持的系統(tǒng)單芯片功能(system-on-a-chipfunctionality)的模塊的組合。經(jīng)由區(qū)塊514中的感測放大器的一數(shù)據(jù)輸出線522提供數(shù)據(jù)至在集成電路500上的輸入/輸出端，或其他內(nèi)接或外接至集成電路500的數(shù)據(jù)目的地。在此實施例中執(zhí)行的控制器524使用一偏壓安排狀態(tài)機(biasarrangementstatemachine)來控制偏置電路的電壓和電流源526的應(yīng)用， 且偏壓安排的應(yīng)用包括讀取、編程、擦除、擦除驗證及編程驗證電壓(eraseverifyandprogramverifyvoltages)以及/或用于字線和位線的電流。此外，偏壓安排用于熔化/冷卻循環(huán)(melting/coolingcycling)可以被實現(xiàn)。使用如本領(lǐng)域已知的專用邏輯電路的控制器524可以被實現(xiàn)。在另一實施例中，控制器524包括一通用處理器，其可以被實現(xiàn)在相同的集成電路以執(zhí)行一計算機程序以控制裝置的操作。在又一實施例中，專用邏輯電路和通用處理器的組合可以用于控制器524的執(zhí)行?；贕a-Sb-Ge和摻雜的Ga-Sb-Ge系統(tǒng)的新型相變化材料可以提供快速的開關(guān)速度也可以提供優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持。具有優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持(220℃-10年)，且也通過焊接接合熱預(yù)算測試(260℃-30秒)的新型相變化材料是適于嵌入式汽車的應(yīng)用。綜上所述，雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視隨附的權(quán)利要求范圍所界定的為準。當前第1頁1 2 3