技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal：MIM)電容的結(jié)構(gòu)及其制造方法，該MIM電容包括第一電極層、第二電極層以及倒T型介電層堆疊結(jié)構(gòu)。其中倒T型介電層堆疊結(jié)構(gòu)形成于第一電極層與第二電極層之間。上述的倒T型介電層堆疊結(jié)構(gòu)包括垂直部及水平部連接該垂直部，其中另一介電層圖案形成于該垂直部與水平部之間，以形成該倒T型介電層堆疊結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：洪昌賢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：力晶科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510951611
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.17
技術(shù)公布日：2017.06.13