1.一種載臺機(jī)構(gòu)，用于承載晶片，其特征在于，包括上載臺、下載臺和旋轉(zhuǎn)軸，其中，
所述上載臺和下載臺相互疊置；在所述上載臺上設(shè)置有貫穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽內(nèi)，且由所述下載臺的上表面承載；并且，在所述上載臺上，且位于所述片位槽的邊緣處還設(shè)置有貫穿其厚度的第一取片槽；
在所述下載臺的上表面設(shè)置有第二取片槽；
所述上載臺和下載臺可圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸相對旋轉(zhuǎn)，以使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合或者完全錯開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載臺機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述上載臺通過相對于所述下載臺正轉(zhuǎn)而使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合；所述上載臺通過相對于所述下載臺反轉(zhuǎn)而使所述第二取片槽與所述第一取片槽完全錯開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載臺機(jī)構(gòu)，其特征在于，在所述上載臺的中心位置處設(shè)置有中心通孔，所述旋轉(zhuǎn)軸豎直向下穿過所述中心通孔，并與所述所述下載臺固定連接；
通過旋轉(zhuǎn)所述上載臺，使其與所述下載臺相對旋轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載臺機(jī)構(gòu)，其特征在于，在所述下載臺的中心位置處設(shè)置有中心通孔，所述旋轉(zhuǎn)軸豎直向上穿過所述中心通孔，并與所述上載臺固定連接；
通過旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)軸，使所述上載臺與所述下載臺相對旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的載臺機(jī)構(gòu)，其特征在于，還包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置，用于驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的載臺機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述片位槽為一個或多個；
多個所述片位槽圍繞所述旋轉(zhuǎn)軸均勻分布；
所述第一取片槽的數(shù)量與所述片位槽的數(shù)量相對應(yīng)，且二者一一對應(yīng)地設(shè)置；所述第二取片槽的數(shù)量與所述第一取片槽的數(shù)量相對應(yīng)，且二者一一對應(yīng)地設(shè)置。
7.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有載臺機(jī)構(gòu)，用以承載晶片；其特征在于，所述載臺機(jī)構(gòu)采用權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的載臺機(jī)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，還包括上電極組件，所述上電極組件包括勻流腔和射頻電源，其中，
所述勻流腔設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的頂部，且在所述勻流腔的頂部設(shè)置有進(jìn)氣口，用以向所述勻流腔內(nèi)輸送反應(yīng)氣體；在所述勻流腔的底部設(shè)置有多個出氣口，所述多個出氣口相對于所述載臺機(jī)構(gòu)用于承載晶片的表面均勻分布，用以將所述勻流腔內(nèi)的反應(yīng)氣體輸送至所述反應(yīng)腔室內(nèi)；
所述射頻電源與所述勻流腔電連接，用以激發(fā)所述反應(yīng)腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體形成等離子體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工設(shè)備包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，用于在所述晶片上沉積SiO2薄膜、SiNx薄膜或者SiON薄膜。