專利名稱：半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是大致關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備，且特別是關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備中的晶體管的電力連接。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體設(shè)備的尺寸持續(xù)縮減，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)電路組件庫(kù)(standard celllibrary)邏輯設(shè)備(例如掃貓D正反器(scan_D flip-flop)與多任務(wù)器)的能力變得愈困難。特別是在20納米節(jié)點(diǎn)(node)處的情況，微影限制導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)電路組件庫(kù)設(shè)備的尺度(scaling)的缺乏。參照?qǐng)D1，典型半導(dǎo)體設(shè)備100包含多個(gè)形成于擴(kuò)散區(qū)104內(nèi)的晶體管102。該半導(dǎo)體設(shè)備100利用電力軌(power rail) 106(做為第一金屬層107的部分)來(lái)傳遞參考電壓及/或接地至該晶體管102。具體來(lái)說，該電力軌106包含延伸至該擴(kuò)散區(qū)104中的電力突片(power tab) 108。盲孔110接著將該電力突片108電性連接至其中一個(gè)該晶體管102的源極(未圖標(biāo))或漏極(未圖標(biāo))。當(dāng)該金屬層107也常用于在該晶體管102與電路組件接腳(cell pin) 112之間的局部互連時(shí)，該電力突片108突出至該擴(kuò)散區(qū)104中而造成難題。這導(dǎo)致該第一金屬層107的圖案化非常復(fù)雜，如圖2所示，這常導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)電路組件設(shè)計(jì)的制作困難及/或需要妥協(xié)。一種解決方案是在不同于該第一金屬層107的平面上使用第二金屬層(未圖標(biāo))。然而，該第二金屬層的使用降低了路線排定(routing)效率且導(dǎo)致該半導(dǎo)體設(shè)備100有較大且較貴的實(shí)施。因此，希望提供 一種半導(dǎo)體設(shè)備配置，其在金屬層中具有較少的資源沖突。再者，在參照后續(xù)本發(fā)明的實(shí)施方式與權(quán)利要求并結(jié)合圖式與本發(fā)明的背景后，本發(fā)明的其它希望的特征與特性將變得顯而易見。

發(fā)明內(nèi)容
一種半導(dǎo)體設(shè)備，其包含具有擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體基板，晶體管形成于該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，該晶體管包含源極、漏極與柵極，電力軌設(shè)置于該擴(kuò)散區(qū)之外，該設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置在該基板上方與該電力軌下方的接觸層，盲孔設(shè)置于該接觸層與該電力軌之間，以將該接觸層電性連接至該電力軌，該接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度設(shè)置在該擴(kuò)散區(qū)之外，該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該晶體管。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括半導(dǎo)體基板，其具有第一擴(kuò)散區(qū)與第二擴(kuò)散區(qū)；至少一個(gè)晶體管，其形成于各該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，其中，各晶體管包括源極、漏極與柵極；第一電力軌，其設(shè)置于該第一擴(kuò)散區(qū)之外且相鄰于該第一擴(kuò)散區(qū)；第二電力軌，其設(shè)置于該第二擴(kuò)散區(qū)之外且相鄰于該第二擴(kuò)散區(qū)；第一接觸層，其設(shè)置在該基板上方及該第一電力軌下方；第二接觸層，其設(shè)置在該基板上方及該第二電力軌下方；以及多個(gè)盲孔，其設(shè)置于該等接觸層與該等電力軌之間，以分別將該等接觸層電性連接至該等電力軌；其中，該第一接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度延伸大致與該第一電力軌一致，且該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該第一擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該至少一個(gè)晶體管；且其中該第二接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度設(shè)置在該擴(kuò)散區(qū)之外，且該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該第二擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該至少一個(gè)晶體管。


上文結(jié)合圖式來(lái)描述本發(fā)明，其中，相同的組件符號(hào)代表類似的組件。圖1為根據(jù)背景技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備的一部分的俯視圖，其顯示電力突片從電力軌延伸至擴(kuò)散區(qū)中；圖2為根據(jù)背景技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備的金屬層的俯視圖，其包含該電力突片與電力軌；圖3為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的俯視圖；圖4為沿著圖3所示的線4-4來(lái)看的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的一部分的側(cè)視圖；以及圖5為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備的金屬層的俯視圖。主要組件符號(hào)說明4-4線10、100半導(dǎo)體設(shè)備12半 導(dǎo)體基板14、104擴(kuò)散區(qū)14a第一擴(kuò)散區(qū)14b第二擴(kuò)散區(qū)16、102晶體管18源極20漏極22柵極24條25金屬層26、106電力軌26a第一電力軌26b第二電力軌28接觸層28a第一接觸層28b第二接觸層30、30a、30b 第一長(zhǎng)度32、32a、32b 第二長(zhǎng)度34額外長(zhǎng)度34a, 34b 第三長(zhǎng)度36、110盲孔
38接腳層107第一金屬層108電力突片112電路組件接腳。
具體實(shí)施例方式下列本發(fā)明的實(shí)施方式本質(zhì)上僅是例示，且并不是要限制本發(fā)明或本發(fā)明的應(yīng)用與使用。再者，并非意欲要被本發(fā)明的背景技術(shù)或本發(fā)明的實(shí)施方式中呈現(xiàn)的任何理論所限制。參照?qǐng)D式，其中，相同的組件符號(hào)在所有圖式中代表類似的部件，在此顯示與描述半導(dǎo)體設(shè)備10。該半導(dǎo)體設(shè)備10可為集成電路(不分別標(biāo)號(hào))的部分，且是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知者。參照?qǐng)D3，該半導(dǎo)體設(shè)備10包含半導(dǎo)體基板12。該半導(dǎo)體基板12包含至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14與形成于該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14中的至少一個(gè)晶體管16。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，第一擴(kuò)散區(qū)14a與第二擴(kuò)散區(qū)14b顯示在各區(qū)14a、14b中形成有多個(gè)晶體管16。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解可實(shí)施額外的擴(kuò)散區(qū)14a、14b。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，該晶體管16為場(chǎng)效晶體管(FET)，更具體來(lái)說是金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)。各該晶體管16包含源極18、漏極20與柵極22。使用本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的技術(shù)以在該基板12中及/或上形成該源極18、漏極20與柵極22。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，該柵極22主要由配置在該基板12上方的多晶娃(polycrystalline silicon)(通常稱為polysilicon或簡(jiǎn)稱PolySi)形成。

參照?qǐng)D3，該柵極22形成為彼此大致平行的多條(strip) 24。該條24大致為如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的線性形狀?？尚纬砷g隙(未圖標(biāo))在該條24中，使得一個(gè)以上的晶體管16可沿著各條24設(shè)置。此種間隙可使用如本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解的切割屏蔽技術(shù)(cut mask technique)來(lái)形成。如參照?qǐng)D4所能最佳理解地，該半導(dǎo)體設(shè)備10包含設(shè)置在該基板12上方的至少一個(gè)金屬層25。該至少一個(gè)金屬層25也設(shè)置在該晶體管16的源極18、漏極20與柵極22上方。該至少一個(gè)金屬層25是由銅或如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的一些其它導(dǎo)電金屬所形成。金屬層25常規(guī)地標(biāo)示與稱為金屬1、金屬2等或Ml、M2等，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所
理解者。所圖標(biāo)的實(shí)施例的金屬層25包含至少一個(gè)電力軌26。該電力軌26通常如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的提供參考電壓或接地。再次參照?qǐng)D3，該至少一個(gè)電力軌26設(shè)置在該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14之外。也就是，該至少一個(gè)電力軌26并不重迭該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14。換句話說，該至少一個(gè)電力軌26并不延伸至該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14中、在該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14上方或在該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14下方。在該圖標(biāo)的實(shí)施例中，第一電力軌26a是設(shè)置在該第一擴(kuò)散區(qū)14a之外而相鄰于該第一擴(kuò)散區(qū)14a。同樣地，第二電力軌26b是設(shè)置在該第二擴(kuò)散區(qū)14b之外而相鄰于該第二擴(kuò)散區(qū)14b。同樣在該圖標(biāo)的實(shí)施例中，各電力軌26a、26b的至少一區(qū)(未標(biāo)號(hào))是大致線性形狀。也就是，各電力軌26a、26b的至少一區(qū)縱向延伸，即沿著長(zhǎng)度方向。具體而言，各電力軌26a、26b的區(qū)是大致線性相鄰于個(gè)別的擴(kuò)散區(qū)14a、14b。當(dāng)然，該至少一個(gè)電力軌26可包含額外的曲線、彎曲或其它非線性區(qū)。該半導(dǎo)體設(shè)備10進(jìn)一步包含至少一個(gè)接觸層(contact layer) 28,其用以在該至少一個(gè)電力軌26與該至少一個(gè)晶體管16之間提供電性連接。該至少一個(gè)接觸層28由半導(dǎo)體材料(例如硅)形成。然而，該至少一個(gè)接觸層28可由如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解之能提供導(dǎo)電性的其它半導(dǎo)體材料或其它適當(dāng)材料形成。該至少一個(gè)接觸層28設(shè)置在該基板12上方及該至少一個(gè)電力軌26下方。換句話說，該至少一個(gè)接觸層28是夾在該基板12與該至少一個(gè)電力軌26之間。更具體地說，在圖標(biāo)的實(shí)施例中，該至少一個(gè)接觸層28的至少一部份是直接設(shè)置在該基板12上，如圖4所示。再次參照?qǐng)D3，該圖標(biāo)的實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備10包含第一接觸層28a與第二接觸層28b。該至少一個(gè)接觸層28包含至少第一長(zhǎng)度30與第二長(zhǎng)度32。該至少一個(gè)接觸層28的第一長(zhǎng)度30設(shè)置在該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14之外。也就是，該至少一個(gè)接觸層28的第一長(zhǎng)度30并不重迭該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，各接觸層28a、28b包含第一長(zhǎng)度30a、30b，該第一長(zhǎng)度30a、30b延伸大致與各該電力軌26a、26b —致。也就是，各接觸層28a、28b的第一長(zhǎng)度30a、30b直接設(shè)置在各該電力軌26a、26b下方。如此，則各接觸層28a、28b的第一長(zhǎng)度30a、30b也大致線性形狀。此外,在圖標(biāo)的實(shí)施例中，各接觸層28a、28b的第一長(zhǎng)度30a、30b大致垂直于該晶體管16的柵極22。至少一個(gè)盲孔36設(shè)置在該至少一個(gè)接觸層28與該至少一個(gè)電力軌26之間。該至少一個(gè)盲孔36將該至少一個(gè)接觸層28電性連接至該至少一個(gè)電力軌26。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，多個(gè)盲孔36設(shè)置在各電力軌26a、26b與各接觸層28a、28b的該第一長(zhǎng)度30a、30b之間。該圖標(biāo)的實(shí)施例的盲孔36彼此間隔以在該接觸層28a、28b與該電力軌26a、26b之間提供平衡的導(dǎo)電性。該至少一個(gè)接觸層28包含從該第一長(zhǎng)度30延伸至該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14中的至少一個(gè)額外長(zhǎng)度32、34。各額外長(zhǎng)度32、34電性連接至至少一個(gè)晶體管16。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，各額外長(zhǎng)度32、34電性連接至晶體管的源極18或漏極20。然而，可將至少一個(gè)額外長(zhǎng)度32、34電性連接至其中一個(gè)該晶體管16的柵極22。該圖標(biāo)的實(shí)施例的各接觸層28a、28b包含第二長(zhǎng)度32a、32b與第三長(zhǎng)度34a、34b。在圖標(biāo)的實(shí)施例中，該接觸層28a、28b的第二與第三長(zhǎng)度32a、32b、34a、34b也是大致線性形狀。此外，該第二與第三長(zhǎng)度32a、32b、34a、34b各大致垂直于該接觸層28a、28b的各該第一長(zhǎng)度30a、30b。如此，則該第二與第三長(zhǎng)度32a、32b、34a、34b各大致平行于該晶體管16的柵極22。借由通過該至少一個(gè)接觸層28將該至少一個(gè)晶體管16連接至該至少一個(gè)電力軌26，該至少一個(gè)電力軌26就不需要突出至該至少一個(gè)擴(kuò)散區(qū)14中。如此，則該金屬層25可更簡(jiǎn)單與簡(jiǎn)潔地使用于該等晶體管16之間的互連，如圖5所示。再次參照?qǐng)D3與圖4，該半導(dǎo)體設(shè)備10的金屬層25也可包含位于該至少一個(gè)晶體管16上方的接腳層38。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解者，該接腳層38是互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)電路的標(biāo)準(zhǔn)特征。具體而言，通常使用該接腳層38以將P-溝道晶體管的源極或漏極連接至η溝道晶體管的源極或漏極。如此，則在圖標(biāo)的實(shí)施例中，該接腳層38從該擴(kuò)散區(qū)14延伸至該擴(kuò)散區(qū)14之外。更具體來(lái)說，該圖標(biāo)的實(shí)施例的接腳層38延伸在該第一擴(kuò)散區(qū)14a與該第二擴(kuò)散區(qū)14b之間。借由通過該至少一個(gè)接觸層28將該至少一個(gè)晶體管16連接至該至少一個(gè)電力軌26，相比于習(xí)知技術(shù)的設(shè)備，由于該金屬層25沒有從該電力軌26突出至該擴(kuò)散區(qū)14中，所以該接腳層38的尺寸可更大(也就是具有更大的長(zhǎng)度、寬度及/或表面積)。這將改善該接腳層38與其它組件(未圖標(biāo))之間的導(dǎo)電性。雖然本發(fā)明的前述詳細(xì)的實(shí)施方式中已經(jīng)呈現(xiàn)至少一例示實(shí)施例，但應(yīng)該了解存在有很多的變化型式。也應(yīng)該了解的是，該例示實(shí)施例僅是例子，且并非想要以任何方式來(lái)限制本發(fā)明的范疇、可應(yīng)用性或組構(gòu)。倒不如是說，前述實(shí)施方式將提供本領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施本發(fā)明的例示實(shí)施例的方便準(zhǔn)則，并了解在不背離如權(quán)利要求與其法律等效物的本發(fā)明的范疇下，可在例示實(shí)施例中所描述的組件的功能與配置上進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其包括: 半導(dǎo)體基板，其具有擴(kuò)散區(qū)； 晶體管，其形成于該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，且包括源極、漏極與柵極； 電力軌，其設(shè)置于該擴(kuò)散區(qū)之外； 接觸層，其設(shè)置在該基板上方與該電力軌下方；以及 盲孔，其設(shè)置于該接觸層與該電力軌之間，以將該接觸層電性連接至該電力軌；且其中該接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度設(shè)置在該擴(kuò)散區(qū)之外，且該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該接觸層的該第二長(zhǎng)度電性連接至該晶體管的源極與漏極的至少一者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該盲孔進(jìn)一步定義為設(shè)置于該電力軌與該接觸層的該第一長(zhǎng)度之間且彼此間隔的多個(gè)盲孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該晶體管進(jìn)一步定義為形成于該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的多個(gè)晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該接觸層的該第二長(zhǎng)度電性連接至該晶體管的其中一個(gè)，且其中，該接觸層進(jìn)一步包含第三長(zhǎng)度，該第三長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該晶體管的另一個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該第二長(zhǎng)度與該第三長(zhǎng)度大致垂直于該第一長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該第二長(zhǎng)度大致垂直于該第一長(zhǎng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該晶體管的該柵極是線性地延伸，且該電力軌是線性地延伸，以及該晶體管的該柵極與該電力軌大致彼此垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，進(jìn)一步包括金屬接腳層，其從該擴(kuò)散區(qū)延伸至該擴(kuò)散區(qū)之外。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該接觸層包括半導(dǎo)體材料。
11.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其包括: 半導(dǎo)體基板，其具有第一擴(kuò)散區(qū)與第二擴(kuò)散區(qū)； 至少一個(gè)晶體管，其形成于各該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，其中，各晶體管包括源極、漏極與柵極； 第一電力軌，其設(shè)置于該第一擴(kuò)散區(qū)之外且相鄰于該第一擴(kuò)散區(qū)； 第二電力軌，其設(shè)置于該第二擴(kuò)散區(qū)之外且相鄰于該第二擴(kuò)散區(qū)； 第一接觸層，其設(shè)置在該基板上方及該第一電力軌下方； 第二接觸層，其設(shè)置在該基板上方及該第二電力軌下方；以及多個(gè)盲孔，其設(shè)置于該等接觸層與該等電力軌之間，以分別將該等接觸層電性連接至該等電力軌；其中， 該第一接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度延伸大致與該第一電力軌一致，且該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該第一擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該至少一個(gè)晶體管；且其中 該第二接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度設(shè)置在該擴(kuò)散區(qū)之外，且該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該第二擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該至少一個(gè)晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該接觸層的該第二長(zhǎng)度電性連接至該至少一個(gè)晶體管的源極與漏極的至少一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該至少一個(gè)晶體管進(jìn)一步定義為形成于各該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的多個(gè)晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該第一接觸層的該第二長(zhǎng)度電性連接至該晶體管的其中一個(gè)，且其中，該第一接觸層進(jìn)一步包含第三長(zhǎng)度，該第三長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該晶體管的另一個(gè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該第一接觸層的該第二長(zhǎng)度與該第三長(zhǎng)度大致垂直于該第一接觸層的該第一長(zhǎng)度。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該第一接觸層的該第二長(zhǎng)度大致垂直于該第一接觸層的該第一長(zhǎng)度。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該晶體管的該柵極是線性地延伸，且該電力軌是線性地延伸，以及該晶體管的該柵極大致垂直于該電力軌。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體設(shè)備，進(jìn)一步包括金屬接腳層，其從該第一擴(kuò)散區(qū)延伸至該第二擴(kuò)散區(qū)。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該接觸層的該第二長(zhǎng)度電性連接至該至少一個(gè)晶體管的源極與漏極的至少一者。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，進(jìn)一步包括: 金屬接腳層，其從該第一擴(kuò)散區(qū)延伸至該第二擴(kuò)散區(qū)；且其中 該接觸層各包括半導(dǎo)體材料； 該至少一個(gè)晶體管進(jìn)一步定義為形成于各該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的多個(gè)晶體管； 該第一接觸層的該第二長(zhǎng)度電性連接至該晶體管的其中一個(gè)，且其中，該第一接觸層進(jìn)一步包含第三長(zhǎng)度，該第三長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該擴(kuò)散區(qū)中且電性連接至該晶體管的另一個(gè)； 該第一接觸層的該第二長(zhǎng)度與該第三長(zhǎng)度大致垂直于該第一接觸層的該第一長(zhǎng)度； 該第一接觸層的該第二長(zhǎng)度大致垂直于該第一接觸層的該第一長(zhǎng)度；以及 該晶體管的該柵極是線性地延伸，且該電力軌是線性地延伸，以及該晶體管的該柵極大致垂直于電力軌。
全文摘要
一種半導(dǎo)體設(shè)備，其包含具有擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體基板，晶體管形成于該擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，電力軌設(shè)置于該擴(kuò)散區(qū)之外，接觸層設(shè)置在該基板上方與該電力軌下方，盲孔設(shè)置于該接觸層與該電力軌之間，以將該接觸層電性連接至該電力軌，該接觸層包含第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度設(shè)置在該擴(kuò)散區(qū)之外，該第二長(zhǎng)度從該第一長(zhǎng)度延伸至該擴(kuò)散區(qū)中并電性連接至該晶體管。
文檔編號(hào)H01L27/088GK103208493SQ201310013910
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者M·泰拉比, J·B·格萊特, M·拉希德, D·S·多曼, I·Y·林, I·洛倫茲, L·何, C·阮, J·金, J·桂, Y·馬, Y·鄧, R·奧戈, S-H·李, J·E·史蒂芬, S·約翰遜, S·坎格瑞, S·文卡特桑 申請(qǐng)人:格羅方德半導(dǎo)體公司