本發(fā)明涉及電感領(lǐng)域，特別涉及一種多層結(jié)構(gòu)的電感結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

電感器一般均由纏繞成螺旋狀的導(dǎo)線所構(gòu)成，其在通訊設(shè)備的射頻(radio frequency；RF)電路上的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，例如可應(yīng)用在移動電話、無線電路、無線調(diào)制解調(diào)器、以及其它的通訊器材。

在集成電路技術(shù)的進(jìn)步下，使得電感器可以利用集成電路技術(shù)來制造，且可將電感與其它組件整合于單一芯片上，以降低制造電路所需耗費(fèi)的成本。目前，常見整合于集成電路制程的電感器的結(jié)構(gòu)為回旋狀金屬層。

一般來說，品質(zhì)因子(quality factor，Q)是衡量電感性質(zhì)的一個關(guān)鍵參數(shù)，品質(zhì)因子與電感器的電感(L)、其寄生電容、電阻值以及輸入頻率這些參數(shù)相關(guān)。電感器若具有高電阻的螺旋線圈或大寄生電容皆會降低該電感器的品質(zhì)因子。增加品質(zhì)因子Q的方法有二：一為增加厚度、二為降低阻值。

但是現(xiàn)有的電感器的制作需要與互連線的制作工藝兼容，因而制作的電感器的厚度受到限制，另外增大電感器的寬度以增加品質(zhì)因子的方法也會占用較大的芯片面積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是在保證電感結(jié)構(gòu)品質(zhì)因子的同時，減小電感結(jié)構(gòu)占據(jù)的面積。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電感結(jié)構(gòu)，包括：

底部環(huán)狀金屬層，所述底部環(huán)狀金屬層包括相連接的第一接口、第一金屬體層和第二接口，所述第一金屬體層從第一接口呈環(huán)狀延伸至第二接口；位于底部環(huán)狀金屬層層上方的中間金屬層，底部環(huán)狀金屬層與中間金屬層相互平行，所述中間金屬層包括相連接的第三接口、第二金屬體層和第四接口，所述第二金屬體層從第三接口呈螺旋環(huán)狀延伸至第三接口，其中所述第三接 口位于螺旋環(huán)內(nèi)，第三接口與底部環(huán)狀金屬層的第二接口電連接，第四接口作為電感結(jié)構(gòu)的輸出端；位于中間金屬層層上方的頂部環(huán)狀金屬層，所述頂部環(huán)狀金屬層與中間金屬層相互平行，所述頂部環(huán)狀金屬層包括相連接的第五接口、第三金屬體層和第六接口，所述第三金屬體層從第五接口呈環(huán)狀延伸至第六接口，所述第六接口與中間金屬層的第三接口電連接，所述第五接口與底部環(huán)狀金屬層的第一接口電連接一起作為電感結(jié)構(gòu)的輸入端。

可選的，所述第二金屬體層由至少2跟相互平行的第二指狀金屬層構(gòu)成，至少2跟第二指狀金屬層的一端電連接在一起并與第四接口連接在一起，至少2跟第二指狀金屬層的另一端是相互斷開，該斷開的至少2個端部作為第三接口。

可選的，所述第三金屬體層由至少2跟相互平行的第三指狀金屬層構(gòu)成，至少2跟第三指狀金屬層的一端電連接在一起并與第五接口相連接，至少2跟第三指狀金屬層的另一端是相互斷開，該斷開的至少2個端部作為第五接口。

可選的，所述第二指狀金屬層的數(shù)量等于第三指狀金屬層的數(shù)量。

可選的，所述第一金屬體層由至少1跟第一指狀金屬層構(gòu)成，至少1跟第一指狀金屬層的一端與第二接口相連接，至少1跟第一指狀金屬層的另一端端部作為第一接口。

可選的，所述第二指狀金屬層的數(shù)量或者第三指狀金屬層的數(shù)量至少為第一指狀金屬層數(shù)量的兩倍。

可選的，第一指狀金屬層的數(shù)量≥2跟時，至少2跟的第一指狀金屬層的一端電連接在一起并與第一接口相連接，至少2跟第一指狀金屬層的另一端相互斷開，該斷開的至少2個端部作為第二接口。

可選的，所述第一金屬體層的環(huán)數(shù)量等于第三金屬體層的環(huán)數(shù)量，第一金屬體層的環(huán)的形狀和環(huán)繞方向與第三金屬體層的環(huán)的形狀和環(huán)繞方向相同，并且第一金屬體層位于第三金屬體層正下方。

可選的，所述第一金屬體層的環(huán)數(shù)量為1個，第三金屬體層的環(huán)數(shù)量為1個。

可選的，所述第二金屬體層的螺旋數(shù)量至少為1個。

可選的，所述第一金屬體層、第二金屬體層、第三金屬體層的材料為Al、Cu或W。

可選的，所述第一金屬體層的厚度為8000～9500埃，第二金屬體層的厚度為2～5微米，所述第三金屬體層的厚度為1.5～2微米。

可選的，所述底部環(huán)狀金屬層、中間金屬層、頂部環(huán)狀金屬層之間通過介質(zhì)層隔離。

可選的，中間金屬層的第三接口與底部環(huán)狀金屬層的第二接口通過位于介質(zhì)層中的第一金屬插塞電連接。

可選的，頂部環(huán)狀金屬層的第六接口與中間金屬層的第三接口通過位于介質(zhì)層中的第二金屬插塞電連接。

可選的，頂部環(huán)狀金屬層第五接口與底部環(huán)狀金屬層的第一接口通過位于介質(zhì)層中的第三金屬插塞電連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電感結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

提供基底；

在基底上形成底部環(huán)狀金屬層，所述底部環(huán)狀金屬層包括相連接的第一接口、第一金屬體層和第二接口，所述第一金屬體層從第一接口呈環(huán)狀延伸至第二接口；

形成覆蓋所述底部環(huán)狀金屬層和基底的第一介質(zhì)層；

在第一介質(zhì)層上形成中間金屬層，底部環(huán)狀金屬層與中間金屬層相互平行，所述中間金屬層包括相連接的第三接口、第二金屬體層和第四接口，所述第三接口呈螺旋環(huán)狀延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋環(huán)內(nèi)，第三接口與底部環(huán)狀金屬層的第二接口電連接，第四接口作為電感結(jié)構(gòu)的輸出端；

形成覆蓋中間金屬層和第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；

在第二介質(zhì)層上形成頂部環(huán)狀金屬層，所述頂部環(huán)狀金屬層與中間金屬 層相互平行，所述底部環(huán)狀金屬層包括相連接的第五接口、第三金屬體層和第六接口，所述第五接口呈環(huán)狀延伸至第六接口，所述第六接口與中間金屬層的第三接口電連接，所述第五接口與底部環(huán)狀金屬層的第一接口電連接一起作為電感結(jié)構(gòu)的輸入端。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)從下到上包括底部環(huán)狀金屬層，位于底部環(huán)狀金屬層層上方的中間金屬層，位于中間金屬層層上方的頂部環(huán)狀金屬層，所述中間金屬層包括相連接的第三接口、第二金屬體層和第四接口，所述第二金屬體層從第三接口呈螺旋環(huán)狀延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋環(huán)內(nèi)，第三接口與底部環(huán)狀金屬層的第二接口電連接，第四接口作為電感結(jié)構(gòu)的輸出端；頂部環(huán)狀金屬層的第六接口與中間金屬層的第三接口電連接，頂部環(huán)狀金屬層的第五接口與底部環(huán)狀金屬層的第一接口電連接一起作為電感結(jié)構(gòu)的輸入端。所述電感結(jié)構(gòu)的輸入包括平行的底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層，底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層構(gòu)成的雙層輸入結(jié)構(gòu)減小了電感結(jié)構(gòu)的電阻，有利于提高電感結(jié)構(gòu)性能；當(dāng)本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的平面電感的品質(zhì)因子相同時，由于底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層作為電感結(jié)構(gòu)的一部分，底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層也為環(huán)狀，因而中間金屬層層的環(huán)數(shù)可以小于現(xiàn)有的平面電感的環(huán)數(shù)，使得本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)占據(jù)的基底(或晶圓)面積減小；另外由于底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層分別位于中間金屬層的上方和下方，底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層電連接在一起作為輸入端，底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層相對于中間金屬層一個離接地端較近一個離接地端較遠(yuǎn)，因而底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層相對于接地端的寄生電容與中間金屬層相對于接地端的寄生電容能保持平衡或者差異較小，可以使得電感結(jié)構(gòu)的輸入端得到的Q和從電感結(jié)構(gòu)的輸出端得到的Q是基本相同的，以保證電感電性的對稱性能。

進(jìn)一步，所述(中間金屬層的)第二指狀金屬層的數(shù)量等于(頂部環(huán)狀金屬層的)第三指狀金屬層的數(shù)量，所述第二指狀金屬層的數(shù)量或者第三指狀金屬層的數(shù)量至少為(底部環(huán)狀金屬層的)第一指狀金屬層數(shù)量的兩倍，使得底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層相對于接地端的寄生電容與中間金屬 層相對于接地端的寄生電容能夠更好的保持平衡，進(jìn)一步提高電感結(jié)構(gòu)的對稱性。

進(jìn)一步，所述第一金屬體層的環(huán)數(shù)量等于第三金屬體層的環(huán)數(shù)量，第一金屬體層的環(huán)的形狀與第三金屬體層的環(huán)的形狀相同，以優(yōu)化輸入電阻和電容，以及保證輸入端的對稱性，減小對電感品質(zhì)因素的影響。

附圖說明

圖1～圖2為本發(fā)明實(shí)施例電感結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例電感結(jié)構(gòu)的形成過程的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)所言，現(xiàn)有的電感器的制作需要與互連線的制作工藝兼容，因而制作的電感器的厚度受到限制，另外增大電感器的寬度以增加品質(zhì)因子Q的方法也會占用較大的芯片面積。

為此，本發(fā)明提供了一種電感結(jié)構(gòu)及其形成方法，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)輸入包括平行的底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層，底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層構(gòu)成的雙層輸入結(jié)構(gòu)減小了電感結(jié)構(gòu)的電阻，有利于提高電感結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因子，因而本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)可以在保持現(xiàn)有的品質(zhì)因子的同時減小電感結(jié)構(gòu)占據(jù)的基底(或晶圓)面積；另外由于底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層分別位于中間金屬層的上方和下方，以保證電感電性的對稱性能，并容易使的電感結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端的電容保持平衡；并且底部環(huán)狀金屬層的第二接口以及頂部環(huán)狀金屬層的第五接口可以很方便的與中間金屬層的第三接口電連接，進(jìn)一步保證其對稱性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電感結(jié)構(gòu)，請參考圖1和圖2，圖2為圖1的電 感結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，包括：

底部環(huán)狀金屬層101，所述底部環(huán)狀金屬層101包括相連接的第一接口102、第一金屬體層103和第二接口104，所述第一金屬體層103從第一接口102呈環(huán)狀延伸至第二接口104；

位于底部環(huán)狀金屬層101上方的中間金屬層201，底部環(huán)狀金屬層101與中間金屬層201相互平行，所述中間金屬層201包括相連接的第三接口204、第二金屬體層203和第四接口202，所述第二金屬體層203從第三接口204呈螺旋環(huán)狀延伸至第三接口202，其中所述第三接口204位于螺旋環(huán)內(nèi)，第三接口204與底部環(huán)狀金屬層101的第二接口104電連接，第四接口202作為電感結(jié)構(gòu)的輸出端；

位于中間金屬層201上方的頂部環(huán)狀金屬層301，所述頂部環(huán)狀金屬層301與中間金屬層201相互平行，所述頂部環(huán)狀金屬層301包括相連接的第五接口302、第三金屬體層303和第六接口304，所述第三金屬體層303從第五接口302呈環(huán)狀延伸至第六接口304，所述第六接口304與中間金屬層201的第三接口204電連接，所述第五接口302與底部環(huán)狀金屬層101的第一接口102電連接一起作為電感結(jié)構(gòu)的輸入端。

所述電感結(jié)構(gòu)還包括基底，底部環(huán)狀金屬層101位于基底表面上，所述基底中具有接地端。

所述電感結(jié)構(gòu)的輸入包括平行的底部環(huán)狀金屬層101和頂部環(huán)狀金屬層301，頂部環(huán)狀金屬層301與中間金屬層201構(gòu)成的雙層輸入結(jié)構(gòu)減小了電感結(jié)構(gòu)的輸入電阻；并且由于底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層作為電感結(jié)構(gòu)的一部分，底部環(huán)狀金屬層和頂部環(huán)狀金屬層也為環(huán)狀，當(dāng)本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的平面電感的品質(zhì)因子相同時，中間金屬層層的環(huán)數(shù)可以小于現(xiàn)有的平面電感的環(huán)數(shù)，使得本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)占據(jù)的基底(或晶圓)面積減??；另外由于底部環(huán)狀金屬層101和頂部環(huán)狀金屬層301分別位于中間金屬層201的上方和下方，底部環(huán)狀金屬層101和頂部環(huán)狀金屬層301電連接在一起作為輸入端，底部環(huán)狀金屬層101和頂部環(huán)狀金屬層301相對于中間金屬層201一個離接地端較近一個離接地端較遠(yuǎn)，因而底部環(huán)狀金屬層101和頂部環(huán)狀 金屬層301相對于接地端的寄生電容與中間金屬層201相對于接地端的寄生電容能保持平衡或者差異較小，可以使得電感結(jié)構(gòu)的輸入端得到的Q和從電感結(jié)構(gòu)的輸出端得到的Q是基本相同的，本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)雖然左右結(jié)構(gòu)不對稱，但是可以保證電感電性的對稱性能；并且底部環(huán)狀金屬層101的第二接口104以及頂部環(huán)狀金屬層301的第五接口304可以很方便的與中間金屬層201的第三接口電連接，進(jìn)一步保證其對稱性能。

所述第二金屬體層201由至少2跟相互平行的第二指狀金屬層構(gòu)成，至少2跟第二指狀金屬層的一端電連接在一起并與第四接口連接在一起，至少2跟第二指狀金屬層的另一端是相互斷開，該斷開的至少2個端部作為第三接口。由于第二金屬體層201包括至少2跟相互平行的第二指狀金屬層，因而增大了第二金屬體層201的表面積，增加了電流的傳輸路徑，當(dāng)電感結(jié)構(gòu)工作在高頻時，有效的降低了趨膚效應(yīng)(metal skin effect，電流在靠近金屬的表面?zhèn)鬏?對于電感結(jié)構(gòu)性能的影響。

本實(shí)施例中，以第二金屬體層201包括2跟第二指狀金屬層作為示例，2根第二指狀金屬層的形狀(包括厚度、寬度)相同且相互平行，2根第二指狀金屬層的一端電連接在一起并與第四接口202連接在一起，至少2跟第二指狀金屬層的另一端是相互斷開，該斷開的2個端部作為第三接口204。2跟第二指狀金屬層從第三接口204呈螺旋環(huán)狀延伸到第四接口202，第三接口204位于螺旋環(huán)內(nèi)側(cè)(或中間)。

需要說明的是，在其他實(shí)施例中，所述至少2跟第二指狀金屬層的另一端也可以是連接在一起的。

所述第三金屬體層303由至少2跟相互平行的第三指狀金屬層構(gòu)成，至少2跟第三指狀金屬層的一端電連接在一起并與第五接口相連接，至少2跟第三指狀金屬層的另一端是相互斷開，該斷開的至少2個端部作為第五接口。

需要說明的是，在其他實(shí)施例中，至少2跟第三指狀金屬層的另一端也可以是連接在一起的。

本實(shí)施例中，以第三金屬體層303包括2跟相互平行的第三指狀金屬層作為示例，2跟第三指狀金屬層的一端電連接在一起并與第五接口302相連接， 至少2跟第三指狀金屬層的另一端是相互斷開，該斷開的至少2個端部作為第五接口304。2跟第三指狀金屬層從第五接口302呈環(huán)狀延伸至第六接口304，所述第六接口304位于第三接口204上方，第六接口304通過第二金屬插塞402與第三接口204電連接。

需要說明的是，在其他實(shí)施例中，至少2跟第三指狀金屬層的另一端也可以是連接在一起的。

所述第一金屬體層103由至少1跟第一指狀金屬層構(gòu)成，至少1跟第一指狀金屬層的一端與第二接口相連接，至少1跟第一指狀金屬層的另一端端部作為第一接口。

在一實(shí)施例中，所述第一指狀金屬層的數(shù)量≥2跟時，至少2跟的第一指狀金屬層的一端電連接在一起作為第一接口，至少2跟第一指狀金屬層的另一端相互斷開作為第二接口。

需要說明的是，在另一實(shí)施例中，所述至少2跟第一指狀金屬層的另一端也可以是連接在一起的。

本實(shí)施例中，以第一金屬體層103包括1跟第一指狀金屬層作為示例，所述至少1跟第一指狀金屬層的一端與第二接口102相連接，至少1跟第一指狀金屬層的另一端端部作為第一接口104，第一指狀金屬層從第一接口102呈環(huán)狀延伸至第二接口104，第二接口104位于第三接口204下方，且第二接口104通過第一金屬插塞401與第三接口204電連接，所述第一接口102位于第五接口302下方，且第一接口102通過第三金屬插塞403與第五接口302電連接。

研究發(fā)現(xiàn)，第二指狀金屬層的數(shù)量或者第三指狀金屬層的數(shù)量與第一金屬層數(shù)量的比值對于電感結(jié)構(gòu)的輸入端和輸出端對接地端耦合電容的平衡能產(chǎn)生影響，為了使得底部環(huán)狀金屬層101和頂部環(huán)狀金屬層301相對于接地端的寄生電容與中間金屬層201相對于接地端的寄生電容能夠更好的保持平衡，進(jìn)一步提高電感結(jié)構(gòu)的對稱性，所述(中間金屬層201的)第二指狀金屬層的數(shù)量等于(頂部環(huán)狀金屬層301的)第三指狀金屬層的數(shù)量，所述第二指狀金屬層的數(shù)量或者第三指狀金屬層的數(shù)量至少為(底部環(huán)狀金屬層101 的)第一指狀金屬層數(shù)量的兩倍。

所述第一金屬體層的環(huán)數(shù)量等于第三金屬體層的環(huán)數(shù)量，第一金屬體層的環(huán)的形狀和環(huán)繞方向與第三金屬體層的環(huán)的形狀和環(huán)繞方向相同，并且第一金屬體層位于第三金屬體層正下方，一實(shí)施例中，所述第一金屬體層的環(huán)數(shù)量為1個，第三金屬體層的環(huán)數(shù)量為1個，以減小輸入電阻，以優(yōu)化電容，以及保證輸入端的對稱性，減小對電感品質(zhì)因素的影響。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一金屬體層可以不位于第三金屬體層正下方。

所述第二金屬體層的螺旋數(shù)量至少為1個，以保證電感結(jié)構(gòu)具有合適的電感。

所述底部環(huán)狀金屬層101、中間金屬層201、頂部環(huán)狀金屬層301之間通過介質(zhì)層(圖中未示出)隔離。所述介質(zhì)層的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合適的隔離材料。

第一金屬插塞401、第二金屬插塞402和第三金屬插塞403相應(yīng)的位于介質(zhì)層中，第一金屬插塞401、第二金屬插塞402和第三金屬插塞403材料為Al、Cu或W。

所述第一金屬體層103、第二金屬體層203、第三金屬體層303的材料為Al、Cu或W。第一金屬體層103、第二金屬體層203、第三金屬體層303可以相同也可以不相同，以使得電感結(jié)構(gòu)的制作工藝可以與CMOS的互連線的工藝兼容。

所述第一金屬體層103、第二金屬體層203、第三金屬體層303的厚度可以相同也可以不同，以使得電感結(jié)構(gòu)的制作工藝可以與CMOS的互連線的工藝兼容。

在一實(shí)施例中，所述第一金屬體層103的厚度為8000～9500埃，材料為Cu；第二金屬體層203的厚度為2～5微米，材料為Cu；所述第三金屬體層303的厚度為1.5～2微米，材料為Al。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電感結(jié)構(gòu)的制作方法，請參考圖3，包括：

進(jìn)行步驟11，提供基底。

所述基底可以為半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底的材料可以為硅、硅鍺或碳化硅。所述半導(dǎo)體襯底上可以形成半導(dǎo)體器件(比如晶體管等)以及覆蓋半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體襯底表面的底層介質(zhì)層。

進(jìn)行步驟S12，在基底上形成底部環(huán)狀金屬層，所述底部環(huán)狀金屬層包括相連接的第一接口、第一金屬體層和第二接口，所述第一金屬體層從第一接口呈環(huán)狀延伸至第二接口。

所述底部環(huán)狀金屬層的形成工藝可以為電鍍，或者也可以為沉積和刻蝕工藝。

在形成底部環(huán)狀金屬層的同時，可以形成與半導(dǎo)體器件電連接的底層布線層。

進(jìn)行步驟S13，形成覆蓋所述底部環(huán)狀金屬層和基底的第一介質(zhì)層。

所述第一介質(zhì)層可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合適的隔離材料。

所述第一介質(zhì)層中可以形成第一金屬插塞，第一金屬插塞位于第二接口上，并與第二接口電連接。

進(jìn)行步驟S14，在第一介質(zhì)層上形成中間金屬層，底部環(huán)狀金屬層與中間金屬層相互平行，所述中間金屬層包括相連接的第三接口、第二金屬體層和第四接口，所述第三接口呈螺旋環(huán)狀延伸至第三接口，其中所述第三接口位于螺旋環(huán)內(nèi)，第三接口與底部環(huán)狀金屬層的第二接口電連接，第四接口作為電感結(jié)構(gòu)的輸出端。

所述中間金屬層的形成工藝可以為電鍍，或者也可以為沉積和刻蝕工藝。

在一實(shí)施例中，所述中間金屬層與第一金屬插塞可以通過大馬士革工藝同時形成。

所述第三接口通過第一金屬插塞與第二接口電連接。

在形成中間金屬層的同時，可以形成與半導(dǎo)體器件或底層布線層電連接的中間層布線層。

進(jìn)行步驟S15，形成覆蓋中間金屬層和第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層。

所述第二介質(zhì)層中可以形成第二金屬插塞，第二金屬插塞位于第三接口上方且與第三接口電連接。

在第二介質(zhì)層和第一介質(zhì)層中形成第三金屬插塞，所述第三金屬插塞位于第一接口上方并與第一接口電連接。

進(jìn)行步驟S16，在第二介質(zhì)層上形成頂部環(huán)狀金屬層，所述頂部環(huán)狀金屬層與中間金屬層相互平行，所述底部環(huán)狀金屬層包括相連接的第五接口、第三金屬體層和第六接口，所述第五接口呈環(huán)狀延伸至第六接口，所述第六接口與中間金屬層的第三接口電連接，所述第五接口與底部環(huán)狀金屬層的第一接口電連接一起作為電感結(jié)構(gòu)的輸入端。

所述頂部環(huán)狀金屬層形成工藝可以為電鍍，或者也可以為沉積和刻蝕工藝。

在一實(shí)施例中，所述頂部環(huán)狀金屬層與第一金屬插塞和第三金屬插塞可以通過大馬士革工藝同時形成。

所述第五接口通過第三金屬插塞與第一接口電連接，所述第六接口通過第二金屬插塞與第三接口電連接。

在形成頂部環(huán)狀金屬層的同時，可以形成與底層布線層或中間層布線層電連接的頂層布線層。

需要說明的是，電感結(jié)構(gòu)的形成過程中，關(guān)于電感結(jié)構(gòu)各部分的其他限定和描述請參考電感結(jié)構(gòu)部分的相關(guān)限定和描述，在此不再贅述。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。