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多相非耦合電感器的制造方法

文檔序號:10319216閱讀:563來源:國知局
多相非耦合電感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實用新型涉及一種多相非耦合電感器。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的電感器結(jié)構(gòu)中,例如基于環(huán)形磁芯的電感器等電感器結(jié)構(gòu)通常不允許將多個電感器組合到單個部件中。
[0003]美國專利US 7489225B2公開了一種構(gòu)成了兩個獨立的電感器的單個部件。如圖1所示,該圖示出了構(gòu)成兩個獨立的電感器LI和L2的單個部件。該單個部件由具有中心引線的E形磁芯(1006-1008)和I形磁芯1014構(gòu)成。兩個電感繞組分別圍繞在E形磁芯的基部上。但是該專利仍然沒有給出構(gòu)成多于兩個的電感器時,可簡易增加或減少電感器的技術(shù)方案。
[0004]期望一種構(gòu)成多相電感器的單個部件,并提供有效增加或減少電感器數(shù)量的技術(shù)方案,以能夠節(jié)省空間、減少材料成本以及降低磁芯損耗。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的是提供一種多相非耦合電感器,并以疊加方式構(gòu)建,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題。
[0006]本實用新型的一個方面提供一種多相非耦合電感器,包括:多個繞組;多個磁芯元件,多個磁芯元件依次串接在一起;磁芯罩,磁芯罩用于與串接在一起的多個磁芯元件中的首個磁芯元件相配接。其中,多個磁芯元件和磁芯罩共同形成相應(yīng)的多個獨立空間,多個磁芯元件中的每個具有向著獨立空間凸出的中部磁芯,多個繞組中的相應(yīng)繞組分別套在中部磁芯上。
[0007]根據(jù)另一個實施例,多相非耦合電感器還包括支架,支架設(shè)置在由多個磁芯元件和磁芯罩共同構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的下方,以對多個繞組的引線進(jìn)行排列。
[0008]根據(jù)又一個實施例,繞組為螺旋狀,并且中部磁芯為圓柱狀。
[0009]根據(jù)又一個實施例,通過粘合劑將多個磁芯元件依次串接在一起。
[0010]根據(jù)又一個實施例,通過EI型磁芯結(jié)構(gòu)或PQ型磁芯結(jié)構(gòu)來構(gòu)成多相非耦合電感器。
[0011]本實用新型提供的多相非耦合電感由于僅需要構(gòu)建疊加的結(jié)構(gòu),因此與現(xiàn)有的類似產(chǎn)品的制造工藝相比,制造工藝更加簡單。簡化的制造工藝進(jìn)一步能夠節(jié)省材料和人工成本并且提高產(chǎn)量。另外,由于共享磁芯而節(jié)省了空間,由于體積減小而降低了磁芯損耗,由于螺旋狀繞組而更容易裝配,省去繞組骨架的構(gòu)造允許更好的繞組窗利用,由于機械魯棒性因此帶來了更好的可靠性。并且,本實用新型提供的多相非耦合電感可以提高功率密度。
【附圖說明】
[0012]參照下面結(jié)合附圖對本實用新型的實施例的說明,會更加容易地理解本實用新型的以上和其它目的、特點和優(yōu)點。在附圖中,相同的或?qū)?yīng)的技術(shù)特征或部件將采用相同或?qū)?yīng)的附圖標(biāo)記來表示。在附圖中不必依照比例繪制出單元的尺寸和相對位置。
[0013]圖1是示意性示出現(xiàn)有的電感器結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0014]圖2是示意性示出根據(jù)本實用新型實施例的多相非耦合電感器的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0015]圖3示出了裝配完成的、包括支架的四相非耦合電感的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面參照附圖來說明本實用新型的實施例。應(yīng)當(dāng)注意,為了清楚的目的,附圖和說明中省略了與本實用新型無關(guān)的、本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0017]圖2是示意性示出根據(jù)本實用新型實施例的多相非耦合電感器的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0018]圖2示出了本實用新型的多相非耦合電感的一個實施例的結(jié)構(gòu)分解圖。該實施例提供了能夠構(gòu)成四相電感的單個電感器部件。如圖2的上圖所示,該實施例的電感器部件包括四個繞組201、四個磁芯元件202以及磁芯罩203。四個磁芯元件202依次串接在一起。磁芯罩203用于與串接在一起的四個磁芯元件202中的首個磁芯元件相配接。四個磁芯元件202和磁芯罩203構(gòu)成的結(jié)構(gòu)共同形成了相應(yīng)的四個獨立空間,每個磁芯元件202都具有向著獨立空間凸出的中部磁芯204,四個繞組201中的相應(yīng)的一個繞組202套在相應(yīng)的一個中部磁芯204上。
[0019]圖2的上圖所示的四相非耦合電感還可以包括支架,圖2的下圖示出了示例性支架205的結(jié)構(gòu)。支架205設(shè)置在由四個磁芯元件202和磁芯罩203共同構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的下方,以對四個繞組201的引線進(jìn)行排列,從而使得四個繞組201的引線排列整齊并且使得后續(xù)與其它組件的裝配更容易。但是對于該四相非耦合電感的機械穩(wěn)定性來說,支架205不是必需的。
[0020]圖3示出了裝配完成的、包括支架的四相非耦合電感的結(jié)構(gòu)示意圖。通過粘合劑將四個磁芯元件依次串接在一起,粘合劑例如可以是環(huán)氧樹脂。在本實用新型中,繞組可以為螺旋狀,并且中部磁芯可以為圓柱狀。螺旋狀的繞組構(gòu)成自支撐結(jié)構(gòu),從而省去了用于繞制繞組的骨架。圖3所示的四相非耦合電感能夠在高達(dá)50A的電流下進(jìn)行工作。用于類似結(jié)構(gòu)的替選方式是使用自粘漆包線(self-bonding wire)。但是該替換方式比較昂貴,因為與螺旋狀繞組相比,該繞組工藝要復(fù)雜的多。
[0021]雖然上述實施例給出了四相電感的單個電感器部件,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道,可以使用具有多于或少于4個繞組的結(jié)構(gòu)來構(gòu)建N相電感器??梢酝ㄟ^增加或去除磁芯元件和繞組來容易地將本實用新型改變?yōu)槿我馄渌嘞嘟诲e非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
[0022]構(gòu)成多相非耦合電感器的磁芯可以是EI型磁芯或PQ型磁芯。
[0023]本實用新型的多相非耦合電感可以應(yīng)用于DC/DC升壓/降壓/降壓-升壓變換器、PFC變換器、多相雙向交錯的DC/DC變換器以及DC/DC變換器輸出(濾波)扼流圈。
[0024]由于本實用新型的多相非耦合電感僅需要構(gòu)建疊加的結(jié)構(gòu),因此與現(xiàn)有的類似產(chǎn)品的制造工藝相比,結(jié)構(gòu)更加緊湊并且制造工藝更加簡單。簡化的制造工藝進(jìn)一步能夠節(jié)省材料和人工成本并且提高產(chǎn)量。
[0025]另外,本實用新型的多相非耦合電感由于共享磁芯而節(jié)省了空間,由于體積減小而降低了磁芯損耗,由于螺旋狀繞組而更容易裝配,省去繞組骨架的構(gòu)造允許更好的繞組窗利用,由于機械魯棒性因此帶來了更好的可靠性。并且,本實用新型提供的多相非耦合電感可以提高功率密度。
[0026]在前面的說明書中參照特定實施例描述了本實用新型。然而本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解,在不偏離如權(quán)利要求書限定的本實用新型的范圍的前提下可以進(jìn)行各種修改和改變。
【主權(quán)項】
1.一種多相非親合電感器,包括: 多個繞組; 多個磁芯元件,所述多個磁芯元件依次串接在一起; 磁芯罩,所述磁芯罩用于與串接在一起的所述多個磁芯元件中的首個磁芯元件相配接; 其中,所述多個磁芯元件和所述磁芯罩共同形成相應(yīng)的多個獨立空間,所述多個磁芯元件中的每個具有向著所述獨立空間凸出的中部磁芯,所述多個繞組中的相應(yīng)繞組分別套在所述中部磁芯上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多相非耦合電感器,還包括支架,所述支架設(shè)置在由所述多個磁芯元件和所述磁芯罩共同構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的下方,以對所述多個繞組的引線進(jìn)行排列。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多相非耦合電感器,其中,所述繞組為螺旋狀,并且所述中部磁芯為圓柱狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多相非耦合電感器,其中,通過粘合劑將所述多個磁芯元件依次串接在一起。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多相非耦合電感器,其中,通過EI型磁芯結(jié)構(gòu)或PQ型磁芯結(jié)構(gòu)來構(gòu)成所述多相非親合電感器。
【專利摘要】本實用新型提供一種多相非耦合電感器,包括:多個繞組;多個磁芯元件,多個磁芯元件依次串接在一起;磁芯罩,磁芯罩用于與串接在一起的多個磁芯元件中的首個磁芯元件相配接。其中,多個磁芯元件和磁芯罩共同形成相應(yīng)的多個獨立空間,多個磁芯元件中的每個具有向著獨立空間凸出的中部磁芯,多個繞組中的相應(yīng)繞組分別套在中部磁芯上。通過應(yīng)用本實用新型,能夠節(jié)省空間、減少材料成本以及降低磁芯損耗。
【IPC分類】H01F27/24, H01F27/30
【公開號】CN205230746
【申請?zhí)枴緾N201520886759
【發(fā)明人】埃丁·拉米科, 克勞斯·德米勒, 馬蒂亞斯·武科維奇
【申請人】雅達(dá)電子國際有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年11月9日
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