技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成基底，基底包括核心區(qū)和外圍區(qū)，基底的核心區(qū)和外圍區(qū)表面均包括鰭部以及位于鰭部之間的隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面低于鰭部的頂部表面；形成覆蓋外圍區(qū)鰭部側(cè)壁的側(cè)墻；向核心區(qū)和外圍區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)注入防穿通離子，防穿通離子擴(kuò)散進(jìn)入鰭部，在鰭部?jī)?nèi)形成防穿通層；進(jìn)行退火工藝處理，以激活防穿通層。本發(fā)明通過在外圍區(qū)鰭部側(cè)壁形成側(cè)墻，使外圍區(qū)防穿通離子注入位置遠(yuǎn)離外圍區(qū)鰭部，從而降低經(jīng)擴(kuò)散進(jìn)入外圍區(qū)鰭部底部的防擴(kuò)散離子的濃度，降低外圍區(qū)鰭部的防穿通層摻雜濃度，以提高所形成晶體管的性能，改善所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能和穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510904219
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.09
技術(shù)公布日：2017.06.16