技術(shù)特征:1.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法,所述方法包括:形成占位柵極結(jié)構(gòu)在一襯底之上,所述占位柵極結(jié)構(gòu)包括占位材料以及界定在所述占位材料的上表面上的帽結(jié)構(gòu),所述帽結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述占位材料之上的第一帽層以及設(shè)置在所述第一帽層之上的第二帽層;實(shí)施氧化制程在所述第二帽層的至少一部分上以形成氧化區(qū)域在所述第二帽層中;移除所述第二帽層的所述氧化區(qū)域的至少一部分以曝露所述第二帽層的剩余部分;移除所述第二帽層的所述剩余部分;移除所述第一帽層以曝露所述占位材料;以及以置換柵極結(jié)構(gòu)置換所述占位材料。2.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括形成第一層間介電層覆蓋在所述占位柵極結(jié)構(gòu)的第一部分,以及在實(shí)施所述氧化制程之前曝露所述占位柵極結(jié)構(gòu)的第二部分,所述占位柵極結(jié)構(gòu)的所述第二部分包括所述帽結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求2所述的方法,還包括:在移除所述氧化區(qū)域的所述部分之后,形成第二層間介電層在所述第一層間介電層之上與所述帽結(jié)構(gòu)之上;以及平坦化所述第二層間介電層以曝露所述第二帽層的所述剩余部分。4.如權(quán)利要求3所述的方法,還包括在移除所述第二帽層的所述剩余部分之后,平坦化所述第二層間介電層以曝露所述占位材料。5.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述占位柵極結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述占位材料的側(cè)壁上的側(cè)壁間隔件,其中,在形成所述第一層間介電層之前形成所述側(cè)壁間隔件,實(shí)施所述氧化制程還包括氧化在所述占位柵極結(jié)構(gòu)的所述第二部分中的所述側(cè)壁間隔件的一部分,以及該方法還包括移除所述側(cè)壁間隔件的所述氧化部分。6.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括:形成外延材料在所述襯底的一部分上;以及形成蝕刻停止層在所述外延材料之上以及所述占位柵極結(jié)構(gòu)之上,所述蝕刻停止層的一部分界定了在所述第二帽層之上的凸出結(jié)構(gòu),其中,所述實(shí)施所述氧化制程還包括氧化所述凸出結(jié)構(gòu)以及所...