本文描述的是用于制造電子器件的方法。更具體地說，本文描述的是形成膜的組合物或制劑，所述組合物或制劑用于在半導(dǎo)體沉積工藝，例如但不限于，氧化硅的可流動(dòng)化學(xué)氣相沉積中形成可水解的有機(jī)硅烷前體膜。烷氧基硅烷化合物可用作通過受控的水解和縮合反應(yīng)沉積的含硅膜(例如氧化硅膜)的前體。這類膜可以沉積在襯底上，例如，通過將水和烷氧基硅烷的混合物任選地與溶劑和/或其它添加劑(例如表面活性劑和致孔劑)一起施加在襯底上。施加這些混合物的典型方法包括但不限于，旋涂、浸涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷、共凝結(jié)(co-condensation)和噴墨打印。施加至襯底之后和在施加一種或多種能量源例如但不限于熱、等離子體和/或其它能量源時(shí)，混合物內(nèi)的水可以與烷氧基硅烷反應(yīng)以水解烷氧基團(tuán)和/或芳氧基團(tuán)并產(chǎn)生硅醇物質(zhì)，其進(jìn)一步與其它水解的分子縮合并形成低聚的或網(wǎng)狀的結(jié)構(gòu)。例如在美國(guó)專利號(hào)8,481,403、8,580,697、8,685,867；US2013/0230987A1、7,498,273、7,074,690、7,582,555、7,888,233和7,915,131中已經(jīng)描述了采用水和含硅蒸氣源進(jìn)行可流動(dòng)的化學(xué)氣相沉積(FCVD)的的氣相沉積方法。由于Si-C鍵對(duì)于與水的反應(yīng)是相對(duì)惰性的，所生成的網(wǎng)絡(luò)可以有益地用有機(jī)官能團(tuán)進(jìn)行官能化，該有機(jī)官能團(tuán)賦予所生成的薄膜所需的化學(xué)和物理特性。例如，將碳添加至網(wǎng)絡(luò)可以降低所生成的薄膜的介電常數(shù)。美國(guó)公開號(hào)號(hào)2010/0164057(“所述‘057公開”)公開了一種完全填充溝槽結(jié)構(gòu)，包括在其中具有高深寬比溝槽的微電子器件襯底以及在溝槽中的完全填充量的二氧化硅，其中所述二氧化硅具有基本不含空隙的特征，且在其整體團(tuán)塊中具有基本均勻的密度。所述‘057公開中還描述了制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的方法，包括使用特定的硅前體組合物來用于完全填充微電子器件襯底的溝槽，其中對(duì)所述二氧化硅前體組合物處理以進(jìn)行水解和縮合反應(yīng)，從而在溝槽中形成基本不含孔隙且密度基本均勻的二氧化硅材料。所述填充工藝可以采用包括硅和鍺的前體填充組合物來進(jìn)行，以制備包括GeO2/SiO2溝槽填充材料的微電子器件結(jié)構(gòu)?？稍谇绑w填充組合物中使用抑制劑組分，例如甲醇，以消除或最小化固化溝槽填充材料中的接縫形成。美國(guó)專利號(hào)8,227,395(“所述‘395專利”)公開了使用炔醇以減少在水性漂洗中進(jìn)行加工的圖案化半導(dǎo)體器件中的缺陷。美國(guó)專利號(hào)7,741,773(“所述‘773專利”)公開了在通過印刷或其它液體應(yīng)用方式涂覆的溶膠-凝膠制劑中加入炔類或其它表面活性劑，以改善襯底的潤(rùn)濕性以及所述表面不規(guī)則處的填充。美國(guó)公開號(hào)號(hào)2012/0161405(“所述‘405公開”)教導(dǎo)了在可流動(dòng)的氧化物氣相沉積工藝中可以使用溶劑和其它表面活性劑并具有增溶的益處(增加前體的混溶性)。教導(dǎo)的表面活性劑的實(shí)例包括醇類(一般化的)和具體的乙二醇和聚乙二醇。但是所述‘405公開中并沒有教導(dǎo)使用炔醇和炔二醇，更沒有教導(dǎo)潤(rùn)濕疏水表面或防止溝槽中或平面上的表面去潤(rùn)濕的益處。在可流動(dòng)的化學(xué)氣相沉積工藝(FCVD)中遇到的一個(gè)問題就是襯底的不完全潤(rùn)濕，其可能導(dǎo)致襯底的不均勻覆蓋或窄線、缺口或通孔的不完全填充。另外，在FCVD工藝中遇到的另一個(gè)問題是相對(duì)慢的沉積速率，由此某些表面活性劑可以通過使得發(fā)生毛細(xì)管凝結(jié)來減少啟動(dòng)時(shí)間并提高沉積速率。盡管現(xiàn)有技術(shù)已在FCVD工藝中使用基于醇的表面活性劑如乙醇，但是已經(jīng)顯示這些表面活性劑由于不完全潤(rùn)濕而在用于該應(yīng)用時(shí)是無效的。發(fā)明簡(jiǎn)述本文中所描述的組合物或制劑通過加入揮發(fā)性表面活性劑克服了現(xiàn)有技術(shù)中的問題，所述揮發(fā)性表面活性劑改善了以下中的一個(gè)或多個(gè)：沉積速率、襯底內(nèi)狹窄特征(例如窄線、缺口或通孔)的填充、膜沉積的密度、及其任意組合。本文還描述了通過向成膜組合物或制劑中摻入揮發(fā)性表面活性劑或潤(rùn)濕劑來改善表面潤(rùn)濕的方法。醇，例如2-丙醇，也是已知用作潤(rùn)濕劑并且已經(jīng)在現(xiàn)有技術(shù)中用于這些工藝。本文描述的方法不同于本領(lǐng)域中使用的其它表面活性劑，因?yàn)楸疚拿枋龅谋砻婊钚詣└m合作為表面活性劑、潤(rùn)濕劑、或二者，用于成膜制劑或包含所述成膜制劑的方法。更具體地，本文所述的炔醇和二醇或其它類型的表面活性劑例如但不限于3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、4-乙基-1-辛炔-3-醇、2,5-二甲基己-2,5-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-十二炔-4,7-二醇、2,5,8,11-四甲基-6-十二炔-5,8-二醇、2,6-二甲基-4-庚醇、N,N’-雙(1,3-二甲基丁基)乙二胺、酒石酸二異戊酯、2,4,7,9-四甲基-4,7-癸二醇、及其任意組合，當(dāng)用于成膜制劑時(shí)，其克服了基于醇的表面活性劑的現(xiàn)有技術(shù)的問題例如不完全潤(rùn)濕。在某些方面，本文描述的表面活性劑可以與用于FCVD工藝的其它揮發(fā)性組分預(yù)混合，或以蒸氣(在升高的溫度和/或減壓下)或作為霧、氣溶膠或液體單獨(dú)遞送到沉積室。本文描述的制劑可以通過使用本領(lǐng)域已知的技術(shù)沉積介電膜的方法中。所述制劑可以是預(yù)混合的組合物、或預(yù)混合物(在用于沉積工藝中之前進(jìn)行混合)、或原位混合物(在沉積過程期間混合)。因此，在本公開中術(shù)語(yǔ)“混合物”、“制劑”和“組合物”是可互換的。具體來說，在一個(gè)實(shí)施方式中，本文描述了一種制劑，其包含：(a)式I的有機(jī)硅烷前體：I.R1R2R3R4Si其中R1、R2、R3和R4各自獨(dú)立地選自氫原子；鹵原子；C1-C12直鏈或支鏈烷基；C2-C12烯基；C2-C12炔基；C3-C12芳基；C3-C12環(huán)烷基；C1-C12烷氧基；C5至C12芳氧基；C1至C12酰氧基；C5至C12芳酰氧基；異氰酸基；具有式NR5R6的氨基，其中R5和R6獨(dú)立地選自：氫原子、C1-C6直鏈或支鏈烷基、C3至C12環(huán)烷基、和C3-C12芳基，并且其中R5和R6連接成環(huán)或R5和R6不連接成環(huán)；和具有式-CH2Si(OR7)nR83-n或-CH2CH2Si(OR7)nR83-n的烷氧基甲硅烷基烷基，其中n是0至3的數(shù)，其中R7和R8獨(dú)立地選自：氫原子、C1-C6直鏈或支鏈烷基、C3至C12環(huán)烷基和C3至C12芳基，并且其中R7和R8連接成環(huán)或R7和R8不連接成環(huán)；并且其中第一有機(jī)硅烷前體含有選自Si-H、Si-O和Si-N鍵的至少兩個(gè)可水解的鍵；(b)任選的不同于所述第一有機(jī)硅烷前體的第二有機(jī)硅烷前體，其選自：(1)式III的化合物：III.XSiR1R2R3其中X是選自F、Cl、Br和I的鹵原子；其中R1、R2和R3各自獨(dú)立地選自氫原子；鹵素原子；C1-C12直鏈或支鏈烷基；C2-C12烯基；C2-C12炔基；C3-C12芳基；C3-C12環(huán)烷基；C1-C12烷氧基；C5-C12芳氧基；C1至C12酰氧基；C5至C12芳酰氧基；異氰酸基；具有式-CH2Si(OR7)nR83-n或-CH2CH2Si(OR7)nR83-n的烷氧基甲硅烷基烷基，其中n是0至3的數(shù)，其中R7和R8獨(dú)立地選自：氫原子、C1-C6直鏈或支鏈烷基、C3至C12環(huán)烷基和C3至C12芳基，并且其中R7和R8連接成環(huán)或R7和R8不連接成環(huán)；并且其中在所述第二有機(jī)硅烷前體內(nèi)的取代基R1、R2和R3中的至少一個(gè)形成Si-H、Si-鹵素、Si-O或Si-N鍵；和(2)具有式IV的化合物，所述式IV為：IV.(R5R6N)nSiH4-n其中R5和R6獨(dú)立地選自：氫原子、C1-C6直鏈或支鏈烷基、C3至C12環(huán)烷基和C3至C12芳基，其中R5和R6連接成環(huán)或R5和R6不連接成環(huán)；并且其中n＝1、2、3或4；(c)任選的催化劑；和(d)表面活性劑，其具有選自式A至D之一的化學(xué)式：其中R1和R4各自獨(dú)立地為直鏈或支鏈C1-C7烷基；R2和R3各自獨(dú)立地為氫原子或直鏈或支鏈C1-C5烷基；R5為氫原子或直鏈或支鏈C1-C6烷基；W為氫原子或C2-C12炔基；X和Y為氫原子或羥基；Z是具有式-(CH2)j-或式-C≡C-的連接基團(tuán)；t是0至2的數(shù)；m，n各自獨(dú)立地為0到4的數(shù)；r為2或3；并且j為0至2的數(shù)。在某些實(shí)施方式中，上述制劑還包含鹵化試劑。在這些實(shí)施方式中，鹵化試劑具有式II，所述式II為II.R9C(O)X其中X是鹵素原子并且R9選自氫原子；C1-C12直鏈或支鏈烷基；C3-C12芳基；C3-C12環(huán)烷基；C1-C12直鏈或支鏈?；籆5-C12芳?；?、和C1-C12直鏈或支鏈酰鹵基團(tuán)。至少部分或全部的鹵化試劑可以與所述第一有機(jī)硅烷前體反應(yīng)以提供所述第二有機(jī)硅烷前體。具體實(shí)施方式本文描述了成膜制劑，其包括：有機(jī)硅烷前體、任選的第二有機(jī)硅烷前體、任選的催化劑、水(在單獨(dú)的流中以及也在蒸氣中)、以及表面活性劑，所述表面活性劑可以加入到制劑中或者在單獨(dú)的流中。在某些實(shí)施方式中，將所述成膜制劑暴露于質(zhì)子反應(yīng)物，所述質(zhì)子反應(yīng)物包括例如但不限于半導(dǎo)體沉積工藝中的水或水蒸氣。在一個(gè)具體實(shí)施方式中，本文描述的制劑然后可以用于與質(zhì)子反應(yīng)物，例如但不限于水或水蒸氣，一起沉積硅介電膜以進(jìn)行可流動(dòng)的氣相沉積工藝。本文還描述了產(chǎn)生所述制劑、沉積所述膜，或其兩者的方法。如本文所描述的，所述制劑包含一種或多種有機(jī)硅烷前體。所述有機(jī)硅烷前體在所述制劑中的存在量為50重量％(wt％)或更多、60wt％或更多、70wt％或更多、80wt％或更多、或90wt％或更多。對(duì)于總的制劑來說，各組分的所有wt％和每百萬份數(shù)(ppm)的量合計(jì)為100wt％。在某些實(shí)施方式中，所述有機(jī)硅烷前體，或者第一有機(jī)硅烷前體，具有下面的式I：I.R1R2R3R4Si在式I中，取代基R1、R2、R3和R4各自獨(dú)立地選自氫原子；鹵原子；C1-C12直鏈或支鏈烷基；C2-C12烯基；C2-C12炔基；C3-C12芳基；C3-C12環(huán)烷基；C1-C12烷氧基；C5至C12芳氧基；C1至C12...