技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含形成鰭式結(jié)構(gòu)，其包含阱層、阱層上的氧化物層和氧化物層上的通道層。形成隔離絕緣層使得通道層從隔離絕緣層突出，且至少一部份的氧化物層嵌入隔離絕緣層內(nèi)。形成柵極結(jié)構(gòu)于鰭式結(jié)構(gòu)的一部分和隔離絕緣層上。通過(guò)蝕刻一部分鰭式結(jié)構(gòu)，形成凹陷部，以暴露出阱層的表面。形成外延層于暴露的阱層和通道層上。將形成在暴露的阱層上的外延層改質(zhì)，使改質(zhì)層對(duì)堿性溶液的蝕刻選擇性較未改質(zhì)的外延層增加。

技術(shù)研發(fā)人員：陳昭雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510860706
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.30
技術(shù)公布日：2016.11.30