技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

形成一鰭式結(jié)構(gòu)，包含一阱層、一該阱層上的氧化物層和一該氧化物層上的通道層；

形成一隔離絕緣層，使得該鰭式結(jié)構(gòu)的該通道層從該隔離絕緣層突出，且至少一部分或整體的該氧化物層嵌入該隔離絕緣層內(nèi)；

在一部分該鰭式結(jié)構(gòu)上和該隔離絕緣層上形成一柵極結(jié)構(gòu)；

通過蝕刻該鰭式結(jié)構(gòu)未被該柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的一部分，形成一凹陷部，以移除該氧化物層和暴露出該阱層的一表面；

在該暴露的阱層上和該凹陷部?jī)?nèi)的該通道層上形成一外延層；以及

將形成在該暴露的阱層上的該外延層改質(zhì)為一改質(zhì)層，使得該改質(zhì)層對(duì)一堿性溶液的蝕刻選擇性較一未改質(zhì)的外延層增加。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中

該氧化物層包含硅鍺氧化物。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該阱層和該通道層由硅或硅化合物制成。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該堿性溶液為氫氧化四甲銨或氫氧化鉀，且

使用氫氧化四甲銨或氫氧化鉀實(shí)施該外延層的蝕刻。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過注入一P型雜質(zhì)實(shí)施該外延層的改質(zhì)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該P(yáng)型雜質(zhì)為硼，且硼的劑量在1×10¹⁵離子/cm²到1×10¹⁶離子/cm²的范圍內(nèi)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括：

蝕刻該通道層上的該外延層和該通道層；以及

在該改質(zhì)層和該蝕刻的通道層上形成一應(yīng)力源層。

8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

在一基底上形成一鰭式結(jié)構(gòu)，該鰭式結(jié)構(gòu)包含一阱層、該阱層上的一氧化物層和該氧化物層上的一通道層；

形成一隔離絕緣層，使得該鰭式結(jié)構(gòu)的該通道層從該隔離絕緣層突出，且至少一部分或整體的該氧化物層嵌入該隔離絕緣層內(nèi)；

在一部分該鰭式結(jié)構(gòu)上和該隔離絕緣層上形成一第一柵極結(jié)構(gòu)和一第二柵極結(jié)構(gòu)；

通過蝕刻該鰭式結(jié)構(gòu)在該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)之間的一部分，形成一凹陷部，以移除該氧化物層和暴露出該阱層在該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)之間的一表面；

在該暴露的阱層上和該凹陷部?jī)?nèi)的該通道層上形成一外延層；以及

將形成在該暴露的阱層上的該外延層改質(zhì)為一改質(zhì)層，使得該改質(zhì)層對(duì)一堿性溶液的蝕刻選擇性較一未改質(zhì)的外延層增加。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過硼的注入實(shí)施該外延層的改質(zhì)。

10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

一鰭式場(chǎng)效晶體管裝置，包含：

一鰭式結(jié)構(gòu)，沿著一第一方向延伸，且從一隔離絕緣層突出，該鰭式結(jié)構(gòu)和該隔離絕緣層設(shè)置于一基底上，該鰭式結(jié)構(gòu)包含一阱層、該阱層上的一氧化物層和該氧化物層上的一通道層；

一柵極堆疊，包含一柵極電極層和一柵極介電層，覆蓋一部分該鰭式結(jié)構(gòu)，且沿著垂直于該第一方向的一第二方向延伸；

一源極和一漏極，各自包含在該鰭式結(jié)構(gòu)內(nèi)形成的一凹陷部?jī)?nèi)和上的一應(yīng)力源層，該應(yīng)力源層施加一應(yīng)力于該柵極堆疊下的該鰭式結(jié)構(gòu)的一通道層；以及

一改質(zhì)層，在該阱層和該應(yīng)力源層之間，其中該改質(zhì)層對(duì)一堿性溶液的蝕刻選擇性較該阱層和該通道層的至少一者高。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該改質(zhì)層包含硼的量從0.5×10²⁰原子/cm³到約0.5×10²⁰原子/cm³。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該鰭式結(jié)構(gòu)設(shè)置在該基底的(100)面上。