技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基板、一疊層結(jié)構(gòu)、一刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)、多個存儲結(jié)構(gòu)以及一第一填充切槽?；寰哂幸话疾邸／B層結(jié)構(gòu)具有一水平延伸區(qū)及一垂直延伸區(qū)，垂直延伸區(qū)沿凹槽的一側(cè)壁延伸，其中疊層結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電層和多個絕緣層，交錯設(shè)置疊層于凹槽中?？涛g阻擋結(jié)構(gòu)形成于疊層結(jié)構(gòu)的垂直延伸區(qū)中。存儲結(jié)構(gòu)垂直穿過疊層結(jié)構(gòu)的水平延伸區(qū)中的導(dǎo)電層和絕緣層。第一填充切槽形成于疊層結(jié)構(gòu)中，其中垂直延伸區(qū)中的導(dǎo)電層和絕緣層形成于刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)上且位于刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)和第一填充切槽之間。

技術(shù)研發(fā)人員：賴二琨
受保護的技術(shù)使用者：旺宏電子股份有限公司
文檔號碼：201510559070
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.06
技術(shù)公布日：2017.03.15