技術總結
本發(fā)明提供公開了一種RC-IGBT及其制作方法，該制作方法包括：提供一襯底，所述襯底具有漂移區(qū)；在所述襯底上表面內形成阱區(qū)；在所述阱區(qū)內形成源區(qū)；在所述襯底下表面內形成集電區(qū)；形成正面電極結構以及背面電極結構；對所述漂移區(qū)進行載流子壽命控制，降低所述漂移區(qū)的載流子壽命。所述制作方法通過對漂移區(qū)進行載流子壽命控制，降低漂移區(qū)的載流子壽命，FRD從正偏轉換為反偏時，注入到漂移區(qū)11的載流子可以快速的被復合掉，提高了關斷速度，進而提高了開關速度。

技術研發(fā)人員：滕淵;朱陽軍;盧爍今;田曉麗
受保護的技術使用者：上海聯(lián)星電子有限公司;江蘇中科君芯科技有限公司
文檔號碼：201510550928
技術研發(fā)日：2015.08.31
技術公布日：2017.03.08