1.一種RC-IGBT的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，所述襯底具有漂移區(qū)；
在所述襯底上表面內(nèi)形成阱區(qū)；
在所述阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)；
在所述襯底下表面內(nèi)形成集電區(qū)；
形成正面電極結(jié)構(gòu)以及背面電極結(jié)構(gòu)；
對所述漂移區(qū)進行載流子壽命控制，降低所述漂移區(qū)的載流子壽命。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述對所述漂移區(qū)進行載流子壽命控制為對所述襯底上表面進行電子輻照。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述電子輻照的輻照劑量大于10KGS。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，進行載流子壽命控制后的漂移區(qū)的載流子壽命時間為10ns-10000ns，包括端點值。
5.一種RC-IGBT，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底具有漂移區(qū)；
設(shè)置在所述襯底上表面內(nèi)的阱區(qū)；
設(shè)置在所述阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；
設(shè)置在所述襯底下表面內(nèi)的集電區(qū)；
設(shè)置在所述襯底上表面的正面電極結(jié)構(gòu)；
設(shè)置在所述襯底下表面的背面電極結(jié)構(gòu)；
其中，所述漂移區(qū)為經(jīng)過電子輻照的半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的RC-IGBT，其特征在于，所述漂移區(qū)的載流子壽命時間為10ns-10000ns，包括端點值。