技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該存儲器裝置包括一基板、多個交互疊層的半導(dǎo)體層與氧化層、至少一貫孔以及一電極層。交互疊層的半導(dǎo)體層與氧化層設(shè)置于基板上。貫孔穿過交互疊層的半體體層與氧化層。電極層設(shè)置于貫孔中。每一半導(dǎo)體層包括一第一區(qū)域與一第二區(qū)域，第一區(qū)域具有一第一導(dǎo)電型，第二區(qū)域具有一第二導(dǎo)電型，第二導(dǎo)電型與第一導(dǎo)電型相反。

技術(shù)研發(fā)人員：賴二琨;蔣光浩
受保護的技術(shù)使用者：旺宏電子股份有限公司
文檔號碼：201510518275
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.21
技術(shù)公布日：2017.03.01