1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
一基板；
多個(gè)交互疊層的半導(dǎo)體層與氧化層，設(shè)置于該基板上；
至少一貫孔，穿過(guò)這些交互疊層的半體體層與氧化層；以及
一電極層，設(shè)置于該貫孔中，
其中每個(gè)該半導(dǎo)體層包括一第一區(qū)域與一第二區(qū)域，該第一區(qū)域具有一第一導(dǎo)電型，該第二區(qū)域具有一第二導(dǎo)電型，該第二導(dǎo)電型與該第一導(dǎo)電型相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，更包括：
一隔離層，沿著該貫孔的周圍形成，
其中該第二區(qū)域相鄰于該隔離層，該第一區(qū)域相鄰于該第二區(qū)域且該第二區(qū)域靠近該隔離層的濃度，大于該第二區(qū)域遠(yuǎn)離該隔離層的濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該隔離層包括金屬氧化物或相變化材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，更包括：
一導(dǎo)電插塞，設(shè)置于該基板；
一硬掩模，設(shè)置于這些交互疊層的半導(dǎo)體層與氧化層上，
其中該導(dǎo)電插塞電性連接該電極層，且該硬掩模包括氮化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該貫孔為圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該第二區(qū)域的寬度介于20至200nm。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：
提供一基板；
交互疊層多個(gè)半導(dǎo)體層與氧化層于該基板上，其中該半導(dǎo)體層具有一第一導(dǎo)電型；
沿著垂直這些疊層的半導(dǎo)體層與氧化層表面的方向，刻蝕這些疊層的半導(dǎo)體層與氧化層，以形成至少一貫孔；
沿著平行這些疊層的半導(dǎo)體層與氧化層表面的方向，刻蝕部分這些半 導(dǎo)體層，以形成多個(gè)空間；
沉積具有第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體材料于這些空間內(nèi)，使這些半導(dǎo)體層被區(qū)分為一第一區(qū)域與一第二區(qū)域；以及
沉積一導(dǎo)電層于該貫孔內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，更包括：
沿著該貫孔的周圍形成一隔離層，
其中該第二區(qū)域相鄰于該隔離層，該第一區(qū)域相鄰于該第二區(qū)域且該第二區(qū)域靠近該隔離層的濃度，大于該第二區(qū)域遠(yuǎn)離該隔離層的濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，更包括：
形成一導(dǎo)電插塞于該基板，
其中該導(dǎo)電插塞電性連接該電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，更包括：
形成一硬掩模于這些交互疊層的半導(dǎo)體層與氧化層上，
其中該硬掩模包括氮化硅。